JPH03245583A - Narrow band oscillation excimer laser - Google Patents

Narrow band oscillation excimer laser

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Publication number
JPH03245583A
JPH03245583A JP4275990A JP4275990A JPH03245583A JP H03245583 A JPH03245583 A JP H03245583A JP 4275990 A JP4275990 A JP 4275990A JP 4275990 A JP4275990 A JP 4275990A JP H03245583 A JPH03245583 A JP H03245583A
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JP
Japan
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etalon
polarized light
mirror
light
excimer laser
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JP4275990A
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Japanese (ja)
Inventor
Osamu Wakabayashi
理 若林
Masahiko Kowaka
雅彦 小若
Yukio Kobayashi
小林 諭樹夫
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Komatsu Ltd
Original Assignee
Komatsu Ltd
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Publication date
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Publication of JPH03245583A publication Critical patent/JPH03245583A/en
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Abstract

PURPOSE:To obtain laser rays of required wavelength from the beginning of a first pulse by a method wherein a means which enables a reference light to pass, a means which detects a transmitted light, and a means which controls the variable elements of the transmitted light are provided to the center of an etalon. CONSTITUTION:A wavelength selection element etalon 15 is placed between a window 11 of a laser chamber 10 and a rear mirror 13, and light is projected onto the center of the element etalon 15 from a reference light source 16 making a prescribed angle with a laser optical axis OA. The light source 16 generates light rays which make the transmitted light maximal in intensity when the transmitted laser rays of the etalon are long as prescribed in wavelength. The wavelength of a reference light is determined basing on the required wavelength of the output laser ray and the angle which laser rays make with the optical axis OA. The etalon transmitted reference light is detected by a sensor 17, the detection output is added to a CPU 18, and the etalon 15 is controlled by a driver 19 to vary the etalon transmitted light in wavelength so as to make the detection output of the sensor 17 maximal. Concretely, one out of the angle of the etalon with an optical axis, a pressure inside an air gap, and a gap between mirror faces is controlled. By this constitution, the etalon transmitted laser ray is controlled to be always constant in wavelength, so that laser rays stable in wavelength can be obtained including a first pulse at the beginning of oscillation.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は狭帯域発振エキシマレーザに関し、特に縮小
投影露光装置の光源として用いるに適したものに関する
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a narrowband oscillation excimer laser, and particularly to one suitable for use as a light source for a reduction projection exposure apparatus.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

半導体装置製造用の縮小投影露光装置の光源としてエキ
シマレーザの利用が注目されている。
The use of excimer lasers as light sources for reduction projection exposure apparatuses for manufacturing semiconductor devices is attracting attention.

これはエキシマレーザの波長が短い(K r Fレーザ
の波長は約248.4rv)ことから光露光の限界を0
.5μm以下に延ばせる可能性があること、同じ解像度
なら従来用いていた水銀ランプのg線やi線に比較して
し焦点深度が深いこと、レンズの開口数(NA)が小さ
くてずみ、露光領域を大きくできること、大きなパワー
が得られること等の多くの優れた利点が期待できるから
である。
This is because the wavelength of the excimer laser is short (the wavelength of the KrF laser is approximately 248.4rv), so the limit of optical exposure can be reduced to 0.
.. 5 μm or less, the depth of focus is deeper than the G-line and I-line of conventional mercury lamps for the same resolution, and the numerical aperture (NA) of the lens is small, making it possible to reduce the exposure area. This is because many excellent advantages can be expected, such as the ability to increase the size of the engine and the ability to obtain large amounts of power.

しかしながら、エキシマレーザの波長は248゜35n
Imと短いため、この波長を透過する材料が石英、Ca
F2およびMgF2等しかなく、実際は均一性および加
工精度等の点でレンズ素材として石英しか用いることが
できないため、色収差補正をした縮小投影レンズの設計
が困難であり、このため、この色収差が無視しうる程度
まで、エキシマレーザの狭帯域化が必要となる。
However, the wavelength of excimer laser is 248°35n
Im is short, so materials that transmit this wavelength are quartz and Ca.
There are only F2, MgF2, etc., and in reality, only quartz can be used as a lens material in terms of uniformity and processing precision, so it is difficult to design a reduction projection lens that corrects chromatic aberration. It is necessary to narrow the band of the excimer laser to the extent that

エキシマレーザの狭帯域化の技術としては波長選択素子
であるエタロンを用いたものかある。
One technique for narrowing the band of excimer lasers is to use an etalon, which is a wavelength selection element.

第8図は、エタロンを用いて構成した狭帯域発振エキシ
マレーザの従来例を示したものである。
FIG. 8 shows a conventional example of a narrow band oscillation excimer laser constructed using an etalon.

この狭帯域発振エキシマレーザは、レーザチャンバ1の
後側に配置された狭帯域化ユニット2によって狭帯域化
が図られている。狭帯域化ユニット2はエタロンおよび
リアミラーを有して構成されている。レーザチャンバ1
から出力されるレーザ光の一部はビームスプリッタ3て
波長検出装置4に導かれ、ここで出力レーザ光の波長が
検出される。波長検出装置4の検出波長は中央演算制御
装置(CPU)5に加えられ、CPU5はこの検出波長
にもとづき狭帯域化ユニット2のエタロンの選択波長を
フィードバック制御することにより所望の狭帯域化波長
を得ている。
This narrowband oscillation excimer laser has a narrowband unit 2 disposed on the rear side of the laser chamber 1 to narrow the band. The band narrowing unit 2 includes an etalon and a rear mirror. Laser chamber 1
A part of the laser light outputted from the laser beam is guided through a beam splitter 3 to a wavelength detection device 4, where the wavelength of the output laser light is detected. The detected wavelength of the wavelength detection device 4 is applied to a central processing control unit (CPU) 5, and the CPU 5 feedback-controls the selected wavelength of the etalon of the band narrowing unit 2 based on this detected wavelength to obtain a desired band narrowing wavelength. It has gained.

ところで、エキシマレーザはパルス発振レーザであり、
しかもバーストモードて発振させたり、また、レチクル
およびウェハの交換時にはある程度の時間発振を停止さ
せなければならない。ところが、第8図に示すようにレ
ーザの出力波長を検出してから波長をフィードバック制
御する方法では、上述したようにした場合、発振停止か
ら発振を開始する場合の少なくとも1パルス1」の波長
は設定波長から大きく異なったものとなった。
By the way, an excimer laser is a pulsed laser,
Moreover, the oscillation must be performed in burst mode, or the oscillation must be stopped for a certain period of time when exchanging reticles and wafers. However, in the method of feedback controlling the wavelength after detecting the output wavelength of the laser as shown in FIG. The wavelength was significantly different from the one set.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

このように発振波長をフィードバック制御する従来の狭
帯域発振エキシマレーザにおいては、発振再開時におけ
る1バルスロの波長安定性に問題があり、発振、停止を
繰り返す使用のされかたをする半導体露光装置の光源と
して用いる場合にはこの点を改良しなければならなかっ
た。
Conventional narrow-band oscillation excimer lasers that feedback control the oscillation wavelength have a problem with the wavelength stability of one pulse-throttle when oscillation is resumed. This point had to be improved when used as a light source.

