JPH0360297A - Image pickup device and its operating method - Google Patents
Image pickup device and its operating methodInfo
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Landscapes
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- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は撮像装置に係り、特に撮像管の光導電膜面上の
円形領域のみを電子ビームで走査する撮像装置に関する
。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an imaging device, and more particularly to an imaging device that scans only a circular region on a photoconductive film surface of an imaging tube with an electron beam.
一般に、撮像管は入射した光像、又はX線像を電荷に変
換して蓄積を行う光導電ターゲット部と蓄積された電荷
を読み取るための電子ビーム発生部とからなっており、
テレビジョン放送や産業分野で広く用いられている。テ
レビジョン放送システムにおいては、撮像管の走査線数
、走査領域等の電子ビーム走査方式が各国で規格化され
ているが、産業応用分野では必要に応じて、例えば走査
領域、走査時間等が変更されて用いられている。Generally, an image pickup tube consists of a photoconductive target section that converts an incident light image or an X-ray image into charge and stores it, and an electron beam generation section that reads the accumulated charge.
Widely used in television broadcasting and industrial fields. In television broadcasting systems, the electron beam scanning method, such as the number of scanning lines of the image pickup tube and the scanning area, is standardized in each country, but in the industrial application field, for example, the scanning area, scanning time, etc. may be changed as necessary. and is used.
撮像管の電子ビーム収束偏向方式については、偏異と電
界の雨者をそれぞれ組合せた4種の方式が知られている
。これらについては、例えば、撮像工学、コロナ社(昭
50年)、画像電子囲路。Regarding the electron beam convergence/deflection method of the image pickup tube, four types of methods are known, each combining a deviation method and an electric field method. Regarding these, for example, Imaging Engineering, Coronasha (1970), Image Electronic Enclosure.
コロナ社(昭54年)に述べられている。It is stated in Coronasha (1972).
上記従来技術では、撮像管の円形状光導電膜全域に結像
された光像、又はX線像(以下総称して単に入射光像と
呼ぶ〉のうち、特定の四角形領域のみを電子ビームで走
査して読み取るために、上記有効走査領域外の入射光像
は映像信号として取り出されることなく切り捨てられて
いた。In the above-mentioned conventional technology, only a specific rectangular area of the optical image or X-ray image (hereinafter collectively referred to simply as the incident light image) formed over the entire circular photoconductive film of the image pickup tube is exposed to the electron beam. In order to scan and read, the incident light image outside the effective scanning area is discarded without being extracted as a video signal.
また、従来の走査方式のままで、走査領域のみを拡大し
て光導電面全域の信号を取り出す様にすれば、光導電周
辺部に露出したターゲット電極部まで電子ビームで走査
せざるを得ず、この場合は画像歪を超したり、2次電子
の影響で′I!!Ii質が劣化する等の問題があった。Furthermore, if the conventional scanning method is used and only the scanning area is expanded to extract signals from the entire photoconductive surface, the electron beam will have to be scanned to the target electrode exposed at the photoconductive periphery. , in this case, image distortion may be exceeded or 'I!' due to the influence of secondary electrons. ! There were problems such as deterioration of Ii quality.
本発明の目的は、円形状の光導電膜全域に結像された入
射光像を映像信号として忠実に読み出し得る撮像装置を
提供することにあり、これにより光導電膜の利用面積を
増して情報量を増すとともに解像度を高めることを目的
とする。An object of the present invention is to provide an imaging device that can faithfully read out an incident light image formed over the entire area of a circular photoconductive film as a video signal. The purpose is to increase the amount and resolution.
上記目的は、走査電子ビームの偏向角を従来より大きく
シ、かつ電子ビームのブランキング期間を各水平走査期
間毎に順次−qJ変して、電子ビームの有効走査領域を
円形状光導電膜面全域に拡大することにより達成される
。The above purpose is to make the deflection angle of the scanning electron beam larger than before, and to change the blanking period of the electron beam by −qJ for each horizontal scanning period, thereby changing the effective scanning area of the electron beam to a circular photoconductive film surface. This will be achieved by expanding to the entire area.
第1図は本発明の撮像装置の一例をボす図である。 FIG. 1 is a diagram showing an example of an imaging device according to the present invention.
lは被写体、2はレンズ、3は収束偏向コイル。l is the object, 2 is the lens, and 3 is the convergence/deflection coil.
