JPH03278330A - Optical pickup device - Google Patents

Optical pickup device

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Publication number
JPH03278330A
JPH03278330A JP2077860A JP7786090A JPH03278330A JP H03278330 A JPH03278330 A JP H03278330A JP 2077860 A JP2077860 A JP 2077860A JP 7786090 A JP7786090 A JP 7786090A JP H03278330 A JPH03278330 A JP H03278330A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
photodetector
optical pickup
pickup device
semiconductor substrate
light
Prior art date
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Pending
Application number
JP2077860A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Makoto Takashima
誠 高嶋
Shinji Kubota
真司 久保田
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Priority to JP2077860A priority Critical patent/JPH03278330A/en
Publication of JPH03278330A publication Critical patent/JPH03278330A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To easily perform the accurate positioning of a photodetector for error signal detection by reflecting light separated by a hologram element, and making it incident on a first photodetector. CONSTITUTION:A reflecting means 6 is provided which reflects the light separated by the hologram element 7 and makes it incident on the first photodetectors 4a-4h. Also, a fixing plane 3a fixing a semiconductor laser 1 is set in parallel with a fixing plane 3b fixing a semiconductor substrate 4, and also, the semiconductor substrate 4 is fixed by abutting with a fixing plane 3c. Thereby, position adjustment between the semiconductor laser 1 and the photodetectors 4a-4h for error signal detection on the semiconductor substrate 4 can be easily performed, which realizes the accurate positioning.

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は光学式ディスク装置等に用いることのできる光
ピックアップ装置に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of Industrial Application The present invention relates to an optical pickup device that can be used in an optical disc device or the like.

従来の技術 従来、記録媒体に書き込まれている信号を読み取る光ピ
ックアップ装置は、レンズ、 ミラー、プリズム等を組
み合わせてフォーカスおよびトラッキング誤差信号を検
出していた。最近、従来の光学部品のかわりにホログラ
ム素子を用いてフォーカスおよびトラッキング誤差信号
を検出する方式が考案されている。
2. Description of the Related Art Conventionally, optical pickup devices for reading signals written on recording media have used a combination of lenses, mirrors, prisms, etc. to detect focus and tracking error signals. Recently, a method of detecting focus and tracking error signals using a hologram element instead of conventional optical components has been devised.

第9図は従来のホログラム素子を用いた光ピックアップ
装置の一例の側断面図、第10図は同ホログラム素子の
一例としてフォーカス誤差検出をスポ、トサイズディテ
クシ1ン(81)ot  5i−ze  Detect
ion略して5SD)法。
FIG. 9 is a side sectional view of an example of an optical pickup device using a conventional hologram element, and FIG. 10 is a side sectional view of an example of an optical pickup device using the hologram element. Detect
ion (abbreviated as 5SD) method.

トラッキング誤差検出をプッシュプル法で行うホログラ
ム領域と誤差信号検出用光検出器との関係および記録媒
体上に正しく合焦したときの像を表した図である。
FIG. 3 is a diagram showing the relationship between a hologram area in which tracking error is detected by a push-pull method and an error signal detection photodetector, and an image when correctly focused on a recording medium.

第9図において、1は光源である半導体レーザ、2は半
導体レーザ1を固定、冷却させるためのヒートシンク、
4は半導体基板であり、その上にはホログラム素子7に
よって分離された光を検出するフォーカスおよびトラッ
キング誤差信号検出用光検出器が構成されている。また
、半導体基板4はヒートシンク2に固定された半導体レ
ーザlと直交した面に固定しである。5は半導体レーザ
の光出力制御用光検出器、7は記録媒体9で反射し、変
調を受けた反射光を光軸から分離しフォーカス誤差信号
、 トラッキング誤差信号を発生させるためのホログラ
ム素子である。8は記録媒体上に焦点を結ばせるための
有限焦点系フォーカスレンズ、9は記録媒体、9aは信
号のピットである。15は半導体レーザ1.ヒートシン
ク2.半導体基板4、光出力制御用光検出器5.ホログ
ラム素子7を一体構成しているパッケージである。
In FIG. 9, 1 is a semiconductor laser as a light source, 2 is a heat sink for fixing and cooling the semiconductor laser 1,
Reference numeral 4 denotes a semiconductor substrate, on which a focus and tracking error signal detection photodetector for detecting the light separated by the hologram element 7 is constructed. Further, the semiconductor substrate 4 is fixed to a surface perpendicular to the semiconductor laser l fixed to the heat sink 2. 5 is a photodetector for controlling the optical output of the semiconductor laser, and 7 is a hologram element for separating the modulated reflected light from the recording medium 9 from the optical axis to generate a focus error signal and a tracking error signal. . 8 is a finite focus system focus lens for focusing on the recording medium, 9 is the recording medium, and 9a is a signal pit. 15 is a semiconductor laser 1. Heat sink 2. Semiconductor substrate 4, photodetector for controlling optical output 5. This is a package in which a hologram element 7 is integrated.

なお、第9図においてはフォーカスレンズ8を駆動する
アクチュエータは省略する。
Note that in FIG. 9, the actuator for driving the focus lens 8 is omitted.

