JPH03266286A - Magnetic bubble device provided with ion implantation transfer line - Google Patents

Magnetic bubble device provided with ion implantation transfer line

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Publication number
JPH03266286A
JPH03266286A JP2064052A JP6405290A JPH03266286A JP H03266286 A JPH03266286 A JP H03266286A JP 2064052 A JP2064052 A JP 2064052A JP 6405290 A JP6405290 A JP 6405290A JP H03266286 A JPH03266286 A JP H03266286A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bubble
pattern
magnetic bubble
conductor pattern
ion implantation
Prior art date
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Pending
Application number
JP2064052A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Minoru Hiroshima
實 廣島
Masatoshi Takeshita
正敏 竹下
Katsutoshi Saito
斉藤 勝俊
Takashi Toyooka
孝資 豊岡
Toshihiro Sato
敏浩 佐藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP2064052A priority Critical patent/JPH03266286A/en
Publication of JPH03266286A publication Critical patent/JPH03266286A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To make the bubble extinguishment of a bubble detector sure by specifying the relation between the patter width of the leader line of the joint of a hair pin type conductor pattern and the conductor pattern width of a hair pin part. CONSTITUTION:The form of the joint of a first hair pin type conductor pattern 20 to flow a pulse current for enlarging bubble is devised and a pattern width W of the leader part of joints 21 and 22 of the hair pin type conductor pattern 20 and an open angle theta of the both joints are made into precise values. That is, the pattern width W is made more than one and a half times as wide as a conductor pattern width (w) of a hair pin gap forming part or the open angle is made more than 120 degrees. Accordingly, an elongated and enlarged bubble is not overflown to the external part of the effective area of the conductor pattern 20 to flow a bubble extinguishing pulse current. Thus, the bubble is extinguished surely and an erroneous action is prevented.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

[産業上の利用分野] 本発明は、イオン打込み方式によるバブル転送路を備え
た磁気バブルメモリ装置に係り、特しこ電流ストレッチ
型磁気バブル検出器における余分な不要バブルの発生に
よる誤動作防止に好適な、改良された磁気バブル検出器
を備えた磁気バブル装置に関する。 [従来の技術] 磁気バブルメモリ素子として、高集積化を図るため、磁
気バブル転送路に従来のパーマロイ薄膜パタンに代り、
イオン打込み方式転送路を用いた素子が有望である。以
下、磁気バブルを単にバブルと略称するが、イオン打込
み方式転送路は、バブル磁性膜の表面に、例えばH2“
、He”、Ne+等のイオンを部分的に打込むことによ
って形成し。 このイオン打込み層を面内で回転する磁界で磁化するこ
とにより、イオンの打込まれた部分の境界に移動磁性を
発生させ、この磁極でバブルを転送するものである。な
お、この種の転送路に関連するものとしては、例えば、
アイ・イー・イー・イー・トランザアクション・オン・
マグネチックス、エムエージ−13,6(1977年)
第1744頁〜第1764頁(I E3Trans、 
Magn、、MAG−13,No、6 (1977)P
、1744〜1764)が挙げられる。 このようなイオン打込み転送路を用いて磁気バブルメモ
リ素子を構成する場合、情報の入出力を行なうために、
磁気バブルを電気信号に変換するバブル検出器などの要
素が用いられる。 以下、図面にしたがい従来のバブル検出器の概要を説明
する。 第5図は、従来のバブル検出器における要部平面図を示
すもので、バブルをパルス電流によりコンダクタパタン
のギャップ内に沿ってひも状に伸長、拡大し、このひも
状バブルからの洩れ磁界による磁気抵抗効果を利用して
、バブルを電気信号に変換して検出するものであり、通
称「電流ストレッチ方式」と呼ばれている検出器である
。 同図において、10は磁気バブルを転送するイオン打込
み方式転送路で、その周囲がイオン打込み領域工2で囲
まれ内部領域が非イオン打込み領域STRからなる。2
0は、バブルをひも状に伸長、拡大するパルス電流を流
すための第1の非磁性コンダクタパタンで、図示のよう
にヘアピン型パタンを有しており、Au等の非磁性良導
体薄膜パタンを積層して形成される。回転磁界HRで転
送路10を磁化することにより、バブルは転送路10上