そこで、この発明の目的は波長安定性に優れた狭帯域発
振エキシマレーザを提供することにあり、特に一定時間
発振を停止し、その後発振を再開した場合でも1パルス
]]から所望の波長のレーザ光が得られるようにした狭
帯域発振エキシマレーザを提1%することにある。
Therefore, the purpose of the present invention is to provide a narrowband oscillation excimer laser with excellent wavelength stability, and in particular, even when oscillation is stopped for a certain period of time and then oscillation is restarted, a laser beam of a desired wavelength can be generated from one pulse]. The objective is to provide a narrow band oscillation excimer laser that can emit light by 1%.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

」−記目的を達成するためこの発明によれば、共振器中
にエタロンを配置した狭帯域発振エキシマレーザにおい
て、前記エタロンの中心部に基準光を透過させる手段と
、前記エタロンを透過した基準光を検出する検出手段と
、前記検出手段の検出出力に対応して前記エタロンの透
過波長可変要素を制御する制御手段とを具備(7て構成
される。
According to the present invention, in a narrow band oscillation excimer laser in which an etalon is disposed in a resonator, there is provided a means for transmitting a reference light into the center of the etalon, and a means for transmitting a reference light through the center of the etalon. and a control means for controlling a transmission wavelength variable element of the etalon in response to the detection output of the detection means.

[作 用] 共振器中に配置したエタロンの中心部に基準光を透過さ
せ、この透過基準光からエタロンの波長選択特性を直接
検出し、この検出出力にもとづきエタロンの透過波長可
変要素、例えば、エタロンの光軸に対する角度、エアギ
ャップ内の圧力、鏡面間隔のうちの少なくとも1つを制
御する。これによって、発振停止中においても常にエタ
ロンンの透過波長が制御されることになり、一定時間発
振の停止後、再び発振を再開した場合でも1パルス目か
・ら所望の波長のレーザ光が得られる。
[Function] A reference light is transmitted through the center of an etalon placed in a resonator, the wavelength selection characteristics of the etalon are directly detected from this transmitted reference light, and based on this detection output, the transmission wavelength variable element of the etalon, e.g. At least one of the angle of the etalon with respect to the optical axis, the pressure in the air gap, and the mirror spacing is controlled. As a result, the transmission wavelength of the etalon is always controlled even when oscillation is stopped, and even if oscillation is restarted after oscillation has stopped for a certain period of time, laser light of the desired wavelength can be obtained from the first pulse. .

〔実施例〕〔Example〕

以下、この発明の一実施例を添付図面を参照して詳細に
説明する。
Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

第1図はこの発明の狭帯域発振エキシマレーザの一実施
例を示したものである。この実施例において、ウィンド
11.12を有するレーザチャンバ10を挾んで配設さ
れたりアミラー13およびフロントミラー14によって
光共振器を構成しており、レーザチャンバ10のウィン
ド11とリアミラー13の間に波長選択素子であるエタ
ロン15が配置される。このエタロン15の中心部付近
には、レーザの光軸OAと所定の角度をもって基準光源
16から基準光が投射される。ここで、基準光源16は
、エタロン15のレーザ光に対する透過波長が所望の波
長になったとき基準光の透過光の光強度が最大となるよ
うな波長の光を発生するものを用いる。この基準光の波
長は、出力レーザ光の所望の波長およびレーザの光軸O
Aに対するノλ準光の角度が解れば決定することができ
る。
FIG. 1 shows an embodiment of a narrow band oscillation excimer laser according to the present invention. In this embodiment, an optical resonator is configured by a mirror 13 and a front mirror 14, which are arranged sandwiching a laser chamber 10 having windows 11 and 12, and a wavelength An etalon 15, which is a selection element, is arranged. A reference light source 16 projects reference light near the center of the etalon 15 at a predetermined angle with respect to the optical axis OA of the laser. Here, the reference light source 16 is one that generates light of a wavelength such that the light intensity of the transmitted light of the reference light becomes maximum when the transmitted wavelength of the laser light of the etalon 15 reaches a desired wavelength. The wavelength of this reference light is the desired wavelength of the output laser light and the optical axis O of the laser.
It can be determined if the angle of the λ quasi-light with respect to A is known.

エタロンを透過した基準光は光センサ17で受信する。The reference light transmitted through the etalon is received by the optical sensor 17.

この光センサ17としてはフォトダイオードなどの光強
度センサを用いる。光センサ17の検出出力は中央演算
制御装置(CPU)18に加えられる。CPU18は光
センサ17の検出出力が最大となるようにエタロンドラ
イバ19を介してエタロン15の透過波長を制御する。
As this optical sensor 17, a light intensity sensor such as a photodiode is used. The detection output of the optical sensor 17 is applied to a central processing control unit (CPU) 18. The CPU 18 controls the transmission wavelength of the etalon 15 via the etalon driver 19 so that the detection output of the optical sensor 17 is maximized.

エタロンドライバ19によるエタロン15の透過波長の
制御は、具体的にはエタロン15の透過波長可変要素、
例えば、エタロン15の光軸に対する角度、エアギャッ
プ内の圧力、鏡面間隔のうちの少なくとも1つを制御す
ることにより行われる。
Specifically, the control of the transmission wavelength of the etalon 15 by the etalon driver 19 includes the transmission wavelength variable element of the etalon 15,
For example, this is done by controlling at least one of the angle of the etalon 15 with respect to the optical axis, the pressure within the air gap, and the distance between mirror surfaces.

このような構成によるとエタロン15の透過波長を、レ
ーザが発振中にあるか否かにかかわらず常に一定に制御
しているので、レーザ発振開始時における1パルス目に
おいてもにおいても、安定した波長の出力レーザ光を得
ることができる。
With this configuration, the transmission wavelength of the etalon 15 is always controlled to be constant regardless of whether the laser is oscillating or not, so the wavelength remains stable even during the first pulse at the start of laser oscillation. output laser light can be obtained.

第2図は、この発明の他の実施例を示したものである。FIG. 2 shows another embodiment of the invention.

