JPH03264837A - Apparatus for measuring distribution of light intensity of light emitting array - Google Patents

Apparatus for measuring distribution of light intensity of light emitting array

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JPH03264837A
JPH03264837A JP16642490A JP16642490A JPH03264837A JP H03264837 A JPH03264837 A JP H03264837A JP 16642490 A JP16642490 A JP 16642490A JP 16642490 A JP16642490 A JP 16642490A JP H03264837 A JPH03264837 A JP H03264837A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
slit
emitting array
objective lens
photosensor
Prior art date
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Pending
Application number
JP16642490A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Ikuo Kato
幾雄 加藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ricoh Co Ltd filed Critical Ricoh Co Ltd
Priority to JP16642490A priority Critical patent/JPH03264837A/en
Publication of JPH03264837A publication Critical patent/JPH03264837A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
  • Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)

Abstract

PURPOSE:To perform measurement highly accurately without the effects of the dot size, pitch or the like of a light emitting array by receiving the data of a photosensor when the image of the measuring dot of the light emitting array is located at a position which is not rejected by a slit all the time. CONSTITUTION:The dot size of a light emitting arrays 1 is made to be (a), and the dot pitch is made to be (b). The magnification of an objective lens is (m). For example, images 6b - 6d are shown on the imagery surface of dots 1b - 1d. A slit forming member 3 having a slit 4 whose width is (c) is provided on the imagery surface such as this. A photosensor 5 is provided at the rear side of the member 3. When the lens 2 and the light emitting array 1 are realtively moved at an equal velocity (v), the image 6c of the light emitting dot 1c is moved at 2 velocity (mv) in the vicinity of the imagery surface. The next image 6b arrives at the center of the slit 4 after a specified time. When the image of the measuring dot of the light emitting array is located at a position which is not rejected by the slit 4 all the time, timing is controlled so as to receive the data of the photosensor.

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、LEDアレイ等の発光アレイの光強度分布測
定装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to a light intensity distribution measuring device for a light emitting array such as an LED array.

従来の技術 一般に、LEDアレイ、蛍光管ドツトアレイ等の発光ア
レイは、デジタル複写機、ファクシジリ、プリンタ等に
おいて感光体に対する固体走査型光書込み用光源として
用いられる。この場合、印字品質を管理・制御するため
には、発光アレイのアレイ方向における光強度分布を測
定評価する装置が必要となる。
2. Description of the Related Art In general, light emitting arrays such as LED arrays and fluorescent tube dot arrays are used as solid-state scanning optical writing light sources for photoreceptors in digital copiers, facsimile machines, printers, and the like. In this case, in order to manage and control print quality, a device that measures and evaluates the light intensity distribution in the array direction of the light emitting array is required.

このための測定装置として第5図に示すようなものがあ
る(第1の従来例)。発光素子によるドツトla〜Ig
からなる発光アレイ1はステージ(図示せず)上に固定
され、そのアレイ方向に移動自在とされている。この発
光アレイlに対向させて配設した対物レンズ2を透過し
た光の光路上には、この対物レンズ2から所定間隔おい
てスリット形成部材3が設けられている。スリット形成
部材3のスリット4を通過した光の光路上にはフォトセ
ンサ5が近傍配設されている。ここに、発光アレイ1の
ドツト密度は300dpi(ドツトピッチbはb=84
.6μm)であり、対物レンズ2の倍率mは4倍、スリ
ット4の幅Cはc=3384  (=84,6X4=4
bに相当する値) μmとされている。
There is a measuring device for this purpose as shown in FIG. 5 (first conventional example). Dots la to Ig by light emitting elements
A light emitting array 1 consisting of the following is fixed on a stage (not shown) and is movable in the array direction. A slit forming member 3 is provided at a predetermined distance from the objective lens 2 on the optical path of the light transmitted through the objective lens 2 disposed facing the light emitting array l. A photosensor 5 is disposed near the optical path of the light that has passed through the slit 4 of the slit forming member 3. Here, the dot density of the light emitting array 1 is 300 dpi (the dot pitch b is b=84
.. 6 μm), the magnification m of the objective lens 2 is 4 times, and the width C of the slit 4 is c=3384 (=84, 6X4=4
(value corresponding to b) μm.

