JPH0352002Y2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0352002Y2
JPH0352002Y2 JP6461986U JP6461986U JPH0352002Y2 JP H0352002 Y2 JPH0352002 Y2 JP H0352002Y2 JP 6461986 U JP6461986 U JP 6461986U JP 6461986 U JP6461986 U JP 6461986U JP H0352002 Y2 JPH0352002 Y2 JP H0352002Y2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
diode
phase shift
pattern
phase
inductance
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP6461986U
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS62177102U (en
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP6461986U priority Critical patent/JPH0352002Y2/ja
Publication of JPS62177102U publication Critical patent/JPS62177102U/ja
Application granted granted Critical
Publication of JPH0352002Y2 publication Critical patent/JPH0352002Y2/ja
Expired legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案はデジタル的に透過位相量の可変ができ
るダイオード移相器に係り、特にレーダやECM
等に利用されるフエイズドアレイなどに適用して
好適なダイオード移相器に関する。
[Detailed description of the invention] [Industrial application field] The present invention relates to a diode phase shifter that can digitally vary the transmission phase amount, and is particularly applicable to radar and ECM.
The present invention relates to a diode phase shifter that is suitable for application to phased arrays used in other applications.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

この種のダイオード移相器としては第2図ない
し第4図に示す構造のものが既に提供されてお
り、それに採用されている理論についての詳細は
例えば「清水紀雄;“日本無線技報″No.19,1983
年第64頁〜第74頁」に記載されている。
As this type of diode phase shifter, those with the structure shown in Figs. .19, 1983
2013, pages 64 to 74.

このダイオード移相器について、第2図ないし
第4図を参照しながら以下に説明する。
This diode phase shifter will be explained below with reference to FIGS. 2 to 4.

第2図は従来のダイオード移相器の全体構成を
示す斜視図であり、第3図は第2図の移相器の平
面回路のパターンの一部を拡大して示す平面図で
あり、また、第4図は第3図のA−A線に沿つて
示す断面図である。
FIG. 2 is a perspective view showing the overall configuration of a conventional diode phase shifter, and FIG. 3 is a plan view showing an enlarged part of the planar circuit pattern of the phase shifter shown in FIG. , FIG. 4 is a sectional view taken along line A--A in FIG. 3.

これらの図において、金属板2の一端部に端子
4a〜4dが取付けられる板体2を立設してあ
り、その金属板2の上に誘電体基板8を固着して
ある。この誘電体基板8上には薄膜生成技術を用
いて図示の如き形状をした金属導体の平面回路パ
ターン10が形成してある。平面回路パターン1
0は、線路11を含むローデツドライン型移相回
路12A,12Bと、線路11を含む反射型移相
回路14A,14Bと、接続端子16a〜16d
を含み、移相回路12A,12B,14A,14
Bに各々接続されるバイアス回路18a〜18d
と、このバイアス回路18a〜18dに個々に設
けたローパスフイルタ20a〜20dと、高周波
入出力用の線路22a,22bとからなつてい
る。また、誘電体基板8には、各移相回路12
A,12B,14A,14Bと対応した位置に
PINダイオード素子26a1,26a2,26b1,2
6b2,26c1,26c2,26d1,26d2が設けら
れている。
In these figures, a plate 2 to which terminals 4a to 4d are attached is erected at one end of a metal plate 2, and a dielectric substrate 8 is fixed onto the metal plate 2. A planar circuit pattern 10 of a metal conductor having a shape as shown in the figure is formed on this dielectric substrate 8 using a thin film production technique. Planar circuit pattern 1
0 is a loaded line type phase shift circuit 12A, 12B including the line 11, a reflection type phase shift circuit 14A, 14B including the line 11, and connection terminals 16a to 16d.
including phase shift circuits 12A, 12B, 14A, 14
Bias circuits 18a to 18d each connected to B
The bias circuits 18a to 18d are individually provided with low pass filters 20a to 20d, and high frequency input/output lines 22a and 22b. Further, each phase shift circuit 12 is provided on the dielectric substrate 8.
At the positions corresponding to A, 12B, 14A, 14B
PIN diode elements 26a 1 , 26a 2 , 26b 1 , 2
6b 2 , 26c 1 , 26c 2 , 26d 1 and 26d 2 are provided.