この実施例においては、エタロン15を透過した基準光
をレンズ20によって集光することによって干渉縞を発
生させ、この干渉縞にもとづいてをエタロン15の透過
波長を制御するように構成したものである。基準光源1
6からレーザの光軸OAと所定の角度をもって投射され
た基準光は、エタロン15を通り、レンズ20によって
集光され、干渉縞が生成される。この干渉縞は光センサ
21によって検出される。ここで、光センサ21として
は干渉縞の位置およびその強度が検出てきる1次元また
は2次元の光位置センサ、例えばフォトダイオードアレ
イまたPSDなどを用いることができる。光センサ21
の検出出力は中央演算制御装置(CPU)22に加えら
れる。CPU22は光センサ21の検出出力にもとづき
エタロンドライバ23を介してエタロン15の透過波長
を制御する。この場合、CPU22は光センサ21が所
望の位置に干渉縞を検出できるようにエタロン15の透
過波長可変要素を制御する。
In this embodiment, the reference light transmitted through the etalon 15 is condensed by the lens 20 to generate interference fringes, and the transmission wavelength of the etalon 15 is controlled based on the interference fringes. . Reference light source 1
The reference light projected from 6 at a predetermined angle with respect to the optical axis OA of the laser passes through the etalon 15 and is focused by the lens 20 to generate interference fringes. This interference fringe is detected by the optical sensor 21. Here, as the optical sensor 21, a one-dimensional or two-dimensional optical position sensor that can detect the position and intensity of interference fringes, such as a photodiode array or PSD, can be used. Optical sensor 21
The detected output is applied to a central processing control unit (CPU) 22. The CPU 22 controls the transmission wavelength of the etalon 15 via the etalon driver 23 based on the detection output of the optical sensor 21. In this case, the CPU 22 controls the transmission wavelength variable element of the etalon 15 so that the optical sensor 21 can detect interference fringes at a desired position.

なお、この実施例において、干渉縞が発生する所望の位
置にスリットとこのスリットを通過した光の強度を検出
する光強度センサを配設し、この光強度センサの出力が
最大となるようにエタロン15の透過波長を制御しても
よい。
In this example, a slit and a light intensity sensor for detecting the intensity of light passing through the slit are arranged at desired positions where interference fringes occur, and the etalon is set so that the output of this light intensity sensor is maximized. 15 transmission wavelengths may be controlled.

また、基準光源16の光量が少ない場合には、基塗光源
16とエタロン15との間に凸レンズを配設するように
構成してもよい。
Further, when the amount of light from the reference light source 16 is small, a convex lens may be disposed between the base coating light source 16 and the etalon 15.

第3図は、この発明の更に他の実施例を示したものであ
る。この実施例はレーザ光共振器内にP偏光のみを選択
的に透過させる偏光素子を配置し、エタロンにはこのP
偏光のみを通過させ、これによってレーザ光の光軸と基
準光の光軸とを一致させることができるようにしたもの
である。第3図において、レーザチャンバ10の光軸上
に、この光軸と45°の角度て、P偏光全反射S偏光透
過ミラー31が配置され、このP偏光全反射S偏光透過
ミラー31とレーザチャンバ10のウィンド11との間
にP偏光のみを透過させる偏光素子30が配置される。
FIG. 3 shows still another embodiment of the invention. In this embodiment, a polarizing element that selectively transmits only P-polarized light is placed inside the laser beam resonator, and the etalon is equipped with a polarizing element that selectively transmits only P-polarized light.
This allows only polarized light to pass through, thereby making it possible to align the optical axis of the laser beam with the optical axis of the reference light. In FIG. 3, a P-polarized light total reflection S-polarized light transmission mirror 31 is arranged on the optical axis of the laser chamber 10 at an angle of 45 degrees with this optical axis. A polarizing element 30 that transmits only P-polarized light is arranged between the windows 11 of 10 and 10.

また、P偏光全反射S偏光透過ミラー31の反射光の光
軸上にエタロン15が配置され、更に、この先軸と45
@の角度で、P偏光全反射S偏光透過ミラー32が配置
され、P偏光全反射S偏光透過ミラー32の反射光の光
軸上にリアミラー13が配置される。また、P偏光全反
射S偏光透過ミラー31の反射光の光軸上でエタロン1
5の配置側の反対側に基準光源16が配置され、P偏光
全反射S偏光透過ミラー32の透過光を受光する位置、
すなわちP偏光全反射S偏光透過ミラー31の反射光の
光軸上にレンズ33および光センサ34が配置される。
Further, an etalon 15 is arranged on the optical axis of the reflected light of the P-polarized light total reflection S-polarized light transmission mirror 31,
A P-polarized light total reflection S-polarized light transmission mirror 32 is arranged at an angle of @, and a rear mirror 13 is arranged on the optical axis of the reflected light of the P-polarized light total reflection S-polarized light transmission mirror 32. Furthermore, the etalon 1
A reference light source 16 is disposed on the opposite side to the side where No. 5 is disposed, and a position where it receives the transmitted light of the P-polarized light total reflection S-polarized light transmission mirror 32,
That is, the lens 33 and the optical sensor 34 are arranged on the optical axis of the reflected light of the P-polarized light total reflection and S-polarized light transmission mirror 31.

光センサ34の検出出力は中央演算制御装置(CPU)
35に加えられる。CPU35は光センサ34の検出出
力にもとづきエタロンドライバ36を介して光センサ3
4が所望の位置に干渉縞を検出するようにエタロン15
の透過波長可変要素を制御する。
The detection output of the optical sensor 34 is detected by the central processing control unit (CPU).
Added to 35. Based on the detection output of the optical sensor 34, the CPU 35 sends the optical sensor 3 via the etalon driver 36.
4 detects the interference fringes at the desired position.
control the transmission wavelength variable element.

かかる構成においてこのレーザ発振器は、リアミラー1
3とフロントミラー14との間で、P偏光で発振する。
In this configuration, this laser oscillator is connected to the rear mirror 1.
3 and the front mirror 14, the P-polarized light oscillates.

また基準光源から投射される基準光は、P偏光全反射S
偏光透過ミラー31てS偏光のみが選択され、エタロン
15、P偏光全反射S偏光透過ミラー32を通って光セ
ンサ34で受信される。ここでP偏光全反射S偏光透過
ミラー3]とP偏光全反射S偏光透過ミラー32との間
でレーザ光の光軸と基準光の光軸とが一致するが、ここ
におけるレーザ光はP偏光であり、基準光はS偏光であ
るので両者が干渉することはない。
In addition, the reference light projected from the reference light source is P-polarized total reflection S
Only the S-polarized light is selected by the polarization transmission mirror 31, passes through the etalon 15, the P-polarization total reflection S-polarization transmission mirror 32, and is received by the optical sensor 34. Here, the optical axis of the laser beam and the optical axis of the reference light match between the P-polarized light total reflection S-polarized light transmission mirror 3] and the P-polarized light total reflection S-polarized light transmission mirror 32, but the laser light here is P-polarized light. Since the reference light is S-polarized light, there is no interference between the two.

この実施例によると、レーザ光の光軸と基準光の光軸と
を一致させることができ、高精度にエタロン15の透過
波長を制御することがてきる。
According to this embodiment, the optical axis of the laser beam and the optical axis of the reference light can be made to coincide, and the transmission wavelength of the etalon 15 can be controlled with high precision.