4は撮像管、5は信号増幅囲路、6は収束偏向回路、7
は電1lIKl!!!路、8は電子ビーム制御回路、9
は映像モニター 10は光導電膜、11は電子ビームで
ある。4 is an image pickup tube, 5 is a signal amplification circuit, 6 is a convergence deflection circuit, and 7
Haden1lIKl! ! ! 8 is an electron beam control circuit, 9
10 is a photoconductive film, and 11 is an electron beam.
第1図(b)は、本装置において撮像管光導電膜が電子
ビームにより走査される様子を示すものである。FIG. 1(b) shows how the photoconductive film of the image pickup tube is scanned by an electron beam in this apparatus.
図中の実1jA12は電子ビーム走査線、点線13は電
子ビーム遮断線、破線14は帰線である。図では簡単の
ための走査線数9本の場合について示しであるが、実際
は国内現行放送規格では525本、商精細テレビシステ
ムでは1000本以上となる。本発明では、あらかじめ
電子ビームの偏向角が点A、B、C,Dで結ばれた光導
電膜を包含する領域に対応するように収束偏向回路6の
電圧を設定する。The solid line 1jA12 in the figure is an electron beam scanning line, the dotted line 13 is an electron beam cutoff line, and the broken line 14 is a return line. Although the figure shows a case where the number of scanning lines is 9 for simplicity, the actual number is 525 in the current domestic broadcasting standard, and over 1000 in a commercial definition television system. In the present invention, the voltage of the convergence/deflection circuit 6 is set in advance so that the deflection angle of the electron beam corresponds to a region including the photoconductive film connected by points A, B, C, and D.
次に実際の動作においては、電子ビーム制御回路8によ
り、第1図(b)の実線部分に相当する時間帯だけ電子
ビームをONL、、その他の電子ビーム遮断期間ならび
に帰線期間は電子ビームをOF Fする。Next, in actual operation, the electron beam control circuit 8 turns the electron beam ON only during the time period corresponding to the solid line in FIG. Off.
第2図は、本発明の撮像装置における水平偏向コイルの
電流波形(a)と、電子ビーム制御囲路8から供給され
る撮像管の第1グリツドとカソードとの間の電圧波形(
b)(以下、電子ビームブランキング信号波形と呼ぶ)
の−例をボす図である。図中の(c)および(d)は、
それぞれ従来技術における水平偏向コイルの電流波形な
らびに電子ビームブランキング信号波形である。FIG. 2 shows the current waveform (a) of the horizontal deflection coil in the image pickup apparatus of the present invention and the voltage waveform (a) between the first grid of the image pickup tube and the cathode supplied from the electron beam control circuit 8.
b) (hereinafter referred to as electron beam blanking signal waveform)
FIG. (c) and (d) in the figure are
These are a current waveform of a horizontal deflection coil and an electron beam blanking signal waveform in the prior art, respectively.
水平偏向コイルの電流波形(a)および(c)は、光導
電膜面を電子ビーム走査するための水平偏向期間22と
帰線期間23から成る周期的な鋸歯状波である。本発明
では、電子ビームによる走査領域を広くするために、偏
向コイルの電流波形(a)を(c)より大きくする。The current waveforms (a) and (c) of the horizontal deflection coil are periodic sawtooth waves consisting of a horizontal deflection period 22 and a retrace period 23 for scanning the photoconductive film surface with an electron beam. In the present invention, the current waveform (a) of the deflection coil is made larger than (c) in order to widen the scanning area by the electron beam.