このPINダイオード26を接地する手段は、第
3図に示す如く、いわゆる接地面を使用せずに、
1/4波長開放スタブ50をもつて高周波的に接地
してある。伝送路11はキヤパシタを用いずに共
通接地電位として、これを高周波チヨーク52を
もつて金属板2に接地してある。また、1/4波長
開放スタブ50は、高周波チヨーク54をもつバ
イアス回路56を接続してある。バイアス回路5
6は、バイアス端58が設けてある。1/4波長開
放スタブ50の端部には、PINダイオード26の
一端が固定してあり、そのPINダイオード26の
他端は金属のワイヤ60をもつて移相回路12の
一端部に接続してある。
As shown in FIG. 3, the means for grounding this PIN diode 26 is as follows, without using a so-called ground plane.
A 1/4 wavelength open stub 50 is used to ground the high frequency. The transmission line 11 has a common ground potential without using a capacitor, and is grounded to the metal plate 2 through a high frequency cable 52. Further, the 1/4 wavelength open stub 50 is connected to a bias circuit 56 having a high frequency choke 54. Bias circuit 5
6 is provided with a bias end 58. One end of a PIN diode 26 is fixed to the end of the 1/4 wavelength open stub 50, and the other end of the PIN diode 26 is connected to one end of the phase shift circuit 12 with a metal wire 60. be.

このように構成された回路の動作を説明する。
バイアス端58は直流バイアスが印加されると、
直流がバイアス回路54を介してダイオード26
に加わる。すると、ダイオード26が導通して、
直流電流が金属板2、高周波チヨーク52、移相
回路12、ダイオード26、1/4波長開放スタブ
50、バイアス回路56と流れる。この移相回路
12は所望の移相量を得るように回路構成してあ
る。
The operation of the circuit configured in this way will be explained.
When a DC bias is applied to the bias end 58,
Direct current flows through the diode 26 via the bias circuit 54.
join. Then, the diode 26 becomes conductive, and
A direct current flows through the metal plate 2, the high frequency choke 52, the phase shift circuit 12, the diode 26, the 1/4 wavelength open stub 50, and the bias circuit 56. This phase shift circuit 12 is configured to obtain a desired amount of phase shift.

しかして、線路11を伝播する高周波は、一定
位相量が得られることになるのである。
Therefore, the high frequency wave propagating through the line 11 has a constant phase amount.

なお、開放スタブは1/4波長に限られず、1/4
(1+2n)波長(ただし、n=0,1,2,3,
……)のものも用いられる。なお、n=0の場合
以外は、それなりのスペースが必要となる。要す
るに、1/4(1+2n)波長開放スタブの場合は、
その入力インピーダンスが他の長さのものに比較
して最少になり、また周波数特性も最良となるの
で、これをもつて接地面とするのが最も良い。
Note that the open stub is not limited to 1/4 wavelength;
(1+2n) wavelengths (where n=0, 1, 2, 3,
...) are also used. Note that a certain amount of space is required except when n=0. In short, for a 1/4 (1+2n) wavelength open stub,
It is best to use this as the ground plane because its input impedance is the smallest compared to other lengths, and the frequency characteristics are also the best.

〔考案が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention attempts to solve]

このような、従来のダイオード移相器において
は、移相量が設定値よりズレた場合、ダイオード
を交換する(接合容量の変更)が、ダイオードの
ワイヤボンデイングをやり直す(インダクタンス
の変更)こと等が行われている。ところが、この
ような方法によつたのでは、いずれも工数が増大
し、信頼性の低下を招き、量産に適さないという
欠点を有している。
In such conventional diode phase shifters, if the amount of phase shift deviates from the set value, the diode is replaced (change of junction capacitance), but it is also necessary to redo the wire bonding of the diode (change of inductance). It is being done. However, all of these methods have the drawbacks of increasing man-hours, lowering reliability, and being unsuitable for mass production.