なお、上記実施例では偏光素子30としてP偏光のみを
透過させるものを用いたが、これをS偏光のみを透過さ
せるものに置き換え、P偏光全反射S偏光透過ミラー3
1および32をS偏光全反射pb光透過ミラーにそれぞ
れ置き換えるように構成してもよい。
In the above embodiment, a polarizing element 30 that transmits only P-polarized light was used, but this was replaced with one that transmitted only S-polarized light, and the S-polarized light transmitting mirror 3 was used to completely reflect P-polarized light.
1 and 32 may be replaced with S-polarized total reflection PB light transmission mirrors, respectively.

第4図は、この発明の更に他の実施例を示したものであ
る。この実施例においてはエタロンを2枚用い、それぞ
れのエタロンに対して別々の基準光を透過させ、これに
よって2枚のエタロンの透過波長を別々に制御するよう
に構成している。この実施例においては、レーザチャン
バ10の光軸上に、この光軸と45″の角度で、P偏光
全反射S偏光透過ミラー31が配置され、このP偏光全
反射S偏光透過ミラー31とレーザチャンバ10のウィ
ンド11との間にP偏光のみを透過させる偏光素子30
が配置される。また、P偏光全反射S偏光透過ミラー3
1の反射光の光軸上に第1のエタロン15が配置され、
更にこの先軸と45@の角度で、P偏光全反射S偏光透
過ミラー41が配置され、このP偏光全反射S偏光透過
ミラー41の反射光の光軸上に第2のエタロン42が配
置され、更にこのP偏光全反射S偏光透過ミラー41の
反射光の光軸と45°の角度て、P偏光全反射S偏光透
過ミラー43が配置され、P偏光全反射S偏光透過ミラ
ー43の反射光の光軸上にリアミラー13が配置される
FIG. 4 shows still another embodiment of the invention. In this embodiment, two etalons are used, different reference lights are transmitted through each etalon, and the transmission wavelengths of the two etalons are thereby controlled separately. In this embodiment, a P-polarized light total reflection S-polarized light transmission mirror 31 is arranged on the optical axis of the laser chamber 10 at an angle of 45'' with this optical axis. A polarizing element 30 that transmits only P-polarized light between it and the window 11 of the chamber 10
is placed. In addition, P-polarized light total reflection S-polarized light transmission mirror 3
A first etalon 15 is arranged on the optical axis of the first reflected light,
Furthermore, a P-polarized light total reflection S-polarized light transmission mirror 41 is arranged at an angle of 45@ with respect to this forward axis, and a second etalon 42 is arranged on the optical axis of the reflected light of this P-polarized light total reflection S-polarized light transmission mirror 41. Furthermore, a P-polarized light total reflection S-polarized light transmission mirror 43 is arranged at an angle of 45 degrees with the optical axis of the reflected light of the P-polarized light total reflection S-polarized light transmission mirror 41. A rear mirror 13 is arranged on the optical axis.

また、P偏光全反射S偏光透過ミラー31の反射光の光
軸上で第1のエタロン15の配置側の反対側に第1の基
準光源16が配置され、P偏光全反射S偏光透過ミラー
41の透過光を受光する位置、すなわちP偏光全反射S
偏光透過ミラー31の反射光の光軸上にレンズ33およ
び第1の光センサ34が配置される。
Further, a first reference light source 16 is disposed on the optical axis of the reflected light from the P-polarized total reflection S-polarized light transmission mirror 31 on the opposite side to the side on which the first etalon 15 is arranged, and the P-polarized total reflection S-polarized light transmission mirror 41 The position where the transmitted light is received, that is, the total reflection of P-polarized light S
A lens 33 and a first optical sensor 34 are arranged on the optical axis of the reflected light from the polarized light transmitting mirror 31.

また、P偏光全反射S偏光透過ミラー41の反射光の光
軸上で第2のエタロン42の配置側の反対側に第2の基
準光源40が配置され、P偏光全反射S偏光透過ミラー
43の透過光を受光する位置、すなわちP偏光全反射S
偏光透過ミラー41の反射光の光軸上にレンズ44およ
び第2の光センサ45が配置される。
Further, a second reference light source 40 is arranged on the optical axis of the reflected light from the P-polarized total reflection S-polarized light transmission mirror 41 on the opposite side to the side where the second etalon 42 is disposed. The position where the transmitted light is received, that is, the total reflection of P-polarized light S
A lens 44 and a second optical sensor 45 are arranged on the optical axis of the light reflected by the polarized light transmitting mirror 41.

光センサ34および45の検出出力は中央演算制御装置
(CPU)46に加えられる。CPU46は光センサ3
4および45の検出出力にもとづきエタロンドライバ4
7および48を介して光センサ34.45がそれぞれ所
望の位置に干渉縞を検出するように第1のエタロン15
および第2のエタロン42の透過波長可変要素をそれぞ
れ制御する。
The detection outputs of optical sensors 34 and 45 are applied to a central processing control unit (CPU) 46. The CPU 46 is the optical sensor 3
Etalon driver 4 based on the detection outputs of 4 and 45.
The first etalon 15 is arranged such that the optical sensors 34 and 45 detect interference fringes at desired positions via the optical sensors 7 and 48, respectively.
and the transmission wavelength variable element of the second etalon 42, respectively.

このような構成によると、第1および第2の基準光の光
軸をそれぞれレーザ光の光軸と一致させることができる
ので、高精度で波長の制御を行うことができ、また、2
枚のエタロンの透過波長を當に一致させるように制御す
ることができるので、従来必要であった2枚のエタロン
の透過波長の重ね合わせ制御が不要となる。
According to such a configuration, the optical axes of the first and second reference lights can be aligned with the optical axes of the laser beams, so the wavelength can be controlled with high precision, and
Since the transmission wavelengths of the two etalons can be controlled so as to match, there is no need to control the overlapping of the transmission wavelengths of the two etalons, which was conventionally necessary.

この実施例においても、偏光素子30としてS偏光のみ
を透過させるものに置き換え、P偏光全反射S偏光透過
ミラー31.41および43をS偏光全反射P偏光透過
ミラーにそれぞれ置き換えるように構成してもよい。
In this embodiment as well, the polarizing element 30 is replaced with one that transmits only S-polarized light, and the S-polarized light-transmitting mirrors 31, 41 and 43 are replaced with P-polarized light-transmitting mirrors that totally reflect S-polarized light. Good too.