を移動し転送されるが、矢印P方向に転送されてきたバ
ブルがヘアピン型コンダクタ20のギャップ内gにきた
時点で、外部回路からストレッチ用パルス電流を流して
バブルを伸長、拡大する。 30は。 バブルの有無を電気信号に変換する磁気抵抗パタン(a
気抵抗効果素子)であり、通常、パーマロイ等の400
〜800人の薄膜パタンで構成される。破線で示した4
0は、第2の非磁性コンダクタパタンであり、検出した
後のバブルを消滅させるためのパルス電流を流すコンダ
クタパタンであり、第1のコンダクタパタン20とは、
絶縁層を介して積層形成されている。この第2のコンダ
クタパタン40は、上記バブルを拡大するコンダクタパ
タン20と共用することもできて、この場合は、パタン
40を省略することができる。 [発明が解決しようとする課題] 上記従来のバブル検出器は次のような誤動作を起こす問
題があった。 すなわち、バブルを拡大して検出した後においては、こ
のバブルは不要となり、コンダクタパタン40に消滅用
のパルス電流を流して消滅する。しかし、この消滅動作
を確実に実現することができず、消滅動作に失敗したバ
ブルが、コンダクタパタン40の周辺に余分な不要バブ
ル100として残留する問題である。 このようにして生じた誤動作による余分な不要バブル1
02は、メモリ動作を何回も繰り返すうちに、バブル転
送路中に飛び込み、読み出し情報を破壊してしまうとい
う問題を起こす。 したがって、本発明の目的は、このような従来の誤動作
の問題を解消することにあり、バブル消滅動作を確実に
実現し、余分な不要バブルの残留を防止することのでき
る改良されたバブル検出器を備えた磁気バブル装置を提
供することにある。 [課題を解決するための手段] 上記目的を達成するために1本発明者等は、検出器を構
成する磁気抵抗効果パタン30あるいはイオン打込み転
送路パタン10さらには、コンダクタパタン20.40
等の形状につき詳細に検討した。その結果、以下に述べ
るような知見が得られた。本発明は、これらの知見に基
づいて成されたもので、以下に順次説明する。 まず、第6図は、既に第5図に示した従来のバブル検出
器において、バブル消滅動作に失敗する誤動作メカニズ
ムを調べた結果を説明する検出器の要部平面図を示した
ものである。 なお、第6図(a)、(b)においては、図面が複雑に
なるので磁気抵抗効果素子パタン30と第2のヘアピン
型コンダクタパタン40をそれぞれ省略した。 また、第6図(C)、(d)においては、磁気抵抗効果
素子パタン30と第1のヘアピン型コンダクタパタン2
0をそれぞれ省略した。 第6図(a)、(b)は、いずれも第1のヘアピン型コ
ンダクタパタン20にバブル伸長用パルス電流を流して
、バブルを伸長、拡大したバブルの形状を示している。 そして、同図(a)は、正常動作したバブル100の場
合を例示し、また、同図(b)は、異常動作したバブル
101の場合を例示している。 正しくバブルが伸長、拡大された同図(a)の場合は、
バブル100がヘアピン型コンダクタパタン20のギャ
ップ内gの長手方向に沿ってひも状に拡大される。この
結果、ひも状バブル100は、これを消滅させるための
パルス電流を流す第2のヘアピン型コンダクタパタン4
0のギヤツブg内に存在する。なお、第2のヘアピン型
コンダクタパタン40は、ここでは省略(第5図参照、
コンダクタパタン20と兼用することもできその場合は
コンダクタパタン40は不要)。 これに対して、バブルが正しく拡大されずに異常動作し
た同図(b)の場合は、バブル101は、ヘアピン型コ
ンダクタパタン20のギャップ外へ大きくはみ出し、は
み出し部分Eの生じたひも状バブル101になる。 一方、第6図(C)、(d)は、それぞれ上記第6図(
a)、(b)で伸長、拡大されたバブルを、第2のヘア
ピン型コンダクタパタン40にバブル消滅用のパルス電
流を流してバブルを消滅させた状態を示したものである
。 同図(c)の場合、同図(a)において拡大されたバブ
ル100は、このバブルを消滅するパルス電流を流す第
2のヘアピン型コンダクタパタン40の有効領域ANN
の内部にあるので、確実に消滅させることができる。 これに対して、同図(d)の場合、同図(b)において
拡大されたバブル101は、第2のヘアピン型コンダク
タパタン40の有効領域ANNの外部にはみ出し、はみ
出し部分Eが生じているため、消滅パルス電流を流して
も、このはみ出し部分Eが消滅されず、図示のようにE
部のバブルが余分な不要バブル102として残り、誤動
作となることが判明した。 本発明者等は、上記第6図で述べた誤動作メカニズムに
おいて、拡大したバブルが、バブル消滅パルス電流を流
すコンダクタパタン40(兼用の場合はコンダクタパタ
ン20)の有効領域ANNの外部Eへはみ出す理由を調
べた結果1次の2つの原因により起こることが判った。 以下、第7図及び第8図を用いて説明する。 その第1の原因は、バブルを拡大するパルス電流をヘア
ピン型コンダクタパタン20に流したときに発生する電
流磁界H1である。第7図(a)においてヘアピン型コ
ンダクタパタン20の内側(ギヤツブg内)に発生する
この磁界H1は、バブルを拡大する方向であるが、パタ
ン20のつけ根の広がった部分21.22(いずれもギ
ヤツブg外)にも、この方向に磁界H1が発生する。こ
の磁界H1により、第7図(b)に示すように、バブル
は付は根部分21に沿って延び、外部へ大きくはみ出し
たひも状バブル1011になる。工部が余分にはみ出し
た部分〔第6図(b)のEに相当〕である。 拡大したバブルがはみ出す第2の原因は、磁気抵抗効果
パタン30が発生する磁界Hpである。第8図(a)に
おいて、磁気抵抗効果パタン30は、前述したように、
400〜800人程度の膜厚程度−マロイ等の軟強磁性
体薄膜で形成される。このパタンは、バブルを転送する
ために外部から加えている面内回転磁界HRで磁化され
、磁界HPを発生する。 同図(a)において、回転磁界HRがA方向を向いたと
き、30A部にバブルを拡大する方向の磁界HPを生じ
、この磁界に沿って、バブルは同図(b)に示すように
引き延ばされ、外部へ大きくはみ出したひも状バブル1
01 PAのようになる。このPA部が余分にはみ呂し
た部分〔第6図(b)のEに相当〕である。更にまた、
回転磁界HRがB方向を向いたとき、30B部にバブル
を拡大する磁界upを生じ、この磁界に沿って、バブル
は同図(C)に示すように引き延ばされ、外部へ大きく
はみ出したひも状バブル101 PBのようになる。P
B部が余分にはみ出した部分である。 そこで、本発明者等は、検出時に拡大したバブルが、バ
ブル消滅パルス電流を流すコンダクタパタンの有効領域
ANHの外部へはみ出すことのないようにすれば、不要
バブルを残留させずに検出後のバブルを確実に消滅させ
ることができて、誤動作を防止できるという知見を得た
。 本発明は、この知見に基づいてなされたもので、その具
体的な目的達成手段を以下に示す。 上記本発明の目的は、 (1)イオン打込み転送路を有し、電流ストレッチ型磁
気バブル検出器を備えた磁気バブル装置において、磁気
バブルを拡大するパルス電流を流すヘアピン型コンダク
タパタンのっけ根の引き出し線のパタン幅をW、前記ヘ