第10図において、7a+7bはホログラム素子7の表
面に形成したトラッキング誤差信号を発生するホログラ
ム領域、7c、7dはフォーカス誤差信号を発生するホ
ログラム領域、7e、7fはホログラム領域上の記録媒
体9からの反射光のファーフィールドパターン、4 a
l  4 bはトラッキング誤差信号検出用光検出器、
4c+  4d、  4el  4L  4g+  4
hはそれぞれフォーカス誤差信号検出用光検出器である
。ホログラム領域7 a。
In FIG. 10, 7a+7b is a hologram area formed on the surface of the hologram element 7 that generates a tracking error signal, 7c and 7d are hologram areas that generate a focus error signal, and 7e and 7f are hologram areas that generate a tracking error signal on the hologram element 7. Far field pattern of reflected light, 4a
l4b is a photodetector for tracking error signal detection;
4c+ 4d, 4el 4L 4g+ 4
h is a photodetector for detecting a focus error signal. Hologram area 7 a.

7bには半導体レーザ1の位置から発散する球面波と、
トラッキング誤差信号検出用光検出器4 a。
7b, a spherical wave diverging from the position of the semiconductor laser 1;
Photodetector 4 a for tracking error signal detection.

4bの検出点から発散する球面波との干渉縞に相当する
ホログラムを形成している。また、ホログラム領域7c
、7dには半導体レーザ1の位置から発散する球面波と
フォーカス誤差信号検出用光検出器4dの検出点の前か
ら発散する球面波、および半導体レーザ1の位置から発
散する球面波と光検出器4gの検出点の後から発散する
球面波との干渉縞に相当する2種類のホログラムを形成
している。
A hologram corresponding to interference fringes with the spherical wave diverging from the detection point 4b is formed. In addition, the hologram area 7c
, 7d shows a spherical wave that diverges from the position of the semiconductor laser 1, a spherical wave that diverges from before the detection point of the photodetector 4d for detecting a focus error signal, and a spherical wave that diverges from the position of the semiconductor laser 1 and the photodetector. Two types of holograms are formed corresponding to interference fringes with the spherical waves that diverge from the detection point 4g.

以上のように構成された従来の光ピックアップ装置につ
いて、以下その動作について説明する。
The operation of the conventional optical pickup device configured as described above will be described below.

半導体レーザ1から放射された光はホログラム素子7上
に形成されたホログラム領域によって0次光と±1次光
以上の回折光とに分けられる。そのうちの0次光は直進
し、フォーカスレンズ8に入射し記録媒体9上に焦点を
結ぶ。記録媒体s上に結んだビームスポットはピット9
aによって変調され反射される。以後、光はホログラム
素子7までは逆の経路をたどる。
The light emitted from the semiconductor laser 1 is divided by a hologram area formed on the hologram element 7 into 0th-order light and diffracted light of ±1st-order or higher orders. Among them, the zero-order light travels straight, enters a focus lens 8 and focuses on a recording medium 9. The beam spot connected on the recording medium s is pit 9
It is modulated and reflected by a. Thereafter, the light follows the opposite path to the hologram element 7.

次に記録媒体9で反射され戻ってきた光をホログラム素
子7によって誤差信号を発生させるプロセスについて説
明する。
Next, a process of generating an error signal using the hologram element 7 from the light reflected by the recording medium 9 and returned will be described.

ビームスポットが記録媒体9上で合焦しているとき、記
録媒体9からの反射光はホログラム領域7c、7dにて
回折され、光検出器4d、4gの上下の2点に焦点を結
び、4c〜4e、4f〜4h上に同じ径のビームスポッ
トが得られる。
When the beam spot is focused on the recording medium 9, the reflected light from the recording medium 9 is diffracted by the hologram areas 7c and 7d and focused on two points above and below the photodetectors 4d and 4g, Beam spots with the same diameter are obtained on ~4e and 4f~4h.

一方、デフォーカスしているときは焦点が移動するので
光検出器40〜4e、4f〜4h上におけるビームスポ
ット径の大きさに差が生じる。
On the other hand, when the beam is defocused, the focal point moves, so a difference occurs in the size of the beam spot diameter on the photodetectors 40 to 4e and 4f to 4h.

フォーカス誤差信号は4dの出力に4f、4hの出力を
、4gの出力に4c+4eの出力を加算しその差動をと
ることにより得られる。
The focus error signal is obtained by adding the outputs of 4f and 4h to the output of 4d, and the output of 4c+4e to the output of 4g, and taking the difference between them.

また、トラッキング誤差信号の一検出法であるプッシュ
プル法は記録媒体からの反射光のファーフィールド像の
中でトラッキング誤差で強度が大きく変わる部分をホロ
グラム領域7 at  7 bにて回折し誤差信号検出
用光検出器4 at  4 bで検出する。このとき4
aと4bの出力の差動をとることによりトラッキング誤
差信号が得られる。
In addition, the push-pull method, which is a tracking error signal detection method, diffracts the part where the intensity changes greatly due to tracking error in the far field image of the reflected light from the recording medium at the hologram area 7 at 7 b and detects the error signal. It is detected by photodetector 4 at 4 b. At this time 4
A tracking error signal is obtained by taking the difference between the outputs of a and 4b.

一方、半導体レーザ1の後端面から放射される光は、光
出力制御用光検出器5によって検出され半導体レーザ1
の光出力が一定になるように制御される。
On the other hand, the light emitted from the rear end facet of the semiconductor laser 1 is detected by the light output control photodetector 5 and
The light output is controlled to be constant.