第5図は、この発明の更に他の実施例を示したものであ
る。この実施例においてはP偏光のみを選択的に透過さ
せると共にビームエキスバンド機能を有するプリズムを
光共振型中の配置して構成される。この実施例において
も2枚のエタロンが用いられ、1枚のエタロンには基準
光が投射されてその透過光から透過波長の制御がなされ
、他のエタロンは出力レーザ光によってフィードバック
制御さ゛れる。第5図において、光共振型中に配置され
るプリズム50にはその一面にP偏光のみを選択的に透
過させるコーティング50aがなされている。プリズム
50の屈折光の光軸上には第1のエタロン15が配置さ
れ、更に、この光軸と45°の角度で、P偏光全反射S
偏光透過ミラー41か配置され、このP偏光全反射S4
−光透過ミラー41の反射光の光軸上に第2のエタロン
42が配置され、更にこのP偏光全反射S偏光透過ミラ
ー41の反射光の光軸と45°の角度で、P偏光全反射
S偏光透過ミラー43が配置され、P偏光全反射S偏光
透過ミラー43の反射光の光軸上にリアミラー13が配
置される。
FIG. 5 shows still another embodiment of the invention. In this embodiment, a prism that selectively transmits only P-polarized light and has a beam expansion function is arranged in an optical resonant type. In this embodiment as well, two etalons are used; a reference light is projected onto one etalon, and the transmitted wavelength is controlled based on the transmitted light, while the other etalon is feedback-controlled by the output laser light. In FIG. 5, a prism 50 disposed in an optical resonant type has a coating 50a on one surface that selectively transmits only P-polarized light. The first etalon 15 is arranged on the optical axis of the refracted light of the prism 50, and furthermore, at an angle of 45° with this optical axis, the P-polarized light is totally reflected S.
A polarized light transmitting mirror 41 is arranged, and this P polarized light is totally reflected S4.
- A second etalon 42 is arranged on the optical axis of the reflected light from the light transmitting mirror 41, and furthermore, at an angle of 45 degrees with the optical axis of the reflected light of the S polarized light transmitting mirror 41, the P polarized light is totally reflected. An S-polarized light transmitting mirror 43 is disposed, and a rear mirror 13 is disposed on the optical axis of the reflected light of the P-polarized light totally reflected S-polarized light transmitting mirror 43.

また、P偏光全反射S偏光透過ミラー43の反射光の光
軸上で第2のエタロン42の配置側の反対側に第2の基
準光源40および干渉フィルタ55か配置され、P偏光
全反射S偏光透過ミラー41の基準光の透過光を受光す
る位置、すなわちP偏光全反射S偏光透過ミラー43の
反射光の光軸上にレンズ44および光センサ45が配置
される。
In addition, a second reference light source 40 and an interference filter 55 are arranged on the optical axis of the reflected light from the S-polarized light transmitting mirror 43 for total reflection of P-polarized light, on the opposite side to the side on which the second etalon 42 is disposed. A lens 44 and an optical sensor 45 are arranged at a position where the transmitted light of the reference light of the polarized light transmitting mirror 41 is received, that is, on the optical axis of the reflected light of the P polarized light total reflection S polarized light transmitting mirror 43 .

フロントミラー14から出力されるレーザ光の一部は、
ビームスプリッタ52て分離され、波長検出器53に導
かれ、出力レーザ光の波長が検出される。波長検出装置
53の検出波長は中央演算1;り御装置(CPU)54
に加えられ、CPU54はこの検出波長にもとづきエタ
ロンドライバ47を介して第1のエタロンの透過波長を
所望の波長と一致するように制御する。
A part of the laser beam output from the front mirror 14 is
The output laser beam is separated by a beam splitter 52 and guided to a wavelength detector 53, where the wavelength of the output laser beam is detected. The detection wavelength of the wavelength detection device 53 is determined by the central processing unit 1; control device (CPU) 54.
Based on this detected wavelength, the CPU 54 controls the transmission wavelength of the first etalon to match the desired wavelength via the etalon driver 47.

また、光センサ45の検出出力は中央演算制御装置(C
PU)51に加えられる。CPU51は光センサ45の
検出出力にもとづき、エタロンドライバ48を介して、
光センサ45が所望の位置に干渉縞を検出するように、
第2のエタロン42の透過波長可変要素を制御する。
Furthermore, the detection output of the optical sensor 45 is output from the central processing control unit (C
PU) added to 51. Based on the detection output of the optical sensor 45, the CPU 51 uses the etalon driver 48 to
so that the optical sensor 45 detects interference fringes at a desired position.
The transmission wavelength variable element of the second etalon 42 is controlled.

上記実施例において、第1のエタロン15は、その透過
波長幅が第2のエタロン42よりも狭いものが用いられ
る。したがって、この実施例のレーザ装置の発振波長は
第1のエタロン15の透過波長によって決定される。そ
こで、上記実施例においては第2のエタロン42はその
透過基準光を検出する光センサ45の出力に基づき制御
し、第1のエタロン15は実際の出力レーザ光をサンブ
プングして制御するようにしている。この場合節1のエ
タロン15と第2のエタロン42とは別々の制御系で制
御されることになり、また第1のエタロン15と第2の
エタロン42との透過波長の重ね合わせ制御は不要とな
るので、波長制御及びr41力制御を高速化することが
できる。
In the embodiments described above, the first etalon 15 used has a transmission wavelength width narrower than that of the second etalon 42. Therefore, the oscillation wavelength of the laser device of this embodiment is determined by the transmission wavelength of the first etalon 15. Therefore, in the above embodiment, the second etalon 42 is controlled based on the output of the optical sensor 45 that detects the transmitted reference light, and the first etalon 15 is controlled by sampling the actual output laser light. There is. In this case, the etalon 15 in node 1 and the second etalon 42 are controlled by separate control systems, and there is no need to control the overlapping of the transmission wavelengths of the first etalon 15 and the second etalon 42. Therefore, it is possible to speed up wavelength control and r41 force control.

また、この実施例においては、ビームエキスバンド機能
を有するプリズムを用いているので、第1および第2の
エタロン15.42を通過するレーザ光のエネルギー密
度は低くなり、これによってエタロン〕5.42の寿命
を伸ばすことができる。
In addition, in this embodiment, since a prism having a beam expansion function is used, the energy density of the laser beam passing through the first and second etalons 15.42 is lowered, so that the energy density of the laser beam passing through the first and second etalons 15.42 is lowered. can extend the lifespan of

更に、上記構成において、基準光源としては低圧水銀ラ
ンプを用いることができ、干渉フィルタ55としては水
銀ランプの発振線25B、7nmのみを選択的に透過さ
せるものを用いることができる。この場合、基準光の波
長はKrFエキシマレーザの波長248.4nmと非常
に近いため、エタロンの反射膜のコーティングは従来の
ままでよい。
Furthermore, in the above configuration, a low-pressure mercury lamp can be used as the reference light source, and a filter that selectively transmits only the 7 nm oscillation line 25B of the mercury lamp can be used as the interference filter 55. In this case, since the wavelength of the reference light is very close to the wavelength of 248.4 nm of the KrF excimer laser, the coating of the reflective film of the etalon may be left as is.

