JPH03291654A - Production of photomask - Google Patents
Production of photomaskInfo
- Publication number
- JPH03291654A JPH03291654A JP2094643A JP9464390A JPH03291654A JP H03291654 A JPH03291654 A JP H03291654A JP 2094643 A JP2094643 A JP 2094643A JP 9464390 A JP9464390 A JP 9464390A JP H03291654 A JPH03291654 A JP H03291654A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- photomask
- resist
- chromium
- shielding film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 15
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims abstract description 10
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- SJKRCWUQJZIWQB-UHFFFAOYSA-N azane;chromium Chemical compound N.[Cr] SJKRCWUQJZIWQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)molybdenum Chemical compound [Si]=[Mo]=[Si] YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 229910021563 chromium fluoride Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910021344 molybdenum silicide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- FTBATIJJKIIOTP-UHFFFAOYSA-K trifluorochromium Chemical compound F[Cr](F)F FTBATIJJKIIOTP-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims abstract description 3
- UFGZSIPAQKLCGR-UHFFFAOYSA-N chromium carbide Chemical compound [Cr]#C[Cr]C#[Cr] UFGZSIPAQKLCGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 claims description 2
- 229910003470 tongbaite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 36
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 11
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 5
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 5
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は三層構造を有する電子線レジスト膜を用いたフ
ォトマスクの製造方法に関するものであり、レジスト膜
を三層構造にすることによる工程数の増加を抑えるため
のものである。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to a method for manufacturing a photomask using an electron beam resist film having a three-layer structure, and the present invention relates to a method for manufacturing a photomask using an electron beam resist film having a three-layer structure. This is to suppress the increase in numbers.
従来、電子線リソグラフィーによるフォトマスクの製造
に用いられる電子線レジスト（例えばポリブテン−１−
スルフォン：ＰＢＳ（チッソ■社製））は、耐ドライエ
ツチング性が低いためにレジスト膜を４０００人程度と
かな、り厚くして用いられている。しかし、レジスト膜
を厚くすると、電子線の散乱が大きくなり、パターン精
度が低下してしまう。この問題を解決する方法の一つに
三層構造のレジスト膜を用いる方法がある（特開昭５４
−３０８２７号公報参照）。すなわち、第１図（ａ）に
示すように、透光性基板２０上に形成した遮光性膜１２
の上に下層レジス）１４、中間層１６、上層レジス１−
１８の各層を形成するものである。下層レジスト１４は
厚くすることにより耐ドライエツチング性を持たせる。Conventionally, electron beam resists (e.g. polybutene-1-
Sulfone: PBS (manufactured by Chisso Corporation) has low dry etching resistance, so it is used with a resist film as thick as about 4,000. However, if the resist film is made thicker, the scattering of the electron beam increases, resulting in a decrease in pattern accuracy. One method to solve this problem is to use a three-layer resist film (Japanese Patent Laid-Open No. 54
(Refer to Publication No.-30827). That is, as shown in FIG. 1(a), a light-shielding film 12 formed on a light-transmitting substrate 20
on top of the lower layer resist) 14, middle layer 16, upper layer resist 1-
18 layers are formed. The lower resist layer 14 is made thicker to provide dry etching resistance.
中間層１６は上層レジストに形成されたパターンをプラ
ズマエツチング等により下層レジストに転写するための
ものである。中間層と下層レジストのエツチング条件は
通常かなり異なっているため、中間層は薄くても下層レ
ジストをエツチングすることが可能である。上層レジス
トは薄い中間層をエツチングするだけの耐ドライエツチ
ング性を持っていればよいため、薄膜化が可能である。The intermediate layer 16 is for transferring the pattern formed on the upper resist layer to the lower resist layer by plasma etching or the like. Since the etching conditions for the intermediate layer and the underlying resist are usually quite different, it is possible to etch the underlying resist even if the intermediate layer is thin. Since the upper resist layer only needs to have dry etching resistance sufficient to etch the thin intermediate layer, it is possible to form a thin film.
以上の方法により、電子線による描画は薄い上層レジス
トに対して行なえばよいため、電子線のレジスト膜内で
の散乱による解像力の低下を防止することができる。According to the above method, drawing with an electron beam can be performed on a thin upper resist layer, so that it is possible to prevent a decrease in resolution due to scattering of the electron beam within the resist film.