この装置により発光アレイ1の光強度分布を測定する場
合、発光アレイlはそのドツトla−1gの内の一つを
非発光状態とし、かつ、ステージによりアレイ方向に一
定速度Vで移動させる。同時に、発光アレイlからの光
は対物レンズ2を透過することにより4倍に拡大されス
リット形成部材3を含む平面上に結像6(結像面60〜
6eが例示される)を形成する。この結像6は発光アレ
イlの移動方向と逆方向に移動する。この時、スリット
4を通過した光がフォトセンサ5に入射してその光強度
が検出される。この検出値は、発光アレイlが21.1
5μm(1ドツトピツチのl/4)だけ移動する毎にデ
ータとして取込まれる。
When measuring the light intensity distribution of the light emitting array 1 using this device, the light emitting array l is moved with one of its dots la-1g in a non-emitting state and at a constant speed V in the array direction by a stage. At the same time, the light from the light emitting array 1 is transmitted through the objective lens 2 and expanded four times to form an image 6 (imaging surface 60 to
6e is exemplified). This image 6 moves in the opposite direction to the moving direction of the light emitting array l. At this time, the light that has passed through the slit 4 enters the photosensor 5 and its light intensity is detected. This detected value is 21.1 for the light emitting array l.
Data is captured every time it moves by 5 μm (l/4 of one dot pitch).

このような−群のデータの中から、非発光状態のドツト
のデータを基準として4つ置きにデータをピックアップ
し、これらの各データ値を発光アレイの各ドツトの光強
度とするものである。
From such data in the - group, every fourth data is picked up using the data of the non-emitting dots as a reference, and each of these data values is used as the light intensity of each dot in the light emitting array.

また、第5図における構成で、スリット4の幅Cをc=
1011mとし、対物レンズ2の倍率mを1倍としたも
のもある(第2の従来例)。この方式によると、発光ア
レイlが10pmだけ移動する毎にアオトセンサ5の検
出値がデータとして取込まれる。このデータは、データ
取込み時におけるスリット4と結像6面との位置関係に
より発光部と非発光部とに分けられ、その各々は複数の
データによって形成される。発光部の複数のデータ(ド
ツトサイズが50pmならば、5つ或いは6つのデータ
)を結合させて1ドツトの光強度としている。
In addition, in the configuration shown in FIG. 5, the width C of the slit 4 is c=
1011 m, and there is also one in which the magnification m of the objective lens 2 is set to 1 (second conventional example). According to this method, the detection value of the auto sensor 5 is taken in as data every time the light emitting array l moves by 10 pm. This data is divided into a light-emitting part and a non-light-emitting part depending on the positional relationship between the slit 4 and the imaging surface 6 at the time of data acquisition, and each part is formed by a plurality of pieces of data. A plurality of pieces of data (if the dot size is 50 pm, five or six pieces of data) of the light emitting part are combined to form the light intensity of one dot.

即ち、ドツトの結像サイズより狭い幅のスリットを通過
した光を幾つか加算して1ドツトの光量とするものであ
る。
That is, the amount of light for one dot is obtained by adding together several pieces of light that have passed through a slit whose width is narrower than the image size of the dot.

発明が解決しようとする課題 第2の従来例の場合、対物レンズ2と発光アレイlとの
相対移動における送りむらによって生ずる誤差を解消で
きない。また、精度を上げようとしてスリット幅をさら
に狭くすると、フォトセンサ5で受光する光量が低下し
、これも逆に測定精度を悪くする一因となる。データ処
理の負担も大きい。
Problems to be Solved by the Invention In the case of the second conventional example, it is not possible to eliminate errors caused by uneven feeding in the relative movement of the objective lens 2 and the light emitting array l. Further, if the slit width is further narrowed in an attempt to improve accuracy, the amount of light received by the photosensor 5 decreases, which also becomes a cause of worsening measurement accuracy. The burden of data processing is also large.

一方、第1の従来例の場合、移動速度Vに対して4・v
/bなる時間毎にデータを取込むものである。よって、
データ処理の負担はあるものの、両端にマーカとなる一
対の非発光ドツトを発光アレイ上に設ける等の対処によ
り、第2の従来例のものよりも負担を軽減して、高精度
な測定が可能である。しかし、第1の従来例の条件によ
ると、例えばドツトサイズaがa=20pmのように変
化した場合や、ドツトピッチbが変化した場合、或いは
移動速度Vに送りむらがある場合、発光ドツトがスリッ
トによりけられてしまうこともあり、特定の1ドツトの
光強度値を高精度に測定できないこともある。
On the other hand, in the case of the first conventional example, 4·v for the moving speed V
/b data is taken in every time. Therefore,
Although there is a data processing burden, measures such as providing a pair of non-luminous dots on the light-emitting array that serve as markers at both ends reduce the burden compared to the second conventional example, making it possible to perform highly accurate measurements. It is. However, according to the conditions of the first conventional example, for example, if the dot size a changes such that a = 20 pm, if the dot pitch b changes, or if there is unevenness in the moving speed V, the light-emitting dots will not move due to the slit. In some cases, the light intensity value of a particular dot cannot be measured with high accuracy.

