JPH033361A - Hybrid integrated one-dimensional photoelectric transducer array - Google Patents

Hybrid integrated one-dimensional photoelectric transducer array

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JPH033361A
JPH033361A JP1138163A JP13816389A JPH033361A JP H033361 A JPH033361 A JP H033361A JP 1138163 A JP1138163 A JP 1138163A JP 13816389 A JP13816389 A JP 13816389A JP H033361 A JPH033361 A JP H033361A
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JP
Japan
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signal output
wiring
photoelectric conversion
optical signal
electrode
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JP1138163A
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Japanese (ja)
Inventor
Yuji Kajiwara
梶原 勇次
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NEC Corp
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NEC Corp
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Publication of JPH033361A publication Critical patent/JPH033361A/en
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Abstract

PURPOSE:To obtain a low cost device realizing high performance by a simple constitution by a method wherein a grounding electrode having a part facing each optical signal output wiring with a desired facing area is arranged below an output terminal electrode connecting an optical signal output wiring part and a photoelectric transducer, via an interlayer insulating layer. CONSTITUTION:The following are mounted on a hybrid integration one-dimensional photoelectric transducer array: a plurality of photoelectric transducers 14 formed on an insulative substrate 11, a driving circuit 19 of the photoelectric transducers 14, and an optical signal output wiring part containing a plurality of optical signal output wirings 16 connecting the photoelectric transducers 14 with the driving circuit 19. In said array, grounding electrodes 25 are installed, which are formed below output terminal electrodes 23 connecting optical signal output wiring parts 16 and the photoelectric transducers 14, via an interlayer insulating layer 22, and have a part facing each optical signal wiring 16 with a desired facing area. For example, the area of the grounding electrode 25 below the facing electrode part 23 of the signal output wiring 16 of short wiring length is made large. On the contrary, the area of the grounding electrode 25 corresponding with the facing electrode of the signal output wiring 16 of long wiring length is made small. Thereby the earth capacity of each signal output wiring is uniformized.

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、混成集積化一次元光電変換素子アレイに関す
る。より詳細には、本発明は、画像読み取りに使用する
一次元のイメージセンサ素子アレイにおいて、特に原稿
からの反射光を受光する密着読み取りに適した混成集積
化一次元光電変換素子アレイの新規な構成に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to a hybrid integrated one-dimensional photoelectric conversion element array. More specifically, the present invention provides a novel configuration of a hybrid integrated one-dimensional photoelectric conversion element array suitable for close-contact reading in which light reflected from a document is received in a one-dimensional image sensor element array used for image reading. Regarding.

従来の技術 ファクシミリ送信機などにおける原稿の画像読み取りデ
バイスとして、嘗では、ICセンサと称されるMOSや
CCDなどの一次元光電変換素子アレイが使用されてい
た。これに対して、近年、原稿幅と光電変換素子アレイ
幅とを1対1で対応させた、所謂密着型イメージセンサ
が実用化されている。この方式のイメージセンサは、縮
小光学系の光路が不要であり、また、縮小光学系の使用
において不可避な微妙な調整も必要ないので、送信機の
小型化並びに低価格化を大きく推進すると共に、読み取
りデバイスの使用を容易なものとしている。
2. Description of the Related Art In the past, a one-dimensional photoelectric conversion element array such as a MOS or a CCD, called an IC sensor, was used as an image reading device for a document in a facsimile transmitter or the like. On the other hand, in recent years, so-called contact image sensors have been put into practical use, in which the document width corresponds to the photoelectric conversion element array width on a one-to-one basis. This type of image sensor does not require the optical path of the reduction optical system, and does not require the delicate adjustments that are inevitable when using the reduction optical system, so it greatly promotes the miniaturization and cost reduction of the transmitter. This makes it easy to use the reading device.

第3図は、上述のような密着形イメージセンサに使用さ
れる光電変換素子アレイの典型的な構成例を示す図であ
る。
FIG. 3 is a diagram showing a typical configuration example of a photoelectric conversion element array used in the above-described contact type image sensor.