第2図(b)の電子ビームブランキング信号波形は、1
つの水平走査期間内に第1ブリツド電泣をカソードに対
して負方向に高めて電子ビームを遮断する電子ビームカ
ットオフ期間24、第1グリツド電位をカソード電位に
近づけて電子ビームを通過させ、光導電+tri上の入
射光像を読み取る電子ビームオン期間25から戒ってい
る。従来方式では前述したように、電子ビーム走査領域
が四角形であるため、第2図(d)に示すように、電子
ビームカットオフ期間24、および電子ビームオン期間
25の比は常に一定となっている。これに対して本発明
では、第2図(b)に示すように各水平走査期間毎に電
子ビームオン期間を順次、変化させる。The electron beam blanking signal waveform in FIG. 2(b) is 1
During the electron beam cutoff period 24, the first grid potential is increased in the negative direction with respect to the cathode to cut off the electron beam within two horizontal scanning periods, and the first grid potential is brought close to the cathode potential to allow the electron beam to pass through. The electron beam ON period 25 for reading the incident light image on the conductive +tri is observed. In the conventional method, as described above, since the electron beam scanning area is rectangular, the ratio of the electron beam cutoff period 24 and the electron beam on period 25 is always constant, as shown in FIG. 2(d). . In contrast, in the present invention, as shown in FIG. 2(b), the electron beam on period is sequentially changed for each horizontal scanning period.
具体的には、第11!lの水平走査では第1図(b)の
光導電面の最上端のみを走査すれば良いので、電子ビー
ムオン期間25は、水平走査期間22に比べ、はんのわ
ずかで良い。Specifically, the 11th! In the horizontal scanning of 1, only the uppermost end of the photoconductive surface shown in FIG. 1(b) needs to be scanned, so that the electron beam on period 25 requires only a small amount of metal as compared to the horizontal scanning period 22.
以下、水平走査が進むにつれて電子ビームオン期間25
は徐々に長くし、水平走査線が光導電面の中央部に達す
る時が最も長くなる。さらに水平走査が進むと今度は徐
々に短かくし、光導電rfrjの最ト端に達した時、l
フィールドの電子ビーム走査を終了する。このようにし
て、第1図(b)でホした円形状光導電膜全域のみを電
子ビームで走査することができるにの操作をフィールド
単位で繰り返すことで、映像信号を光導電膜全域から忠
実かつ連続的に取り出すことができる。Below, as the horizontal scanning progresses, the electron beam on period 25
is gradually lengthened, and becomes longest when the horizontal scanning line reaches the center of the photoconductive surface. As the horizontal scanning progresses further, it gradually becomes shorter, and when it reaches the top end of the photoconductive rfrj, l
Finish electron beam scanning of the field. In this way, by repeating the operation of scanning only the entire circular photoconductive film with an electron beam as shown in FIG. And it can be taken out continuously.
以上のように、本発明によれば、エフイールド内の電子
ビームオン期間25、電子ビームオフ期間24を時系列
的に変化させることで光導電膜工0と同心円状の走査領
域を設定できるため、光導向上の入射光像をあますとこ
ろなく、忠実に再現できる。As described above, according to the present invention, by changing the electron beam on period 25 and the electron beam off period 24 in the F-field in time series, it is possible to set a scanning area concentric with the photoconductive film 0, thereby improving light guide. The incident light image can be reproduced completely and faithfully.
以上、電磁集束、電磁偏光方式の撮像管を用いて本発明
を説明したが、本発明は電子ビームの集束偏向方式その
ものは無関係であるので、「従来技術」の項で述べた集
束偏向方式の異なる種々の撮像管を用い得ることは云う
までもない。The present invention has been explained above using an image pickup tube using an electromagnetic focusing method or an electromagnetic polarization method. However, since the present invention is not related to the electron beam focusing method itself, the focusing and deflecting method described in the "Prior Art" section is It goes without saying that a variety of different image pickup tubes can be used.
第3図は本発明による再生−像の一例を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing an example of a reproduced image according to the present invention.
第3図(a)は、撮像管の光導電面に結像された入射光
像の様子を示す図で、3工は基板、32は光導電膜、3
3は結像された光像である。FIG. 3(a) is a diagram showing the appearance of an incident light image formed on the photoconductive surface of the image pickup tube, in which 3 is a substrate, 32 is a photoconductive film, and 3 is a photoconductive film.
3 is a formed optical image.
第3図(b)は本発明による撮像装置を用いた場合の再
生画像、第3図(c)は従来技術による再生画像である
。第3図(b)および(Q)から明らかなように、本発
明によれば入射光像をより広知囲に、しかも忠実に再生
できる。以上の効果7り八
は、ターゲット電圧を高めて使用する撮像管、例えばア
バランシェ増倍型撮像管において、特に顕著である。FIG. 3(b) shows a reproduced image using the imaging device according to the present invention, and FIG. 3(c) shows a reproduced image using the conventional technique. As is clear from FIGS. 3(b) and 3(Q), according to the present invention, the incident light image can be reproduced more widely and more faithfully. The above-mentioned effects are particularly noticeable in an image pickup tube that is used with a high target voltage, such as an avalanche multiplier type image pickup tube.