このようなことから、第6図に示すような測定装置が本
出願人により特願平1−157963号として提案され
ている。これは、対物レンズ2を透過した光の一部を偏
向させる偏向ミラー7をスリット形成部材3近傍に45
°傾けて設け、その反射光を別のフォトセンサ8で検出
し、取込みタイミングを得て、これに同期させて本来の
フォトセンサ5のデータを取込むようにしたものである
For this reason, a measuring device as shown in FIG. 6 has been proposed by the present applicant in Japanese Patent Application No. 1-157963. This means that a deflection mirror 7 that deflects a part of the light transmitted through the objective lens 2 is placed near the slit forming member 3 at 45.
The photo sensor 5 is installed at an angle of 1.degree., and the reflected light is detected by another photosensor 8 to obtain the capture timing, and data from the original photosensor 5 is captured in synchronization with this timing.

ここに、例えば、対物レンズ2の倍率mは1倍、スリッ
ト4の幅Cは60)+m、ドツトサイズaは50pm、
ドツト間サイズは34.6μm、移動速度■は5 cm
 / sとされている。
Here, for example, the magnification m of the objective lens 2 is 1, the width C of the slit 4 is 60)+m, the dot size a is 50 pm,
The dot-to-dot size is 34.6 μm, and the moving speed is 5 cm.
/s.

このような構成において、発光アレイ2の光強度分布測
定時には、発光アレイ1は図中左方向に移動する。例え
ば、第7図に示すようにドツト1dの結像面6dを形成
する光の一部が偏向ミラー7に入射したとき、この光は
偏向ミラー7により反射されてフォトセンサ8に入射し
その光強度が検出される。その後、発光アレイ1がさら
に移動し、第8図に示すように、結像面6dが相対的に
右方向に移動して結像面6e、6d間の部分(即ち、ド
ツトld、le間の非発光部分の結像)が偏向ミラー7
に位置する状態となる。この時、偏向ミラー7及びフォ
トセンサ8には光がまったく入射せず、結像面6dを形
成する光のすべてがフォトセンサ5に入射する。従って
、フォトセンサ8の検出値がOとなった時、各ドツトは
フォトセンサ5の検出値をデータとして取込む際の適正
位置にあることになる。
In such a configuration, when measuring the light intensity distribution of the light emitting array 2, the light emitting array 1 moves to the left in the figure. For example, as shown in FIG. 7, when a part of the light forming the imaging surface 6d of the dot 1d is incident on the deflection mirror 7, this light is reflected by the deflection mirror 7 and enters the photosensor 8, and the light is reflected by the deflection mirror 7. Intensity is detected. Thereafter, the light emitting array 1 further moves, and as shown in FIG. (image formation of the non-emitting part) is the deflection mirror 7
The state will be located at . At this time, no light enters the deflection mirror 7 or the photosensor 8, and all of the light forming the imaging plane 6d enters the photosensor 5. Therefore, when the detected value of the photosensor 8 becomes O, each dot is at an appropriate position when the detected value of the photosensor 5 is taken in as data.

このような適正位置からのドツトのずれの許容範囲は、
ドツトサイズとドツト間サイズとにより決まり、上記提
案例では±5μmとなる。ここに、発光アレイ1の移動
速度が5CITl/Sであるため、フォトセンサ5の検
出値をデータとして取込む測定タイミングのずれの許容
範囲は±10011Sとなる。従って、外部機器等によ
って、フォトセンサ8の検出値が急激に減少した瞬間か
ら100ps後に測定タイミングを設定すれば、各ドツ
トの光強度の正確な値が得られる。
The allowable range for the dot deviation from the proper position is:
It is determined by the dot size and the size between dots, and in the above proposed example, it is ±5 μm. Here, since the moving speed of the light emitting array 1 is 5CITl/S, the allowable range of the deviation in the measurement timing for taking in the detection value of the photosensor 5 as data is ±10011S. Therefore, if the measurement timing is set using an external device or the like 100 ps after the moment when the detection value of the photosensor 8 suddenly decreases, accurate values of the light intensity of each dot can be obtained.

この提案方式によれば、測定タイミングのずれが小さい
ため、高精度な測定が可能となる。しかし、偏向ミラー
7等を含む光学系の設計や、機械加工が難しく、コスト
高となる一方、この結果として現実には測定精度が低く
なってしまう可能性がある。
According to this proposed method, since the deviation in measurement timing is small, highly accurate measurement is possible. However, the design and machining of the optical system including the deflection mirror 7 and the like are difficult and costly, and as a result, measurement accuracy may actually be lowered.

