JPH03270178A - Infrared sensor - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、人体等の移動体から発せられる赤外線を感知
検出する赤外線センサに関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an infrared sensor that senses and detects infrared rays emitted from a moving body such as a human body.
近年、人間の室内侵入等を検出する装置として赤外線セ
ンサが広く使用されている。この赤外線センサは、人体
から発せられる赤外線を感知するｊ、ｔＡ電型のエレメ
ントを備えており、このエレメントから出力される赤外
線量に対応する検出信号を利用して防犯等の管理が行わ
れている。In recent years, infrared sensors have been widely used as devices for detecting human intrusion into a room. This infrared sensor is equipped with J and tA type elements that detect infrared rays emitted from the human body, and crime prevention and other management is performed using detection signals corresponding to the amount of infrared rays output from these elements. There is.
第４図には赤外線センサの一般的な回路構成が示されて
いる。同図において、赤外線センサは、人体等の赤外線
を検出し、赤外線量に対応する電流を検出信号として出
力する赤外線検出素子１と、この赤外線検出素子ｌから
の検出電流を電圧値に変換するリーク抵抗体２と、入力
電圧Ｖ ｉｎの大きさによってドレイン側端子３から加
えられるドレイン電流！。の大きさを制御する電界効果
トランジスタ４と、電界効果トランジスタ４のソースと
アース間に接続されているソース抵抗体５と、前記電界
効果トランジスタ４から加えられる前記赤外線検出素子
１の検出信号に対応する検出電圧を増幅するアナログ増
幅部６と、このアナログ増幅部６からの増幅出力を信号
処理する信号処理部７とからなり、前記リーク抵抗体２
と電界効果トランジスタ４とソース抵抗体５はインピー
ダンス変換回路８を構成している。FIG. 4 shows a general circuit configuration of an infrared sensor. In the figure, the infrared sensor includes an infrared detection element 1 that detects infrared rays from a human body, etc., and outputs a current corresponding to the amount of infrared rays as a detection signal, and a leakage sensor that converts the detected current from the infrared detection element 1 into a voltage value. Drain current applied from the drain side terminal 3 depending on the resistor 2 and the magnitude of the input voltage Vin! . corresponds to the detection signal of the infrared detection element 1 applied from the field effect transistor 4, the source resistor 5 connected between the source of the field effect transistor 4 and the ground; The leak resistor 2 is composed of an analog amplifying section 6 that amplifies the detected voltage, and a signal processing section 7 that processes the amplified output from the analog amplifying section 6.
The field effect transistor 4 and the source resistor 5 constitute an impedance conversion circuit 8.
第５図には従来の赤外線センサの機械的構造が示されて
いる。同図において、インピーダンス変換回路と、アナ
ログ増幅部と、信号処理部とを構成する回路素子９がデ
ィスクリート部品あるいはチップ部品の形態で回路基板
１０上に配設され、前記赤外線検出素子は赤外線を透過
する窓１１を備えたケース１２に覆われ、さらにこのケ
ース１２は集光用のレンズを備えたケース（図示せず）
で覆われている。FIG. 5 shows the mechanical structure of a conventional infrared sensor. In the figure, circuit elements 9 constituting an impedance conversion circuit, an analog amplification section, and a signal processing section are arranged on a circuit board 10 in the form of discrete components or chip components, and the infrared detection element transmits infrared rays. The case 12 is covered with a case 12 equipped with a window 11, and this case 12 is further equipped with a condensing lens (not shown).
covered with.
しかしながら、従来の赤外線センサは、赤外線検出素子
ｌからアナログ増幅部６に至る高インピーダンス回路部
分１３が回路基板ＩＯ上に露出状態で配設されるもので
あるため、この高インピーダンス回路部分１３にアマチ
ュア無線等の電磁波のノイズが入り込んだり、この高イ
ンピーダンス回路部分１３が周囲の回路部品との間で静
電気を持ったりし、これら電磁波ノイズや静電気の影響
を受けて、センサが誤動作するという問題がある。また
、特に、梅雨等の湿気の高い環境下ではこの湿気により
高インピーダンス回路部分でリークが生し、センサが動
作不能に陥るという問題があった。However, in the conventional infrared sensor, the high impedance circuit section 13 from the infrared detection element l to the analog amplifier section 6 is arranged in an exposed state on the circuit board IO. There is a problem that electromagnetic wave noise such as radio waves enters, or this high impedance circuit portion 13 has static electricity between it and surrounding circuit components, and the sensor malfunctions due to the influence of these electromagnetic wave noises and static electricity. . Furthermore, especially in a humid environment such as during the rainy season, there is a problem in that the moisture causes leaks in the high impedance circuit portion, rendering the sensor inoperable.
