JPH03241689A - 振動電界による処理装置 - Google Patents
振動電界による処理装置Info
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- JPH03241689A JPH03241689A JP2037463A JP3746390A JPH03241689A JP H03241689 A JPH03241689 A JP H03241689A JP 2037463 A JP2037463 A JP 2037463A JP 3746390 A JP3746390 A JP 3746390A JP H03241689 A JPH03241689 A JP H03241689A
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Landscapes
- Electric Ovens (AREA)
- Freezing, Cooling And Drying Of Foods (AREA)
- Control Of High-Frequency Heating Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、被処理物に振動電界を作用させて処理する処
理装置に関する。
理装置に関する。
近年、振動電界の作用により被処理物を処理することに
より、種々の目的の処理を達成する技術が注目を浴びて
いる。
より、種々の目的の処理を達成する技術が注目を浴びて
いる。
例えば食品製造の分野においては、水、蛋白質等に振動
電界を作用させることにより、これらの腐敗、酸化等を
防止することが可能である。すなわち、振動電界のエネ
ルギーが、水、蛋白質等に吸収されて、水分子、蛋白質
分子の結合および構造が調整されて強化されるとともに
、分子結合の電気的なアンバランスが矯正され、蛋白質
を保護する構造化した水分子が構成され、これらの結果
、腐敗、酸化等が有効に防止されるものと推定されてい
る。
電界を作用させることにより、これらの腐敗、酸化等を
防止することが可能である。すなわち、振動電界のエネ
ルギーが、水、蛋白質等に吸収されて、水分子、蛋白質
分子の結合および構造が調整されて強化されるとともに
、分子結合の電気的なアンバランスが矯正され、蛋白質
を保護する構造化した水分子が構成され、これらの結果
、腐敗、酸化等が有効に防止されるものと推定されてい
る。
処理装置に組み込まれる振動電界発生装置としては、本
発明者が先に提案した下記の装置が優れている。
発明者が先に提案した下記の装置が優れている。
(1)電源部と、高周波発生部と、昇圧部と、変換部と
を備えてなり、変換部が、抵抗およびコンデンサよりな
る並列インピーダンスとダイオードを1組とする回路(
以下「L字形回路」ともいう。)の複数が縦続接続され
てなる縦続接続回路部と、この縦続接続回路部の後段に
接続された出力コンデンサとからなる構成の振動電界発
生装置(実願平1−12260号明細書参照)。
を備えてなり、変換部が、抵抗およびコンデンサよりな
る並列インピーダンスとダイオードを1組とする回路(
以下「L字形回路」ともいう。)の複数が縦続接続され
てなる縦続接続回路部と、この縦続接続回路部の後段に
接続された出力コンデンサとからなる構成の振動電界発
生装置(実願平1−12260号明細書参照)。
(2)上記(1)の改良技術として、上記の変換部にお
ける並列インピーダンスを構成するコンデンサの容量を
180pF以上2000p F未満に規定した構成の振
動電界発生装置(実願平1−73492号明細書参照〉
。
ける並列インピーダンスを構成するコンデンサの容量を
180pF以上2000p F未満に規定した構成の振
動電界発生装置(実願平1−73492号明細書参照〉
。
(3)入力端子から高周波発生部の前段の回路中に枝線
を伸ばして受光部を接続し、この受光部に光を照射する
ようにした振動電界発生装置(特願平1−252210
号明細書参照)。
を伸ばして受光部を接続し、この受光部に光を照射する
ようにした振動電界発生装置(特願平1−252210
号明細書参照)。
しかし、その後本発明者が実験を重ねたところ、処理効
果の最も大きかった上記(3)の装置においても、いま
だ低く、そのためさらに処理効果の高い装置の開発が必
要とされるに至った。
果の最も大きかった上記(3)の装置においても、いま
だ低く、そのためさらに処理効果の高い装置の開発が必
要とされるに至った。
そこで、本発明者がさらに実験を繰返して鋭意研究を重
ねたところ、上記(3)の装置において、受光部を磁場
中に置くことにより処理効果がさらに向上することを見
出し、本発明を完成するに至った。
ねたところ、上記(3)の装置において、受光部を磁場
中に置くことにより処理効果がさらに向上することを見
出し、本発明を完成するに至った。
本発明は以上の如き事情に基づいてなされたものであっ
て、その目的は、振動電界による処理効果が格段に高い
振動電界による処理装置を提供することにある。