第6図は、この発明の更に他の実施例を示したものであ
る。この実施例においては、レーザチャンバ10の光軸
上に第1の工゛タロン15を配置すると共に、この光軸
と45@の角度で、P偏光全反射S偏光透過ミラー60
およびS偏光全反射P偏光透過ミラー61を並列に配設
し、このP偏光全反射S偏光透過ミラー60およびS偏
光全反射P偏光透過ミラー61の反射光の光軸上に第2
のエタロン42を配置する。また、この第2のエタロン
42の2つの透過光の光軸上に、これら光軸と45°の
角度で、P偏光全反射S偏光透過ミラー62およびS偏
光全反射P (a光透過ミラー63を並列に配設し、P
偏光全反射S偏光透過ミラー62およびS偏光全反射P
偏光透過ミラー63の反射光の光軸上にリアミラー13
が配置される。
FIG. 6 shows still another embodiment of the invention. In this embodiment, the first talon 15 is arranged on the optical axis of the laser chamber 10, and the P-polarized light total reflection S-polarized light transmission mirror 60 is placed at an angle of 45@ with this optical axis.
and S-polarized light total reflection P-polarized light transmission mirror 61 are arranged in parallel, and a second
etalon 42 is arranged. Also, on the optical axis of the two transmitted lights of this second etalon 42, at an angle of 45 degrees with these optical axes, there is a P-polarized light total reflection S-polarized light transmission mirror 62 and an S-polarized light total reflection P (a light transmission mirror 63). are arranged in parallel, P
Polarized light total reflection S polarized light transmission mirror 62 and S polarized light total reflection P
The rear mirror 13 is placed on the optical axis of the reflected light from the polarized light transmitting mirror 63.
is placed.

また、P偏光全反射′S偏光透過ミラー60およびS偏
光全反射P偏光透過ミラー61の反射光の光軸上でエタ
ロン42の配置側の反対側に基準光源40および干渉フ
ィルタ55が配置され、P偏光全反射S偏光透過ミラー
62およびS偏光全反射P偏光透過ミラー63の透過光
を受光する位置、すなわちP偏光全反射S偏光透過ミラ
ー60およびS偏光全反射P偏光透過ミラー61の反射
光の光軸上にレンズ44および光センサ45が配置され
る。
Further, a reference light source 40 and an interference filter 55 are arranged on the optical axis of the reflected light from the P-polarized total reflection 'S-polarized light transmission mirror 60 and the S-polarized total reflection P-polarized light transmission mirror 61 on the opposite side to the side where the etalon 42 is arranged. Positions that receive the transmitted light of the P-polarized light total reflection S-polarized light transmission mirror 62 and the S-polarized light total reflection P-polarized light transmission mirror 63, that is, the reflected light of the P-polarized light total reflection S-polarized light transmission mirror 60 and the S-polarized light total reflection P-polarized light transmission mirror 61 A lens 44 and a photosensor 45 are arranged on the optical axis of.

フロントミラー14から出力されるレーザ光の一部は、
ビームスプリッタ52で分離され、波長検出器53に導
かれ、出力レーザ光の波長が検出される。波長検出装置
53の検出波長は中央演算制御装置(CPU)54に加
えられ、CPU54はこの検出波長にもとづきエタロン
ドライバ47を介して第1のエタロン15の透過波長を
所望の波長と一致するように制御する。
A part of the laser beam output from the front mirror 14 is
The output laser beam is separated by a beam splitter 52, guided to a wavelength detector 53, and the wavelength of the output laser beam is detected. The detected wavelength of the wavelength detection device 53 is applied to a central processing control unit (CPU) 54, and based on this detected wavelength, the CPU 54 adjusts the transmission wavelength of the first etalon 15 to match the desired wavelength via the etalon driver 47. Control.

また、光センサ45の検…出力は中央演算制御装置(C
PU)51に加えられる。CPU51は光センサ45の
検出出力にもとづき、エタロンドライバ48を介して、
光センサ45が所望の位置に干渉縞を検出するように、
第2のエタロン42の透過波長可変要素を制御する。
In addition, the detection output of the optical sensor 45 is output from the central processing control unit (C
PU) added to 51. Based on the detection output of the optical sensor 45, the CPU 51 uses the etalon driver 48 to
so that the optical sensor 45 detects interference fringes at a desired position.
The transmission wavelength variable element of the second etalon 42 is controlled.

上記実施例によると、P偏光とS偏光の両光が光共振器
内で増幅されるため、より効率の高い発振が可能となる
According to the above embodiment, since both the P-polarized light and the S-polarized light are amplified within the optical resonator, more efficient oscillation is possible.

なお、上記実施例では、このレーザ装置の発振波長を決
定する第1のエタロン15は、外部の波長検出器53を
用いて制御しているが、P偏光全反射S偏光透過ミラー
およびS偏光全反射P偏光透過ミラーを用いて再度光路
を折り曲げることにより第2のエタロン42と同様に制
御することも可能である。
In the above embodiment, the first etalon 15, which determines the oscillation wavelength of this laser device, is controlled using an external wavelength detector 53. It is also possible to perform the same control as the second etalon 42 by bending the optical path again using a reflective P-polarized light transmitting mirror.

第7図は、この発明の更に他の実施例を示したものであ
る。この実施例においては1つのエタロンと1つのグレ
ーティングを用いて構成される。
FIG. 7 shows still another embodiment of the invention. This embodiment is configured using one etalon and one grating.

この実施例においてはグレーティングによる選択波長幅
はエタロンの透過波長幅よりも広く、はとんどその選択
波長は変化しないためグレーティングの制御は行わない
。エタロンの制御のみ行う。
In this embodiment, the selection wavelength width by the grating is wider than the transmission wavelength width of the etalon, and since the selection wavelength hardly changes, the grating is not controlled. Only controls the etalon.

第7図において、光共振型中に配置されるプリズム50
にはその一面にP偏光のみを選択的に透過させるコーテ
ィング50aがなされている。プリズム50の屈折光の
光軸上にこの先軸と45″の角度で、P偏光全反射S偏
光透過ミラー41が配置され、このP偏光全反射S偏光
透過ミラー41の反射光の光軸上にエタロン42が配置
され、更にこのP偏光全反射si光透過ミラー41の反
射光の光軸と45°の角度で、P偏光全反射S偏光透過
ミラー43が配置され、P偏光全反射S偏光透過ミラー
43の反射光の光軸上にグレーティング70が配置され
る。
In FIG. 7, a prism 50 arranged in an optical resonant type
A coating 50a that selectively transmits only P-polarized light is provided on one surface of the lens. A P-polarized light total reflection S-polarized light transmission mirror 41 is arranged on the optical axis of the refracted light of the prism 50 at an angle of 45'' with the front axis. An etalon 42 is arranged, and furthermore, a P-polarized light-total-reflection S-polarized-light transmission mirror 43 is arranged at an angle of 45 degrees with the optical axis of the reflected light of this P-polarized light total reflection Si light transmission mirror 41, and a P-polarized light-total reflection S-polarized light transmission mirror 43 is arranged. A grating 70 is arranged on the optical axis of the reflected light from the mirror 43.