本発明は上記従来の課題を解決するためになされたもの
であり、その目的は、電磁波や静電気や湿気等の悪影響
を受けることなく、赤外線の正確な検出動作を行うこと
ができる赤外線センサを提供することにある。The present invention has been made to solve the above-mentioned conventional problems, and its purpose is to provide an infrared sensor that can accurately detect infrared rays without being adversely affected by electromagnetic waves, static electricity, moisture, etc. It's about doing.
本発明は上記目的を達成するために、次のように構成さ
れている。すなわち、本発明は、赤外線を検出してその
検出信号を出力する赤外線検出素子と、この赤外線検出
素子側から加えられる検出信号を増幅する増幅部と、増
幅部からの増幅出力を信号処理する信号処理部とを含む
赤外線センサにおいて、少なくとも前記赤外線検出素子
から増幅部に至る高インピーダンス回路部分は金属遮蔽
ケースによって覆われていることを特徴として構成され
ている。In order to achieve the above object, the present invention is configured as follows. That is, the present invention provides an infrared detection element that detects infrared rays and outputs a detection signal thereof, an amplification section that amplifies the detection signal applied from the infrared detection element side, and a signal that processes the amplified output from the amplification section. In the infrared sensor including a processing section, at least a high impedance circuit portion from the infrared detection element to the amplification section is covered with a metal shielding case.
本発明では、少なくとも赤外線検出素子から増幅部に至
る高インピーダンス回路部分が金属遮蔽ケースによって
覆われているので、外部から飛び込む電磁波のノイズは
金属遮蔽ケースによって遮断される。また、高インピー
ダンス回路部分は金属遮蔽ケースにより外部に対して静
電的にも遮蔽され、高インピーダンス回路部分と外部の
回路部品等との間に静電気を発生することもない、さら
に、高インピーダンス回路部分は金属遮蔽ケースによっ
て覆われることで、金属遮蔽ケース外の湿気が金属遮蔽
ケース内に入り込むことはなく、高インピーダンス回路
部分が湿気によりリークをおこすことも防止される。In the present invention, at least the high impedance circuit portion from the infrared detection element to the amplification section is covered by the metal shielding case, so that electromagnetic wave noise coming in from the outside is blocked by the metal shielding case. In addition, the high-impedance circuit part is electrostatically shielded from the outside by the metal shielding case, and static electricity is not generated between the high-impedance circuit part and external circuit components.Furthermore, the high-impedance circuit Since the portion is covered by the metal shielding case, moisture outside the metal shielding case does not enter the metal shielding case, and leakage due to moisture in the high impedance circuit portion is also prevented.
（実施例）
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。第１
図および第２図には本発明に係る赤外線センサの第１の
実施例の機械的構造が示されている。これらの図におい
て、回路基板１０には前記第４図に示すようなセンサ回
路が形成される。この実施例では、回路基板ｌＯの上面
側に赤外線検出素子１と、インピーダンス変換回路８と
、アナログ増幅部６とからなる高インピーダンス回路部
分１３を形成し、この高インピーダンス回路部分１３を
軟鉄、４２ニツケル、コバール合金等からなる金属遮蔽
ケース１４によってハーメチックシール（溶着）により
気密に覆っている。この金属遮蔽ケース１４の頂面側に
は赤外線を透過する窓１１が設けられており、この窓１
１に赤外線のみを透過するシリコン等の材料からなる透
過板１５が嵌め込まれている。(Example) Hereinafter, an example of the present invention will be described based on the drawings. 1st
The mechanical structure of a first embodiment of an infrared sensor according to the present invention is shown in FIGS. In these figures, a sensor circuit as shown in FIG. 4 is formed on the circuit board 10. In this embodiment, a high impedance circuit section 13 consisting of an infrared detection element 1, an impedance conversion circuit 8, and an analog amplifier section 6 is formed on the upper surface side of the circuit board 1O. It is hermetically sealed (welded) and hermetically covered by a metal shielding case 14 made of nickel, kovar alloy, or the like. A window 11 that transmits infrared rays is provided on the top side of the metal shielding case 14.