同図に示すように、この光電変換素子アレイは、透明ガ
ラス基板1上のアモルファスシリコン(以下、a−Si
と記載する)光導電層に成膜パターンとして形成された
共通電極2および個別電極3とセンサ素子部4とを備え
ている。通常は、これらの構成要素の表面に塗布された
ポリイミド絶縁層と、更にその上に成膜された上層配線
導体、マトリクス配線部5、出力信号配線部6および駆
動IC配置部7を備えている。
As shown in the figure, this photoelectric conversion element array is made of amorphous silicon (hereinafter referred to as a-Si) on a transparent glass substrate 1.
The photoconductive layer includes a common electrode 2 and individual electrodes 3 formed as a film formation pattern on a photoconductive layer, and a sensor element section 4. Usually, it includes a polyimide insulating layer coated on the surfaces of these components, an upper layer wiring conductor, a matrix wiring section 5, an output signal wiring section 6, and a drive IC arrangement section 7 formed on top of the polyimide insulating layer. .

共通電極2および個別電極3と上層配線とは、ポリイミ
ド絶縁層に設けたスルーホール8を通して接続されてい
る。また、駆動IC配置部7には駆動IC9が接着剤で
固着され、信号出力線6と駆動IC9とはボンディング
ワイヤ101ごより接続されている。
The common electrode 2 and the individual electrodes 3 and the upper layer wiring are connected through through holes 8 provided in the polyimide insulating layer. Further, a drive IC 9 is fixed to the drive IC arrangement portion 7 with an adhesive, and the signal output line 6 and the drive IC 9 are connected through bonding wires 101.

以上のように構成された光電変換素子アレイは、画像光
をセンサ素子部4で受光し、その強弱によって変化する
個別電極3と共通電極2との間の微弱な電流を、出力信
号配線部6を通して駆動IC9で増幅し、走査信号とし
て出力している。
The photoelectric conversion element array configured as described above receives image light at the sensor element section 4, and transmits a weak current between the individual electrodes 3 and the common electrode 2, which changes depending on the strength of the image light, to the output signal wiring section 6. The signal is amplified by the drive IC 9 and output as a scanning signal.

発明が解決しようとする課題 上述のように構成された密着型イメージセンサに使用さ
れる光電変換素子アレイにおけるセンサ素子部4は、読
み取る原稿の幅と同一寸法である。
Problems to be Solved by the Invention The sensor element section 4 in the photoelectric conversion element array used in the contact type image sensor configured as described above has the same size as the width of the document to be read.

例えば、A4判の原稿を読み取るためのセンサでは、光
電変換素子アレイの幅は216+++mとなる。
For example, in a sensor for reading an A4 size original, the width of the photoelectric conversion element array is 216+++ m.

ここで、第3図からも判るように、光電変換素子部4か
ら駆動IC9までの出力信号配線部6は、対応するセン
サの位置によってそれぞれ異なっている。即ち、透明ガ
ラス基板1の幅寸法やパターン設計によって異なるが、
出力信号配線部6の配線長は、A4判用の光電変換素子
アレイの場合で1mmから120I!Ia+程度の範囲
でばらつぐ。従って、駆動IC9の各入力端子には、そ
れぞれ対接地容量の異なった配線系が接続されることに
なる。このため、駆動IC9に入力される光信号は、対
接地容量のばらつきに依存する雑音が混入し、S/Nが
劣化する。特に、黒原稿を読み取る時は、電流値が小さ
いのでこれが顕著になる。
Here, as can be seen from FIG. 3, the output signal wiring section 6 from the photoelectric conversion element section 4 to the drive IC 9 differs depending on the position of the corresponding sensor. That is, although it varies depending on the width dimension and pattern design of the transparent glass substrate 1,
The wiring length of the output signal wiring section 6 is from 1mm to 120I in the case of an A4 size photoelectric conversion element array! It varies within a range of about Ia+. Therefore, each input terminal of the drive IC 9 is connected to a wiring system having a different capacitance to ground. For this reason, the optical signal input to the drive IC 9 is contaminated with noise depending on the variation in ground capacitance, and the S/N ratio is degraded. This is particularly noticeable when reading a black original because the current value is small.

このような、出力信号配線部6の配線長のばらつきに起
因する特性の劣化は、電気的に補正することも可能であ
るが、この場合、付加的な回路を必要とする上に、装置
のコストの上昇が不可避となる。
Such deterioration in characteristics due to variations in the wiring length of the output signal wiring section 6 can be corrected electrically, but in this case, an additional circuit is required and the equipment An increase in costs is inevitable.