課題を解決するための手段 多数の発光素子ドツトを配列させた発光アレイに対向さ
せて対物レンズを設け、この対物レンズによる前記発光
アレイの結像面付近にスリットを持つスリット形成部材
を設け、前記スリットを通過した光の光路上にフォトセ
ンサを設け、前記対物レンズ、スリット形成部材及びフ
ォトセンサと前記発光アレイとを相対移動させるように
した発光アレイの光強度分布測定装置において、前記発
光アレイの各ドツトサイズをa、ドツト配列ピッチをb
、スリット幅をc、前記対物レンズの倍率をmとし、b
≧c / m≧aなる関係を満たし、かつ、前記発光ア
レイと前記対物レンズとを相対速度Vで移動させたとき
にこの相対速度■に対する送りむらのずれ量の最大値を
Xとしたとき、請求項1記載の発明では、n≧b/ (
(c/m)−a−2X}≧Oなる関係を満たす整数nに
ついて、b / n vなる時間間隔で前記フォトセン
サのデータを取込む制御手段を設け、請求項2記載の発
明では、b / n vなる時間間隔で前記フォトセン
サのデータを取込む際に、n≧b/{(c/m)a−2
x}≧Oなる関係を満たす整数nがない場合、スリット
の大きさをc = m bとして、前記フォトセンサの
データを取込む制御手段を設けた。
Means for Solving the Problems An objective lens is provided facing a light emitting array in which a large number of light emitting element dots are arranged, and a slit forming member having a slit is provided near the image formation plane of the light emitting array by the objective lens. A light intensity distribution measuring device for a light emitting array, wherein a photosensor is provided on the optical path of the light passing through the slit, and the objective lens, the slit forming member, the photosensor, and the light emitting array are moved relative to each other. Each dot size is a, dot arrangement pitch is b
, the slit width is c, the magnification of the objective lens is m, and b
When the relationship ≧c/m≧a is satisfied, and when the light emitting array and the objective lens are moved at a relative speed V, the maximum value of the deviation amount of uneven feeding with respect to this relative speed ■ is defined as X, In the invention according to claim 1, n≧b/(
(c/m)-a-2X}≧O for an integer n satisfying the relationship: b/nv; / n v When capturing data from the photosensor at time intervals, n≧b/{(c/m)a-2
If there is no integer n that satisfies the relationship:

作用 請求項1記載の発明によれば、発光アレイの測定ドツト
の結像が常にスリットによりけられないような位置にあ
るときにフォトセンサのデータを取込むようにタイミン
グ制御しているので、偏向部材や別個のフォトセンサ等
を用いることなく、発光アレイのドツトサイズ、ドツト
ピッチ、相対移動速度のむら等の影響を受けない高精度
な光強度測定が可能となる。
According to the invention described in claim 1, the timing is controlled so that data from the photosensor is taken in when the image of the measurement dot of the light emitting array is always at a position where it is not obstructed by the slit. It is possible to measure light intensity with high precision without using any members or separate photosensors, and which is not affected by the dot size, dot pitch, unevenness of relative movement speed, etc. of the light emitting array.

また、請求項2記載の発明によれば、発光アレイの測定
ドツトの結像がスリットによりけられるような条件、即
ち、十分に大きなnの値をとれない場合であっても、ス
リット幅が後続する隣のドツトの結像がスリット内に入
り込む大きさに最適化されているので、けられた分を同
等に補償でき、高精度な測定が可能となる。
Further, according to the second aspect of the invention, even under conditions where the image of the measurement dot of the light emitting array is obstructed by the slit, that is, when a sufficiently large value of n cannot be obtained, the width of the slit is Since the image of the adjacent dot is optimized to fit within the slit, the eclipse can be equally compensated for, making highly accurate measurement possible.

実施例 請求項1記載の発明の一実施例を第1図ないし第3図に
基づいて説明する。第5図で示した部分と同一部分は同
一符号を用いて示す。第1図は第5図等に準じて測定装
置の位置関係を模式的に示したもので、発光アレイ1の
ドツトサイズをa、ドツトピッチをbとする。対物レン
ズ2の倍率はm倍であり、例えばドツト1b〜1dの結
像面における結像6b〜6dが示される。このような結
像面にスリット幅Cのスリット4を有するスリット形成
部材3が設けられ、その背後にフォトセンサ5が設けら
れている。
Embodiment An embodiment of the invention set forth in claim 1 will be described with reference to FIGS. 1 to 3. The same parts as those shown in FIG. 5 are indicated using the same reference numerals. FIG. 1 schematically shows the positional relationship of the measuring devices according to FIG. 5, etc., and the dot size of the light emitting array 1 is a, and the dot pitch is b. The magnification of the objective lens 2 is m times, and for example, images 6b to 6d of the dots 1b to 1d are shown on the imaging plane. A slit forming member 3 having a slit 4 having a slit width C is provided on such an imaging plane, and a photosensor 5 is provided behind it.