アピン部の導体パタン幅をωとしたとき、Wを−の少な
くとも1.5倍、実用的に好ましくは4≧W/−≧1.
5として成る磁気バブル装置により、また、 (2)イオン打込み転送路を有し、電流ストレッチ型磁
気バブル検出器を備えた磁気バブル装置において、磁気
バブルを拡大するパルス電流を流すヘアピン型コンダク
タパタンのっけ根の引き呂し線のひらき角度θ を少な
くとも120°、実用的に好ましくは120’≦θ≦1
80°として成る磁気バブル装置により、また、 (3)イオン打込み転送路を有し、電流ストレッチ型磁
気バブル検出器を備えた磁気バブル装置において、磁気
抵抗効果パタンの引き呂し線部のパタンを、コの字状も
しくはL字型として、望ましくはこれらの少なくとも1
種を非イオン打込み領域STR内に必ず存在させて形成
して成る磁気バブル装置により、また。 (4)イオン打込み転送路を有し、電流ストレッチ型磁
気バブル検出器を備えた磁気バブル装置において、磁気
抵抗効果パタンの引き呂し線部に前記磁気抵抗効果パタ
ンと同材質の補助パタンを配設して成る磁気バブル装置
により、そしてまた、(5)イオン打込み転送路を有し
、電流ストレッチ型磁気バブル検出器を備えた磁気バブ
ル装置において、磁気抵抗効果パタンの引き出し線を前
記磁気抵抗効果パタンに対してその延長線上に直線的に
延在させて成る磁気バブル装置により、達成される。 [作用] 上記のように本発明のバブル検出器は、検出器を形成し
ている磁気抵抗効果パタン、あるいはイオン打込み転送
路パタン、さらにはコンダクタパタンの形状を改善する
ことにより、伸長、拡大したバブルが、バブル消滅パル
ス電流を流すコンダクタパタンの有効領域の外部へはみ
出すことのないようにしている。この結果、バブルを確
実に消滅させることができて、誤動作を防止することが
できる。 [実施例コ 以下、図面により本発明の一実施例を説明する。 実施例1゜ 第1図は、本発明によるバブル検出器の一実施例を示し
たもので、ヘアピン型コンダクタパタンの形状を改良し
て第7図で述べた誤動作を防止した例を示したものであ
る。つまり、バブル拡大用のパルス電流磁界によって、
ヘアピン型コンダクタ20のつけ根に沿ってバブルが外
部へ大きくはみ出す誤動作を防止した例を示したもので
ある。 なお、図面が複雑となるので、この図では磁気抵抗効果
パタン30や検出後のバブル消滅用コンダクタパタン4
0を省略した。 第1図において、バブル拡大用のパルス電流を流す第1
のヘアピン型コンダクタパタン20のつけ根の形状を、
工夫した点に特徴があり、ヘアピン型コンダクタパタン
20のつけ根21.22の引き出し部のパタン幅W及び
これら両者のひらき角度θを適正な値にした点に特徴が
ある。 即ち、パタン幅Wをヘアピンギャップ形成部の導体パタ
ン幅−の1.5倍以上にするか(W/−≧1.5)、も
しくはひらき角度θを120度以上にすることにより、
外部へ大きくはみ出す誤動作を防止できることが実験で
明らかになった。 なお、実用上好ましい引き出し部のパタン幅Wは、4≧
W/−≧1.5であるが、Wの好ましい値は、ヘアピン
パタン20のギャップ形成部の好ましいパタン幅−=1
.5〜4μm及び使用バブル径d=0.4〜1.6μ鳳
にも関連する。 また、ひらき角度θについては、実用上120゜〜18
0°が好ましい。 本実施例では、使用バブル径d=o、8μ璽で、W/W
=1.5.つまりパタン@−=3μm、引き出し部のパ
タン幅W=4.5μLまた、ひらき角度θについてはθ
=125°で良好な結果が得られた。 実施例2゜ 第2図は、本発明の他の実施例によるバブル検出器の一
例を示したもので、磁気抵抗効果パタン30の形状、構
造を改良することにより、第8図で述べた誤動作を防止
したものである。なお、図面が複雑になることから、こ
の図ではコンダクタパタン20.40を省略した。 第2図において、磁気抵抗効果パタン30の形状を工夫
した点に特徴があり、引き出し線部A部あるいはB部の
パタン形状を、従来の直線状パタンからコの字状〔第2
図(a))、あるいはL字型〔第2図(b)〕に曲げた
形状にした点に特徴がある。第2図(a)に示したよう
にコの字状に、また、第2図(b)に示したようにL字
型にそれぞれ折り曲げることにより、この部分で、回転
磁界HRで磁化されて発生する第8図で述べたバブル拡
大磁界HPA、HPBが寸断される。なお、これらコの
字状もしくはL字型のパタンは、引き出し線部A、Hの
少なくとも一方に1個以上、非イオン打込み領域STR
内に必ず存在させて形成する。この結果、この部分で、
バブルが外へ引き延ばされる誤動作がストップされる。 実施例3゜ 第3図は、第2図の場合と同様に、磁気抵抗効果パタン
30の形状を工夫した本発明の他の実施例によるバブル
検出器の例を示したものである。 問題の引き出し線部A部あるいはB部に、補助パタンS
Pを付加した点に特徴がある。 第3図(a)は、磁気抵抗効果パタン30の引出線をパ
タン30に対し直交する直線部に補助パタンSPを、そ
して第3図(b)は、パタン30の延長線上に延在させ
た引出線上に補助パタンSpを、それぞれ配設した構成
を示している。なお、実用的な補助パタンSpの幅は、
パタン30の幅とほぼ等しく、複数個配設する場合のピ
ッチは、パタン30の幅に等しいか、その2倍以内が、
また、突出量Qは、使用バブル径dの2〜4倍ぐらい、
より好ましくは2倍ぐらいが望ましい。 この補助パタンSpは、磁気抵抗効果パタン30の形成
と同時に同一プロセスで形成する。また、この補助パタ
ンSpは、引き出し線部30A部あるいはB部とほぼ直
交するようにクロスしたパタンを1個ないし複数個配置
して形成する。この補助パタンSPは、回転磁界HRで
磁化されて磁界H5を発生する。この磁界Hsは、バブ
ルが外へ引き延ばされる誤動作をストップさせるように
作用する。この結果、誤動作を防止できる。 実施例4゜ 第4図は、磁気抵抗効果パタン30の引出線をパタン3
0に対しその延長線上に直線的に引出線を延在させた構
造のバブル検出器を示している。これは、極めて単純な
構成であるが、バブルの伸長、拡大時にバブルは、コン
ダクタパタン20のギャップgからはみ出すことは無く
、したがって、バブル消滅動作時に不要バブルを残留さ
せることはない。 以上、本発明の実施例につき説明したが、本発明におい
ては、そのほか上記第1図〜第4図で例示した本発明を
それぞれさらに組み合わせた検出器に対しても全く同様
に適用できることは言うまでもない。 [発明の効果コ 本発明によれば、以上説明したように、バブル検出時に
伸長、拡大したバブルが、バブル消滅パルス電流を流す
コンダクタパタンの有効領域の外部へはみ出す誤動作を
防止することができる。したがって、これによりバブル
検出器のバブル消滅動作を確実に実現できて、読み出し
情報の破壊を防ぐことが可能となる。 4)