A transmitting plate 15 made of a material such as silicon that transmits only infrared rays is fitted into the transmitting member 1 .
この透過板１５は内部に配置される前記赤外線検出素子
ｌと対向する位置に設けられている。金属遮蔽ケース１
４はさらに集光レンズ１６により覆われており、人体等
から発せられる赤外線はこの集光レンズ１６で集光され
、窓１１を通って赤外線検出素子ｌに導かれるようにな
っている。また、回路基板１０の裏面側には低インピー
ダンス回路部分の信号処理部７が形成されている。なお
、図中２５はコネクタを示している。This transmitting plate 15 is provided at a position facing the infrared detecting element 1 disposed inside. Metal shielding case 1
4 is further covered with a condensing lens 16, and infrared rays emitted from a human body or the like are condensed by the condensing lens 16, and guided through the window 11 to the infrared detection element l. Further, on the back side of the circuit board 10, a signal processing section 7, which is a low impedance circuit section, is formed. Note that 25 in the figure indicates a connector.
この第１の実施例によれば、赤外線検出素子１からアナ
ログ増幅部６に至る高インピーダンス回路部分１３が金
属遮蔽ケース１４により覆われているから、外部から飛
来する電磁波のノイズはこの金属遮蔽ケース１４により
遮られ、ケース１４内の高インピーダンス回路部分１３
に入り込むことがない。According to this first embodiment, the high impedance circuit section 13 from the infrared detecting element 1 to the analog amplifying section 6 is covered by the metal shielding case 14, so that the electromagnetic wave noise coming from the outside is absorbed by the metal shielding case. 14 and high impedance circuit portion 13 within case 14
I never get into it.
また、高インピーダンス回路部分１３は外部と金属遮蔽
ケース１４により静電的に遮蔽されるので、高インピー
ダンス回路部分１３と金属遮蔽ケース１４の外側の回路
部品等との間に静電気が発生するということもない。Furthermore, since the high impedance circuit portion 13 is electrostatically shielded from the outside by the metal shielding case 14, static electricity may be generated between the high impedance circuit portion 13 and circuit components outside the metal shielding case 14. Nor.
さらに、高インピーダンス回路部分１３は金属遮蔽ケー
ス１４によりハーメチックシールの手法で気密に遮蔽さ
れるから、例え、梅雨等の湿気の多い環境下にあっても
、この湿気が高インピーダンス回路部分１３に入り込む
こともない、このことから、本実施例の赤外線センサは
電磁波や静電気の影響を受けて誤報を発することもなく
、また、湿気に起因するリークにより回路動作が不能に
なるということもなく、信頼性の高い赤外線検出を可能
にする。Furthermore, since the high impedance circuit section 13 is hermetically sealed by the metal shielding case 14, even in a humid environment such as during the rainy season, moisture will not enter the high impedance circuit section 13. Therefore, the infrared sensor of this embodiment is reliable because it does not issue false alarms due to the influence of electromagnetic waves or static electricity, and it does not disable circuit operation due to leaks caused by moisture. Enables highly sensitive infrared detection.
なお、この第１の実施例では信号処理部７を回路基板Ｉ
Ｏの裏面側に形成したが、これを回路基板１０の上面側
に形成することももちろん可能である。In this first embodiment, the signal processing section 7 is mounted on the circuit board I.
Although it is formed on the back side of the circuit board 10, it is of course possible to form it on the top side of the circuit board 10.
