JPH0350832B2 - - Google Patents
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- JPH0350832B2 JPH0350832B2 JP2442582A JP2442582A JPH0350832B2 JP H0350832 B2 JPH0350832 B2 JP H0350832B2 JP 2442582 A JP2442582 A JP 2442582A JP 2442582 A JP2442582 A JP 2442582A JP H0350832 B2 JPH0350832 B2 JP H0350832B2
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- H—ELECTRICITY
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はスパツタリングによる基板等への薄膜
形成に際し、均一な膜厚を得るのに好適なスパツ
タリング装置に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a sputtering apparatus suitable for obtaining a uniform film thickness when forming a thin film on a substrate or the like by sputtering.
薄膜形成用スパツタリング装置として、数種類
の方式が知られているが、生産性の高いスパツタ
リング方式としてマグネトロン型スパツタ方式が
多く利用されている。マグネトロン型スパツタ方
式も数種類の方式がある。 Although several types of sputtering systems are known as sputtering apparatuses for forming thin films, a magnetron sputtering system is often used as a highly productive sputtering system. There are several types of magnetron sputtering methods.
プレーナマグネトロン型スパツタ方式もその中
の１つで、同軸マグネトロン型スパツタ方式を平
面化したものであり、直交電磁界を利用しローレ
ンツの式に従つて運動する電子によりプラズマを
ターゲツト近傍の局所的空間に閉じ込め、ターゲ
ツト面を高い電流密度で衝撃することによりスパ
ツタリングの高速化を図つたものである。第１図
に一般的に行なわれている本方式の構成例を示
す。ターゲツト６の裏面に配した磁石７により磁
界５を生ぜしめて濃密度プラズマ空間８を形成
し、ターゲツト６面を高密度イオン電流で衝撃す
る。これにより飛び出したスパツタ原子４はター
ゲツト６と対向して配置した基板３へ付着する。
なお、１は真空槽、２は公転治具、４０はガス導
入バルブ、４１はリークバルブ、４２は排気バル
ブである。 The planar magnetron sputtering method is one of them, and is a planar version of the coaxial magnetron sputtering method, which utilizes orthogonal electromagnetic fields to generate plasma in a local space near the target using electrons that move according to Lorentz's equation. This method aims to speed up sputtering by impinging the target surface with a high current density. FIG. 1 shows an example of the configuration of this system which is generally used. A magnetic field 5 is generated by a magnet 7 placed on the back surface of the target 6 to form a dense plasma space 8, and the surface of the target 6 is bombarded with a high density ion current. As a result, the spatter atoms 4 that fly out adhere to the substrate 3 placed opposite the target 6.
Note that 1 is a vacuum chamber, 2 is a revolving jig, 40 is a gas introduction valve, 41 is a leak valve, and 42 is an exhaust valve.
また上記方式において、さらに高速スパツタ
化、ターゲツトの有効活用化を図つたものとして
第２図に示す方式がある。スパツタ電極におい
て、磁界５を発生させる磁石７が、それらを保持
して回転する磁石ホルダー１１に円環状に内周側
がＳ極、外周側がＮ極となるように極性を統一し
て配置されている。磁石ホルダー１１はターゲツ
ト６の裏面に配置されターゲツト６に対し平行平
面上で等速回転する。この時、ターゲツト６の中
心１２と磁石の配列中心１３とが偏心して配置さ
れているので、濃密度プラズマ空間８によるター
ゲツト６上のスパツタ領域９−１は、磁石ホルダ
ー１１の回転に沿つて領域９−２と回転移動を行
ない、ターゲツト６の不均一な侵食を防止し、か
つスパツタリングの高速化を図つている。なお、
１０はターゲツトホルダー、１４は冷却水であ
る。 Furthermore, among the above methods, there is a method shown in FIG. 2 which aims at higher speed sputtering and more effective use of the target. In the sputter electrode, magnets 7 that generate a magnetic field 5 are arranged in an annular shape on a magnet holder 11 that rotates while holding them, with uniform polarity such that the inner circumferential side is the S pole and the outer circumferential side is the N pole. . The magnet holder 11 is placed on the back surface of the target 6 and rotates at a constant speed on a plane parallel to the target 6. At this time, since the center 12 of the target 6 and the arrangement center 13 of the magnets are arranged eccentrically, the sputter region 9-1 on the target 6 caused by the dense plasma space 8 is spread along the rotation of the magnet holder 11. 9-2 to prevent uneven erosion of the target 6 and to speed up sputtering. In addition,
10 is a target holder, and 14 is cooling water.