〔考案の目的〕[Purpose of invention]

本考案の目的は、移相量の調整、検査時に測定
器にセツトしたままで所望の移相量を得ることの
できるダイオード移相器を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a diode phase shifter that can obtain a desired phase shift amount while being set in a measuring instrument during phase shift adjustment and inspection.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

本考案は、高周波接地用スタブに補正パターン
を設け、移相誤差の補正を容易にするものであ
る。すなわち、本考案は、誘電体基板上の金属導
体のパターンをもつて一定の位相変化量をもたせ
る移相回路を所定数形成し、当該移相回路を接地
点に離・接し1/4波長開放スタブからなる金属パ
ターンで形成される高周波接地手段に装着される
ダイオードを設け、該ダイオードにバイアスを印
加できるバイアス回路を設けてなるダイオード移
相器において、上記スタブの開放端に補正パター
ンを設け、該補正パターンを切り離すことにより
上記ダイオードのインダクタンスを等価的に増減
させるようにしたことを特徴とするものである。
The present invention provides a correction pattern on the high-frequency grounding stub to facilitate correction of phase shift errors. In other words, the present invention forms a predetermined number of phase shift circuits with a metal conductor pattern on a dielectric substrate to provide a constant amount of phase change, and separates and connects the phase shift circuits to a ground point to open up to 1/4 wavelength. A diode phase shifter comprising a diode attached to a high frequency grounding means formed of a metal pattern consisting of a stub, and a bias circuit capable of applying a bias to the diode, wherein a correction pattern is provided at the open end of the stub, The present invention is characterized in that the inductance of the diode can be equivalently increased or decreased by separating the correction pattern.

〔実施例〕〔Example〕

以下、本考案の実施例について説明する。 Examples of the present invention will be described below.

第1図には本考案の一実施例が示されている。 FIG. 1 shows an embodiment of the present invention.

図において、PINダイオード26は1/4波長
(1/4λg)開放スタブ50によつて高周波的に接
地されている。伝送路11はキヤバシタを用いず
に共通接地電位として、これを高周波チヨーク5
2をもつて金属板8に接地されている。
In the figure, the PIN diode 26 is grounded at high frequency by a 1/4 wavelength (1/4λg) open stub 50. The transmission line 11 uses a common ground potential without using a capacitor, and connects it to the high frequency cable 5.
2 and is grounded to the metal plate 8.