第３図には発明四に係る赤外線センサの第２の実施例が
示されている。この第２の実施例が前記第１の実施例と
異なることは、第４図の回路でアナログ増幅部６と信号
処理部７とをカスタムＩＣ１７によってＣｍｏｓ−ＩＣ
チップ内に一体的に形成し、高インピーダンス回路部分
１３と低インピーダンス回路部分の信号処理部７とをと
もに金属遮蔽ケース１４により気密に覆ったことである
。この第２の実施例では、回路基板ｌｏ上にアナログ増
幅部６と信号処理部７とが一体形成されたカスタムＩＣ
１７と、リーク抵抗体２と、ソース抵抗体５と、電界効
果トランジスタ４とが配設され、また、回路基板１０の
エレメント収容部１８には赤外線検出素子ｌが収容され
て第４図に示すセンサ回路が回路基板ｌＯ上に形成され
ている。FIG. 3 shows a second embodiment of the infrared sensor according to the fourth aspect of the invention. This second embodiment differs from the first embodiment in that the analog amplifier section 6 and signal processing section 7 in the circuit shown in FIG.
The high impedance circuit section 13 and the low impedance circuit section signal processing section 7 are both formed integrally within the chip and hermetically covered by a metal shielding case 14. In this second embodiment, a custom IC is used in which an analog amplifier section 6 and a signal processing section 7 are integrally formed on a circuit board lo.
17, a leak resistor 2, a source resistor 5, and a field effect transistor 4 are arranged, and an infrared detecting element l is housed in an element housing part 18 of the circuit board 10, as shown in FIG. A sensor circuit is formed on the circuit board IO.
一方、ハウジングの底板２０側からはグランド（ＧＮＤ
）のピン２１と、電源電圧供給用のピン２２と、アナロ
グ増幅部６のアンプ出力を取り出すピン２３と、信号処
理部７から信号処理出力を取り出すワンショットモード
のピン２４とが挿通固定されており、これらの各ピン２
１〜２４の上部側に前記回路基板１０が嵌め込み固定さ
れて各ピン２１〜２４はセンサ回路の所定の導通部に接
続されている。そして、この回路基板１０の上側からは
窓１１を有する金属遮蔽ケース１４が被せられ、金属遮
蔽ケース１４の下端側と底板２０とがハーメチックシー
ルにより気密に固定されている。On the other hand, the ground (GND) is connected from the bottom plate 20 side of the housing.
), a pin 22 for power supply voltage supply, a pin 23 for taking out the amplifier output of the analog amplifier 6, and a one-shot mode pin 24 for taking out the signal processing output from the signal processing part 7 are inserted and fixed. and each of these pins 2
The circuit board 10 is fitted and fixed on the upper side of pins 1 to 24, and each pin 21 to 24 is connected to a predetermined conductive portion of the sensor circuit. A metal shielding case 14 having a window 11 is placed over the circuit board 10, and the lower end of the metal shielding case 14 and the bottom plate 20 are hermetically sealed together.
この第２の実施例では、第４図に示す赤外線センサの回
路全体、つまり高インピーダンス回路部分１３と低イン
ピーダンス回路部分とが共に金属遮蔽ケース１４に覆わ
れて外部と電磁的および静電的に隔絶されており、前記
第１の実施例と同様に電磁波のノイズや静電気に起因す
る誤動作の問題は全く生しることがなく、また、外部環
境の湿気に起因するリークによって回路動作が不能にな
るという処理も効果的に解消されることとなる。しかも
、この第２の実施例では、アナログ増幅部６と信号処理
部７とをカスタムＩＣ１７により形成しているから、回
路の大幅な小型化が可能となり、従来の赤外線センサに
比べ、そのセンサの体積を１／２５にすることができた
。In this second embodiment, the entire circuit of the infrared sensor shown in FIG. 4, that is, the high impedance circuit portion 13 and the low impedance circuit portion are both covered by a metal shielding case 14 and are electromagnetically and electrostatically connected to the outside. The circuits are isolated from each other, and as with the first embodiment, there is no problem of malfunctions caused by electromagnetic noise or static electricity, and there is no possibility that circuit operation will be disabled due to leakage caused by moisture in the external environment. This process will also be effectively eliminated. Moreover, in this second embodiment, since the analog amplifying section 6 and the signal processing section 7 are formed by the custom IC 17, the circuit can be significantly miniaturized, and the sensor is more compact than a conventional infrared sensor. The volume could be reduced to 1/25.