従来、以上のような等速円運動を行なう磁石を
配したスパツタ電極と、基板上の膜厚分布を一定
にするための基板公転治具を使用してスパツタリ
ングを行なつていたが、基板上での膜厚分布が非
常に悪かつた。本方式でのスパツタリングは、概
して公転治具の大きさに比べターゲツトは非常に
小さい場合が多く、それ故、基板公転治具とスパ
ツタ電極との位置関係が、基板上での膜厚分布に
大きな影響を与える。第３図は、第２図において
ターゲツト６の中心１２を、基板公転治具２の中
心から半径方向へ順次からへずらせて配置し
てスパツタした時の基板公転治具２上の膜厚分布
を示したものである。スパツタ条件は次の通り。 Conventionally, sputtering has been performed using a sputtering electrode equipped with a magnet that performs uniform circular motion as described above, and a substrate revolving jig to make the film thickness distribution on the substrate constant. The film thickness distribution was very poor. In sputtering using this method, the target is generally very small compared to the size of the revolving jig, and therefore the positional relationship between the substrate revolving jig and the sputtering electrode has a large effect on the film thickness distribution on the substrate. influence FIG. 3 shows the film thickness distribution on the substrate revolving jig 2 when sputtering is performed by arranging the center 12 of the target 6 in FIG. This is what is shown. The spatuta conditions are as follows.
ターゲツト材……５インチ径Siターゲツト、公
転治具有効径……300mm、電極間距離：100mm、ス
パツタ時間……30分、磁石回転数……15rpm、公
転治具回転数……10rpm、回転方向……磁石、公
転治具共に反時計回り、公転治具中心とターゲツ
ト中心の距離……：０、〜：25mm、〜
：50mm、〜：75mm、〜：100mm、〜
：125mm、〜：150mmである。 Target material: 5 inch diameter Si target, effective diameter of revolving jig: 300 mm, distance between electrodes: 100 mm, sputtering time: 30 minutes, magnet rotation speed: 15 rpm, revolving jig rotation speed: 10 rpm, rotation direction ...Magnet and revolving jig both counterclockwise, distance between revolving jig center and target center...: 0, ~: 25mm, ~
: 50mm, ~: 75mm, ~: 100mm, ~
: 125mm, ~: 150mm.
膜厚測定は、スパツタリング後、公転治具中心
を通る任意の直線上の各点における膜厚を測定す
ることにより行なつたものである。第３図より従
来方式では、公転治具２の中心とターゲツト中心
１２をどのような位置関係にしても均一な膜厚分
布が得られないことは明白である。 The film thickness was measured by measuring the film thickness at each point on an arbitrary straight line passing through the center of the revolving jig after sputtering. From FIG. 3, it is clear that in the conventional method, a uniform film thickness distribution cannot be obtained no matter what positional relationship is made between the center of the revolving jig 2 and the target center 12.
したがつて、本発明の目的は、マグネトロン型
スパツタ電極の一部を構成するプラズマ励起用磁
石を移動する際、移動の途中でその速度を変える
ことにより、基板上に形成されるスパツタ膜厚を
均一にするスパツタ装置を提供することにある。 Therefore, an object of the present invention is to reduce the thickness of the sputter film formed on the substrate by changing the speed during the movement of the plasma excitation magnet that constitutes a part of the magnetron type sputter electrode. It is an object of the present invention to provide a sputtering device that achieves uniformity.
従来装置において膜厚が不均一であつた原因
は、ターゲツト上のスパツタ領域ですでに第４図
に示すように膜厚差を生じていることと、公転治
具により基板を公転させた場合でも、基板の内周
側と外周側とではスパツタ領域上を通過する時間
が異なる為である。 The reason for the non-uniform film thickness in conventional equipment is that there is already a difference in film thickness in the sputtering area on the target, as shown in Figure 4, and even when the substrate is revolved by a revolving jig. This is because the time it takes for the light to pass over the sputtering area is different between the inner circumferential side and the outer circumferential side of the substrate.
