JPH0344641B2 - - Google Patents

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JPH0344641B2
JPH0344641B2 JP62035334A JP3533487A JPH0344641B2 JP H0344641 B2 JPH0344641 B2 JP H0344641B2 JP 62035334 A JP62035334 A JP 62035334A JP 3533487 A JP3533487 A JP 3533487A JP H0344641 B2 JPH0344641 B2 JP H0344641B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
objective lens
light source
filter
alignment mark
pupil
Prior art date
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Expired - Lifetime
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JP62035334A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS62201302A (en
Inventor
Akyoshi Suzuki
Masao Totsuka
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
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Publication of JPS62201302A publication Critical patent/JPS62201302A/en
Publication of JPH0344641B2 publication Critical patent/JPH0344641B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Landscapes

  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Microscoopes, Condenser (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はマスクの実素子パターンをウエハ上に
焼付ける装置において、パターン焼付け前にアラ
イメントを行なうためのアライメントマークの検
出方法に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a method for detecting alignment marks for performing alignment before pattern printing in an apparatus for printing an actual element pattern of a mask onto a wafer.

従来この種の装置は例えば特開昭48−64884
号、特開昭49−28363号等に開示されている。
然るに上記においてはハーフミラーがマークを
有する物体の近辺にあるため、ハーフミラーを透
過した光がレンズ筒等の周辺に照射、反射されて
物体側や光電検出側に迷光として混入する危険性
がある。したがつてマーク検出精度の向上は望め
ない。この欠点は上記も同様である。また上記
はアライメントマークの配設位置の変更に応ず
ることはできない。
Conventionally, this type of device was disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 48-64884, for example.
No. 49-28363, etc.
However, in the above case, since the half mirror is located near the object that has the mark, there is a risk that the light that has passed through the half mirror may be irradiated and reflected around the lens barrel, etc., and enter the object side or the photoelectric detection side as stray light. . Therefore, no improvement in mark detection accuracy can be expected. This drawback is the same as above. Furthermore, the above method cannot accommodate changes in the placement position of the alignment mark.

本発明は上記難点を解決することを目的とする
もので、該目的を達成するため、本発明によるア
ライメントマーク検出方法は、光源の像を対物レ
ンズの瞳位置に形成するとともに該対物レンズ及
び該対物レンズの近傍に配された折り曲げミラー
を介して前記光源からの光束で物体面を照明し、
該物体面で生じた反射光を前記折り曲げミラー及
び対物レンズを介して前記対物レンズの瞳位置と
共役な位置に配したフイルターで受け、該フイル
ターにより前記物体面上のアライメントマークを
暗視野検出する方法であつて、前記対物レンズ及
び折り曲げミラーを前記光源部及び前記フイルタ
ーに対し相対的に移動可能にし、前記対物レンズ
及び折り曲げミラーを前記アライメントマークの
位置に応じて移動させて前記アライメントマーク
の近傍に配する一方、前記対物レンズ及び折り曲
げミラーの移動に際して生じる前記対物レンズの
瞳位置に対する前記像の位置ずれと前記対物レン
ズの瞳位置と前記フイルター間の共役関係のずれ
とを、前記像と前記光源部及び前記フイルターと
の間の光路に並んだ光学部材の一部を移動せしめ
て補正することを特徴とするものである。
An object of the present invention is to solve the above-mentioned difficulties, and in order to achieve the object, an alignment mark detection method according to the present invention forms an image of a light source at the pupil position of an objective lens, and Illuminating the object surface with the light beam from the light source via a bending mirror placed near the objective lens,
The reflected light generated on the object surface is received by a filter arranged at a position conjugate with the pupil position of the objective lens via the bending mirror and the objective lens, and the alignment mark on the object surface is detected in dark field by the filter. The method comprises making the objective lens and the bending mirror movable relative to the light source section and the filter, moving the objective lens and the bending mirror according to the position of the alignment mark, and moving the objective lens and the bending mirror in the vicinity of the alignment mark. On the other hand, the positional deviation of the image with respect to the pupil position of the objective lens that occurs when the objective lens and the bending mirror are moved, and the deviation in the conjugate relationship between the pupil position of the objective lens and the filter are calculated as follows: The present invention is characterized in that the correction is performed by moving a part of the optical members arranged in the optical path between the light source section and the filter.