[Industrial Application Field] The present invention relates to a magnetic bubble memory device equipped with a bubble transfer path using an ion implantation method, and is particularly suitable for preventing malfunctions due to the generation of unnecessary bubbles in a current stretch type magnetic bubble detector. The present invention relates to a magnetic bubble device having an improved magnetic bubble detector. [Prior Art] In order to achieve high integration as a magnetic bubble memory element, instead of the conventional permalloy thin film pattern in the magnetic bubble transfer path,
Devices using ion implantation transfer paths are promising. Hereinafter, magnetic bubbles will be simply referred to as bubbles, but in the ion implantation transfer path, for example, H2"
It is formed by partially implanting ions such as , He'', Ne+, etc. By magnetizing this ion implanted layer with a magnetic field that rotates in the plane, moving magnetism is generated at the boundary of the ion implanted area. This magnetic pole is used to transfer bubbles.As related to this type of transfer path, for example,
I.E.E. Transaction Action on
Magnetics, MG-13,6 (1977)
Pages 1744-1764 (I E3Trans,
Magn, MAG-13, No. 6 (1977) P
, 1744-1764). When constructing a magnetic bubble memory element using such an ion implantation transfer path, in order to input and output information,
Elements such as bubble detectors are used that convert magnetic bubbles into electrical signals. Hereinafter, an outline of a conventional bubble detector will be explained according to the drawings. Figure 5 shows a plan view of the main parts of a conventional bubble detector.Bubbles are stretched and expanded in a string-like manner along the gap of a conductor pattern using a pulsed current, and the leakage magnetic field from the string-like bubbles is generated. This detector uses the magnetoresistive effect to convert bubbles into electrical signals and detect them, and is commonly known as the "current stretch method." In the figure, reference numeral 10 denotes an ion implantation transfer path for transferring magnetic bubbles, the periphery of which is surrounded by an ion implantation region 2, and the inner region consisting of a non-ion implantation region STR. 2
0 is the first nonmagnetic conductor pattern for passing a pulsed current that stretches and expands the bubble like a string, and has a hairpin pattern as shown in the figure, and is made by laminating nonmagnetic good conductor thin film patterns such as Au. It is formed by By magnetizing the transfer path 10 with the rotating magnetic field HR, the bubble moves on the transfer path 10 and is transferred, but when the bubble transferred in the direction of arrow P reaches the gap g of the hairpin conductor 20, A stretching pulse current is applied from an external circuit to stretch and expand the bubble. 30 is. A magnetic resistance pattern (a) that converts the presence or absence of bubbles into an electrical signal
(resistance effect element), usually made of permalloy etc.
It consists of ~800 thin film patterns. 4 indicated by dashed line
0 is a second non-magnetic conductor pattern, which is a conductor pattern that passes a pulse current to extinguish bubbles after being detected, and the first conductor pattern 20 is