このような構成で、対物レンズ2(スリット4及び対物
レンズ5を含む)と発光アレイ1とを相対的に等速度V
で移動させる。例えば、第1図において、対物レンズ2
に対してステージにより発光アレイ1を右方向に速度V
で移動させると、結像面付近では発光ドツトICの結像
6Cが左方向に速度mvで移動し、一定時間後にはスリ
ット4の中心に次の結像6bが来るようになる。第2図
はフォトセンサ5側から見たこの時の様子を示すもので
ある。
With such a configuration, the objective lens 2 (including the slit 4 and the objective lens 5) and the light emitting array 1 are moved at a relatively constant velocity V.
to move it. For example, in FIG. 1, the objective lens 2
, the light emitting array 1 is moved to the right by the stage at a speed V
When the image 6C of the light emitting dot IC is moved to the left in the vicinity of the imaging plane at a speed mv, the next image 6b comes to be at the center of the slit 4 after a certain period of time. FIG. 2 shows the state at this time as seen from the photosensor 5 side.

ここに、移動速度Vには実際にはむらがある。Here, the moving speed V is actually uneven.

いま、このむらを一定時間後の予想位置と実際位置との
ずれで示し、その最大値をXとする。フォトセンサ5に
はフォトセンサ5の検出データを一定の間隔で取込ませ
るようにタイミング制御する制御手段9が接続されてい
る。
Now, this unevenness is expressed as a deviation between the predicted position and the actual position after a certain period of time, and the maximum value thereof is assumed to be X. A control means 9 is connected to the photosensor 5 for timing control so that the detection data of the photosensor 5 is taken in at regular intervals.

いま、結像面付近を拡大して示すと第3図のようになる
。ここでは、結像6b、6c、6dがスリット4に対し
て垂直的に同図(a)(b)(c)で示す位置関係にあ
ると考える。すると、同図(a)に示すようにスリット
4の中央に結像6cがある時にフォトセンサ5のデータ
を取込むのが理想的であり、この時のずれ量dをd=o
とする。もっとも、同図(b)に示すようにずれ量d=
d、だけ右にずれた状態でデータを取込んだとしても、
スリット4によるけられはなく、結像6cの光量すべて
をスリット後方に取込むことができる。しかし、同図(
c)に示すようにずれ量d=d、も右にずれた状態でデ
ータを取込むと、結像6cの右端側がスリット4により
(d 、 −(c −m a ) / 2 )なる長さ
分だけけられてしまい、測定精度が落ちる。
Now, when the vicinity of the image plane is enlarged, it becomes as shown in Fig. 3. Here, it is assumed that the images 6b, 6c, and 6d are perpendicular to the slit 4 in the positional relationship shown in FIGS. Then, it is ideal to capture the data of the photosensor 5 when the image 6c is at the center of the slit 4, as shown in FIG.
shall be. However, as shown in the same figure (b), the amount of deviation d=
Even if the data is acquired with a shift to the right by d,
There is no vignetting due to the slit 4, and the entire amount of light from the image 6c can be captured behind the slit. However, the same figure (
As shown in c), when data is captured with the deviation amount d = d shifted to the right, the right end side of the image formation 6c becomes a length of (d, -(c - m a ) / 2) due to the slit 4. As a result, the accuracy of measurement decreases.

このため、フォトセンサ5のデータを取込むタイミング
でのドツトのずれ量としては、常に、d、= (c−m
a)/2以下にすることが、高精度なデータを得るため
に必要である。
Therefore, the amount of dot shift at the timing of capturing data from the photosensor 5 is always d, = (c-m
a) It is necessary to set it to less than /2 in order to obtain highly accurate data.

一方、データの取込みタイミングは速度むらによる位置
ずれmXを含んだ等速移動mvに依存して一定時間を毎
に取込むことにより、Q = m v /lの長さずつ
、スリット4と結像6との位置関係を変化させて取込む
ものとする。このとき、息の値は隣合うドツトでずれ量
Oになることが望ましいことから、9=mb/n(nは
整数)となる値がよい。このQ = m b / nに
対して相対速度mvで移動する時間は、t = Q /
 m v = (m b / n )/ m v = 
b / n vとなり、設定したnに対して時間b /
 n v毎にフォトセンサ5のデータを取込むように制
御手段9により制御すればよい。
On the other hand, the data acquisition timing depends on the uniform velocity movement mv including the positional deviation mX due to speed unevenness, and by acquiring data at fixed time intervals, the slit 4 and the image are formed by the length of Q = m v /l. It is assumed that the positional relationship with 6 is changed and captured. At this time, since it is desirable that the breath value be a deviation amount O between adjacent dots, a value of 9=mb/n (n is an integer) is preferable. The time to move at relative velocity mv with respect to this Q = m b / n is t = Q /
m v = (m b / n ) / m v =
b / n v, and the time b / n for the set n
The control means 9 may control to capture data from the photosensor 5 every nv.