そこで、本発明は、上記従来技術の問題点を解決し、簡
素な構成で高性能を実現した廉価な混成集積化一次元光
電変換素子アレイの新規な構成を提供することをその目
的としている。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above problems of the prior art and provide a novel configuration of an inexpensive hybrid integrated one-dimensional photoelectric conversion element array that achieves high performance with a simple configuration.

課題を解決するための手段 即ち、本発明に従うと、絶縁性基板上に形成された複数
の光電変換素子と、該光電変換素子の駆動回路と、該光
電変換素子をそれぞれ該駆動回路に接続する複数の光信
号出力配線を含む光信号出力配線部とを搭載した混成集
積化一次元光電変換素子アレイにおいて、前記光信号出
力配線部と前記光電変換素子とを各々接続する出力端子
電極の下方に層間絶縁層を介して形成され、各光信号出
力配線と所望の対向面積で対向した部分を有する接地電
極を備えることを特徴とする混成集積化一次元光電変換
素子アレイが提供される。
Means for solving the problem, that is, according to the present invention, includes a plurality of photoelectric conversion elements formed on an insulating substrate, a drive circuit for the photoelectric conversion elements, and each of the photoelectric conversion elements is connected to the drive circuit. In a hybrid integrated one-dimensional photoelectric conversion element array equipped with an optical signal output wiring section including a plurality of optical signal output wirings, a terminal electrode is provided below an output terminal electrode that connects the optical signal output wiring section and the photoelectric conversion element, respectively. A hybrid integrated one-dimensional photoelectric conversion element array is provided, which is formed through an interlayer insulating layer and includes a ground electrode having a portion facing each optical signal output wiring with a desired facing area.

ここで、本発明の好ましい一実施態様に従うと、前記出
力端子電極と前記接地電極との間に間挿される層間絶縁
層は、前記光電変換素子を構成するマ) IJクス配線
を搭載した層間絶縁層と同一の絶縁層である。
Here, according to a preferred embodiment of the present invention, the interlayer insulating layer interposed between the output terminal electrode and the ground electrode is an interlayer insulating layer on which IJ wiring is mounted, which constitutes the photoelectric conversion element. It is the same insulating layer as the layer.

作用 本発明に係る混成集積化一次元光電変換素子アレイは、
光信号出力配線部の出力端子電極下に、層間絶縁層を介
して接地電極を配置したことをその主要な特徴としてい
る。
Function The hybrid integrated one-dimensional photoelectric conversion element array according to the present invention has the following features:
Its main feature is that a ground electrode is placed below the output terminal electrode of the optical signal output wiring section via an interlayer insulating layer.

本発明に係る光電変換素子アレイでは、光信号出力配線
部の下方に層間絶縁層を介して接地電極を備えているの
で、この接地電極と各光信号出力配線との間の容量を適
切に設定することによって、各光信号出力配線の対接地
容量を調節して光信号出力配線相互間の対接地容量のば
らつきを補正することができる。
In the photoelectric conversion element array according to the present invention, since the ground electrode is provided below the optical signal output wiring section via the interlayer insulating layer, the capacitance between this ground electrode and each optical signal output wiring is appropriately set. By doing so, it is possible to adjust the capacitance to ground of each optical signal output wiring to correct variations in capacitance to ground between the optical signal output wirings.

即ち、前述した従来の光電変換素子アレイの構成に対し
て、本発明に係る光電変換素子アレイは、信号を読み出
す駆動ICの入力端子の対接地容量を均一化して光信号
のS/Nを改善している。
That is, in contrast to the configuration of the conventional photoelectric conversion element array described above, the photoelectric conversion element array according to the present invention improves the S/N of the optical signal by equalizing the ground capacitance of the input terminal of the drive IC that reads the signal. are doing.

以下、図面を参照して本発明をより具体的に説明するが
、以下の開示は本発明の一実施例に過ぎず、本発明の技
術的範囲を何ら限定するものではない。
Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the drawings, but the following disclosure is only one embodiment of the present invention, and does not limit the technical scope of the present invention in any way.