図は本発明の一実施例に係る焼付け装置のアラ
イメントマーク検出装置を示している。通常アラ
イメントマークはアライメントの正確を期するた
めウエハ上に複数個設置されることが多く、平行
方向の2自由度と回転の1自由度を拘束するため
最低2個は必要である。
The figure shows an alignment mark detection device for a printing device according to an embodiment of the present invention. Usually, a plurality of alignment marks are often placed on a wafer to ensure accurate alignment, and at least two are required to constrain two degrees of freedom in the parallel direction and one degree of freedom in rotation.

図中で、10は半導体を含むウエハであり、1
0aと10bはウエハ10上の各々第1、第2の
アライメントマークである。30はマスクで、3
0aと30bはウエハ同様のアライメントマーク
である。50は、ウエハ10を固定し、且つ位置
を移動するための平行移動台で、X方向、Y方向
の直線状移動とR方向の回転移動が可能である。
101,102……はウエハ10上に既に焼付け
られている回路実素子パターンである。301,
302……はマスク10上に形成されており、ウ
エハ10上にこれから焼付けるべき回路実素子パ
ターンである。
In the figure, 10 is a wafer containing a semiconductor, and 1
0a and 10b are first and second alignment marks on the wafer 10, respectively. 30 is a mask, 3
0a and 30b are alignment marks similar to those on the wafer. Reference numeral 50 denotes a parallel movement table for fixing and moving the wafer 10, and is capable of linear movement in the X and Y directions and rotational movement in the R direction.
101, 102, . . . are actual circuit element patterns already printed on the wafer 10. 301,
302 are formed on the mask 10 and are actual circuit element patterns to be printed on the wafer 10 from now on.

符番11aから25aまでで示す系はアライメ
ントマーク10aや30aを検出するための第1
の光電変換機構で、同等の第2の光電変換機構1
1b〜25bをもう1つ他のアライメントマーク
用に配設する。
The systems indicated by numbers 11a to 25a are the first systems for detecting alignment marks 10a and 30a.
photoelectric conversion mechanism, and an equivalent second photoelectric conversion mechanism 1
1b to 25b are provided for another alignment mark.

以下、同様の部品はa,bの記号を付さず説明
する。
Hereinafter, similar parts will be explained without the symbols a and b.

19は顕微鏡対物レンズ、18は対物レンズ1
9の前側焦点位置に一致して設けた絞りで、対物
レンズ19の「入射瞳」位置でもある。17は全
反射鏡、16は半透鏡、15はレンズ、14は視
野絞り、13は明るさ絞り、12はレンズであ
り、レンズ12は光源11の像を明るさ絞り13
の開口上に形成する。明るさ絞り13は入射瞳1
8上に形成される二次光源像の大きさを決定す
る。視野絞り14は、ウエハ10のの照明される
べき領域を決定する。視野絞り14がないと顕微
鏡の有効視野外が余分に照明されたり有効径外で
散乱光が生じて精度を悪くする原因となる。15
は光源11の像を対物レンズ19の前側焦点位置
即ち入射瞳位置18に結像するためのレンズであ
る。
19 is the microscope objective lens, 18 is the objective lens 1
This aperture is provided to coincide with the front focal position of lens 9, which is also the "entrance pupil" position of objective lens 19. 17 is a total reflection mirror, 16 is a semi-transparent mirror, 15 is a lens, 14 is a field stop, 13 is an aperture stop, and 12 is a lens.
Formed over the opening. Brightness aperture 13 is entrance pupil 1
The size of the secondary light source image formed on 8 is determined. Field stop 14 determines the area of wafer 10 that is to be illuminated. Without the field stop 14, areas outside the effective field of the microscope would be illuminated excessively, and scattered light would occur outside the effective diameter, resulting in poor precision. 15
is a lens for forming an image of the light source 11 at the front focal position of the objective lens 19, that is, at the entrance pupil position 18.

ここで顕微鏡対物レンズ19の開口数によつて
定まる入射瞳18の径全体を覆う様に光源の像を
作るのではなく、瞳の径よりかなり小さく光源を
作つて照明するいわゆるパーシヤリーコヒーレン
ト照明を行なう。ちなみに瞳の径をRとし、光源
の像の直径をrとしたとき、r/Rは0.2〜0.7の
範囲の値となる。
Here, instead of creating an image of the light source so as to cover the entire diameter of the entrance pupil 18 determined by the numerical aperture of the microscope objective lens 19, so-called partially coherent illumination is performed in which a light source is created much smaller than the diameter of the pupil and used for illumination. Do this. Incidentally, when the diameter of the pupil is R and the diameter of the image of the light source is r, r/R has a value in the range of 0.2 to 0.7.