第４図のスパツタ条件は次の通りである。 The sputtering conditions in FIG. 4 are as follows.
５インチのSiターゲツト上100mmの位置に基板
を配し、基板は固定で、磁石は回転させて30分間
スパツタリングを行なつた後基板上の膜厚を、タ
ーゲツト中心に対応する基板上の点を中心として
外周へ向かつて測定したものである。図中の62.5
mmはターゲツトの半径寸法を示す。 The substrate was placed 100 mm above a 5-inch Si target, the substrate was fixed, and the magnet was rotated for 30 minutes of sputtering.The thickness of the film on the substrate was measured by measuring the point on the substrate corresponding to the center of the target. Measurements were taken from the center toward the outer periphery. 62.5 in the diagram
mm indicates the radius dimension of the target.
このようにターゲツトの真上において、ターゲ
ツト範囲内の領域においても大きな膜厚差のある
ことがわかる。 It can be seen that there is a large difference in film thickness just above the target and even in the area within the target range.
今ここで、第５図に示すような関係のターゲツ
トと、公転治具のモデル例を考える。 Now, let us consider a model example of a target and a revolving jig having the relationship shown in FIG.
スパツタ領域９−１上において、各地点毎にス
パツタ速度の等しい点を結ぶと図示のようなほぼ
同心円を描くことができる。第５図においてスパ
ツタ領域９−１の中心領域Ａにおけるスパツタ速
度をａÅ／sec、領域Ｂ，Ｃ，Ｄにおけるスパツ
タ速度をそれぞれｂ，ｃ，ｄÅ／secとし、公転
治具２上に任意の２点Ｘ、Ｙを結ぶ。公転治具２
が回転すると、Ｘ、Ｙ点はスパツタ領域９−１上
を通過し、スパツタリングが行なわれる。ここで
Ｘ点のＤ領域通過時間をt1sec、Ｃ，Ｂ，Ａ領域
通過時間をそれぞれt2，t3，t4secとし、Ｙ点につ
いてもＤ，Ｃ領域通過時間をそれぞれt5sec，
t6secとする。各点での膜厚は、領域通過時間と
その領域におけるスパツタ速度の積で表わせるか
ら、Ｘ、Ｙ点の膜厚をそれぞれT1，T2とすれば
T1＝dt1＋ct2＋bt3＋at4，T2＝dt5＋ct6となる。
従来法では、前述した理由によりT1≠T2であつ
た。 On the sputter region 9-1, by connecting points having the same sputter speed at each point, substantially concentric circles as shown in the figure can be drawn. In FIG. 5, the sputtering speed in the central region A of the sputtering region 9-1 is a Å/sec, and the sputtering speeds in regions B, C, and D are b, c, and dÅ/sec, respectively, and any two Connect points X and Y. Revolution jig 2
When rotates, the X and Y points pass over the sputtering area 9-1, and sputtering is performed. Here, the time for point X to pass through area D is t 1 sec, the time for it to pass through areas C, B, and A is t 2 , t 3 , and t 4 sec, respectively, and the time for point Y to pass through area D and C is t 5 sec, respectively. ，
t 6 sec. The film thickness at each point can be expressed as the product of the area passing time and the sputtering speed in that area, so if the film thickness at points X and Y are T 1 and T 2 respectively, then
T 1 = dt 1 + ct 2 + bt 3 + at 4 , T 2 = dt 5 + ct 6 .
In the conventional method, T 1 ≠ T 2 for the reasons mentioned above.
そこで本発明では、公転治具の周辺部と中心部
との間を、T1＝T2となるように速度制御しつつ
スパツタ領域を往復移動させることにより、基板
上に均一膜厚を得るようにしたものである。 Therefore, in the present invention, a uniform film thickness can be obtained on the substrate by reciprocating the sputter area between the peripheral part and the center part of the revolving jig while controlling the speed so that T 1 = T 2 . This is what I did.
以下、本発明の一実施例を第６図により説明す
る。本実施例は光センサーの受光部品を製作する
もので、ガラス基板上ヘアモルフアスシリコン膜
を形成するものである。 An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. In this example, a light-receiving component of an optical sensor is manufactured, and a hair morphous silicon film is formed on a glass substrate.