上記した三層構造のレジスト膜を用いたフォトマスクの
製造方法により、高解像度のパターン形成が可能となる
が、レジスト膜の形成および剥離のための工程が多くな
ってしまうという問題がある。但し、剥離に関して言え
ば、上層レジストは薄いために下層レジストのドライエ
ツチング時に通常は消滅する。したがってレジスト膜の
剥離工程に関して言えば、中間層の剥離工程が必要にな
るという問題がある。また、中間層の剥離工程時に遮光
性膜が損傷を受け、パターン精度の低下につながる。Although the method for manufacturing a photomask using the above-described three-layer resist film enables high-resolution pattern formation, there is a problem in that the number of steps for forming and peeling off the resist film increases. However, in terms of peeling, since the upper resist layer is thin, it usually disappears during dry etching of the lower resist layer. Therefore, when it comes to the process of removing the resist film, there is a problem in that a process of removing the intermediate layer is required. Further, the light-shielding film is damaged during the process of peeling off the intermediate layer, leading to a decrease in pattern accuracy.
本発明は、三層構造のレジスト膜を用いて電子線リソグ
ラフィーによりフォトマスクを製造する方法において、
中間層としてフォトマスクの遮光性膜と同一の材料を用
いることを特徴とするフォトマスクの製造方法である。The present invention provides a method for manufacturing a photomask by electron beam lithography using a three-layer resist film, including:
This method of manufacturing a photomask is characterized in that the intermediate layer is made of the same material as the light-shielding film of the photomask.
以下さらに、本発明を図面に基いて詳細に説明する。ま
ず第１図（ａ）に示すように、透光性基板２０上に形成
した遮光性膜１２の上に下層レジスト１４、中間層１６
、上層レジスト１８の各層を積層する。The present invention will be further explained in detail below based on the drawings. First, as shown in FIG. 1(a), a lower resist 14 and an intermediate layer 16 are placed on a light-shielding film 12 formed on a transparent substrate 20.
, the respective layers of the upper resist layer 18 are laminated.
フォトマスクの遮光性膜１２の材料としては、クロム、
クロム酸化物、クロム窒化物、クロム炭化物、クロム弗
化物のうちから選択される少なくとも一種を用いるか、
またはモリブデンシリサイドもしくはタンタルを用いる
。当然ながら、中間層１６に用いる材料も、遮光性膜１
２の材料と同じものを用いる。Materials for the light-shielding film 12 of the photomask include chromium,
At least one selected from chromium oxide, chromium nitride, chromium carbide, and chromium fluoride is used, or
Or use molybdenum silicide or tantalum. Naturally, the material used for the intermediate layer 16 is also the material used for the light-shielding film 1.
Use the same material as in step 2.
次に電子線描画装置によりフォトマスクパターンを描画
し、現像することにより第１図（ｂ）に示すように、上
層レジスト１８のパターンを形成する。次に上層レジス
ト１８をマスクとして中間層１６のドライエツチングを
行ない、第１図（Ｃ）に示すように、上層レジスト１８
のパターンを中間層１６に転写する。次に上層レジスト
１８および中間層１６をマスクとして下層レジスト１２
をエツチングし、第１図（ｄ）に示すように下層レジス
ト１４のパターンを形成する。この際、上層レジスト１
８は薄いために消滅してしまう。次に中間層１６および
下層レジスト１４をマスクとしてフォトマスクの遮光性
膜１２をエツチングし、第１図（ｅ）に示すように遮光
性膜１２のパターンを形成する。この際、中間層１６は
遮光性膜１２より薄いため、遮光性膜１２のエツチング
終了時には消滅する。次に、下層レジスト１４を除去し
、第１図（ｆ）に示すように、透光性基板２０上に遮光
性膜１２のパターンを有するフォトマスクとする。Next, a photomask pattern is drawn using an electron beam drawing device and developed to form a pattern of the upper resist 18 as shown in FIG. 1(b). Next, the intermediate layer 16 is dry etched using the upper resist 18 as a mask, and the upper resist 18 is etched as shown in FIG. 1(C).
The pattern is transferred to the intermediate layer 16. Next, the lower resist 12 is applied using the upper resist 18 and the intermediate layer 16 as masks.
is etched to form a pattern of the lower resist 14 as shown in FIG. 1(d). At this time, upper layer resist 1
8 disappears because it is thin. Next, the light-shielding film 12 of the photomask is etched using the intermediate layer 16 and the lower resist 14 as masks to form a pattern of the light-shielding film 12 as shown in FIG. 1(e). At this time, since the intermediate layer 16 is thinner than the light-shielding film 12, it disappears when the etching of the light-shielding film 12 is completed. Next, the lower resist layer 14 is removed to obtain a photomask having a pattern of the light-shielding film 12 on the light-transmitting substrate 20, as shown in FIG. 1(f).