20はリレーレンズで、21はスキヤナであ
る。スキヤナ21は対物レンズ19及びリレーレ
ンズ20によるウエハ10の結像面に一致して配
置する。(光路は破線で示す。)スキヤナ21自体
の構成は透過型のものでも反射型のものでも良
く、いずれにせよこのスキヤナ21により物体上
の任意の領域に於ける光電的な情報をサンプリン
グすることが可能となる。なお具体的な検出方式
としては例えば特開昭49−18472号がある。
20 is a relay lens, and 21 is a scanner. The scanner 21 is arranged to coincide with the imaging plane of the wafer 10 formed by the objective lens 19 and the relay lens 20. (The optical path is indicated by a broken line.) The structure of the scanner 21 itself may be either a transmission type or a reflection type, and in any case, the scanner 21 can sample photoelectric information in an arbitrary area on an object. becomes possible. A specific detection method is, for example, Japanese Patent Application Laid-open No. 18472/1983.

22および24は各々瞳の結像レンズで、リレ
ーレンズ20と結像レンズ22で瞳18の像を1
度フイルタ23上に結像させた後、再度結像レン
ズ24でフオトデテクタ25上に結像させる。
(光路は細実線で示す。)フイルタ23は中央に正
反射光除去用のストツパがある。このストツパの
寸法は瞳18上に結像された光源の大きさと、レ
ンズ群の合成した瞳結像倍率により決定する。ま
たフオトデテクタ25の位置は瞳の位置と共軛で
ある。
Numerals 22 and 24 each represent a pupil imaging lens, and the relay lens 20 and the imaging lens 22 combine to form an image of the pupil 18.
After forming an image on the power filter 23, the image is again formed on the photodetector 25 using the imaging lens 24.
(The optical path is shown by a thin solid line.) The filter 23 has a stopper in the center for removing specularly reflected light. The size of this stopper is determined by the size of the light source imaged on the pupil 18 and the combined pupil imaging magnification of the lens group. Further, the position of the photodetector 25 is the same as the position of the pupil.

以上の光学配置で、入射瞳18上にできたパー
シヤリーコヒーレント光源からの光は顕微鏡対物
レンズ19を通過後、その主光線は光軸に平行と
なつて出射する。そして反射性のウエハ10によ
つて反射された光のうち正反射光による光源の像
は瞳18上で元の光源像と一致し、正反射光によ
る光源の像が形成されていない部分には検知反射
光が到来する。
With the above optical arrangement, the light from the partially coherent light source formed on the entrance pupil 18 passes through the microscope objective lens 19 and then exits with its chief ray parallel to the optical axis. Of the light reflected by the reflective wafer 10, the image of the light source by specularly reflected light matches the original light source image on the pupil 18, and the part where the image of the light source by specularly reflected light is not formed is Detection reflected light arrives.

瞳18面を通過した正反射光および検知反射光
はリレーレンズ20、瞳18の結像レンズ22を
通過し、正反射光はフイルタ23の中心部のスト
ツパ上に結像して遮光される。そして正反射光以
外の光はフイルタ23を通過し、レンズ24を介
してフオトデテクタ25で受光される。このよう
にアライメントマークの情報はフオトデテクタ2
5に伝達され、しかも正反射光といつたフレア成
分も除去されるため、十分にコントラストの高い
情報が得られ、そのためウエハの二酸化シリコン
層やフオトレジスト層に於ける干渉薄膜効果は完
全に無視できる。なお、ウエハの傾斜部をアライ
メントマークとして使用する場合は、マークは傾
斜部を多く含む構造とするのが良い。またフオト
デテクタ25で検知する部分は予めスキヤナ21
を作動させて選んでいる。
The specularly reflected light and the detection reflected light that have passed through the pupil 18 surface pass through the relay lens 20 and the imaging lens 22 of the pupil 18, and the specularly reflected light forms an image on a stopper at the center of the filter 23 and is blocked. Light other than the specularly reflected light passes through the filter 23 and is received by the photodetector 25 via the lens 24. In this way, the alignment mark information is transmitted to the photo detector 2.
5, and also removes flare components such as specular reflection light, so information with sufficiently high contrast is obtained, and therefore interference thin film effects in the silicon dioxide layer and photoresist layer of the wafer are completely ignored. can. In addition, when using the inclined part of the wafer as an alignment mark, it is preferable that the mark has a structure including many inclined parts. In addition, the part to be detected by the photo detector 25 is
is activated and selected.