公転治具２はガラス基板２０を取付け、ガラス
基板２０の加熱ガス出しおよびスパツタリング中
に均熱、および均一膜厚を得る目的で公転させる
もので、公転治具２を固定した回転シヤフト２−
１は大気側とのシールを行なうＯリング３４を介
して真空槽１の内部から外部へ連絡し、駆動モー
ター（図示せず）と連結している。なお、３５は
Ｏリング、３３はＯリング押えである。 The revolving jig 2 is used to attach the glass substrate 20 and revolve the glass substrate 20 for the purpose of discharging heating gas and uniform heating during sputtering and obtaining a uniform film thickness.
1 communicates from the inside of the vacuum chamber 1 to the outside via an O-ring 34 for sealing with the atmosphere, and is connected to a drive motor (not shown). Note that 35 is an O-ring, and 33 is an O-ring retainer.
ターゲツトホルダー１０はSiターゲツト２１を
固定し、その内部はSiターゲツト２１を冷却する
為の冷却水１４で満たされており、冷却水１４は
水導入口２２から供給し、排出口２３から排出さ
れる。また、ターゲツトホルダー１０の内部には
Siターゲツト２１上に磁界５を発生させる為の磁
石７を配した磁石ホルダー１１を持つ。磁石ホル
ダー１１は磁界５を移動させスパツタ領域９−１
を移動させるための回転動作を行なう。磁石ホル
ダー１１内の磁石７は円環状の濃密度プラズマ空
間８を形成すべく、Ｓ極が内側、Ｎ極が外側に来
るように極性を統一して円形状に配列されてい
る。この円形状に配列した磁石７の中心１３と、
磁石ホルダー１１の回転中心１２は偏心した位置
関係にあり、回転中のスパツタ領域９−１の中心
１３は、公転治具２の中心に対し接近あるいは遠
ざかるような運動を行なう。磁石ホルダー１１の
回転部はＯリング２４により大気側とシールされ
ており、その重量は玉軸受２５で支持され、回転
駆動は回転伝達歯車２７，２８を介してスピード
コントロールモーター２９により行なわれる。ま
たスパツタ領域９−１の位置を、位置検出センサ
ー３０−１〜３０−８により検出させる為の検出
穴２６−１を設けた位置検出円板２６が磁石ホル
ダー１１に取付けてあり、各位置毎に回転速度を
スピードコントロールユニツト（図示せず）によ
り変化させることができるようになつている。本
実施例では、１回転を８分割してそれぞれの部分
で速度制御を行なつている。なお、３６，３７は
Ｏリング、３２は電極支持板、３１は玉軸受押え
である。 The target holder 10 fixes a Si target 21, and its interior is filled with cooling water 14 for cooling the Si target 21. The cooling water 14 is supplied from a water inlet 22 and discharged from an outlet 23. . Moreover, inside the target holder 10,
It has a magnet holder 11 in which a magnet 7 for generating a magnetic field 5 is placed on a Si target 21. The magnet holder 11 moves the magnetic field 5 to sputter area 9-1.
performs a rotational motion to move the . The magnets 7 in the magnet holder 11 are arranged in a circular shape with unified polarity such that the south pole is on the inside and the north pole is on the outside so as to form a circular dense plasma space 8. The center 13 of the magnets 7 arranged in a circular shape,
The rotation center 12 of the magnet holder 11 is in an eccentric position, and the center 13 of the rotating sputter area 9-1 moves towards or away from the center of the revolving jig 2. The rotating part of the magnet holder 11 is sealed from the atmosphere by an O-ring 24, its weight is supported by a ball bearing 25, and rotational drive is performed by a speed control motor 29 via rotation transmission gears 27 and 28. Further, a position detection disc 26 provided with a detection hole 26-1 for detecting the position of the sputter area 9-1 by the position detection sensors 30-1 to 30-8 is attached to the magnet holder 11, and is attached to the magnet holder 11 for each position. The rotation speed can be changed by a speed control unit (not shown). In this embodiment, one rotation is divided into eight parts and speed control is performed in each part. Note that 36 and 37 are O-rings, 32 is an electrode support plate, and 31 is a ball bearing holder.
その他図示していないが、真空槽内を排気する
排気装置、スパツタリングを行なう際にArガス
を導入するガス導入機構、そしてスパツタ電源な
どから構成される。 Although not shown in the drawings, the apparatus also includes an exhaust device for evacuating the inside of the vacuum chamber, a gas introduction mechanism for introducing Ar gas during sputtering, and a sputtering power source.