この1/4波長開放スタブ50の開放端には補正
パターン100が設けられている。この補正パタ
ーン100は、1/4λgの開放スタブの開放端に設
けられ細い過状パターンが設けられ各帯状パター
ンがワイヤによつて接続されている。このワイヤ
を切離すことによつてPINダイオード26のイン
ダクタンスを変更することができる。例えば、
180°の移相量を得るには(なお、第1図は180°移
相回路ではない)PINダイオード26の接合容量
をC′ボンデイングワイヤのインダクタンスをLと
すると、 L/C=(1−ω2CL)=ZO 2 ……(1) 但)ZO:伝送ラインの特性インピーダンス を満足しなければならない。しかしながらダイオ
ードのCおよびボンデイングワイヤのLのばらつ
きにより、(1)式の設計値と一致しない場合が多
い。そこでこの補正パターン100のワイヤを切
り離して1/4λgの値を変化させ、所望の移相量を
得るべくダイオードのインダクタンスを得る。す
なわち、補正パターン100の波長(λg′)によ
つてインダクタンスL′が付加される。このインダ
クタンスL′は L′=Zt/ωtan2πλg′/λg ……(2) 但)Zt:スタブの特性インピーダンス なお、L′(λg′)を小さくする方向で移相の補正
が可能となるようにC,Lを予め決定しておき、
(C,Lのバラツキを許容しておく)、移相量の調
整、検査時に測定器にセツトしたままでボンデイ
ングワイヤの“はぎとり″で所望の移相量を得る
ことができる。また、1/4波長開放スタブ50に
は、高周波チヨーク54をもつバイアス回路56
が接続されている。このバイアス回路56には、
バイアス端58が設けられている。また1/4波長
開放スタブ50の端部には、PINダイオード26
の一端が固定されており、そのPINダイオード2
6の他端は金属のワイヤ60をもつて移相回路1
2の一端部に接続されている。
A correction pattern 100 is provided at the open end of this 1/4 wavelength open stub 50. This correction pattern 100 is provided at the open end of a 1/4λg open stub, and has a narrow band pattern, and each band pattern is connected by a wire. By disconnecting this wire, the inductance of the PIN diode 26 can be changed. for example,
To obtain a phase shift of 180° (note that Figure 1 is not a 180° phase shift circuit), the junction capacitance of the PIN diode 26 is C', and the inductance of the bonding wire is L, then L/C=(1- ω 2 CL) = Z O 2 ...(1) However) Z O : Must satisfy the characteristic impedance of the transmission line. However, due to variations in C of the diode and L of the bonding wire, it often does not match the design value of equation (1). Therefore, the wire of this correction pattern 100 is separated and the value of 1/4λg is changed to obtain the inductance of the diode to obtain the desired amount of phase shift. That is, inductance L' is added depending on the wavelength (λg') of the correction pattern 100. This inductance L' is L'=Zt/ωtan2πλg'/λg...(2) However) Zt: Characteristic impedance of the stub In addition, the phase shift can be corrected in the direction of decreasing L'(λg'). Determine C and L in advance,
The desired amount of phase shift can be obtained by adjusting the amount of phase shift (allowing for variations in C and L) and by "peeling off" the bonding wire while it is set in the measuring instrument during inspection. Further, the 1/4 wavelength open stub 50 includes a bias circuit 56 having a high frequency choke 54.
is connected. This bias circuit 56 includes
A bias end 58 is provided. In addition, a PIN diode 26 is connected to the end of the 1/4 wavelength open stub 50.
One end of is fixed, and its PIN diode 2
The other end of 6 is connected to the phase shift circuit 1 with a metal wire 60.
It is connected to one end of 2.

このように構成された実施例の動作を説明す
る。バイアス端58は直流バイアスが印加される
と、直流がバイアス回路54を介してダイオード
26に加わる。すると、ダイオード26が導通し
て、直流電流が金属板2、高周波チヨーク52、
移相回路12、ダイオード26、1/4波長開放ス
タブ50、バイアス回路56と流れる。この移相
回路12は所望の移相量を得るように回路構成し
てある。
The operation of the embodiment configured in this way will be explained. When a DC bias is applied to the bias end 58, the DC is applied to the diode 26 via the bias circuit 54. Then, the diode 26 becomes conductive, and a direct current flows through the metal plate 2, the high-frequency chain 52,
It flows through the phase shift circuit 12, the diode 26, the 1/4 wavelength open stub 50, and the bias circuit 56. This phase shift circuit 12 is configured to obtain a desired amount of phase shift.

〔考案の効果〕[Effect of idea]

以上説明したように、本考案によれば、補正パ
ターンを設け、微少インダクタンスL′(λg′)を小
さくする(ボンデイングのはぎとり)ことでダイ
オードのインダクタンスを補正できるようにして
あるため、測定器にセツトしたままで検査しなが
ら移相量の調整をすることができる。
As explained above, according to the present invention, the inductance of the diode can be corrected by providing a correction pattern and reducing the minute inductance L'(λg') (stripping off the bonding). The amount of phase shift can be adjusted while inspecting the set.

また、本考案によれば移相器を測定器にセツト
したままで調整できるためインダクタンス調整の
ための特別な技能を要しない。
Further, according to the present invention, since the phase shifter can be adjusted while being set in the measuring instrument, special skills for inductance adjustment are not required.

また、本考案によれば、補正パターンの帯状パ
ターンの切り離しによつて調整するものであるか
らダイオードのインダクタンスの微調整を行うこ
とができる。
Further, according to the present invention, the inductance of the diode can be finely adjusted because the adjustment is made by cutting off the strip pattern of the correction pattern.