更にこの装置では、対物レンズ19、絞り18
そして全反射鏡17は一体で平行移動が可能で、
アライメントマークの配設位置或いはウエハの寸
法に応じて半透鏡16へ近づけ或いは遠ざけるこ
とができる。ただし、対物レンズ19の位置を移
動させたときは光源(絞り13のピンホール)と
入射瞳18が必ずしも共軛関係を満たさなくな
る。この場合光源11と瞳18上の光源像との間
の光路に並んだ光学部材12,13,14,1
5,16の内のレンズ15の位置を微小量移動し
て調節する。
Furthermore, in this device, an objective lens 19 and an aperture 18
The total reflection mirror 17 is integral and can be moved in parallel.
It can be moved closer or further away from the semi-transparent mirror 16 depending on the placement position of the alignment mark or the size of the wafer. However, when the position of the objective lens 19 is moved, the light source (pinhole of the diaphragm 13) and the entrance pupil 18 do not necessarily satisfy the mutual relationship. In this case, optical members 12, 13, 14, 1 are arranged in the optical path between the light source 11 and the light source image on the pupil 18.
The position of lens 15 of lenses 5 and 16 is adjusted by moving it by a minute amount.

また入射瞳(絞り18)とフイルタ23はレン
ズ20とレンズ22を介して互いに共軛となつて
いるが、この場合も対物レンズ19の移動によつ
て正確な共軛関係にならない場合がある。しかし
このときも、フイルタ23と瞳18上の光源像と
の間の光路に並んだ光学部材16,20,21,
22の内のレンズ22の位置を移動して共軛関係
の調整を行なうものとする。従つて、アライメン
トマークをどのような位置に配設しても、対物レ
ンズ19の入射瞳18に光源像を形成し且つ入射
瞳18とフイルタ23を共役に維持することがで
き、常に正確に、アライメントマークを暗視野検
出できる。
Furthermore, although the entrance pupil (diaphragm 18) and the filter 23 are mutually interlocked via the lenses 20 and 22, in this case as well, the movement of the objective lens 19 may prevent them from achieving an accurate interlinkage relationship. However, also in this case, the optical members 16, 20, 21, which are lined up in the optical path between the filter 23 and the light source image on the pupil 18,
It is assumed that the position of the lens 22 among the lenses 22 is moved to adjust the mutual relationship. Therefore, no matter where the alignment mark is placed, it is possible to form a light source image on the entrance pupil 18 of the objective lens 19, and to maintain the entrance pupil 18 and the filter 23 in a conjugate manner. Alignment marks can be detected in dark field.

このような配置をとる焼付け装置は、スマクと
ウエハを接触させた状態で焼付けを行うもしくは
マスクとウエハを数十ミクロン程度の微少距離、
離隔した状態で焼付けを行う。第1図中には焼付
け用照明装置を示していないが、周知の如くマス
ク30の上方に焼付け用照明装置が配備される。
A baking device with such an arrangement performs baking with the mask and wafer in contact, or the mask and wafer are placed at a very small distance of several tens of microns.
Burning is performed from a distance. Although the lighting device for printing is not shown in FIG. 1, the lighting device for printing is provided above the mask 30 as is well known.

符番11から25までで示す機構は、焼付け時
には焼付け光路から排除され、またアライメント
マーク検出時に図示の様な位置まで互いに接近す
るように移動する。なお、通例の装置ではマスク
が焼付装置本体に固定されていて、ウエハを移動
して位置合せをする構造であるから、この実施例
でもその方式を踏襲する。
Mechanisms designated by numerals 11 to 25 are removed from the printing optical path during printing, and are moved toward each other to positions as shown in the figure when alignment marks are detected. Incidentally, in a conventional apparatus, the mask is fixed to the main body of the printing apparatus, and the wafer is moved and aligned, and this method is also followed in this embodiment.