以ド、本発明を実施例により詳しく説明する。 Hereinafter, the present invention will be explained in detail with reference to Examples.
実施例1
第4図は磁界で電子ビームの収束、偏向を行う方式の撮
像管を用いた実施例のブランキング信号発生手段のブロ
ック図を示したものである。Embodiment 1 FIG. 4 is a block diagram of a blanking signal generating means of an embodiment using an image pickup tube that focuses and deflects an electron beam using a magnetic field.
カウンタ41.ROM42.ラッチ43.電圧変換器4
4で構成される。カウンタ41.ラッチ43にクロック
信号を人力すれば、カウンタ41は人力されるクロック
を計数し、計数に応じてROM42のアドレスを指定す
るようになっている。ROM42は、指定されたアドレ
スにあらかじめ内蔵したデータをラッチ43へ出力する
。Counter 41. ROM42. Latch 43. voltage converter 4
Consists of 4. Counter 41. When a clock signal is manually input to the latch 43, the counter 41 counts the input clock and specifies the address of the ROM 42 according to the count. The ROM 42 outputs data stored in advance at a designated address to the latch 43.
ここで、ROM42にあらかじめ内蔵しておくデータは
、クロック信号周期により決定する。以下本実施例では
1.575MHz のクロック信号を用いる場合につ
いて述べる。この場合、クロック周期は0.635μs
となるため、ll!!lの水平走査あたり内蔵される
ブランキング信号(周期63.5μS)データは100
等分に時分割されたものとなる。このようにすれば、1
つの水平走査期間、および帰線期間に対応する電子ビー
ムブランキング信号波形を得ることができる。同様の操
作を水平走査線525本について行えば、■フィールド
分の電子ビームブランキング信号波形が得られ、このl
フィールド分の信号波形を、あらかじめROM42へ記
憶しておく。Here, the data stored in the ROM 42 in advance is determined by the clock signal cycle. In this embodiment, a case will be described below in which a 1.575 MHz clock signal is used. In this case, the clock period is 0.635μs
Therefore, ll! ! The built-in blanking signal (period: 63.5 μS) data per horizontal scan is 100
The time will be divided equally. In this way, 1
Electron beam blanking signal waveforms corresponding to two horizontal scanning periods and a retrace period can be obtained. If the same operation is performed for 525 horizontal scanning lines, the electron beam blanking signal waveform for field ■ will be obtained, and this
Signal waveforms for fields are stored in the ROM 42 in advance.
ラッチ43は、クロック信号によって出力されたROM
42の内蔵データを次のクロック信号が人力されるまで
保持し、電圧変換器44へ出力する。電圧変換器44は
T TLレベルのランチ43の電子ビームブランキング
信号波形を最大−200Vまで昇圧し、撮像管の第1グ
リツド電極とカソード電極間に印加する。The latch 43 is a ROM that is output by a clock signal.
The built-in data of 42 is held until the next clock signal is input manually, and is output to the voltage converter 44. The voltage converter 44 boosts the TTL level electron beam blanking signal waveform of the launch 43 to a maximum of -200V and applies it between the first grid electrode and the cathode electrode of the image pickup tube.
以上のようにして、1フイ一ルド分の時系列的にuf変
した電子ビームブランギング信号を実現できる。As described above, it is possible to realize an electron beam blanging signal whose uf is changed in time series for one field.
2フイールド目以降は、1フイールド目と同様のブラン
キング信号で良いので、ROM42のアドレスを1フイ
ールド終了後に先頭番地に戻しておく。そのためには、
ROM42のリセットラインに、各フィールドの終りに
信号を発生するような垂直同期信号を人力する。From the second field onward, the same blanking signal as for the first field may be used, so the address of the ROM 42 is returned to the first address after the first field is completed. for that purpose,
A vertical synchronization signal is manually applied to the reset line of the ROM 42 to generate a signal at the end of each field.