て、その目的は、振動電界による処理効果が格段に高い
振動電界による処理装置を提供することにある。
上記目的を達成するため、本発明に係る振動電界による
処理装置においては、入力端子に続(電源部と、この電
源部の周波数を高周波に変換する高周波発生部と、この
高周波発生部からの高周波を昇圧する昇圧部と、この昇
圧部の出力から直流成分を除去して高周波を取り出す変
換部とからなる振動電界発生装置を備えてなる処理装置
であって、前記入力端子から前記高周波発生部の前段に
至る回路中に枝線の一端を接続し、この枝線の他端に受
光部を接続し、この受光部に光を照射する光源部を設け
るとともに、該受光部を磁場中に置いた構成を採用する
。
処理装置においては、入力端子に続(電源部と、この電
源部の周波数を高周波に変換する高周波発生部と、この
高周波発生部からの高周波を昇圧する昇圧部と、この昇
圧部の出力から直流成分を除去して高周波を取り出す変
換部とからなる振動電界発生装置を備えてなる処理装置
であって、前記入力端子から前記高周波発生部の前段に
至る回路中に枝線の一端を接続し、この枝線の他端に受
光部を接続し、この受光部に光を照射する光源部を設け
るとともに、該受光部を磁場中に置いた構成を採用する
。
4−
〔作用〕
本発明においては、入力端子から高周波発生部の前段に
至る回路中に枝線の一端を接続し、この枝線の他端に受
光部を接続し、この受光部に光を照射する光源部を設け
るとともに、特にこの受光部を磁場中に置くという独特
の構成を採用したので、後述する実施例の説明からも理
解されるように、先に本発明者が提案した装置(1)、
(2)および(3)に比して、振動電界による処理効果
が格段に高くなる。
至る回路中に枝線の一端を接続し、この枝線の他端に受
光部を接続し、この受光部に光を照射する光源部を設け
るとともに、特にこの受光部を磁場中に置くという独特
の構成を採用したので、後述する実施例の説明からも理
解されるように、先に本発明者が提案した装置(1)、
(2)および(3)に比して、振動電界による処理効果
が格段に高くなる。
処理効果が高くなる理由は十分には解明されていないが
、光源部から受光部に光を照射すると、受光部から発生
する電気信号が特に磁場の作用を受け、これが枝線を通
して振動電界に加わり、処理に有効に作用するものと考
えられる。
、光源部から受光部に光を照射すると、受光部から発生
する電気信号が特に磁場の作用を受け、これが枝線を通
して振動電界に加わり、処理に有効に作用するものと考
えられる。
以下、本発明の実施例について説明する。
第1図に示す実施例では、入力端子11.12に続く電
源部10と、この電源部10の周波数を高周波に変換す
る高周波発生部20と、この高周波発生部20からの高
周波を昇圧する昇圧部30と、この昇圧部30の出力か
ら直流成分を除去して高周波を取り出す変換部40とを
備えてなり、入力端子11.12から高周波発生部20
の前段に至る回路中に枝線13の一端が接続され、この
枝線13の他端に磁場(第1図では図示省略)中に置か
れた受光部60が接続され、この受光部60に光を照射
する光源部70が設けられている。
源部10と、この電源部10の周波数を高周波に変換す
る高周波発生部20と、この高周波発生部20からの高
周波を昇圧する昇圧部30と、この昇圧部30の出力か
ら直流成分を除去して高周波を取り出す変換部40とを
備えてなり、入力端子11.12から高周波発生部20
の前段に至る回路中に枝線13の一端が接続され、この
枝線13の他端に磁場(第1図では図示省略)中に置か
れた受光部60が接続され、この受光部60に光を照射
する光源部70が設けられている。
枝線13の接続位置は、入力端子11.12から高周波
発生部20の前段に至る回路中であって、第1図では、
一方の入力端子11と電源部10との間の電源ラインに
接続されている。
発生部20の前段に至る回路中であって、第1図では、
一方の入力端子11と電源部10との間の電源ラインに
接続されている。
受光部60は、例えば、プラチナ、ニッケル、銅、鉄等
の導体、フォトダイオード、フォトトランジスタ等の半
導体からなる。
の導体、フォトダイオード、フォトトランジスタ等の半
導体からなる。
この受光部60は既述のように磁場中に置かれるが、具
体的には、以下に例示するように種々の構成を採用する
ことができる。
体的には、以下に例示するように種々の構成を採用する
ことができる。
第2図(a)、ら)の例では、高さ21mm、幅4.5
mm、長さ25mm程度のフェライト製の一対の板磁石
65゜66が、例えば同じ高さの位置において平行に対
向配置され、その間にすなわち磁場中に受光部60が配
置されている。板磁石65.66の対向面側の磁極は特
に限定されず、N極とS極とが対面してもよい。しかし
、図示のようにN極同士が対面するか、またはS極同士
が対面する方が処理効果は高くなる。また、光源部70
は、磁場中に配置してもよい。
mm、長さ25mm程度のフェライト製の一対の板磁石