They are laminated with an insulating layer interposed therebetween. This second conductor pattern 40 can also be used in common with the conductor pattern 20 that expands the bubble, and in this case, the pattern 40 can be omitted. [Problems to be Solved by the Invention] The conventional bubble detector described above has the following problem of malfunction. That is, after the bubble has been enlarged and detected, the bubble becomes unnecessary and disappears by passing a pulse current for extinction through the conductor pattern 40. However, this extinguishing operation cannot be reliably realized, and the bubbles whose extinguishing operation has failed remain as unnecessary bubbles 100 around the conductor pattern 40. Extra unnecessary bubble 1 due to malfunction caused in this way
02 causes a problem in that as the memory operation is repeated many times, it jumps into the bubble transfer path and destroys the read information. Therefore, an object of the present invention is to solve the problem of such conventional malfunctions, and to provide an improved bubble detector that can reliably realize bubble extinguishing operation and prevent unnecessary residual bubbles from remaining. An object of the present invention is to provide a magnetic bubble device. [Means for Solving the Problems] In order to achieve the above object, the present inventors have developed a magnetoresistive pattern 30 or an ion implantation transfer path pattern 10 constituting a detector, as well as a conductor pattern 20.40.
We examined the shapes of the following in detail. As a result, the following findings were obtained. The present invention was made based on these findings, and will be sequentially explained below. First, FIG. 6 is a plan view of the main part of the detector, illustrating the results of an investigation into the malfunction mechanism that causes the bubble extinguishing operation to fail in the conventional bubble detector shown in FIG. 5. In addition, in FIGS. 6(a) and 6(b), the magnetoresistive element pattern 30 and the second hairpin-type conductor pattern 40 are omitted, respectively, since the drawings would be complicated. In addition, in FIGS. 6(C) and (d), the magnetoresistive element pattern 30 and the first hairpin conductor pattern 2
0 has been omitted. FIGS. 6(a) and 6(b) both show the shape of a bubble that is elongated and enlarged by passing a pulse current for bubble elongation through the first hairpin conductor pattern 20. FIG. 4A shows an example of a bubble 100 operating normally, and FIG. 1B shows an example of a bubble 101 operating abnormally. In the case of the same figure (a) where the bubble is correctly extended and enlarged,
The bubble 100 is expanded into a string shape along the longitudinal direction of the gap g of the hairpin conductor pattern 20. As a result, the string-like bubble 100 is removed by the second hairpin-shaped conductor pattern 4 through which a pulse current is passed to extinguish the string-like bubble 100.
It exists in the gear g of 0. Note that the second hairpin conductor pattern 40 is omitted here (see FIG. 5).