実施例1 第1図(a)および(5)は、それぞれ、本発明に従う
光電変換素子アレイの構成例を示す断面図および平面図
である。
Example 1 FIGS. 1(a) and 1(5) are a cross-sectional view and a plan view, respectively, showing a configuration example of a photoelectric conversion element array according to the present invention.

同図に示すように、この光電変換素子アレイは、表面に
a−3i光導電体層20を形成された透明ガラス基板1
1と、a−3i光導電体層20上に形成された共通電極
12、個別電極13および接地配線21からなる第1の
導体層を形成と、これら第1導体層を覆う感光性ポリイ
ミド膜22と、更に、ポリイミド膜22上に形成された
マトリクス配線部15、駆動IC設置部17および信号
出力配線部16からなる第2導体層とを備えている。ポ
リイミド膜22には、必要に応じてスルーホール18が
形成されている。また、駆動IC19は、駆動ICC設
置部子7上搭載されて、ボンディングワイヤ30によっ
て各配線と接続されている。
As shown in the figure, this photoelectric conversion element array consists of a transparent glass substrate 1 on which an a-3i photoconductor layer 20 is formed.
1, forming a first conductor layer consisting of a common electrode 12, individual electrodes 13 and ground wiring 21 formed on the a-3i photoconductor layer 20, and a photosensitive polyimide film 22 covering these first conductor layers. The second conductor layer further includes a matrix wiring section 15 formed on the polyimide film 22, a drive IC installation section 17, and a signal output wiring section 16. Through holes 18 are formed in the polyimide film 22 as necessary. Further, the drive IC 19 is mounted on the drive ICC installation part 7 and connected to each wiring by a bonding wire 30.

ここで、各信号出力配線16の光電変換素子を構成する
共通電極12との接続点近傍には、局部的に配線幅を大
きくした対向電極部23を設け、ポリイミド膜を介して
接地電極25と対向させている。
Here, in the vicinity of the connection point of each signal output wiring 16 with the common electrode 12 constituting the photoelectric conversion element, a counter electrode part 23 with a locally enlarged wiring width is provided, and it is connected to the ground electrode 25 through a polyimide film. They are facing each other.

尚、以上のような構成の本実施例に係る光電変換素子ア
レイは、A4判の原稿読み取りに使用できる8素子/ 
ma+の光電変換素子アレイであり、個別電極13およ
び共通電極12の本数は、それぞれ1728本および1
08本である。また、マトリクス配線部15の構成は、
108 X 16であり、信号出力配線16は108本
配置されている。
The photoelectric conversion element array according to this embodiment with the above configuration has 8 elements/8 elements that can be used to read an A4 size document.
It is a ma+ photoelectric conversion element array, and the numbers of individual electrodes 13 and common electrodes 12 are 1728 and 1, respectively.
There are 08 pieces. Furthermore, the configuration of the matrix wiring section 15 is as follows:
The size is 108×16, and 108 signal output wirings 16 are arranged.

このような構造の混成集積化一次元光電変換素子アレイ
は、各信号出力配線16が、駆動IC19までの距離の
差異による不揃いが発生するために、浮遊容量がその配
線長に依存してばらついている。
In a hybrid integrated one-dimensional photoelectric conversion element array having such a structure, the stray capacitance varies depending on the length of the wiring because each signal output wiring 16 is uneven due to the difference in distance to the drive IC 19. There is.

今、例えば信号出力配線160幅が0.1mmであり、
透明ガラス基板11の長さが230mm程度であるとす
ると、浮遊容量は0.1pF〜5 pF程度の範囲でそ
れぞれ寄生している。
Now, for example, the width of the signal output wiring 160 is 0.1 mm,
Assuming that the length of the transparent glass substrate 11 is about 230 mm, each parasitic stray capacitance is in the range of about 0.1 pF to 5 pF.

そこで、配線長の短い信号出力配線16の対向電極部2
3の下の接地電極25の面積を大きくし、逆に配線長の
長い信号出力配線16の対向電極に対応する接地電極2
5の面積は小さくすることによって、上述のような浮遊
容量のばらつきを補正することができ、結果として、各
信号出力配線の対接地容量は均等化される。
Therefore, the counter electrode portion 2 of the signal output wiring 16 having a short wiring length is
The area of the ground electrode 25 under 3 is increased, and conversely, the ground electrode 2 corresponds to the counter electrode of the signal output wiring 16, which has a long wiring length.
By reducing the area of 5, the above-mentioned variations in stray capacitance can be corrected, and as a result, the ground capacitance of each signal output wiring is equalized.