発明が解決しようとする課題 上記のような構成による光ピックアップ装置では、記録
媒体からの反射光がホログラム素子で回折された光が誤
差信号検出用光検出器上に正確にビームスポットを結ぶ
ために、半導体レーザと誤差信号検出用光検出器に正確
に位置調整しなければならない。しかし、上記の構成で
は半導体レーザと誤差信号検出用光検出器の取付面が直
交しているため正確な位置決めが困難な問題点を育して
いた。
Problems to be Solved by the Invention In the optical pickup device configured as described above, it is difficult to ensure that the light reflected from the recording medium is diffracted by the hologram element and accurately forms a beam spot on the photodetector for error signal detection. , the position of the semiconductor laser and the photodetector for error signal detection must be precisely adjusted. However, in the above configuration, since the mounting surfaces of the semiconductor laser and the photodetector for detecting an error signal are perpendicular to each other, a problem arises in that accurate positioning is difficult.

本発明は上記従来の問題点を解決するもので、半導体レ
ーザと誤差信号検出用光検出器の位置決めを容易にして
小型の光ピックアップ装置を提供することを目的とする
The present invention solves the above-mentioned conventional problems, and aims to provide a compact optical pickup device that facilitates positioning of a semiconductor laser and a photodetector for detecting an error signal.

課題を解決するための手段 上記目的を達成するために本発明の光ピックアップ装置
は、記録媒体へ光を放射する光源と、光源から放射され
た光を記録媒体上に焦点を結ばせる集光手段と、光源と
集光手段との間に配設され、記録媒体からの反射光を光
軸から分離するホログラム素子と、ホログラム素子によ
って分離された光を検出する第1の光検出器と、光源の
後端面から放射された光を検出する第2の光検出器とを
有する光ピックアップ装置において、ホログラム素子に
よって分離された光を反射させ第1の光検出器に入射さ
せる反射手段とより構成されている。
Means for Solving the Problems In order to achieve the above objects, the optical pickup device of the present invention includes a light source that emits light to a recording medium, and a condenser that focuses the light emitted from the light source onto the recording medium. a hologram element disposed between the light source and the condensing means to separate light reflected from the recording medium from the optical axis; a first photodetector for detecting the light separated by the hologram element; and a light source. and a second photodetector for detecting light emitted from the rear end surface, the optical pickup device comprising a reflecting means for reflecting the light separated by the hologram element and making it incident on the first photodetector. ing.

また、反射手段がプリズムで構成されている光ピックア
ップ装置であって、第1の光検出器面側の光検出器が同
一半導体基板の同一面に形成され、半導体基板とプリズ
ムがプリズムの屈折率n、より小さい屈折率n2の屈折
率n1より小さい屈折率n2の半導体基板に光源が固定
された構成となっている。
Further, there is provided an optical pickup device in which the reflecting means is composed of a prism, in which the photodetectors on the first photodetector surface side are formed on the same surface of the same semiconductor substrate, and the semiconductor substrate and the prism are connected to each other by the refractive index of the prism. The light source is fixed to a semiconductor substrate having a refractive index n2 smaller than the refractive index n1, which is smaller than the refractive index n1.

作用 本発明の光ピックアップ装置は前記した構成により、光
源である半導体レーザから放射された光はホログラム素
子を透過し集光手段によって記録媒体にビームスポット
が結ばれる。そして、記録媒体からの反射光は逆進しホ
ログラム素子によって回折された光は光軸から分離され
る。分離された光はヒートシンクに固定された反射手段
によって反射され第1の光検出器に入射し検出出力が得
られる。一方、半導体レーザの後端面から放射された光
はヒートシンク上の第2の光検出器で検出され光源の光
出力制御を行う。
Operation With the optical pickup device of the present invention having the above-described configuration, the light emitted from the semiconductor laser serving as the light source is transmitted through the hologram element, and a beam spot is focused on the recording medium by the focusing means. Then, the reflected light from the recording medium travels backward, and the light diffracted by the hologram element is separated from the optical axis. The separated light is reflected by a reflection means fixed to the heat sink and enters the first photodetector to obtain a detection output. On the other hand, the light emitted from the rear end facet of the semiconductor laser is detected by a second photodetector on the heat sink, and the light output of the light source is controlled.

また、本発明は前記した構成により、光検出器を構成し
た半導体基板上に接着された半導体レーザから放射され
た光はホログラム素子を透過し集光手段によって記録媒
体にスポットが結ばれる。
Further, according to the present invention, with the above-described configuration, light emitted from the semiconductor laser bonded to the semiconductor substrate constituting the photodetector is transmitted through the hologram element, and a spot is focused on the recording medium by the condensing means.

そして、記録媒体からの反射光は逆進し、ホログラム素
子によって回折された光は光軸がら分離される。分離さ
れた光は半導体基板に接着されたプリズムによって反射
され第1の光検出器に入射し検出出力が得られる。一方
、半導体レーザの後端面から放射された光はプリズムに
入射しプリズムの反射面で反射され第2の光検出器で検
出され光源の光出力制御を行う。
Then, the reflected light from the recording medium travels backward, and the light diffracted by the hologram element is separated along the optical axis. The separated light is reflected by a prism bonded to the semiconductor substrate and enters the first photodetector to obtain a detection output. On the other hand, the light emitted from the rear end facet of the semiconductor laser enters the prism, is reflected by the reflective surface of the prism, and is detected by the second photodetector to control the light output of the light source.

ナオ、半導体レーザの後端面からの光はプリズムの屈折
率n+より小さな屈折率n2の接着剤を用いることによ
り全反射させ第1の光検出器に入射しないようにする。
By using an adhesive having a refractive index n2 smaller than the refractive index n+ of the prism, the light from the rear end face of the semiconductor laser is totally reflected and is prevented from entering the first photodetector.