It can also be used as the conductor pattern 20, in which case the conductor pattern 40 is unnecessary). On the other hand, in the case of the bubble 101 shown in FIG. 6B, in which the bubble is not enlarged correctly and operates abnormally, the bubble 101 largely protrudes outside the gap of the hairpin-shaped conductor pattern 20, and the string-shaped bubble 101 has a protruding portion E. become. On the other hand, FIGS. 6(C) and (d) are respectively shown in FIG.
This figure shows the state in which the bubbles elongated and expanded in a) and (b) are extinguished by passing a bubble extinguishing pulse current through the second hairpin conductor pattern 40. In the case of FIG. 4C, the bubble 100 enlarged in FIG.
Since it is inside the , it can be definitely destroyed. On the other hand, in the case of FIG. 4D, the bubble 101 enlarged in FIG. Therefore, even if the annihilation pulse current is applied, this protruding portion E is not annihilated, and as shown in the figure, E
It has been found that some bubbles remain as unnecessary bubbles 102, resulting in malfunction. The present inventors have discovered the reason why, in the malfunction mechanism described in FIG. As a result of investigation, it was found that this occurs due to the following two causes. This will be explained below using FIGS. 7 and 8. The first cause is the current magnetic field H1 generated when a pulse current that expands the bubble is passed through the hairpin conductor pattern 20. In FIG. 7(a), this magnetic field H1 generated inside the hairpin-type conductor pattern 20 (inside the gear g) is in the direction of expanding the bubble, but the widened portions 21 and 22 of the base of the pattern 20 (both A magnetic field H1 is also generated in this direction outside the gear (g). Due to this magnetic field H1, as shown in FIG. 7(b), the bubble becomes a string-shaped bubble 1011 which extends along the root portion 21 and largely protrudes to the outside. This is the part where the working part protrudes excessively [corresponding to E in Fig. 6(b)]. The second reason why the enlarged bubble protrudes is the magnetic field Hp generated by the magnetoresistive pattern 30. In FIG. 8(a), the magnetoresistive pattern 30 is, as described above,
It is formed of a soft ferromagnetic thin film such as Malloy with a film thickness of about 400 to 800. This pattern is magnetized by an in-plane rotating magnetic field HR applied from the outside to transfer bubbles, and generates a magnetic field HP. In the figure (a), when the rotating magnetic field HR points in the A direction, a magnetic field HP is generated in the direction of expanding the bubble at the 30A section, and along this magnetic field, the bubble is pulled as shown in the figure (b). String-shaped bubble 1 that has been stretched and protrudes outward
01 It becomes like PA. This PA section is an extra thick part [corresponding to E in FIG. 6(b)]. Furthermore,
When the rotating magnetic field HR turned in the B direction, a magnetic field UP was generated in the 30B section that expanded the bubble, and along this magnetic field, the bubble was stretched as shown in the same figure (C) and protruded greatly to the outside. It becomes like string-shaped bubble 101 PB. P
Part B is the part that protrudes excessively. Therefore, the inventors of the present invention have proposed that if the bubble expanded at the time of detection does not protrude outside the effective area ANH of the conductor pattern through which the bubble extinguishing pulse current flows, the bubble after detection can be prevented from leaving unnecessary bubbles. We have obtained the knowledge that it is possible to reliably eliminate the problem and prevent malfunctions. The present invention has been made based on this knowledge, and specific means for achieving the objective are shown below. The above-mentioned objects of the present invention are as follows: (1) In a magnetic bubble device having an ion implantation transfer path and equipped with a current stretch type magnetic bubble detector, drawing out the root of a hairpin-shaped conductor pattern through which a pulsed current is passed to expand a magnetic bubble. When the line pattern width is W and the conductor pattern width of the hairpin portion is ω, W is at least 1.5 times −, preferably 4≧W/−≧1.
(2) In a magnetic bubble device having an ion implantation transfer path and equipped with a current stretch type magnetic bubble detector, a hairpin-shaped conductor pattern is placed on which a pulsed current is applied to expand the magnetic bubble. The opening angle θ of the root pulling line is at least 120°, preferably 120'≦θ≦1 for practical purposes.
(3) In a magnetic bubble device having an ion implantation transfer path and equipped with a current stretch type magnetic bubble detector, the pattern of the drawing line part of the magnetoresistive pattern can be , U-shaped or L-shaped, preferably at least one of these.