先ず対物レンズ19、絞り18、鏡17がアラ
イメントマークを各々見込む位置にくる様に互い
に近づく。光源11からの照明光は絞り18の面
上をパーシヤリーコヒーレントに照明し、さらに
対物レンズ19を介して、マスクのアライメント
マークやウエハのアライメントマークを各々照明
する。そしてアライメントマークの周辺面および
アライメントマーク面で垂直反射した照明光束の
主光線である正反射光そして検知反射光は、フイ
ルタ23で遮光そしてフオトデイテクタ25で受
光、検出される。不図示のサーボ機構はこの検出
したウエハとマスクとの位置の差を表わす情報に
基づいて作動し、平行移動台50はX方向、Y方
向に各々平行移動及びR方向に回転して差情報が
所定の条件を充すまでのウエハの位置をずらすも
のである。
First, the objective lens 19, the diaphragm 18, and the mirror 17 approach each other so that they are in positions where they can see the alignment marks. The illumination light from the light source 11 illuminates the surface of the diaphragm 18 in a partially coherent manner, and further illuminates the mask alignment mark and the wafer alignment mark through the objective lens 19. The specularly reflected light, which is the principal ray of the illumination light beam vertically reflected from the peripheral surface of the alignment mark and the alignment mark surface, and the detection reflected light are blocked by the filter 23 and received and detected by the photodetector 25. A servo mechanism (not shown) operates based on the detected information representing the difference in position between the wafer and the mask, and the parallel movement table 50 is translated in the X direction and Y direction and rotated in the R direction to obtain difference information. The position of the wafer is shifted until a predetermined condition is satisfied.

なお、レンズ20とスキヤナ21の間に半透鏡
を配置し、光束を導出して直接目で観察すること
も可能である。
Note that it is also possible to arrange a semi-transparent mirror between the lens 20 and the scanner 21 to derive the luminous flux and observe it directly with the eye.

以上の如く本実施例では全反射鏡を巧みに用い
たため、迷光の混入を確実に防止できる。またア
ライメントマークの配設位置の変更に際してその
光学的特性を維持するための可動部品を極力減ら
すこともできる。
As described above, in this embodiment, since the total reflection mirror is skillfully used, it is possible to reliably prevent stray light from entering. Further, when changing the placement position of the alignment mark, the number of movable parts for maintaining the optical characteristics of the alignment mark can be reduced as much as possible.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

図は本発明の一実施例を示す図である。 10…ウエハ、10a,10b…アライメント
マーク、11…光源、12,15…レンズ、17
…全反射鏡、18…絞り、19…対物レンズ。
The figure shows an embodiment of the present invention. 10... Wafer, 10a, 10b... Alignment mark, 11... Light source, 12, 15... Lens, 17
...Total reflection mirror, 18...Aperture, 19...Objective lens.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 光源部の像を対物レンズの瞳位置に形成する
とともに該対物レンズ及び該対物レンズの近傍に
配された折り曲げミラーを介して前記光源部から
の光束で物体面を照明し、該物体面で生じた反射
光を前記折り曲げミラー及び対物レンズを介して
前記対物レンズの瞳位置と共役な位置に配したフ
イルターで受け、該フイルターにより前記物体面
上のアライメントマークを暗視野検出する方法で
あつて、 前記対物レンズ及び折り曲げミラーを前記光源
部及び前記フイルターに対し相対的に移動可能に
し、前記対物レンズ及び折り曲げミラーを前記ア
ライメントマークの位置に応じて移動させて前記
アライメントマークの近傍に配する一方、前記対
物レンズ及び折り曲げミラーの移動に際して生じ
る前記対物レンズの瞳位置に対する前記像の位置
ずれと前記対物レンズの瞳位置と前記フイルター
間の共役関係のずれとを、前記像と前記光源部及
び前記フイルターとの間の光路に並んだ光学部材
の一部を移動せしめて補正することを特徴とする
アライメントマーク検出方法。
[Scope of Claims] 1. An image of the light source is formed at the pupil position of the objective lens, and the object surface is illuminated with the light beam from the light source via the objective lens and a bending mirror disposed near the objective lens. Then, the reflected light generated on the object surface is received by a filter arranged at a position conjugate with the pupil position of the objective lens via the bending mirror and the objective lens, and the alignment mark on the object plane is detected by the filter in a dark field. A method for detecting the alignment mark by making the objective lens and the bending mirror movable relative to the light source section and the filter, and moving the objective lens and the bending mirror according to the position of the alignment mark. The positional deviation of the image with respect to the pupil position of the objective lens that occurs when the objective lens and the bending mirror are moved, and the deviation of the conjugate relationship between the pupil position of the objective lens and the filter An alignment mark detection method comprising: moving a part of an optical member lined up in an optical path between the light source section and the filter for correction.
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