上記したように、本発明のフォトマスクの製造方法によ
れば、中間層と遮光性膜は同一の物質なので、中間層は
遮光性膜のエツチング時に消滅し、工程が簡便となる。As described above, according to the photomask manufacturing method of the present invention, since the intermediate layer and the light-shielding film are made of the same material, the intermediate layer disappears during etching of the light-shielding film, simplifying the process.
以下に本発明を使用した一実施例を示す。 An example using the present invention is shown below.
まず、透光性基板である石英基板上に遮光性膜として厚
さ１２００人のクロム膜、下層レジスト膜として厚さ６
０００人のＭＰ−１４００（シブレイ社製）膜、中間層
として厚さ５００大のクロム膜、上層レジストとして厚
さ３０００人の０ＥＢＲ−１０１０（東京応化■社製）
膜を順次形成する。クロム膜はスパッタリングにより、
またレジスト膜はスピンコードにより作成する。First, on a quartz substrate, which is a light-transmitting substrate, a chromium film with a thickness of 1,200 mm is used as a light-shielding film, and a chromium film with a thickness of 6 mm is used as a lower resist film.
000mm MP-1400 (manufactured by Sibley) film, 500mm thick chromium film as the middle layer, 3000mm thick 0EBR-1010 (manufactured by Tokyo Ohka Corporation) as the upper layer resist.
Form the films sequentially. The chromium film is made by sputtering.
Further, the resist film is created using a spin code.
次に電子線描画装置により電子線レジスト上にフォトマ
スクパターンを描画し、現像処理を行ない、電子線レジ
ストのパターンを作成する。次に四塩化炭素および酸素
ガスを用いたＲＩＢ（反応性イオンエツチング）により
、中間層であるクロム層をエツチングする。次いで酸素
ガスを用いたＲＩＢにより下層レジストをエツチングす
る。次に上記した中間層クロムのエツチングと同様の条
件で遮光性膜をエツチングし、最後に酸素ガスを用いた
ＲＩＢにより、下層レジストを除去する。Next, a photomask pattern is drawn on the electron beam resist using an electron beam drawing device, and a development process is performed to create an electron beam resist pattern. Next, the intermediate chromium layer is etched by RIB (reactive ion etching) using carbon tetrachloride and oxygen gas. Next, the lower resist layer is etched by RIB using oxygen gas. Next, the light-shielding film is etched under the same conditions as for etching the intermediate chromium layer described above, and finally the lower resist layer is removed by RIB using oxygen gas.
上記した方法により、中間層の剥離のための工程を行な
うことなく、フォトマスクを作成することができる。By the method described above, a photomask can be created without performing a step for peeling off the intermediate layer.
本発明を用いることにより、フォトマスクパターンのド
ライエツチング後のレジスト剥離工程のうち、レジスト
中間層の剥離工程は不必要となり、下層レジストの剥離
だけで済む。これにより、製造時間の短縮およびコスト
の低減が可能となる。By using the present invention, in the resist stripping process after dry etching the photomask pattern, the process of stripping the resist intermediate layer becomes unnecessary, and only the underlying resist layer needs to be stripped. This makes it possible to shorten manufacturing time and reduce costs.
またフォトマスクパターンのエツチング時にレジスト中
間層物質が飛散してフォトマスクのエツチング面に付着
した場合にもエツチング時に除去されるために、欠陥の
発生を防止する効果もある。Furthermore, even if the resist intermediate layer material scatters and adheres to the etched surface of the photomask during etching of the photomask pattern, it is removed during etching, thereby preventing the occurrence of defects.
図面は本発明の製造方法の実施例を示すものであって、
第１図（ａ）は透光性基板上の遮光性膜の上に下層レジ
スト、中間層、上層レジストを順次積層した状態を示す
断面図、第１図（ｂ）は上層レジストに電子ビームで描
画し、現像処理を施した後の状態を示す断面図、第１図
（Ｃ）は中間層をエツチングした後の状態を示す断面図
、第１図（ｄ）は下層レジストをエツチングした後の状
態を示す断面図、第１図（ｅ）はフォトマスクの遮光性
膜をエツチングした後の状態を示す断面図、第１図（ｆ
）は下層レジストを剥離した後、生成したフォトマスク
を示す断面図である。
１２・・・・・・遮光性膜
１４・・・・・・下層レジスト
１６・・・・・・中層レジスト
１８・・・・・・上層レジスト
２０・・・・・・透光性基板
特
許 出 願 人
凸版印刷株式会社
代表者 鈴木和夫The drawings show an example of the manufacturing method of the present invention,
Figure 1 (a) is a cross-sectional view showing a state in which a lower resist layer, an intermediate layer, and an upper resist layer are sequentially laminated on a light-shielding film on a light-transmitting substrate, and Figure 1 (b) is a cross-sectional view showing a state where the upper resist layer is exposed to an electron beam. A sectional view showing the state after drawing and development processing, FIG. 1(C) is a sectional view showing the state after etching the intermediate layer, and FIG. 1(d) is a sectional view showing the state after etching the lower layer resist. A cross-sectional view showing the state, FIG. 1(e) is a cross-sectional view showing the state after etching the light-shielding film of the photomask, FIG.