上記のように、発明門の各実施例ではいずれも赤外線セ
ンサの高インピーダンス回路部分１３が金属遮蔽ケース
１４により覆われているので、電磁波、静電気および湿
気による影響を受けずに正確な回路動作を行うことが可
能である。上記各実施例でその効果を確かめたところ、
電磁波のノイズに対しては、アマチュア無線の２７ＭＨ
ｚ、１４４ＭＨｚ、４３０Ｍ１１ｚ、 １．２ＧＨｚ
のＩＯＷ出力、３ｍ法の電波の影響を全く受けないこと
を確認できた。As described above, in each of the embodiments of the invention, the high impedance circuit portion 13 of the infrared sensor is covered with the metal shielding case 14, so that accurate circuit operation is possible without being affected by electromagnetic waves, static electricity, and moisture. It is possible to do so. When the effects were confirmed in each of the above examples,
For electromagnetic noise, amateur radio's 27MH
z, 144MHz, 430M11z, 1.2GHz
We were able to confirm that the IOW output was completely unaffected by 3m radio waves.
また、静電気にあっても、家電製品の組み込み時に必要
とされる±１０ＫＶの静電気に対して充分に耐え、これ
らの静電気により誤動作しないことを確認した。In addition, it was confirmed that the product can sufficiently withstand static electricity of ±10 KV, which is required when installing home appliances, and does not malfunction due to static electricity.
さらに、耐湿性の試験においても、６０°Ｃ１９５％の
湿度の環境下で、３，０００１１ｒｓ以上にわたる通電
を行ったときにも全く湿気の影響を受けないことを確認
することができた。Furthermore, in a moisture resistance test, it was confirmed that there was no effect of moisture at all even when electricity was applied for more than 3,00011 rs in an environment of 60° C. and 195% humidity.
なお、本発明は上記各実施例に限定されることはなく、
様々な実施の態様を採り得る０例えば、センサ回路は必
ずしも第４図に示す回路に限らず種々の回路変更が可能
であり、赤外線検出素子１の検出電流を電流増幅して信
号処理するタイプのセンサ回路とすることもできる。Note that the present invention is not limited to the above embodiments,
For example, the sensor circuit is not necessarily limited to the circuit shown in FIG. 4, and can be modified in various ways. It can also be a sensor circuit.
本発明は、赤外線センサの回路の少なくとも赤外線検出
素子から増幅部に至る高インピーダンス回路部分を金属
遮蔽ケースにより覆ったものであるから、外部から飛来
する電磁波ノイズの影響を受けず、また、前記高インピ
ーダンス回路部分と周りの回路部品等の間に発生しよう
とする静電気を完全に遮断でき、これにより、電磁波ノ
イズや静電気に起因する誤動作がなく、正確な赤外線検
出が可能となる。Since the present invention covers at least the high impedance circuit portion of the infrared sensor circuit from the infrared detecting element to the amplifying section with a metal shielding case, it is not affected by electromagnetic wave noise coming from the outside, and Static electricity generated between the impedance circuit and surrounding circuit components can be completely blocked, allowing accurate infrared detection without malfunctions caused by electromagnetic noise or static electricity.
また、前記高インピーダンス回路部分が金属遮蔽ケース
により覆われて湿気の侵入が遮断されるから、高インピ
ーダンス回路部分が湿気によってリークを起こすという
こともなく、湿度の高い環境下においても正確な回路動
作を行うことが可能となり、信頼性の高い赤外線センサ
の提供が可能となる。In addition, since the high impedance circuit part is covered with a metal shielding case to block moisture from entering, the high impedance circuit part does not leak due to moisture, and the circuit operates accurately even in a humid environment. This makes it possible to provide a highly reliable infrared sensor.