Also by a magnetic bubble device formed by ensuring that the seeds are present in the non-ion implantation region STR. (4) In a magnetic bubble device having an ion implantation transfer path and equipped with a current stretch type magnetic bubble detector, an auxiliary pattern made of the same material as the magnetoresistive pattern is arranged in the lead line portion of the magnetoresistive pattern. (5) In a magnetic bubble device having an ion implantation transfer path and equipped with a current stretch type magnetic bubble detector, the lead wire of the magnetoresistive pattern is connected to the magnetoresistive pattern. This is achieved by a magnetic bubble device that extends linearly on an extension of the pattern. [Function] As described above, the bubble detector of the present invention can be extended and expanded by improving the shape of the magnetoresistive pattern, the ion implantation transfer path pattern, or the conductor pattern forming the detector. The bubble is prevented from protruding outside the effective area of the conductor pattern through which the bubble extinguishing pulse current flows. As a result, bubbles can be reliably extinguished and malfunctions can be prevented. [Example 1] Hereinafter, an example of the present invention will be described with reference to the drawings. Example 1 FIG. 1 shows an example of a bubble detector according to the present invention, in which the shape of the hairpin conductor pattern is improved to prevent the malfunction described in FIG. 7. It is. In other words, by the pulsed current magnetic field for bubble expansion,
This figure shows an example of preventing a malfunction in which a bubble protrudes outward along the base of a hairpin-shaped conductor 20. Note that, since the drawing is complicated, this drawing does not show the magnetoresistive effect pattern 30 or the bubble extinguishing conductor pattern 4 after detection.
0 was omitted. In Figure 1, the first
The shape of the base of the hairpin-type conductor pattern 20 is
It is characterized by its ingenuity, and in that the pattern width W of the drawn-out portions of the bases 21 and 22 of the hairpin-shaped conductor pattern 20 and the opening angle θ of both of these are set to appropriate values. That is, by making the pattern width W 1.5 times or more the conductor pattern width - of the hairpin gap forming part (W/-≧1.5), or by making the opening angle θ 120 degrees or more,
Experiments have revealed that it is possible to prevent malfunctions that extend significantly to the outside. In addition, the practically preferable pattern width W of the drawer part is 4≧
W/-≧1.5, but the preferable value of W is the preferable pattern width of the gap forming part of the hairpin pattern 20 -=1
.. It is also related to the bubble diameter d=0.4 to 1.6 μm and the bubble diameter used. In addition, the opening angle θ is practically 120° to 18
0° is preferred. In this example, the bubble diameter used is d=o, 8 μm, and W/W
=1.5. In other words, the pattern @ - = 3 μm, the pattern width W of the drawer portion = 4.5 μL, and the opening angle θ is θ
Good results were obtained at =125°. Embodiment 2 FIG. 2 shows an example of a bubble detector according to another embodiment of the present invention. By improving the shape and structure of the magnetoresistive pattern 30, the malfunction described in FIG. 8 can be avoided. This prevents Note that the conductor patterns 20 and 40 are omitted in this figure because the drawing becomes complicated. In FIG. 2, the feature is that the shape of the magnetoresistive pattern 30 has been devised, and the pattern shape of the lead line portion A or B has been changed from the conventional linear pattern to a U-shape [second
It is distinctive in that it is bent into a shape shown in Figure 2 (a)) or an L-shape (Figure 2 (b)). By bending them into a U-shape as shown in Figure 2(a) and an L-shape as shown in Figure 2(b), these parts are magnetized by the rotating magnetic field HR. The generated bubble expansion magnetic fields HPA and HPB described in FIG. 8 are cut off. Note that one or more of these U-shaped or L-shaped patterns are provided in at least one of the lead line portions A and H, and one or more of these U-shaped or L-shaped patterns are provided in the non-ion implantation region STR.
Be sure to exist and form within. As a result, in this part,
Malfunctions in which the bubble is stretched outward are stopped. Embodiment 3 FIG. 3 shows an example of a bubble detector according to another embodiment of the present invention in which the shape of the magnetoresistive pattern 30 is modified in the same way as in FIG. 2. Add auxiliary pattern S to part A or part B of the leader line in question.
It is distinctive in that P is added. FIG. 3(a) shows an auxiliary pattern SP extending from the leader line of the magnetoresistive pattern 30 on a straight line perpendicular to the pattern 30, and FIG. 3(b) shows an auxiliary pattern SP extending on the extension line of the pattern 30. A configuration is shown in which auxiliary patterns Sp are arranged on each leader line. Note that the width of the practical auxiliary pattern Sp is
The pitch is approximately equal to the width of the pattern 30, and when multiple pieces are arranged, the pitch is equal to or within twice the width of the pattern 30.
In addition, the protrusion amount Q is about 2 to 4 times the bubble diameter d used.
More preferably, it is about twice as large. This auxiliary pattern Sp is formed simultaneously with the formation of the magnetoresistive pattern 30 in the same process. Further, this auxiliary pattern Sp is formed by arranging one or more cross patterns so as to be substantially perpendicular to the lead line portion 30A or B portion. This auxiliary pattern SP is magnetized by the rotating magnetic field HR and generates a magnetic field H5. This magnetic field Hs acts to stop the malfunction of the bubble being stretched outward. As a result, malfunctions can be prevented. Embodiment 4 FIG. 4 shows the leader line of the magnetoresistive pattern 30 in pattern 3.