次に本実施例における装置の動作について説明
する。 Next, the operation of the apparatus in this embodiment will be explained.
真空槽１内の公転治具２にガラス基板２０を取
付け、真空槽１内を排気装置で排気すると共に、
公転治具２を反時計方向へ回転させてガラス基板
２０を真空槽１内に設けた加熱器（図示せず）に
より250℃で30分間の加熱、脱ガス処理を施す。
ガス出し後、Arガスを導入しつつスパツタ電源
を入れてスパツタリングを行なう。スパツタリン
グは、Siターゲツト２１の裏面に設けた磁石ホル
ダー１１が、公転治具２と同方向に回転すること
により、スパツタ領域９−１を同方向に回転移動
させつつ行なう。この時、磁石ホルダー１１が回
転して行く途中に位置検出センサー３０−１，３
０−２……３０−８が適当な位置に配されてお
り、これらが磁石ホルダー１１と回転同軸上に取
付けた位置検出板２６にあけられている検出穴２
６−１を検出すると、あらかじめ設定しておい
た、その回転位置に最適な回転速度となるよう
に、スピードコントロールモーター２９の速度制
御が行なわれる。 The glass substrate 20 is attached to the revolving jig 2 in the vacuum chamber 1, and the inside of the vacuum chamber 1 is evacuated with an exhaust device.
The revolving jig 2 is rotated counterclockwise, and the glass substrate 20 is heated and degassed at 250° C. for 30 minutes using a heater (not shown) provided in the vacuum chamber 1.
After releasing the gas, turn on the sputtering power and perform sputtering while introducing Ar gas. Sputtering is performed by rotating the magnet holder 11 provided on the back surface of the Si target 21 in the same direction as the revolving jig 2, thereby rotating and moving the sputtering region 9-1 in the same direction. At this time, while the magnet holder 11 is rotating, the position detection sensors 30-1 and 30-1
0-2...30-8 are arranged at appropriate positions, and these detect holes 2 formed in a position detection plate 26 mounted coaxially with the magnet holder 11.
When 6-1 is detected, the speed of the speed control motor 29 is controlled so that the rotation speed is optimal for that rotation position, which has been set in advance.
本実施例における使用ターゲツト材は５インチ
径Siターゲツト、公転治具有効径300mm、磁石の
配列外径70mm、ターゲツト中心と磁石配列径中心
の偏心量27mm、ガラス基板とターゲツト間の距離
125mmとし、またスパツタ領域の移動速度を変速
させる為のスパツタ位置検出センサー取付位置
は、第６図において公転治具中心とターゲツト中
心を通る線を基準として、θ1＝64°、θ2＝28°、θ3
＝26°、θ4＝29°、θ5＝66°、θ6＝29°、θ7＝26°
、θ8＝
28°、θ9＝64°に配し、磁石ホルダー回転速度はそ
れぞれθ1とθ9を通過する場合には10rpm、θ2とθ8
では14rpm、θ3とθ7では17rpm、θ4とθ6では
20rpm、θ5では25rpmで回転方向は反時計回りと
なり、公転治具も反時計回りで速度は10rpmであ
る。また、公転治具中とターゲツト中心間の距離
は104mm、スパツタ時間は２時間である。 The target material used in this example was a 5-inch diameter Si target, the effective diameter of the revolving jig 300 mm, the outer diameter of the magnet array 70 mm, the eccentricity between the center of the target and the center of the magnet array diameter 27 mm, and the distance between the glass substrate and the target.
125 mm, and the mounting position of the sputter position detection sensor for changing the moving speed of the sputter area is θ 1 = 64°, θ 2 = 28 with reference to the line passing through the center of the revolving jig and the center of the target in Fig. 6. °, θ 3
= 26°, θ 4 = 29°, θ 5 = 66°, θ 6 = 29°, θ 7 = 26°
, θ 8 =
28°, θ 9 = 64°, and the magnet holder rotation speed is 10 rpm when passing through θ 1 and θ 9 , and θ 2 and θ 8, respectively.
14 rpm for θ 3 and θ 7 , 17 rpm for θ 4 and θ 6
At 20 rpm and θ 5, the rotation direction is counterclockwise at 25 rpm, and the revolving jig is also counterclockwise and the speed is 10 rpm. The distance between the revolving jig and the center of the target was 104 mm, and the sputtering time was 2 hours.