従って、対接地容量のばらつきによる固定パターン雑音
源が解消され、画像光を読み出す時のS/N比が著しく
改善される。また、外部の信号処理回路に補正回路も不
用なので、この回路は廉価に接続することができる。
Therefore, fixed pattern noise sources due to variations in capacitance to ground are eliminated, and the S/N ratio when reading image light is significantly improved. Furthermore, since a correction circuit is not required in the external signal processing circuit, this circuit can be connected at low cost.

実施例2 第2図は、本発明に係る光電変換素子アレイの他の構成
例を示す平面図である。
Example 2 FIG. 2 is a plan view showing another example of the configuration of a photoelectric conversion element array according to the present invention.

同図に示すように、この光電変換素子アレイは、透明ガ
ラス基板31上に形成された、マトリクス配線部35、
光電変換素子部34、接地配線電極部41、出力配線端
子部36を備えている。また、この透明ガラス基板31
に隣接する駆動IC基板51上に搭載された駆動IC2
9と、この駆動IC29と透明基板31上の光電変換素
子部34とを接続する長さの不揃いな複数の信号出力配
線56はを備えている。
As shown in the figure, this photoelectric conversion element array includes a matrix wiring section 35 formed on a transparent glass substrate 31;
It includes a photoelectric conversion element section 34, a ground wiring electrode section 41, and an output wiring terminal section 36. Moreover, this transparent glass substrate 31
The drive IC 2 mounted on the drive IC board 51 adjacent to
9, and a plurality of signal output wirings 56 of irregular lengths that connect the drive IC 29 and the photoelectric conversion element section 34 on the transparent substrate 31.

透明ガラス基板31と駆動IC基板51とは、図示して
いない透明支持板上に対向して配置され、各出力配線端
子部36と信号出力配線56とはボンディングワイヤ4
0により接続されている。尚、透明ガラス基板31上の
接地配線電極部41には、駆動IC基板51の信号出力
配線部56の浮遊容量ばらつきを補正するた−めの対向
電極部55が形成されている。
The transparent glass substrate 31 and the drive IC board 51 are arranged facing each other on a transparent support plate (not shown), and each output wiring terminal section 36 and the signal output wiring 56 are connected to the bonding wire 4.
Connected by 0. Note that a counter electrode section 55 is formed on the ground wiring electrode section 41 on the transparent glass substrate 31 to correct variations in stray capacitance of the signal output wiring section 56 of the drive IC board 51.

以上のように構成された混成集積化一次元光電変換素子
アレイは、実施例1に示した一体に構成された光電変換
素子アレイと全く同様に機能する他、駆動IC基板51
にはプリント板などの廉価な基板材を使用できる、一方
、高価な透明ガラス基板310幅寸法を小さくすること
ができるので、更に低コスト化が可能になる。
The hybrid integrated one-dimensional photoelectric conversion element array configured as described above functions in exactly the same way as the integrally configured photoelectric conversion element array shown in the first embodiment.
An inexpensive substrate material such as a printed board can be used for this purpose, while the width of the expensive transparent glass substrate 310 can be made small, making it possible to further reduce costs.

発明の詳細 な説明したように、本発明に係る混成集積化一次元光電
変換素子アレイは、各信号出力配線長に対応した対向電
極と、これに対向した接地配線とを設けることにより、
各センサからの光信号出力配線の対接地容量を均等化口
で信号出力配線部の配線長の不揃いによる寄生容量ばら
つきを補正している。従って、付加回路等や複雑な信号
処理なしに雑音混入を低減し、光電変換特性の向上を実
現している。
As described in detail of the invention, the hybrid integrated one-dimensional photoelectric conversion element array according to the present invention provides a counter electrode corresponding to the length of each signal output wiring and a ground wiring opposite to the counter electrode.
The capacitance to ground of the optical signal output wiring from each sensor is equalized by an equalization port to correct variations in parasitic capacitance due to uneven wiring lengths of the signal output wiring section. Therefore, it is possible to reduce noise contamination and improve photoelectric conversion characteristics without the need for additional circuits or complicated signal processing.