実施例 以下、本発明の第1の実施例について図面を参照しなが
ら説明する。
EXAMPLE Hereinafter, a first example of the present invention will be described with reference to the drawings.

第1図は本発明の第1の実施例における光ピックアップ
装置の斜視図、第2図は本実施例における光ピックアッ
プ装置の側断面図である。
FIG. 1 is a perspective view of an optical pickup device according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a side sectional view of the optical pickup device according to this embodiment.

第1図、第2図において、1. 2. 4. 7. 5
゜7a〜7d、  8+  9. 9aは従来例の構成
要素名と同じである。
In FIGS. 1 and 2, 1. 2. 4. 7. 5
゜7a-7d, 8+ 9. 9a is the same as the component name of the conventional example.

3は半導体レーザ1.半導体基板4を固定するためのサ
ブヒートシンク、3aは半導体レーザ1を固定する面、
3bは半導体基板4を固定する面、3cは半導体基板4
の位置決めを行う面、6はホログラム素子7によって回
折された光を誤差信号検出用光検出器4a〜4gに導く
ためのミラーである。
3 is a semiconductor laser 1. a sub-heat sink for fixing the semiconductor substrate 4; 3a is a surface for fixing the semiconductor laser 1;
3b is a surface for fixing the semiconductor substrate 4, and 3c is a surface for fixing the semiconductor substrate 4.
The positioning surface 6 is a mirror for guiding the light diffracted by the hologram element 7 to the error signal detection photodetectors 4a to 4g.

なお、本図においてはフォーカスレンズ8を駆動するア
クチュエータは省略する。
Note that the actuator for driving the focus lens 8 is omitted in this figure.

以上のように構成された本実施例の光ピックアップaf
ltについて、以下その動作について説明する。
The optical pickup af of this embodiment configured as described above
The operation of lt will be explained below.

光源である半導体レーザ1から放射された光はホログラ
ム素子7を透過した0次光はフォーカスレンズ8に入射
し、記録媒体9上に焦点を結ぶ。
The zero-order light emitted from the semiconductor laser 1 as a light source passes through the hologram element 7 and enters the focus lens 8, where it is focused on the recording medium 9.

記録媒体9上に焦点を結んだビームスポットはビット9
aによって変調され、その反射光はもとの経路をたどる
。反射光が再びホログラム素子7上のホログラム領域7
a+  7b+  7c+  76を通過するとき回折
される。ホログラム領域7C97dで回折された光はミ
ラー6で反射された後、フォーカス誤差信号検出用光検
出器4c+  4cL  4eの上に焦点を結ぶような
ビームスポットと4f。
The beam spot focused on recording medium 9 is bit 9
a, and the reflected light follows the original path. The reflected light returns to the hologram area 7 on the hologram element 7.
a+ 7b+ 7c+ When passing through 76, it is diffracted. The light diffracted by the hologram area 7C97d is reflected by the mirror 6, and then focused on the focus error signal detection photodetector 4c+4cL 4e and a beam spot 4f.

4g、4hの下に焦点を結ぶようなビームスポットが形
成される。ホログラム領域7 a+  7 bで回折さ
れた光はミラー6で反射された後、トラッキング誤差信
号検出用光検出器4a、4bの2点にビームスポットが
結ばれる。モして各光検出器の出力の演算の結果として
誤差信号が得られる。
A beam spot is formed that focuses below 4g and 4h. After the light diffracted by the hologram area 7a+7b is reflected by the mirror 6, a beam spot is focused on two points of the tracking error signal detection photodetectors 4a and 4b. Then, an error signal is obtained as a result of calculation of the output of each photodetector.

一方、半導体レーザ1の後端面から放射された光は光出
力制御用光検出器5に入射し信号が得られ、半導体レー
ザ1の光出力を制御するために用いられる。
On the other hand, the light emitted from the rear end facet of the semiconductor laser 1 enters the light output control photodetector 5 to obtain a signal, which is used to control the light output of the semiconductor laser 1.

以上のように本実施例によれば、半導体レーザ1を固定
している固定面3aと半導体基板4を固定している固定
面3bが平行で、かつ、固定面3Cに半導体基板4を当
てて固定する。このため半導体レーザ1と半導体基板4
上の誤差信号検出用光検出器の位置関係が従来例のよう
に直交していないため、調整が容易となり正確に位置決
めすることが可能となる。
As described above, according to this embodiment, the fixing surface 3a that fixes the semiconductor laser 1 and the fixing surface 3b that fixes the semiconductor substrate 4 are parallel, and the semiconductor substrate 4 is placed on the fixing surface 3C. Fix it. Therefore, the semiconductor laser 1 and the semiconductor substrate 4
Since the positional relationship of the above error signal detection photodetectors is not orthogonal as in the conventional example, adjustment becomes easy and accurate positioning becomes possible.

以下本発明の第2の実施例について図面を参照しながら
説明する。
A second embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第3図は本発明の第2の実施例における光ピックアップ
装置の斜視図、第4図は本実施例における光ピックアッ
プ装置の側断面図である。
FIG. 3 is a perspective view of an optical pickup device according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a side sectional view of the optical pickup device according to this embodiment.

第3図、第4図において、L  7,7a〜7d。In FIGS. 3 and 4, L 7, 7a to 7d.

8+  9,9 aは第1の実施例の構成要素名と同じ
である。
8+9,9a is the same as the component name of the first embodiment.