ここで、与えられた発光アレイ1のドツトサイズa、ト
ッドピッチb、移動速度V、移動速度ムラによる位置ず
れXを考えると、データ取込み時のすれ量の最大d M
AXは位置ずれの最大値(結像面における)mxと連続
してデータを取込むときの移動i m b / nの半
分との和となり、dMAX”mx+(mb/2n)とな
る。これが、上述したようにdい。≦d1 であれば精
度が上がるので、m x + (m b / 2 n 
)≦(c−ma)/2なる関係を満たすようにする。こ
れを、nについて計算すると、n≧b/ ((c/m)
−a−2x)となる。ただし、b≧C≧a、x≦(c−
ma)/2である。上式を満足するようにn及びbの値
を設定すれば、発光アレイlの各ドツトの光強度分布を
高精度に測定できる。nは一般的に上式を満たす限り、
できるだけ小さくしたほうが取込みデータの処理が容易
となる。
Here, considering the given dot size a, tod pitch b, moving speed V, and positional deviation X due to uneven moving speed of the light emitting array 1, the maximum amount of deviation d M during data acquisition is
AX is the sum of the maximum positional deviation mx (on the imaging plane) and half of the movement i m b / n when continuously acquiring data, and becomes dMAX"mx + (mb/2n). This is As mentioned above, it is d.If ≦d1, the accuracy increases, so m x + (m b / 2 n
)≦(c-ma)/2. Calculating this for n, n≧b/ ((c/m)
-a-2x). However, b≧C≧a, x≦(c-
ma)/2. By setting the values of n and b so as to satisfy the above equation, the light intensity distribution of each dot of the light emitting array I can be measured with high precision. As long as n generally satisfies the above formula,
It is easier to process the captured data if it is made as small as possible.

具体的数値を用いて説明する。例えば、第1例として、
300dpi  (ピッチb = 84 、6 μm)
でドツトサイズa=501Imなる構造の発光アレイl
とし、送りむらによる位置すれの最大値をx=2μmと
した場合において、m=4の対物レンズ2、幅c=24
0pmのスリット4を用いたとすると、n≧84.6/
 (240/4−5O−2x2)=14.1 となり、n=15として、t=84.’ 6/15vな
る時間間隔でデータを取込むようにすれば高精度に測定
できる。
This will be explained using specific numerical values. For example, as a first example,
300dpi (pitch b = 84, 6 μm)
A light emitting array l having a structure where the dot size a=501 Im
When the maximum value of positional deviation due to uneven feeding is x = 2 μm, objective lens 2 with m = 4, width c = 24
If 0pm slit 4 is used, n≧84.6/
(240/4-5O-2x2)=14.1, n=15, t=84. ' Highly accurate measurement can be achieved by acquiring data at time intervals of 6/15v.

また、第2例として、400dpi(ピッチb=63.
5μm)でドツトサイズa=40μmなる構造の発光ア
レイ1の場合であっても、上記と同一光学系のまま、 n≧63.5/ (240/4−40−2X2)=3.
92 となるので、n=4として、t=63.5/4vの時間
間隔でデータを取込むようにすれば高精度に測定できる
Also, as a second example, 400dpi (pitch b=63.
Even in the case of the light emitting array 1 having a structure in which the dot size a=40 μm and the dot size a=40 μm, n≧63.5/(240/4−40−2X2)=3.
92. Therefore, high precision measurement can be achieved by setting n=4 and acquiring data at time intervals of t=63.5/4v.

さらに、第3例として、第1例のように300dpi 
なる構造の発光アレイ1を用いた場合において、幅c=
300pmのスリット4を用いたとすると、 n≧84.6/ (300/4−5O−2X2)4.0
3 となり、n=5として、t=84,615vなる時間間
隔でデータを取込むようにすれば高精度に測定できる。
Furthermore, as a third example, 300 dpi as in the first example.
When using the light emitting array 1 having the structure, the width c=
If 300 pm slit 4 is used, n≧84.6/ (300/4-5O-2X2)4.0
3, and by setting n=5 and acquiring data at time intervals of t=84,615v, highly accurate measurement can be achieved.

つまり、スリット幅を240μmから300μmにする
だけで、第1例に対して、3倍の時間間隔、即ち、1/
3のデータ量で高精度な測定が可能となる。
In other words, by simply increasing the slit width from 240 μm to 300 μm, the time interval is tripled compared to the first example, that is, 1/
Highly accurate measurement is possible with a data amount of 3.