以上に述べた囲路を用いることにより、第1図(b)に
示した電子ビーム走査が可能となる6さらに、光導電膜
の極近傍まで正確に電子ビーム走査を行うには、第4図
(b)、(Q)のように11変抵抗器45を用い、水平
および垂直偏向コイルの電流波形を可変させて、電子ビ
ーム走査領域の微調整を行うことができる。By using the enclosure described above, it is possible to perform the electron beam scanning shown in FIG. As shown in (b) and (Q), the electron beam scanning area can be finely adjusted by varying the current waveforms of the horizontal and vertical deflection coils using the 11-variable resistor 45.
以上により、第工図に示した電子ビーム制御回路8を構
成できる。Through the above steps, the electron beam control circuit 8 shown in the drawing can be constructed.
実施例2
第5図は、実施例1で述べた撮像装置とX線イメージイ
ンテンシファイアを組み合わせたX!診断装置の一例で
ある。5工はX線源、52は被検体、53はけい光面、
54は光電面、55はけい光面、56はタンデムレンズ
、57は撮像装置、9は映像モニタである。Embodiment 2 FIG. 5 shows the X! This is an example of a diagnostic device. 5 is an X-ray source, 52 is a subject, 53 is a fluorescent surface,
54 is a photocathode, 55 is a fluorescent surface, 56 is a tandem lens, 57 is an imaging device, and 9 is a video monitor.
図に示すように、被検体52を透過したXI&は、X線
イメージインテンシファイアの円形状xmけい充血53
に投影され、さらに、光電血54によって光電子に変換
される。As shown in the figure, the XI& transmitted through the subject 52 is the circular xm hyperemia 53 of the X-ray image intensifier.
The photoelectrons are projected onto the photoelectrons and further converted into photoelectrons by the photoelectric blood 54.
上記光電子は電子レンズで加速、収束されてけい充血5
5を衝撃し、光像に変換される。けい光If1155の
光像はタンデムレンズ56で収束され、撮像装置57に
より映像モニタ9上に再生される。The above photoelectrons are accelerated and focused by an electron lens, causing hyperemia 5
5 and is converted into a light image. The optical image of the fluorescence If 1155 is converged by the tandem lens 56 and reproduced on the video monitor 9 by the imaging device 57.
すなわち被検体52のX線像は、XvAイメージインテ
ンシファイアにより円形に縁取られた光像となって出力
されるので1本実施例のように円形の領域を電子ビーム
で走査する撮像装置を用いることで、X線イメージイン
テンシファイアの出力像をあますことなく観察でき、被
検体のより広範囲な部位のX線診断が口1能となる。In other words, since the X-ray image of the subject 52 is output as a circularly framed optical image by the XvA image intensifier, an imaging device that scans a circular area with an electron beam is used as in this embodiment. As a result, the output image of the X-ray image intensifier can be observed completely, and X-ray diagnosis of a wider region of the subject can be performed with ease.
実施例3
第6図は実施例1で述べた撮像装置と顕微鏡装置を組み
合わせた画像検出装置の例で、6王は試料、62は顕微
鏡装置、57は本発明の撮像装置、9は映像モニターで
ある。Embodiment 3 FIG. 6 is an example of an image detection device that combines the imaging device and microscope device described in Embodiment 1, where 6 is a sample, 62 is a microscope device, 57 is an imaging device of the present invention, and 9 is a video monitor. It is.
図に示すように、試料61の像は顕微鏡装置で拡大され
、撮像装置57へ投影される。この投影像は一般に円形
に縁取られた像であるので1円形の領域を電子ビームで
走査する撮像装置57とを組み合わせて用いることによ
り、実施例2と同様に、その効果は大きい。As shown in the figure, the image of the sample 61 is magnified by a microscope device and projected onto an imaging device 57. Since this projected image is generally a circularly framed image, by using it in combination with the imaging device 57 that scans a circular area with an electron beam, the effect is great as in the second embodiment.