10は半導体基板で、この上にトラッキング誤差信号検
出用光検出器10a、10bと、フォーカス誤差信号検
出用光検出器10c+  10d。
10 is a semiconductor substrate, on which are photodetectors 10a and 10b for detecting tracking error signals, and photodetectors 10c+10d for detecting focus error signals.

10 e、  10 f、  10 g、  10 h
、  光出力制御用光検出器10iが形成されている。
10 e, 10 f, 10 g, 10 h
, A photodetector 10i for controlling light output is formed.

11は屈折率n1のプリズム、11aはプリズム11の
反射面、11bは半導体基板10との接着面、12は屈
折率n2の接着剤(n +> np)である。
11 is a prism with a refractive index n1, 11a is a reflective surface of the prism 11, 11b is an adhesive surface with the semiconductor substrate 10, and 12 is an adhesive (n + > np) with a refractive index n2.

半導体レーザ1は半導体基板10の誤差信号検出用光検
出器が形成されている面に固定する。
The semiconductor laser 1 is fixed to the surface of the semiconductor substrate 10 on which the photodetector for error signal detection is formed.

なお、本図においては第1の実施例と同様にフォーカス
レンズ8を駆動するアクチュエータは省略する。
Note that in this figure, the actuator for driving the focus lens 8 is omitted as in the first embodiment.

以上のように構成された本実施例の光ピックアップ装置
について、以下その動作について説明する。
The operation of the optical pickup device of this embodiment configured as described above will be explained below.

半導体レーザ1から放射された光が記録媒体9で反射さ
れた光がホログラム素子7に戻るまでの経路は第1の実
施例と同じであるので省略する。
The path through which the light emitted from the semiconductor laser 1 is reflected by the recording medium 9 and returns to the hologram element 7 is the same as in the first embodiment, and will therefore be omitted.

記録媒体9で反射され、ホログラム領域7C17dで回
折された光はプリズム11に入射後反射而11aで反射
され、フォーカス誤差信号検出用光検出器10 C11
0d+  10 eの上に焦点を結ぶようなビームスポ
ットと1Of、Log、  10hの下に焦点を結ぶよ
うなビームスポットが形成される。また、ホログラム領
域7a、7bで回折された光はプリズム11に入射複反
射面11aで反射され、トラッキング誤差信号検出用光
検出器10a、10bの2点にビームスポットが結ばれ
る。
The light reflected by the recording medium 9 and diffracted by the hologram area 7C17d is incident on the prism 11 and then reflected by the reflector 11a, and is then reflected by the focus error signal detection photodetector 10C11.
A beam spot that focuses above 0d+10e and a beam spot that focuses below 1Of, Log, and 10h are formed. Further, the light diffracted by the hologram areas 7a and 7b is reflected by the incident double reflection surface 11a of the prism 11, and a beam spot is focused on two points of the tracking error signal detection photodetectors 10a and 10b.

そして演算の結果として誤差信号が得られる。An error signal is then obtained as a result of the calculation.

一方、半導体レーザ1の後端面から放射された光はプリ
ズム11に入射後プリズムの接着面11bに到達した光
はプリズムの屈折率n1が接着剤の屈折率n2より大き
いため全反射され反射面11aで反射され光出力制御用
光検出器10jに入射し信号が得られ、その信号は半導
体レーザ1の光出力を制御するために用いられる。
On the other hand, the light emitted from the rear end surface of the semiconductor laser 1 enters the prism 11 and reaches the adhesive surface 11b of the prism, where it is totally reflected because the refractive index n1 of the prism is larger than the refractive index n2 of the adhesive. The light is reflected by the light beam and enters the light output control photodetector 10j to obtain a signal, which is used to control the light output of the semiconductor laser 1.

なお、半導体レーザ1の光出力制御を行う必要がない場
合、光出力制御用光検出器10iを半導体基板10に構
成しなくても良いのは言うまでもない。
It goes without saying that if there is no need to control the optical output of the semiconductor laser 1, the optical detector 10i for controlling the optical output does not need to be formed on the semiconductor substrate 10.

以上のように本実施例によれば、半導体基板10上に誤
差信号検出用光検出器foa〜10iを形成し、半導体
レーザ1およびプリズム11を半導体基板10に接着、
固定しているため組立誤差の入る要因が第1の実施例よ
りさらに減り、組立が容易となる。
As described above, according to this embodiment, the photodetectors foa to 10i for error signal detection are formed on the semiconductor substrate 10, the semiconductor laser 1 and the prism 11 are bonded to the semiconductor substrate 10,
Since it is fixed, the factors that cause assembly errors are further reduced than in the first embodiment, making assembly easier.

また、プリズム11と半導体基板10との接着に、プリ
ズムの屈折率n、より小さな屈折率の接着剤を使用して
いるため、半導体レーザ1の後端面から放射された光は
一度接着面11bで全反射する。このため半導体レーザ
1の後端面から放出された光が誤差信号検出用光検出器
に入射しないのでオフセットを抑えることができる。
Furthermore, since an adhesive having a refractive index smaller than the refractive index n of the prism is used to bond the prism 11 and the semiconductor substrate 10, the light emitted from the rear end surface of the semiconductor laser 1 once reaches the adhesive surface 11b. Total reflection. Therefore, the light emitted from the rear end facet of the semiconductor laser 1 does not enter the error signal detection photodetector, so that offset can be suppressed.