つづいて、請求項2記載の発明の一実施例を第4図によ
り説明する。データ処理の負担から、n≧b/ ((c
/m)−a−2x) を満たすn、cの組合せがないときは、c=mb、かつ
、最大のn、即ち、 1≦n≦b/ ((c/m)−a−2x)=b、/ (
b−a−2X) なる関係を満たす整数nとすることにより、特定ドツト
の光強度については精度が低下するものの、全体的な光
強度分布状態を知るには十分な精度にて測定できる。
Next, an embodiment of the invention according to claim 2 will be described with reference to FIG. Due to the burden of data processing, n≧b/ ((c
/m)-a-2x) If there is no combination of n and c that satisfies c=mb and the maximum n, that is, 1≦n≦b/ ((c/m)-a-2x)= b, / (
By setting n to an integer that satisfies the relationship ba-a-2X), although the accuracy of the light intensity of a specific dot decreases, it is possible to measure it with sufficient accuracy to know the overall light intensity distribution state.

これは、第4図(a)(b)(c)に示すように結像6
cがスリット4からずれていき、同図(C)に示すよう
に、dお)(c−ma)/2のときに、結像6Cの右端
部分6c’はスリット4によりけられてしまうが、c=
mbのため、次の結像6dの右端部分6d’がスリット
4内に入ってくるため、両部会6c’、6d’の差引き
光量骨だけが精度低下するだけであり、c (m bの
場合(第3図(C)の場合)に比して、その測定精度は
高いものとなる。いま、ずれ量をd、とじ、結像6Cの
ドツト光量に対する結像6dのドツト光量の比をαとす
ると、このときの測定精度Sは a+b−2d   2d、−b+a))、]X100’
/。
This results in the image formation 6 as shown in FIGS.
c shifts from the slit 4, and as shown in the same figure (C), when do)(c-ma)/2, the right end portion 6c' of the image 6C is eclipsed by the slit 4. ,c=
Because of mb, the right end portion 6d' of the next image 6d enters the slit 4, so only the subtraction light quantity bone of both sections 6c' and 6d' decreases in accuracy, and c (m b) The measurement accuracy is higher than that in the case shown in FIG. Assuming α, the measurement accuracy S at this time is a+b-2d 2d, -b+a)),]X100'
/.

5−(((’)+α(2a a として表すことができる。5-(((')+α(2a a It can be expressed as

発明の効果 本発明は、上述したように発光アレイのドツトサイズ、
ドツトピッチ、対物レンズと発光アレイとの相対移動に
おける送りむらに対して、請求項1記載の発明では発光
アレイの測定ドツトの結像が常にスリットによりけられ
ない位置にあるときにデータを取込むようにタイミング
を設定し、請求項2記載発明では、スリットにけられる
関係にあっても後続隣接ドツトの結像に着目してこの後
続隣接ドツトの結像の一部がスリット内に入ることによ
りけられ分を補償するようにスリットの幅を設定したの
で、基本構造のままなる簡単な構造にして高精度な光強
度分布の測定が可能となるものである。
Effects of the Invention As described above, the present invention has the advantage of reducing the dot size of the light emitting array,
In order to deal with irregularities in feeding due to the dot pitch and the relative movement between the objective lens and the light emitting array, the invention according to claim 1 allows data to be acquired when the image of the measurement dot on the light emitting array is always at a position that cannot be obstructed by the slit. In the invention as claimed in claim 2, even if the dot is excluded by the slit, focusing on the image formation of the subsequent adjacent dot, a part of the image of the subsequent adjacent dot enters the slit, thereby making it possible to Since the width of the slit is set so as to compensate for the deviation, it is possible to measure the light intensity distribution with high precision using a simple structure that remains the same as the basic structure.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は請求項1記載の発明の一実施例を示す縦断側面
図、第2図はその一部の平面図、第3図はスリット付近
の位置関係の一例を拡大して示す縦断側面図、第4図は
請求項2記載の発明の一実施例のスリット付近の位置関
係の一例を拡大して示す縦断側面図、第5図は従来例を
示す縦断側面図、第6図は本出願人既提案例を示す縦断
側面図、第7図及び第8図はその動作を説明するために
結像面付近を拡大して示す縦断側面図である。 l・・・発光アレイ、1a−xlf・・・ドツト、2・
・・対物レンズ、3・・・スリット形成部材、4・・・
スリット、5・・・フォトセンサ、9・・・制御手段3
 」 図 出 願 人   株式会社   リ コ、la 」e 3 罎 4図 bd′ 6c′ Σ
FIG. 1 is a vertical side view showing an embodiment of the invention as claimed in claim 1, FIG. 2 is a partial plan view thereof, and FIG. 3 is a vertical side view showing an enlarged example of the positional relationship near the slit. , FIG. 4 is an enlarged longitudinal sectional side view showing an example of the positional relationship near the slit of an embodiment of the invention as claimed in claim 2, FIG. 5 is a longitudinal sectional side view showing a conventional example, and FIG. FIGS. 7 and 8 are vertical side views showing an example proposed by a person. FIGS. 7 and 8 are vertical side views showing an enlarged view of the vicinity of the imaging plane in order to explain its operation. l...Light emitting array, 1a-xlf...Dot, 2.
...Objective lens, 3...Slit forming member, 4...
Slit, 5... Photo sensor, 9... Control means 3
” Figure applicant Rico Co., Ltd. la ”e 3 Figure 4 bd'6c' Σ