また、P偏光全反射S偏光透過ミラー43の反射光の光
軸上で、エタロン42の配置側の反対側に第2の基準光
源40および干渉フィルタ55が配置され、P偏光全反
射S偏光透過ミラー41の基準光の透過光を受光する位
置、すなわちP偏光全反射S偏光透過ミラー43の反射
光の光軸上にレンズ44および光センサ45が配置され
る。
Further, on the optical axis of the reflected light of the P-polarized light total reflection S-polarized light transmission mirror 43, a second reference light source 40 and an interference filter 55 are arranged on the opposite side of the etalon 42, and the P-polarized light total reflection S-polarized light transmission A lens 44 and an optical sensor 45 are arranged at a position where the transmitted light of the reference light of the mirror 41 is received, that is, on the optical axis of the reflected light of the P-polarized light total reflection and S-polarized light transmission mirror 43 .

また、光センサ45の検出出力は中央演算制御装置(C
PU)51に加えられる。CPU51は光センサ45の
検出出力にもとづき、エタロンドライバ48を介して光
センサ45が、それぞれ所望の位置に干渉縞を検出する
ように、エタロン42の透過波長可変要素を制御する。
Furthermore, the detection output of the optical sensor 45 is output from the central processing control unit (C
PU) added to 51. Based on the detection output of the optical sensor 45, the CPU 51 controls the transmission wavelength variable element of the etalon 42 so that the optical sensor 45 detects interference fringes at desired positions via the etalon driver 48.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図はこの発明の一実施例を示す説明図、第2図はこ
の発明の他の実施例を示す説明図、第3図はP偏光、S
偏光を用いたこの発明の他の実施例を示す説明図、第4
図は2このエタロンを用いたこの発明の他に実施例を示
す説明図、第5図はプリズムを用いたこの発明の他の実
施例を示す説明図、第6図はP偏光およびS偏光の両光
を増幅するこの発明の他の実施例を示す説明図、第7図
はグレーティングを用いたこの発明の他の実施例を示す
説明図、第8図は従来例を示す説明図である。 1.10・・・レーザチャンバ、11.12・・・ウィ
ンド、13・・・リアミラー 14・・・フロントミラ
ー15.42・・・エタロン、16.40・・・基準光
源、17.21.34.45・・・光センサ、18.2
2.35.46.51.54・・・CPU、19.23
.36.47.48・・・エタロンドライバ、2o13
3.44・・・レンズ、30・・・偏光素子、31.3
2.41.43.60.62−P偏光全反射S偏光透過
ミラー 50・・・プリズム、61.63・・・S偏光
全反射P偏光透過ミラー 第3 図
FIG. 1 is an explanatory diagram showing one embodiment of this invention, FIG. 2 is an explanatory diagram showing another embodiment of this invention, and FIG. 3 is an explanatory diagram showing one embodiment of the present invention.
Explanatory diagram showing another embodiment of this invention using polarized light, No. 4
Figure 2 is an explanatory diagram showing an embodiment other than this invention using this etalon, Figure 5 is an explanatory diagram showing another embodiment of the invention using a prism, and Figure 6 is an explanatory diagram showing another embodiment of the invention using this etalon. FIG. 7 is an explanatory diagram showing another embodiment of the invention that amplifies both lights, FIG. 7 is an explanatory diagram showing another embodiment of the invention using a grating, and FIG. 8 is an explanatory diagram showing a conventional example. 1.10...Laser chamber, 11.12...Window, 13...Rear mirror 14...Front mirror 15.42...Etalon, 16.40...Reference light source, 17.21.34 .45...light sensor, 18.2
2.35.46.51.54...CPU, 19.23
.. 36.47.48...Etalon driver, 2o13
3.44... Lens, 30... Polarizing element, 31.3
2.41.43.60.62-P polarized light total reflection S polarized light transmission mirror 50... Prism, 61.63... S polarized light total reflection P polarized light transmission mirror Figure 3