このような本発明に係る光電変換素子アレイを使用する
ことにより高性能な密着センサが廉価に供給され、ファ
クシミリ装置の原稿読み取りデバイス等に使用すること
によって、低価格で小型のファクシミリ装置等の廉価な
画像処理/通信装置を製造することが可能となる。
By using the photoelectric conversion element array according to the present invention, a high-performance contact sensor can be provided at a low cost, and by using it in a document reading device of a facsimile machine, it can be used in a low-cost, small-sized facsimile machine, etc. This makes it possible to manufacture image processing/communication devices.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図(a)およびら)は、それぞれ、本発明に係る光
電変換素子アレイの構成例を示す断面図および平面図で
あり、 第2図は、本発明に係る光電変換素子アレイの他の構成
例を示す平面図であり、 第3図は、従来の光電変換素子アレイの典型的な構成を
示す平面図である。 〔主な参照番号〕 1.11.31・・・透明ガラス基板、2.12・・・
・・共通電極、 3.13・・・・・個別電極、 4.14.34・・・光電変換素子部、5.15.35
・ 6.16.56・ 7.17・ ・ ・ 8.18・ ・ ・ 9.19.29・ 10.30.40・ 20・ ・ ・ ・ ・ 21.41・ 22・ ・ ・ 23.36・ 25.55・ 51・ ・ ・ マトリクス配線部、 信号出力配線部、 駆動IC設置部、 スルーホール、 駆動IC1 接続用ボンディングワイヤ、 アモルファスシリコン (a−3i)半導体層、 接地配線、 ポリイミド絶縁層、 対向電極、 接地電極、 駆動IC基板
FIGS. 1(a) and 1(a) are a sectional view and a plan view, respectively, showing a configuration example of a photoelectric conversion element array according to the present invention, and FIG. FIG. 3 is a plan view showing a typical configuration of a conventional photoelectric conversion element array. [Main reference numbers] 1.11.31...Transparent glass substrate, 2.12...
...Common electrode, 3.13...Individual electrode, 4.14.34...Photoelectric conversion element section, 5.15.35
・ 6.16.56・ 7.17・ ・ ・ 8.18・ ・ ・ 9.19.29・ 10.30.40・ 20・ ・ ・ ・ ・ 21.41・ 22・ ・ ・ 23.36・ 25 .55・ 51・ ・ Matrix wiring section, signal output wiring section, drive IC installation section, through hole, bonding wire for connecting drive IC1, amorphous silicon (a-3i) semiconductor layer, ground wiring, polyimide insulating layer, counter electrode , ground electrode, drive IC board

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 絶縁性基板上に形成された複数の光電変換素子と、該光
電変換素子の駆動回路と、該光電変換素子をそれぞれ該
駆動回路に接続する複数の光信号出力配線を含む光信号
出力配線部とを搭載した混成集積化一次元光電変換素子
アレイにおいて、前記光信号出力配線部と前記光電変換
素子とを各々接続する出力端子電極の下方に層間絶縁層
を介して形成され、各光信号出力配線と所望の対向面積
で対向した部分を有する接地電極を備えることを特徴と
する混成集積化一次元光電変換素子アレイ。
an optical signal output wiring section including a plurality of photoelectric conversion elements formed on an insulating substrate, a drive circuit for the photoelectric conversion elements, and a plurality of optical signal output wirings respectively connecting the photoelectric conversion elements to the drive circuit; In a hybrid integrated one-dimensional photoelectric conversion element array equipped with 1. A hybrid integrated one-dimensional photoelectric conversion element array comprising: a ground electrode having portions facing each other with a desired facing area;
JP1138163A 1989-05-31 1989-05-31 Hybrid integrated one-dimensional photoelectric transducer array Pending JPH033361A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7167284B2 (en) 2001-11-13 2007-01-23 Rohm Co., Ltd. Image sensor head provided with separate CCD sensor chip and driver chip

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US7167284B2 (en) 2001-11-13 2007-01-23 Rohm Co., Ltd. Image sensor head provided with separate CCD sensor chip and driver chip

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