また、本考案によれは、ダイオードのインダク
タンス調整用の補正パターンを有しているので、
移相量の周波数特性の改善を行うこともできる。
Moreover, since the present invention has a correction pattern for adjusting the inductance of the diode,
It is also possible to improve the frequency characteristics of the amount of phase shift.

さらに本考案によれば、回路方式(ローデイツ
トライン型、反射型)にもかかわらず有効に用い
ることができる。
Further, according to the present invention, it can be effectively used regardless of the circuit type (low date line type, reflective type).

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本考案の実施例を示す図、第2図は従
来のダイオード移相器の全体構成図、第3図は第
2図の移相器の平面回路パターンの一部拡大図、
第4図は第3図のA−A断面図である。 11……伝送路、26……ダイオード、50…
…1/4波長開放スタブ、100……補正パターン。
FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of the present invention, FIG. 2 is an overall configuration diagram of a conventional diode phase shifter, and FIG. 3 is a partially enlarged view of the planar circuit pattern of the phase shifter in FIG.
FIG. 4 is a sectional view taken along the line AA in FIG. 3. 11...Transmission line, 26...Diode, 50...
...1/4 wavelength open stub, 100...correction pattern.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 誘電体基板上の金属導体のパターンをもつて一
定の位相変化量をもたせる移相回路を所定数形成
し、当該移相回路を接地点に離・接し1/4波長開
放スタブからなる金属パターンで形成される高周
波接地手段に装着されるダイオードを設け、該ダ
イオードにバイパスを印加できるバイアス回路を
設けてなるダイオード移相器において、上記スタ
ブ開放端に補正パターンを設け、該補正パターン
を切り離すことにより上記ダイオードのインダク
タンスを等価的に増減させるようにしたことを特
徴とするダイオード移相器。
A predetermined number of phase shift circuits with a certain amount of phase change are formed using a pattern of metal conductors on a dielectric substrate, and the phase shift circuits are connected to and separated from a ground point by a metal pattern consisting of 1/4 wavelength open stubs. In a diode phase shifter that includes a diode attached to the high frequency grounding means to be formed and a bias circuit capable of applying a bypass to the diode, a correction pattern is provided at the open end of the stub, and the correction pattern is separated. A diode phase shifter characterized in that the inductance of the diode is increased or decreased equivalently.
JP6461986U 1986-04-28 1986-04-28 Expired JPH0352002Y2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6461986U JPH0352002Y2 (en) 1986-04-28 1986-04-28

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6461986U JPH0352002Y2 (en) 1986-04-28 1986-04-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS62177102U JPS62177102U (en) 1987-11-10
JPH0352002Y2 true JPH0352002Y2 (en) 1991-11-11

Family

ID=30900936

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6461986U Expired JPH0352002Y2 (en) 1986-04-28 1986-04-28

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0352002Y2 (en)

Also Published As

Publication number Publication date
JPS62177102U (en) 1987-11-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4495505A (en) Printed circuit balun with a dipole antenna
SU1510726A3 (en) Symmetry arrangement
US4266206A (en) Stripline filter device
US4450418A (en) Stripline-type power divider/combiner with integral resistor and method of making the same
US4901042A (en) High frequency power divider
US4123730A (en) Slot transmission line coupling technique using a capacitor
JPS60180202A (en) Strip line circuit
USRE31470E (en) Stripline filter device
JPH06152206A (en) Reflectionless termination
US4749969A (en) 180° hybrid tee
JPH0352002Y2 (en)
US4251784A (en) Apparatus for parallel combining an odd number of semiconductor devices
US11406008B2 (en) Wideband termination for high power applications
JPH0770887B2 (en) Matching circuit for semiconductor devices
JPH0246001A (en) Impedance matching circuit
JPS6033608Y2 (en) variable impedance converter
JPH01300701A (en) Coplanar type antenna
JPH07326909A (en) Microwave matching circuit
JPS5991701A (en) Diode phase shifter
JPS62254503A (en) Millimeter wave attenuator
JPH0136323Y2 (en)
JPS61113301A (en) Microstrip line terminator
JPH06112706A (en) Impedance converter circuit
JPS6224963Y2 (en)
JPH0574004U (en) Planar balanced-unbalanced converter