) is a cross-sectional view showing a photomask produced after peeling off the underlying resist. 12...Light-shielding film 14...Lower layer resist 16...Middle layer resist 18...Upper layer resist 20...Transparent substrate patent issued Kazuo Suzuki, Representative of Toppan Printing Co., Ltd.
Claims (3)
ィーによりフォトマスクを製造する方法において、中間
層としてフォトマスクの遮光性膜と同一の材料を用いる
ことを特徴とするフォトマスクの製造方法。(1) A method for manufacturing a photomask by electron beam lithography using a three-layer resist film, characterized in that the intermediate layer is made of the same material as the light-shielding film of the photomask.
ム、クロム酸化物、クロム窒化物、クロム炭化物、クロ
ム弗化物のうちから選択される少なくとも一種を用いる
請求項（１）記載のフォトマスクの製造方法。(2) The photomask according to claim 1, wherein at least one selected from chromium, chromium oxide, chromium nitride, chromium carbide, and chromium fluoride is used as the material for the light-shielding film of the photomask. Production method.
ブデンシリサイドまたはタンタルを用いる請求項（１）
記載のフォトマスクの製造方法。(3) Claim (1) wherein molybdenum silicide or tantalum is used as a material for the light-shielding film of the photomask.
Method for manufacturing the photomask described.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2094643A JPH03291654A (en) | 1990-04-10 | 1990-04-10 | Production of photomask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2094643A JPH03291654A (en) | 1990-04-10 | 1990-04-10 | Production of photomask |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03291654A true JPH03291654A (en) | 1991-12-20 |
Family
ID=14115945
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2094643A Pending JPH03291654A (en) | 1990-04-10 | 1990-04-10 | Production of photomask |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03291654A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004518990A (en) * | 2000-09-18 | 2004-06-24 | マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット | Double layer reticle material and method of manufacturing the same |
-
1990
- 1990-04-10 JP JP2094643A patent/JPH03291654A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004518990A (en) * | 2000-09-18 | 2004-06-24 | マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット | Double layer reticle material and method of manufacturing the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101197804B1 (en) | Method of producing phase shift masks | |
| US7674563B2 (en) | Pattern forming method and phase shift mask manufacturing method | |
| KR20060043596A (en) | Graytone mask and method of manufacturing the same | |
| JP4468093B2 (en) | Gradation photomask manufacturing method | |
| US6007324A (en) | Double layer method for fabricating a rim type attenuating phase shifting mask | |
| US5853923A (en) | Double layer method for fabricating a rim type attenuating phase shifting mask | |
| JP2924791B2 (en) | Photomask and method of manufacturing photomask | |
| JPH0876353A (en) | Production of phase shift mask | |
| KR100876033B1 (en) | Photomask | |
| JPS61273546A (en) | Production of metal silicide photomask | |
| US6830853B1 (en) | Chrome mask dry etching process to reduce loading effect and defects | |
| JPH03291654A (en) | Production of photomask | |
| JPH08297357A (en) | Production of edge enhancement type phase shift mask | |
| JP2003075983A (en) | Substrate having character and symbol section and method of processing this character and symbol section | |
| JP3194410B2 (en) | Manufacturing method of halftone type phase shift mask | |
| JP2734753B2 (en) | Method of forming phase shift mask | |
| JP3257130B2 (en) | Method for manufacturing edge-enhancement type phase shift mask | |
| JP2745988B2 (en) | Photomask manufacturing method | |
| US7135257B2 (en) | Multi-step phase shift mask and methods for fabrication thereof | |
| JPH0580490A (en) | Phase shift mask and production thereof | |
| JPH0728225A (en) | Phase shift mask and its production | |
| JPH07295201A (en) | Production of phase shift mask | |
| JPH05241320A (en) | Production of phase shift mask | |
| JPH05265179A (en) | Photomask and its production | |
| KR20000042879A (en) | Fabrication method of phase shift mask |