以下、本発明の第3の実施例について図面を参照しなが
ら説明する。
A third embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第5図は本発明の第3の実施例における光ピックアップ
装置の斜視図、第6図は本実施例における光ピックアッ
プ装置の側断面図である。
FIG. 5 is a perspective view of an optical pickup device according to a third embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a side sectional view of the optical pickup device according to this embodiment.

第5図、第6図において、1. 7. 7a 〜7d。In FIGS. 5 and 6, 1. 7. 7a-7d.

8+  9+  9 aは第1の実施例の構成要素名と
同じである。
8+9+9a is the same as the component name of the first embodiment.

13は半導体基板でこの表にトラッキング誤差信号検出
用光検出器13 a+  13 bl  フォーカス誤
差信号検出用光検出器13 c、  13 d、  1
3 e。
Reference numeral 13 denotes a semiconductor substrate, and in this table, photodetectors for tracking error signal detection 13 a + 13 bl Photodetectors for focus error signal detection 13 c, 13 d, 1
3 e.

13f、13g、  13hが、また裏に光出力制御用
の光検出器13iが形成されている。14はプリズム、
14aはプリズムの反射面、14bは半導体基板13と
の接着面である。また、半導体レーザ1は半導体基板1
3の光出力制御用光検出器と同一面に固定されている。
13f, 13g, and 13h, and a photodetector 13i for controlling light output is formed on the back side. 14 is a prism,
14a is a reflective surface of the prism, and 14b is a bonding surface to the semiconductor substrate 13. Further, the semiconductor laser 1 is connected to a semiconductor substrate 1.
It is fixed on the same surface as the light output control photodetector No. 3.

なお、誤差信号検出用光検出器13a〜13iは1枚の
半導体基板で構成しても良いし、誤差信号検出用光検出
器13a〜13hを形成した半導体基板と光出力制御用
光検出器13iを形成した半導体基板とを裏面どうしで
接着して構成しても良い。
Note that the error signal detection photodetectors 13a to 13i may be composed of one semiconductor substrate, or the semiconductor substrate on which the error signal detection photodetectors 13a to 13h are formed and the light output control photodetector 13i The structure may also be constructed by bonding the back surfaces of the semiconductor substrate and the semiconductor substrate formed with the .

なお、本図においては第1の実施例と同様にフォーカス
レンズ8を駆動するアクチュエータは省略する。
Note that in this figure, the actuator for driving the focus lens 8 is omitted as in the first embodiment.

以上のように構成された本実施例の光ピックアップ装置
について、以下その動作について説明する。
The operation of the optical pickup device of this embodiment configured as described above will be explained below.

半導体レーザ1から放射された光が記録媒体9で反射さ
れ、その光がホログラム素子7に戻るまでの経路は第1
の実施例と同じであるので省略する。
The light emitted from the semiconductor laser 1 is reflected by the recording medium 9 and the path from which the light returns to the hologram element 7 is the first path.
Since this is the same as the embodiment, the explanation will be omitted.

記録媒体9で反射され、ホログラム領域7 C17dで
回折された光はプリズム14に入射複反射面14aで反
射され、フォーカス誤差信号検出用光検出器13c+ 
 13d、13eの上に焦点を結ぶようなビームスポッ
トと13f、  13g、  13hの下に焦点を結ぶ
ようなビームスポットが形成される。また、ホログラム
領域7a、7bで回折された光はプリズム14に入射複
反射面14aで反射され、トラッキング誤差信号検出用
光検出器13a、13bの2点にビームスポットが結ば
れる。そして演算の結果として誤差信号が得られる。
The light reflected by the recording medium 9 and diffracted by the hologram area 7 C17d enters the prism 14 and is reflected by the incident double-reflection surface 14a, and then passes through the focus error signal detection photodetector 13c+.
A beam spot focused above 13d and 13e and a beam spot focused below 13f, 13g and 13h are formed. Further, the light diffracted by the hologram areas 7a and 7b is reflected by the incident double reflection surface 14a of the prism 14, and beam spots are focused on two points of the tracking error signal detection photodetectors 13a and 13b. An error signal is then obtained as a result of the calculation.

一方、半導体レーザの後端面から放射された光は光出力
制御用光検出器13iに入射し信号が得られ、半導体レ
ーザ1の光出力を制御するために用いられる。
On the other hand, the light emitted from the rear end facet of the semiconductor laser enters the light output control photodetector 13i to obtain a signal, which is used to control the light output of the semiconductor laser 1.

なお、半導体レーザ1の光出力制御を行う必要がない場
合、光出力制御用光検出器f3iを半導体基板13に構
成しなくても良いのは言うまでもない。
It goes without saying that if there is no need to control the optical output of the semiconductor laser 1, the optical detector f3i for controlling the optical output does not need to be formed on the semiconductor substrate 13.

以上のように本実施例によれば、誤差信号検出用光検出
器13a〜13hと光出力制御用光検出器13iが表裏
に形成されているため、半導体レーザ1の後端面から放
射される光による誤差信号検出用光検出器に対するオフ
セット発生の問題がなくなる。また、半導体基板13と
半導体レーザ1とプリズム14が一体化されているため
、発光および検出系が小型になる。
As described above, according to this embodiment, since the error signal detection photodetectors 13a to 13h and the optical output control photodetector 13i are formed on the front and back sides, the light emitted from the rear end surface of the semiconductor laser 1 is This eliminates the problem of offset generation in the photodetector for error signal detection due to the error signal detection. Furthermore, since the semiconductor substrate 13, semiconductor laser 1, and prism 14 are integrated, the light emission and detection system becomes smaller.