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明に係る赤外線センサの第１の実施例の機
械的構造を示す縦断面図、第２図は第１図の平面図、第
３図は本発明に係る赤外線センサの第２の実施例の機械
的構造を示す分解斜視図、第４図は赤外線センサの一般
的な回路図、第５図は従来の赤外線センサの機械的構造
を示す斜視説明図である。
１・・・赤外線検出素子、２・・・リーク抵抗体、３・
・・ドレイン側ｉ子、４・・・電界効果トランジスタ、
５・・・ソース抵抗体、６・・・アナログ増幅部、７・
・・信号処理部、８・・・インピーダンス変換回路、９
・・・回路素子、１０・・・回路基板、１１・・・窓、
１２・・・ケース、１３・・・高インピーダンス回路部
分、１４・・・金属遮蔽ケース、１５・・・透過板、１
６・・・集光レンズ、１７・・・カスタムＩＣ３１８・
・・エレメント収容部、２０・・・底板、２１．２２．
２３゜２４・・・ビン、２５・・・コネクタ。
第 １
囚
茶 ２
閃[BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS] FIG. 1 is a longitudinal cross-sectional view showing the mechanical structure of a first embodiment of an infrared sensor according to the present invention, FIG. 2 is a plan view of FIG. 1, and FIG. 3 is a plan view of the invention. FIG. 4 is a general circuit diagram of the infrared sensor, and FIG. 5 is a perspective explanatory diagram showing the mechanical structure of a conventional infrared sensor. It is. 1... Infrared detection element, 2... Leak resistor, 3...
... Drain side i-element, 4... Field effect transistor,
5... Source resistor, 6... Analog amplifier section, 7.
...Signal processing section, 8...Impedance conversion circuit, 9
...Circuit element, 10...Circuit board, 11...Window,
12... Case, 13... High impedance circuit part, 14... Metal shielding case, 15... Transmission plate, 1
6...Condensing lens, 17...Custom IC318・
...Element housing section, 20...Bottom plate, 21.22.
23゜24...Bin, 25...Connector. 1st prison tea 2 flash
Claims (1)
素子と、この赤外線検出素子側から加えられる検出信号
を増幅する増幅部と、増幅部からの増幅出力を信号処理
する信号処理部とを含む赤外線センサにおいて、少なく
とも前記赤外線検出素子から増幅部に至る高インピーダ
ンス回路部分は金属遮蔽ケースによって覆われているこ
とを特徴とする赤外線センサ。An infrared detection element that detects infrared rays and outputs a detection signal thereof, an amplification section that amplifies the detection signal applied from the infrared detection element side, and a signal processing section that processes the amplified output from the amplification section. An infrared sensor, characterized in that at least a high impedance circuit portion from the infrared detecting element to the amplifier section is covered with a metal shielding case.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2070724A JPH03270178A (en) | 1990-03-20 | 1990-03-20 | Infrared sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2070724A JPH03270178A (en) | 1990-03-20 | 1990-03-20 | Infrared sensor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03270178A true JPH03270178A (en) | 1991-12-02 |
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2070724A Pending JPH03270178A (en) | 1990-03-20 | 1990-03-20 | Infrared sensor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03270178A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004163202A (en) * | 2002-11-12 | 2004-06-10 | Yaskawa Electric Corp | Position detector for vacuum |
| WO2006126441A1 (en) * | 2005-05-26 | 2006-11-30 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Package for electronic component, electronic component using such package, and method for producing package for electronic component |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63250181A (en) * | 1987-04-07 | 1988-10-18 | Nec Corp | Light signal receiving device |
-
1990
- 1990-03-20 JP JP2070724A patent/JPH03270178A/en active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63250181A (en) * | 1987-04-07 | 1988-10-18 | Nec Corp | Light signal receiving device |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004163202A (en) * | 2002-11-12 | 2004-06-10 | Yaskawa Electric Corp | Position detector for vacuum |
| WO2006126441A1 (en) * | 2005-05-26 | 2006-11-30 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Package for electronic component, electronic component using such package, and method for producing package for electronic component |
| US7713783B2 (en) | 2005-05-26 | 2010-05-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic component package, electronic component using the package, and method for manufacturing electronic component package |
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