2 shows a bubble detector having a structure in which a leader line extends linearly on an extension line of 0. Although this is an extremely simple configuration, the bubble does not protrude from the gap g of the conductor pattern 20 when the bubble expands or expands, so no unnecessary bubbles remain during the bubble extinguishing operation. Although the embodiments of the present invention have been described above, it goes without saying that the present invention can be applied in the same manner to detectors further combining the present inventions illustrated in FIGS. 1 to 4 above. . [Effects of the Invention] According to the present invention, as described above, it is possible to prevent malfunctions in which the bubbles that are expanded and expanded upon bubble detection protrude outside the effective area of the conductor pattern through which the bubble extinguishing pulse current flows. Therefore, this makes it possible to reliably realize the bubble extinguishing operation of the bubble detector and prevent the read information from being destroyed. 4)

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図、第2図、第3図及び第4図は、それぞれ本発明
による一実施例を示すバブル検出器要部平面図、第5図
は従来のバブル検出器パタンの要部平面図、第6図、第
7図及び第8図は、それぞれバブル消滅誤動作を説明す
るための模式的に示したバブル検出器要部平面図である
。 く符号の説明〉 10・・・イオン打込み方式バブル転送路、 20.4
0・・・ヘアピン型コンダクタパタン、 30・・・磁
気抵抗効果パタン、 21.22・・・ヘアピン型コン
ダクタパタンのっけ根、 12・・・イオン打込み領域
、 STR・・・非イオン打込み領域、 HR・・・回
転磁界、Sp・・・磁気抵抗効果パタンの補助パタン。
1, 2, 3, and 4 are plan views of essential parts of a bubble detector showing an embodiment of the present invention, respectively; FIG. 5 is a plan view of essential parts of a conventional bubble detector pattern; FIG. 6, FIG. 7, and FIG. 8 are plan views of essential parts of the bubble detector, each schematically showing the bubble extinguishing malfunction for explaining the bubble extinguishing malfunction. Explanation of symbols> 10... Ion implantation bubble transfer path, 20.4
0... Hairpin type conductor pattern, 30... Magnetoresistive pattern, 21.22... Root of hairpin type conductor pattern, 12... Ion implantation region, STR... Non-ion implantation region, HR. ...Rotating magnetic field, Sp...Auxiliary pattern of magnetoresistive pattern.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1)イオン打込み転送路を有し、電流ストレッチ型磁気
バブル検出器を備えた磁気バブル装置において、磁気バ
ブルを拡大するパルス電流を流すヘアピン型コンダクタ
パタンのつけ根の引き出し線のパタン幅をW、前記ヘア
ピン部の導体パタン幅をωとしたとき、Wをωの少なく
とも1.5倍として成る磁気バブル装置。 2)イオン打込み転送路を有し、電流ストレッチ型磁気
バブル検出器を備えた磁気バブル装置において、磁気バ
ブルを拡大するパルス電流を流すヘアピン型コンダクタ
パタンのつけ根の引き出し線のひらき角度θを少なくと
も120゜として成る磁気バブル装置。 3)イオン打込み転送路を有し、電流ストレッチ型磁気
バブル検出器を備えた磁気バブル装置において、磁気抵
抗効果パタンの引き出し線部のパタンを、コの字状もし
くはL字型として成る磁気バブル装置。 4)イオン打込み転送路を有し、電流ストレッチ型磁気
バブル検出器を備えた磁気バブル装置において、磁気抵
抗効果パタンの引き出し線部に前記磁気抵抗効果パタン
と同材質の補助パタンを配設して成る磁気バブル装置。 5)イオン打込み転送路を有し、電流ストレッチ型磁気
バブル検出器を備えた磁気バブル装置において、磁気抵
抗効果パタンの引き出し線を前記磁気抵抗効果パタンに
対してその延長線上に直線的に延在させて成る磁気バブ
ル装置。
[Scope of Claims] 1) In a magnetic bubble device having an ion implantation transfer path and equipped with a current stretch type magnetic bubble detector, a lead wire at the base of a hairpin conductor pattern through which a pulse current for expanding magnetic bubbles is passed. A magnetic bubble device comprising a pattern width W and a conductor pattern width of the hairpin portion ω, where W is at least 1.5 times ω. 2) In a magnetic bubble device having an ion implantation transfer path and equipped with a current stretch type magnetic bubble detector, the opening angle θ of the lead wire at the base of the hairpin conductor pattern through which a pulsed current for expanding the magnetic bubble flows is at least 120. A magnetic bubble device consisting of ゜. 3) A magnetic bubble device having an ion implantation transfer path and a current stretch type magnetic bubble detector, in which the pattern of the lead line portion of the magnetoresistive pattern is U-shaped or L-shaped. . 4) In a magnetic bubble device having an ion implantation transfer path and equipped with a current stretch type magnetic bubble detector, an auxiliary pattern made of the same material as the magnetoresistive pattern is arranged in the lead line portion of the magnetoresistive pattern. A magnetic bubble device consisting of. 5) In a magnetic bubble device having an ion implantation transfer path and equipped with a current stretch type magnetic bubble detector, a lead line of the magnetoresistive pattern extends linearly on an extension line of the magnetoresistive pattern. A magnetic bubble device made by
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