以下、本発明の第4の実施例について図面を参照しなが
ら説明する。
A fourth embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第7図は本発明の第4の実施例における光ピックアップ
装置の斜視図、第8図は本実施例における光ピックアッ
プ装置の側断面図である。
FIG. 7 is a perspective view of an optical pickup device according to a fourth embodiment of the present invention, and FIG. 8 is a side sectional view of the optical pickup device according to this embodiment.

第7図、第8図において、1. 7. 7a 〜7d。In FIGS. 7 and 8, 1. 7. 7a-7d.

8、  EL  9a+  13+  13a〜131
. 14. 14a、14bは第3の実施例の構成要素
名と同じである。
8, EL 9a+ 13+ 13a~131
.. 14. 14a and 14b are the same as the component names of the third embodiment.

プリズム14には半導体基板13を位置決めするための
コーナ部14cが設けられている。半導体基板13とプ
リズム14はプリズム面14bで接着されている。また
、半導体レーザ1はプリズム面14dに固定されている
The prism 14 is provided with a corner portion 14c for positioning the semiconductor substrate 13. The semiconductor substrate 13 and the prism 14 are bonded together at the prism surface 14b. Furthermore, the semiconductor laser 1 is fixed to the prism surface 14d.

なお、誤差信号検出用光検出器13a〜13iは1枚の
半導体基板で構成しても良いし、誤差信号検出用光検出
器13a〜13hを形成した半導体基板と光出力制御用
光検出器13iを形成した半導体基板とを裏面どうしで
接着して構成しても良い。
Note that the error signal detection photodetectors 13a to 13i may be composed of one semiconductor substrate, or the semiconductor substrate on which the error signal detection photodetectors 13a to 13h are formed and the light output control photodetector 13i The structure may also be constructed by bonding the back surfaces of the semiconductor substrate and the semiconductor substrate formed with the .

なお、第8図においては第1の実施例と同様にフォーカ
スレンズ8を駆動するアクチュエータは省略する。
Note that, in FIG. 8, the actuator for driving the focus lens 8 is omitted as in the first embodiment.

本実施例の動作は第3の実施例の動作と同しであるので
省略する。
The operation of this embodiment is the same as that of the third embodiment, so a description thereof will be omitted.

なお、半導体レーザ1の光出力制御を行う必要がない場
合、光出力制御用光検出器f3iを半導体基板13に構
成しなくても良いのは言うまでもない。
It goes without saying that if there is no need to control the optical output of the semiconductor laser 1, the optical detector f3i for controlling the optical output does not need to be formed on the semiconductor substrate 13.

以上のように本実施例によれば、半導体基板13の位置
決めはコーナ14cに沿って誤差信号検出用光検出器1
3a〜13hの信号をモニタしながらスライドさせるこ
とによって容易に実現できる。
As described above, according to this embodiment, the semiconductor substrate 13 is positioned along the corner 14c by the error signal detection photodetector 1.
This can be easily realized by sliding while monitoring the signals 3a to 13h.

なお、第1の実施例から第4の実施例までフォーカス誤
差検出にSSD法、トラッキング検出にプッシュプル法
を用いたが、別の検出方法、例えばフォーカス誤差検出
にダブルナイフェツジ法。
Although the first to fourth embodiments used the SSD method for focus error detection and the push-pull method for tracking detection, another detection method, for example, the double knife method was used for focus error detection.

シングルナイフェツジ法、非点収差法、またトラッキン
グ誤差検出に3ビーム法を用いたホログラム素子を用い
ても良いのは言うまでもない。
It goes without saying that a hologram element using a single knife edge method, an astigmatism method, or a three-beam method for tracking error detection may be used.

発明の効果 以上のように本発明によれば、光源と誤差信号検出用光
検出器を同一面または平行面に構成することにより両者
の位置決めを容易にしコストダウンを可能にする。また
、光源と誤差信号検出用光検出器と光出力制御用光検出
器を一体化できるため小型の光ピックアップを41−1
成てきるので、その実用的効果は大きい。
Effects of the Invention As described above, according to the present invention, by configuring the light source and the photodetector for error signal detection on the same plane or parallel planes, it is possible to easily position them and reduce costs. In addition, since the light source, the photodetector for error signal detection, and the photodetector for controlling the optical output can be integrated, a small optical pickup can be installed in the 41-1
The practical effects are great.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の第1の実施例における光ピンクアップ
装置の斜視図、第2図は本発明の第1の実施例における
光ピンクアップ装置の側断面図、第3図は本発明の第2
の実施例における光ピンクアップ装置の斜視図、第4図
は本発明の第2の実施例における光ピックアップ装置の
側断面図、第5図は本発明の第3の実施例における光ピ
ンクアップ装置の斜視図、第6図は本発明の第3の実施
例における光ピックアップ装置の側断面図、第7図は本
発明の第4の実施例における光ピックアップ装置の斜視
図、第8図は本発明の第4の実施例における光ビックア
ンプ装置の側断面図、第9図は従来の光ピックアップ装
置の側断面図、第10図は同従来の光ビックア、ブ装首
におけるホロブト・・半導体レーザ、  2・・・ヒー
トシンク、3・・・サブヒートシンク、  4. 10
. 13・・・半導体基板、  4a 〜4hy  1
0a 〜10h、13a〜13h・・・光検出器、  
4L  5t  10it  131・・・光出力制御
用光検出器、  6・・・ミラー7・・・ホログラム素
子、  8・・・フォーカスレンズ、9・・・記録媒体
、  9a・・・ピット、  11.14・・・プリズ
ム。
FIG. 1 is a perspective view of the optical pink-up device according to the first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a side sectional view of the optical pink-up device according to the first embodiment of the present invention, and FIG. Second
FIG. 4 is a side sectional view of an optical pickup device in a second embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a perspective view of an optical pink-up device in a third embodiment of the present invention. 6 is a side sectional view of an optical pickup device according to a third embodiment of the present invention, FIG. 7 is a perspective view of an optical pickup device according to a fourth embodiment of the present invention, and FIG. 8 is a side sectional view of an optical pickup device according to a fourth embodiment of the present invention. 9 is a side sectional view of an optical pickup device according to a fourth embodiment of the invention, FIG. 9 is a side sectional view of a conventional optical pickup device, and FIG. , 2... heat sink, 3... sub heat sink, 4. 10
.. 13... Semiconductor substrate, 4a to 4hy 1
0a to 10h, 13a to 13h...photodetector,
4L 5t 10it 131... Photodetector for controlling light output, 6... Mirror 7... Hologram element, 8... Focus lens, 9... Recording medium, 9a... Pit, 11.14 ···prism.