以上の条件にてスパツタした時に、第７図に示
す様な良好な膜厚分布が得られた。なおこのグラ
フ中、実線５１は本実施例によるもの、破線５２
は従来法である磁石ホルダーを等速回転させたも
ので、本実施例では膜厚のばらつきが±４％であ
るのに対し、従来法では±30％と非常に大きい。 When sputtering was carried out under the above conditions, a good film thickness distribution as shown in FIG. 7 was obtained. In this graph, the solid line 51 is based on this example, and the broken line 52 is based on this example.
In the conventional method, a magnet holder is rotated at a constant speed. In this example, the variation in film thickness is ±4%, whereas in the conventional method, the variation in film thickness is ±30%, which is extremely large.
本発明によれば、スパツタ領域を移動させる
際、１サイクル動作の途中において各位置ごとに
移動速度を変えることにより、公転している治具
の内、外周がスパツタ領域上を通過する時間を制
御できるので、公転治具上の内周側、外周側でス
パツタされる量を一定にすることができる。 According to the present invention, when moving the sputter area, by changing the moving speed for each position in the middle of one cycle operation, the time taken for the outer circumference of the revolving jig to pass over the sputter area is controlled. Therefore, the amount of spatter on the inner circumferential side and outer circumferential side of the revolving jig can be made constant.
本発明の装置は、ターゲツト材が特殊であり加
工が困難などの理由でターゲツトを大きく作れな
い時、スパツタ速度を稼ぐ意味でこれら小形のタ
ーゲツトを複数個並べてスパツタを行なう場合、
また異なる材質から成るターゲツトを複数個並べ
て、これらを同時スパツタする多元スパツタを行
なう場合に特に有効である。 The apparatus of the present invention is suitable for sputtering when a large target cannot be made because the target material is special and processing is difficult, and when sputtering is performed by arranging a plurality of small targets in order to increase the sputtering speed.
It is also particularly effective when performing multi-source sputtering in which a plurality of targets made of different materials are lined up and sputtered simultaneously.
本発明の実施例では、プラズマを励起させるた
めの磁石を回転させたが、公転治具中心方向へ直
線運動させても同効果が得られ、また磁石は固定
でスパツタ電極そのものを移動させても良い。 In the embodiment of the present invention, the magnet for exciting the plasma was rotated, but the same effect can be obtained by linearly moving it toward the center of the revolving jig, or even if the magnet is fixed and the sputter electrode itself is moved. good.
速度制御の方式は、本実施例のように実験的に
位置検出センサーの配置および、回転速度に対す
る各部のスパツタ量を求め、各位置ごとにそれぞ
れ設定した回転速度を切換器などで自動切換して
もよいし、公転治具中心から外周方向へ等ピツチ
で取付けた膜厚検出センサーと電子計算機とを組
合せることにより、各部にスパツタされる量を計
算しながら磁石ホルダーの回転速度を順次変化さ
せてもよい。 The speed control method is to experimentally determine the location of the position detection sensor and the amount of spatter in each part relative to the rotational speed, as in this example, and then automatically switch the rotational speed set for each position using a switch or the like. Alternatively, by combining film thickness detection sensors installed at equal pitches from the center of the revolving jig toward the outer circumference with an electronic computer, the rotational speed of the magnet holder can be sequentially varied while calculating the amount of spatter on each part. It's okay.