以上から明らかなように、本発明によればブランキング
信号中のビームオン期間を任意に設定できるので、撮像
管の光導電面全域にわたって、電子ビーム走査が可能に
なり、人力像をあますところなく出力できる。特に、本
発明の装置を、X線診断装置や画像検出装置に利用すれ
ば、入射光像をすべて映像信号として取り出すことがで
きるために情報量を大幅に増やすことができ、その効果
は大である。As is clear from the above, according to the present invention, since the beam-on period during the blanking signal can be arbitrarily set, it is possible to scan the electron beam over the entire photoconductive surface of the image pickup tube, and it is possible to completely eliminate manual imaging. Can be output. In particular, if the device of the present invention is used in an X-ray diagnostic device or an image detection device, the amount of information can be greatly increased because all incident light images can be extracted as video signals, and the effect is great. be.
第1図(a)は本発明の撮像装置の一例をボすブロック
図、第1図(b)は本発明の実施例の装置における撮像
管光導電膜上の電子ビーム走査を示す平向図、第2図(
a)、(b)は、それぞれ本発明の実施例の撮像装置に
おける水平偏向コイルの電流波形ならびに電子ビームラ
ンキング信号波形図、第2図(c)、(d)は、それぞ
れ従来技術における水平偏向コイルの電流波形ならびに
電子ビームブランキング信号波形図、第3図(a)は搬
像管上の入射光像、同図(b)は本発明の実施例による
再生画像、同(c)は従来技術による再生画像をそれぞ
れボす図、第4図は本発明の一実施例のブランキング信
号発生手段のブロック図。
第5図、第6図は本発明の他の実施例になる装置の概略
構成を示すブロック図である。
l・・・被写体、2・・・レンズ、3・・・収束偏向コ
イル、4・・・撮像管、5・・・信号増幅囲路、6・・
・収束偏向回路、7・・・電源回路、8・・・電子ビー
ム制御囲路、9・・・映像モニター IO・・・光導電
膜、11・・・電子ビーム、12・・・電子ビーム走査
線、13・・・電子ビー拠遮断線、工4・・・帰線、2
工・・・水平偏向周期、22・・・水平偏向期間、23
・・・帰線期間、24・・・電子ビームカットオフ期間
、25・・・電子ビームオン期間、31・・・透光性基
板、32・・・光導電膜、33・・・結像された光像、
41・・・カウンタ、42・・・ロム、43・・・ラッ
チ、44・・・電圧変換器、45・・・可変抵抗器、5
1・・・X線源、52・・・被写体、53・・・けい光
面、54・・・光電面、55・・・けい光間、56・・
・タンデムレンズ、57・・・撮像装置、61・・・試
料、62・・・顕微鏡装置。
イ
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因
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第
す
因FIG. 1(a) is a block diagram showing an example of the imaging device of the present invention, and FIG. 1(b) is a plan view showing electron beam scanning on the photoconductive film of the imaging tube in the device of the embodiment of the present invention. , Figure 2 (
a) and (b) are current waveforms and electron beam ranking signal waveforms of the horizontal deflection coil in the imaging device according to the embodiment of the present invention, respectively, and FIGS. 2(c) and 2(d) are diagrams of the horizontal deflection in the prior art, respectively. Current waveform of the coil and electron beam blanking signal waveform diagram, FIG. 3(a) is an incident light image on the image carrier tube, FIG. 3(b) is a reproduced image according to the embodiment of the present invention, and FIG. 3(c) is a conventional image. FIG. 4 is a block diagram of a blanking signal generating means according to an embodiment of the present invention. FIGS. 5 and 6 are block diagrams showing a schematic configuration of an apparatus according to another embodiment of the present invention. l...Subject, 2...Lens, 3...Convergence/deflection coil, 4...Image tube, 5...Signal amplification circuit, 6...
- Convergence/deflection circuit, 7... Power supply circuit, 8... Electron beam control circuit, 9... Image monitor IO... Photoconductive film, 11... Electron beam, 12... Electron beam scanning Line, 13...Electronic base cutoff line, Work 4...Return line, 2
Work...Horizontal deflection period, 22...Horizontal deflection period, 23
... Retrace period, 24... Electron beam cutoff period, 25... Electron beam on period, 31... Transparent substrate, 32... Photoconductive film, 33... Imaged light image,
41... Counter, 42... ROM, 43... Latch, 44... Voltage converter, 45... Variable resistor, 5
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... X-ray source, 52... Subject, 53... Fluorescent surface, 54... Photocathode, 55... Fluorescent space, 56...