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)記録媒体へ光を放射する光源と、 前記光源から放射された光を記録媒体上に焦点を結ばせ
る集光手段と、 前記光源と前記集光手段との間に配設され、前記記録媒
体からの反射光を光軸から分離するホログラム素子と、 前記ホログラム素子によって分離された光を検出する第
1の光検出器とを有する光ピックアップ装置において、 前記ホログラム素子によって分離された光を反射させ前
記第1の光検出器に入射させる反射手段を有することを
特徴とする光ピックアップ装置。
(1) a light source that emits light to a recording medium; a condenser that focuses the light emitted from the light source onto the recording medium; and a condenser disposed between the light source and the condenser; An optical pickup device comprising: a hologram element that separates light reflected from a recording medium from an optical axis; and a first photodetector that detects the light separated by the hologram element; An optical pickup device comprising a reflecting means for reflecting the light and making it incident on the first photodetector.
(2)光源の後端面から放射された光を検出する第2の
光検出器を有することを特徴とする請求項1記載の光ピ
ックアップ装置。
(2) The optical pickup device according to claim 1, further comprising a second photodetector that detects the light emitted from the rear end surface of the light source.
(3)光源と第1の光検出器がサブヒートシンクを介し
てヒートシンクに固定されていることを特徴とする請求
項1または2記載の光ピックアップ装置。
(3) The optical pickup device according to claim 1 or 2, wherein the light source and the first photodetector are fixed to the heat sink via a sub-heat sink.
(4)請求項1または2記載の反射手段がプリズムで構
成されている光ピックアップ装置において、第1の光検
出器と第2の光検出器が同一半導体基板の同一面に形成
され、前記半導体基板と前記プリズムがプリズムの屈折
率n_1より小さい屈折率n_2の接着剤で接着され、
光検出器面側の半導体基板に光源が固定されたことを特
徴とする光ピックアップ装置。
(4) In the optical pickup device according to claim 1 or 2, in which the reflecting means is constituted by a prism, the first photodetector and the second photodetector are formed on the same surface of the same semiconductor substrate, and the The substrate and the prism are bonded with an adhesive having a refractive index n_2 smaller than the refractive index n_1 of the prism,
An optical pickup device characterized in that a light source is fixed to a semiconductor substrate on the side of a photodetector.
(5)請求項1または2記載の反射手段がプリズムで構
成されている光ピックアップ装置において、第1の光検
出器と第2の光検出器が同一半導体基板の表裏に形成さ
れ、第1の光検出器面とプリズムが接着され、第2の光
検出器面側の半導体基板に光源が固定されたことを特徴
とする光ピックアップ装置。
(5) In the optical pickup device according to claim 1 or 2, in which the reflecting means is constituted by a prism, the first photodetector and the second photodetector are formed on the front and back sides of the same semiconductor substrate, and the first photodetector and the second photodetector are formed on the front and back sides of the same semiconductor substrate. An optical pickup device characterized in that a photodetector surface and a prism are bonded together, and a light source is fixed to a semiconductor substrate on the second photodetector surface side.
(6)請求項1または2記載の反射手段がプリズムで構
成されている光ピックアップ装置において、第1の光検
出器と第2の光検出器が同一半導体基板の表裏に形成さ
れ、第1の光検出器面とプリズムが接着され、第1の光
検出面と、平行なプリズム面に光源が固定されたことを
特徴とする光ピックアップ装置。
(6) In the optical pickup device according to claim 1 or 2, in which the reflecting means is composed of a prism, the first photodetector and the second photodetector are formed on the front and back sides of the same semiconductor substrate, and the first photodetector and the second photodetector are formed on the front and back sides of the same semiconductor substrate. An optical pickup device characterized in that a photodetector surface and a prism are bonded together, and a light source is fixed to the first photodetection surface and the parallel prism surface.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6023448A (en) * 1996-12-26 2000-02-08 Sanyo Electric Co., Ltd. Optical pickup device and optical recording medium driving apparatus comprising the same
US6445671B1 (en) 1998-06-30 2002-09-03 Kabushiki Kaisha Sankyo Seiki Seisakusho Optical pickup device having a shielding protection

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