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、多数の発光素子ドットを配列させた発光アレイに対
向させて対物レンズを設け、この対物レンズによる前記
発光アレイの結像面付近にスリットを持つスリット形成
部材を設け、前記スリットを通過した光の光路上にフォ
トセンサを設け、前記対物レンズ、スリット形成部材及
びフォトセンサと前記発光アレイとを相対移動させるよ
うにした発光アレイの光強度分布測定装置において、前
記発光アレイの各ドットサイズをa、ドット配列ピッチ
をb、スリット幅をc、前記対物レンズの倍率をmとし
、b≧c/m≧aなる関係を満たし、かつ、前記発光ア
レイと前記対物レンズとを相対速度vで移動させたとき
にこの相対速度vに対する送りむらのずれ量の最大値を
xとしたとき、n≧b/{(c/m)−a−2x}≧0 なる関係を満たす整数nについて、b/nvなる時間間
隔で前記フォトセンサのデータを取込む制御手段を設け
たことを特徴とする発光アレイの光強度分布測定装置。 2、多数の発光素子ドットを配列させた発光アレイに対
向させて対物レンズを設け、この対物レンズによる前記
発光アレイの結像面付近にスリットを持つスリット形成
部材を設け、前記スリットを通過した光の光路上にフォ
トセンサを設け、前記対物レンズ、スリット形成部材及
びフォトセンサと前記発光アレイとを相対移動させるよ
うにした発光アレイの光強度分布測定装置において、前
記発光アレイの各ドットサイズをa、ドット配列ピッチ
をb、スリット幅をc、前記対物レンズの倍率をmとし
、b≧c/m≧aなる関係を満たし、かつ、前記発光ア
レイと前記対物レンズとを相対速度vで移動させたとき
にこの相対速度vに対する送りむらのずれ量の最大値を
xとしたとき、b/nvなる時間間隔で前記フォトセン
サのデータを取込む際に、 n≧b/{(c/m)−a−2x}≧0 なる関係を満たす整数nがない場合、スリットの大きさ
をc=mbとして前記フォトセンサのデータを取込む制
御手段を設けたことを特徴とする発光アレイの光強度分
布測定装置。
[Scope of Claims] 1. An objective lens is provided opposite to a light emitting array in which a large number of light emitting element dots are arranged, and a slit forming member having a slit is provided near the image formation plane of the light emitting array by the objective lens, A light intensity distribution measuring device for a light emitting array, wherein a photosensor is provided on the optical path of the light passing through the slit, and the objective lens, the slit forming member, the photosensor, and the light emitting array are moved relative to each other. where each dot size is a, the dot arrangement pitch is b, the slit width is c, and the magnification of the objective lens is m, the relationship b≧c/m≧a is satisfied, and the light emitting array and the objective lens are An integer that satisfies the relationship n≧b/{(c/m)-a-2x}≧0, where x is the maximum deviation amount of uneven feeding with respect to relative speed v when moving at relative speed v A light intensity distribution measuring device for a light emitting array, characterized in that a control means is provided for acquiring data from the photosensor at time intervals of b/nv for n. 2. An objective lens is provided to face a light emitting array in which a large number of light emitting element dots are arranged, and a slit forming member having a slit is provided near the image formation plane of the light emitting array by the objective lens, and light passing through the slit is provided. In a light intensity distribution measuring device for a light emitting array, a photo sensor is provided on an optical path of the light emitting array, and the objective lens, the slit forming member, the photosensor, and the light emitting array are moved relative to each other. , the dot array pitch is b, the slit width is c, and the magnification of the objective lens is m, satisfying the relationship b≧c/m≧a, and moving the light emitting array and the objective lens at a relative speed v. When the maximum value of the deviation amount of uneven feeding with respect to this relative speed v is x, when data from the photosensor is acquired at a time interval of b/nv, n≧b/{(c/m) -a-2x}≧0 If there is no integer n that satisfies the relationship, the light intensity distribution of the light emitting array is characterized in that a control means is provided to take in data from the photosensor by setting the size of the slit to c=mb. measuring device.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004356632A (en) * 2003-05-28 2004-12-16 Asml Netherlands Bv Lithographic equipment, calibration method and device manufacturing method
JP2020106285A (en) * 2018-12-26 2020-07-09 パナソニックIpマネジメント株式会社 Light source measurement device

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JP2020106285A (en) * 2018-12-26 2020-07-09 パナソニックIpマネジメント株式会社 Light source measurement device
US11456572B2 (en) 2018-12-26 2022-09-27 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Light source measurement apparatus

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