- Tandem lens, 57... Imaging device, 61... Sample, 62... Microscope device. I + k)) Envy cause button (su) (C/) ¥341 power (ku) ('r)> (shi) fan first cause
Claims (1)
膜電極と該電極上に形成された円形状の光導電膜と該光
導電膜表面を順次走査するための電子ビーム発生部とを
具備する撮像管と、電子ビームにより一定速度で走査さ
れる光導電膜面上の領域が円形になる様な走査電子ビー
ムの制御回路とを少なくとも有することを特徴とする撮
像装置。 2、特許請求の範囲第1項記載の走査電子ビーム制御回
路が、各水平走査期間毎に電子ビームブランキング期間
を順次可変せしめ得る機能を有することを特徴とする撮
像装置。 3、少なくとも、上記特許請求の範囲第1項記載の撮像
装置とX線イメージインテンシフアイアとからなること
を特徴とするX線診断装置。 4、少なくとも、上記特許請求の範囲第1項記載の撮像
装置と顕微鏡装置とからなることを特徴とする画像検出
装置。 5、少なくとも円形状の基板と該基板上に延伸された薄
膜電極と該電極上に形成された円形状の光導電膜と該光
導電膜表面を順次走査するための電子ビーム発生部とを
具備する撮像管において、光導電膜面上の円形領域のみ
を電子ビームにより一定速度で走査することを特徴とす
る撮像装置の動作方法。[Claims] 1. At least a circular substrate, a thin film electrode stretched on the substrate, a circular photoconductive film formed on the electrode, and electrons for sequentially scanning the surface of the photoconductive film. An imaging device comprising at least an image pickup tube equipped with a beam generating section, and a scanning electron beam control circuit such that a region on a photoconductive film surface scanned at a constant speed by the electron beam becomes circular. . 2. An imaging apparatus characterized in that the scanning electron beam control circuit according to claim 1 has a function of sequentially varying the electron beam blanking period for each horizontal scanning period. 3. An X-ray diagnostic apparatus comprising at least the imaging device according to claim 1 and an X-ray image intensifier. 4. An image detection device comprising at least an imaging device according to claim 1 and a microscope device. 5. At least a circular substrate, a thin film electrode extended on the substrate, a circular photoconductive film formed on the electrode, and an electron beam generator for sequentially scanning the surface of the photoconductive film. 1. A method of operating an imaging device, comprising scanning only a circular region on a photoconductive film surface with an electron beam at a constant speed in an imaging tube.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1194116A JPH0360297A (en) | 1989-07-28 | 1989-07-28 | Image pickup device and its operating method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1194116A JPH0360297A (en) | 1989-07-28 | 1989-07-28 | Image pickup device and its operating method |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0360297A true JPH0360297A (en) | 1991-03-15 |
Family
ID=16319187
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1194116A Pending JPH0360297A (en) | 1989-07-28 | 1989-07-28 | Image pickup device and its operating method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0360297A (en) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5993719A (en) * | 1994-09-08 | 1999-11-30 | Idemitsu Petrochemical Co., Ltd. | Method of producing a laminated molding |
US6439871B1 (en) | 1998-03-11 | 2002-08-27 | Idemitsu Petrochemical Co., Ltd. | Molding die for laminated molding |
US6454984B1 (en) | 1998-03-12 | 2002-09-24 | Idemitsu Petrochemical Co., Ltd. | Molding die of laminated molding and manufacturing method of laminated molding |
US6572808B1 (en) | 1998-12-17 | 2003-06-03 | Idemitsu Petrochemical Co., Ltd. | Method for producing a molded laminate |
-
1989
- 1989-07-28 JP JP1194116A patent/JPH0360297A/en active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5993719A (en) * | 1994-09-08 | 1999-11-30 | Idemitsu Petrochemical Co., Ltd. | Method of producing a laminated molding |
US6439871B1 (en) | 1998-03-11 | 2002-08-27 | Idemitsu Petrochemical Co., Ltd. | Molding die for laminated molding |
US6454984B1 (en) | 1998-03-12 | 2002-09-24 | Idemitsu Petrochemical Co., Ltd. | Molding die of laminated molding and manufacturing method of laminated molding |
US6572808B1 (en) | 1998-12-17 | 2003-06-03 | Idemitsu Petrochemical Co., Ltd. | Method for producing a molded laminate |
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