第１図は一般的に行なわれているマグネトロン
型スパツタ方式の装置構成の側面図、第２図ａは
高速スパツタ化を図つたマグネトロン型スパツタ
装置の平面図ｂはその正面断面図、第３図は第２
図においてターゲツト中心をからへ配置した
時の基板中心からの距離と膜厚との関係を示すグ
ラフ、第４図は従来のスパツタ電極上に設けた基
板上におけるターゲツト中心からの距離と膜厚と
の関係を示すグラフ、第５図は公転治具とスパツ
タ電極との関係を示す平面図、第６図ａは本発明
による一実施例を示す平面図、ｂはその正面断面
図、第７図は本発明と従来法によりスパツタリン
グを行なつた場合の公転治具中心からの距離と膜
厚との関係を示すグラフである。
１……真空槽、２……公転治具、４……スパツ
タ原子、５……磁界、６……ターゲツト、７……
磁石、８……濃密度プラズマ空間、９−１……ス
パツタ領域、１０……ターゲツトホルダー、１１
……磁石ホルダー、２０……ガラス基板、２１…
…Siターゲツト、２６……位置検出円板、２９…
…スピードコントロールモータ、３０−１〜３０
−８……位置検出センサー。
Figure 1 is a side view of the equipment configuration of a commonly used magnetron type sputtering system, Figure 2a is a plan view of a magnetron type sputtering equipment designed for high-speed sputtering, and Figure 3 is its front sectional view. is the second
In the figure, a graph showing the relationship between the distance from the substrate center and the film thickness when the target center is placed from side to side. 5 is a plan view showing the relationship between the revolving jig and the sputter electrode, FIG. 6 a is a plan view showing an embodiment of the present invention, b is a front sectional view thereof, and FIG. is a graph showing the relationship between the distance from the center of the revolving jig and the film thickness when sputtering is performed according to the present invention and the conventional method. 1...Vacuum chamber, 2...Revolving jig, 4...Spatter atoms, 5...Magnetic field, 6...Target, 7...
Magnet, 8... Dense plasma space, 9-1... Sputter region, 10... Target holder, 11
...Magnet holder, 20...Glass substrate, 21...
...Si target, 26...Position detection disk, 29...
...Speed control motor, 30-1 to 30
-8...Position detection sensor.
Claims (1)
と、該磁石を移動させる機構と、上記磁石の移動
中にその移動速度を変化させる手段とを具備して
成ることを特徴とするスパツタリング装置。 ２ 被加工物を支持し回転機構を有する被加工物
支持体と、ターゲツト支持体と、プラズマ励起用
の磁石と、該磁石を移動させる機構と、上記磁石
の移動中にその速度を変化させる手段とを具備し
て成ることを特徴とするスパツタリング装置。[Claims] 1. A target support, a magnet for plasma excitation, a mechanism for moving the magnet, and a means for changing the moving speed of the magnet while it is moving. sputtering equipment. 2. A workpiece support that supports a workpiece and has a rotation mechanism, a target support, a magnet for plasma excitation, a mechanism for moving the magnet, and a means for changing the speed of the magnet during movement. A sputtering device comprising:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2442582A JPS58144474A (en) | 1982-02-19 | 1982-02-19 | Sputtering apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2442582A JPS58144474A (en) | 1982-02-19 | 1982-02-19 | Sputtering apparatus |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58144474A JPS58144474A (en) | 1983-08-27 |
| JPH0350832B2 true JPH0350832B2 (en) | 1991-08-02 |
Family
ID=12137792
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2442582A Granted JPS58144474A (en) | 1982-02-19 | 1982-02-19 | Sputtering apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58144474A (en) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0718006B2 (en) * | 1983-11-30 | 1995-03-01 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 | Sputtering device |
| JPH0774438B2 (en) * | 1985-12-17 | 1995-08-09 | ローム株式会社 | Film thickness adjustment method in magnetron sputtering |
| JPH0752527B2 (en) * | 1986-08-18 | 1995-06-05 | 松下電器産業株式会社 | Optical information recording / reproducing disk manufacturing method |
| JPH01123065A (en) * | 1987-11-05 | 1989-05-16 | Fuji Electric Co Ltd | Thin film-forming apparatus |
| JPH04308083A (en) * | 1991-04-06 | 1992-10-30 | Japan Steel Works Ltd:The | Ion beam sputtering device and formation of thin film |
| JP4939709B2 (en) * | 2001-09-06 | 2012-05-30 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Magnetron unit of sputtering apparatus and sputtering apparatus |
| US8585873B2 (en) * | 2004-10-16 | 2013-11-19 | Aviza Technology Limited | Methods and apparatus for sputtering |
| WO2012067183A1 (en) * | 2010-11-18 | 2012-05-24 | 株式会社アルバック | Film forming apparatus and film forming method |
| JP6425431B2 (en) * | 2014-06-30 | 2018-11-21 | 株式会社アルバック | Sputtering method |
-
1982
- 1982-02-19 JP JP2442582A patent/JPS58144474A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58144474A (en) | 1983-08-27 |
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