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)共振器中にエタロンを配置した狭帯域発振エキシ
マレーザにおいて、 前記エタロンの中心部に基準光を透過させる手段と、 前記エタロンを透過した基準光を検出する検出手段と、 前記検出手段の検出出力に対応して前記エタロンの透過
波長可変要素を制御する制御手段とを具備した狭帯域発
振エキシマレーザ。
(1) In a narrowband oscillation excimer laser in which an etalon is arranged in a resonator, means for transmitting a reference light into the center of the etalon, a detection means for detecting the reference light transmitted through the etalon, and a detection means for detecting the reference light transmitted through the etalon. A narrow band oscillation excimer laser comprising: control means for controlling a transmission wavelength variable element of the etalon in accordance with a detection output.
(2)前記制御手段は、前記エタロンの光軸に対する角
度、エアギャップ内の圧力、鏡面間隔のうちの少なくと
も1つを制御する請求項(1)記載の狭帯域発振エキシ
マレーザ。
(2) The narrowband oscillation excimer laser according to claim 1, wherein the control means controls at least one of the angle of the etalon with respect to the optical axis, the pressure within the air gap, and the spacing between mirror surfaces.
(3)前記検出手段は、前記エタロンを透過した基準光
の光強度を検出するものであり、 前記制御手段は、前記検出手段の検出光強度が最大とな
るように前記エタロンの透過波長可変要素を制御する請
求項(1)記載の狭帯域発振エキシマレーザ。
(3) The detection means detects the light intensity of the reference light transmitted through the etalon, and the control means controls the transmission wavelength variable element of the etalon so that the detected light intensity of the detection means is maximized. The narrowband oscillation excimer laser according to claim 1, wherein the narrowband oscillation excimer laser controls:
(4)前記検出手段は、前記エタロンを透過した基準光
の干渉縞を検出するものであり、 前記制御手段は、前記検出手段の検出干渉縞の位置に対
応して前記エタロンの透過波長可変要素を制御する請求
項(1)記載の狭帯域発振エキシマレーザ。
(4) The detection means detects interference fringes of the reference light transmitted through the etalon, and the control means controls the transmission wavelength variable element of the etalon in accordance with the position of the interference fringes detected by the detection means. The narrowband oscillation excimer laser according to claim 1, wherein the narrowband oscillation excimer laser controls:
(5)共振器中にエタロンを配置した狭帯域発振エキシ
マレーザにおいて、 前記共振器中に配置されP偏光(またはS偏光)を選択
的に透過させる偏光手段と、 前記エタロンの両側に配置され、P偏光(またはS偏光
)を選択的に反射させ、S偏光(またはP偏光)を選択
的に透過させ、前記共振器中の光軸をそれぞれ折り曲げ
る2枚のミラーと、 前記2枚のミラーの間の光軸に沿って基準光を投射する
ことにより前記エタロンの中心部に前記基準光を透過さ
せる手段と、 前記エタロンおよび前記2枚のミラーを透過した基準光
を検出する検出手段と、 前記検出手段の検出出力に対応して前記エタロンの透過
波長可変要素を制御する制御手段とを具備した狭帯域発
振エキシマレーザ。
(5) In a narrowband oscillation excimer laser in which an etalon is arranged in a resonator, polarizing means is arranged in the resonator and selectively transmits P-polarized light (or S-polarized light), and arranged on both sides of the etalon, two mirrors that selectively reflect P-polarized light (or S-polarized light), selectively transmit S-polarized light (or P-polarized light), and respectively bend optical axes in the resonator; means for transmitting the reference light to the center of the etalon by projecting the reference light along an optical axis between the two mirrors; a detection means for detecting the reference light transmitted through the etalon and the two mirrors; A narrow band oscillation excimer laser comprising: control means for controlling a transmission wavelength variable element of the etalon in response to a detection output of the detection means.
(6)共振器中に複数のエタロンを配置した狭帯域発振
エキシマレーザにおいて、 前記複数のエタロンの内の1つのエタロンの中心部に基
準光を透過させる手段と、 前記エタロンを透過した基準光を検出する第1の検出手
段と、 前記第1の検出手段の検出出力に対応して前記1つのエ
タロンの透過波長可変要素を制御する第1の制御手段と
、 前記共振器から出力されるレーザ光の波長を検出する第
2の検出手段と、 前記第2の検出手段の検出出力に対応して前記複数のエ
タロンのうちの他のエタロンの透過波長可変要素を制御
する第2の制御手段と を具備した狭帯域発振エキシマレーザ。
(6) In a narrowband oscillation excimer laser in which a plurality of etalons are arranged in a resonator, means for transmitting a reference light to the center of one of the plurality of etalons, and a means for transmitting a reference light transmitted through the etalon. a first detection means for detecting; a first control means for controlling a transmission wavelength variable element of the one etalon in response to a detection output of the first detection means; and a laser beam output from the resonator. a second detection means for detecting the wavelength of the second detection means; and a second control means for controlling the transmission wavelength variable element of another etalon among the plurality of etalons in response to the detection output of the second detection means. Equipped with narrow band oscillation excimer laser.
(7)共振器中に複数のエタロンを配置した狭帯域発振
エキシマレーザにおいて、 前記共振器中に配置され、P偏光(またはS偏光)を選
択的に透過させる偏光手段と、 前記複数のエタロンの内の1つのエタロンの両側に配置
され、P偏光(またはS偏光)を選択的に反射させ、S
偏光(またはP偏光)を選択的に透過させ、前記共振器
中の光軸をそれぞれ折り曲げる2枚のミラーと、 前記2枚のミラーの間の光軸に沿って基準光を投射する
ことにより前記1つのエタロンの中心部に前記基準光を
透過させる手段と、 前記1つのエタロンおよび前記2枚のミラーを透過した
基準光を検出する第1の検出手段と、前記第1の検出手
段の検出出力に対応して前記エタロンの透過波長可変要
素を制御する第1の制御手段と、 前記共振器から出力されるレーザ光の波長を検出する第
2の検出手段と、 前記第2の検出手段の検出出力に対応して前記複数のエ
タロンのうちの他のエタロンの透過波長可変要素を制御
する第2の制御手段と を具備した狭帯域発振エキシマレーザ。
(7) In a narrowband oscillation excimer laser in which a plurality of etalons are arranged in a resonator, polarizing means is arranged in the resonator and selectively transmits P-polarized light (or S-polarized light); are arranged on both sides of one etalon in the P-polarized light (or S-polarized light), and
two mirrors that selectively transmit polarized light (or P-polarized light) and bend the optical axis in the resonator; and a reference light is projected along the optical axis between the two mirrors. means for transmitting the reference light through the center of one etalon; first detection means for detecting the reference light transmitted through the one etalon and the two mirrors; and a detection output of the first detection means. a first control means for controlling the transmission wavelength variable element of the etalon in accordance with the above; a second detection means for detecting the wavelength of the laser beam output from the resonator; and a detection means for the second detection means. A narrow band oscillation excimer laser comprising: second control means for controlling a transmission wavelength variable element of another of the plurality of etalons in accordance with the output.
(8)共振器中にエタロンを配置した狭帯域発振エキシ
マレーザにおいて、 前記エタロンの一方側に配置され、P偏光を選択的に反
射させると共にS偏光を選択的に透過させ、前記共振器
中の光軸を折り曲げる第1のミラーと、 前記第1のミラーと並列に配置され、S偏光を選択的に
反射させると共にP偏光を選択的に透過させ、前記共振
器中の光軸を前記第1のミラーと同じ角度で折り曲げる
第2のミラーと、 前記エタロンの他方側に前記第1のミラーと対向して配
置され、P偏光を選択的に反射させると共にS偏光を選
択的に透過させ、前記共振器中の光軸を折り曲げる第3
のミラーと、 前記第3のミラーと並列にかつ前記第2のミラーと対向
して配置され、S偏光を選択的に反射させると共にP偏
光を選択的に透過させ、前記共振器中の光軸を前記第3
のミラーと同じ角度で折り曲げる第4のミラーと、 前記第1および第2のミラーと前記第3および第4のミ
ラーの間の光軸に沿って基準光を投射することにより前
記エタロンの中心部に前記基準光を透過させる手段と、 前記第1および第2のミラー、前記エタロンおよび第3
および第4のミラーを透過した基準光を検出する検出手
段と、 前記検出手段の検出出力に対応して前記エタロンの透過
波長可変要素を制御する制御手段とを具備した狭帯域発
振エキシマレーザ。
(8) In a narrowband oscillation excimer laser in which an etalon is disposed in a resonator, a laser beam disposed on one side of the etalon, selectively reflecting P-polarized light and selectively transmitting S-polarized light, a first mirror that bends the optical axis; arranged in parallel with the first mirror, selectively reflects S-polarized light and selectively transmits P-polarized light, and bends the optical axis in the resonator; a second mirror bent at the same angle as the mirror; and a second mirror disposed on the other side of the etalon to face the first mirror, selectively reflecting P-polarized light and selectively transmitting S-polarized light; The third part bends the optical axis in the resonator.
a mirror disposed in parallel with the third mirror and facing the second mirror, selectively reflecting the S-polarized light and selectively transmitting the P-polarized light, and aligning the optical axis in the resonator. The third
a fourth mirror that is bent at the same angle as the mirror; and a fourth mirror that is bent at the same angle as the mirror of the etalon; means for transmitting the reference light through the first and second mirrors, the etalon and the third mirror;
and a narrowband oscillation excimer laser, comprising: a detection means for detecting reference light transmitted through a fourth mirror; and a control means for controlling a transmission wavelength variable element of the etalon in response to a detection output of the detection means.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020183644A1 (en) * 2019-03-13 2020-09-17 ギガフォトン株式会社 Laser device, and manufacturing method for electronic device

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