65゜66が、例えば同じ高さの位置において平行に対
向配置され、その間にすなわち磁場中に受光部60が配
置されている。板磁石65.66の対向面側の磁極は特
に限定されず、N極とS極とが対面してもよい。しかし
、図示のようにN極同士が対面するか、またはS極同士
が対面する方が処理効果は高くなる。また、光源部70
は、磁場中に配置してもよい。
第3図の例では、1個の板磁石67が受光部60の裏面
側に配置されている。
側に配置されている。
第4図の例では、バイブロ8の外周にコイル69が設け
られ、このバイブロ8の内部に受光部60が配置され、
コイル69が通電されるとバイブロ8内に磁場が形成さ
れる。光源部70は図示のようにバイブロ8内に配置し
てもよいし、バイブロ8の外部に配置してもよい。
られ、このバイブロ8の内部に受光部60が配置され、
コイル69が通電されるとバイブロ8内に磁場が形成さ
れる。光源部70は図示のようにバイブロ8内に配置し
てもよいし、バイブロ8の外部に配置してもよい。
光源部70としては、可視光よりは赤外線もしくは遠赤
外線を効率よく放射するものが好ましい。
外線を効率よく放射するものが好ましい。
具体的には、一般の白熱電球、リフレクタ−付き白熱電
球、発光管の表面に遠赤外線の放射効率を高くする例え
ばアルミナ系セラミックスからなるコーテイング膜を設
けた白熱電球、赤外発光ダイオード等を用いることがで
き、小型化、長寿命化、低消費電力化の観点から、赤外
発光ダイオードが好ましい。
球、発光管の表面に遠赤外線の放射効率を高くする例え
ばアルミナ系セラミックスからなるコーテイング膜を設
けた白熱電球、赤外発光ダイオード等を用いることがで
き、小型化、長寿命化、低消費電力化の観点から、赤外
発光ダイオードが好ましい。
本発明においては、枝線13の一端の接続位置は、入力
端子11.12から高周波発生部20の前段に至る回路
中であればよく、例えば第5図および第6図に示すよう
に、電源部10の内部、電源部10と高周波発生部20
との間の電源ラインであってもよい。
端子11.12から高周波発生部20の前段に至る回路
中であればよく、例えば第5図および第6図に示すよう
に、電源部10の内部、電源部10と高周波発生部20
との間の電源ラインであってもよい。
変換部40は、抵抗RおよびコンデンサCよりなる並列
インピーダンス2とダイオードDを1組とする回路すな
わちL字形回路41の複数が縦続接続されて構成された
縦続接続回路部42と、この縦続接続回路部42の後段
に接続された出力コンデンサ43と、この出力コンデン
サ43に接続された第1の端子45と、並列インピーダ
ンスZを通らずに昇圧部30より枝分かれして接続され
た第2の端子46とからなる。なお、50は処理効果を
より高めるために挿入したコイルであり、コイル50の
挿入位置、処理効果については、特願平1−25221
0号明細書7− で詳述しているのでここでは省略する。
インピーダンス2とダイオードDを1組とする回路すな
わちL字形回路41の複数が縦続接続されて構成された
縦続接続回路部42と、この縦続接続回路部42の後段
に接続された出力コンデンサ43と、この出力コンデン
サ43に接続された第1の端子45と、並列インピーダ
ンスZを通らずに昇圧部30より枝分かれして接続され
た第2の端子46とからなる。なお、50は処理効果を
より高めるために挿入したコイルであり、コイル50の
挿入位置、処理効果については、特願平1−25221
0号明細書7− で詳述しているのでここでは省略する。
第1図に示した振動電界発生装置においては、入力端子
11. 12からの例えば100Vで50Hzまたは6
0Hzの商用周波数の交流電圧は、受光部60からの電
気信号と共に電源部10を介して高周波発生部20に送
られ、ここで例えば100■で100kHzの高周波電
圧に変換される。この高周波電圧は、昇圧部30により
昇圧されて例えば600Vで100kHzの高周波高電
圧となる。この高周波高電圧は変換部40において直流
成分が除去されて実質的に交流成分のみによる処理に有
効な高周波高電圧となる。
11. 12からの例えば100Vで50Hzまたは6
0Hzの商用周波数の交流電圧は、受光部60からの電
気信号と共に電源部10を介して高周波発生部20に送
られ、ここで例えば100■で100kHzの高周波電
圧に変換される。この高周波電圧は、昇圧部30により
昇圧されて例えば600Vで100kHzの高周波高電
圧となる。この高周波高電圧は変換部40において直流
成分が除去されて実質的に交流成分のみによる処理に有
効な高周波高電圧となる。
すなわち、出力コンデンサ430手前の節点44と第2
の端子46との間では例えば600VでIQOk Hz
の交流成分と1800 Vの直流成分とが含まれており
、これが出力コンデンサ43を通過すると直流成分が除
去されて、第1の端子45と第2の端子46との間では
600Vで100kHzの処理に有効な高周波高電圧と
なる。この高周波高電圧により、被処理物が収容された
処理室(図示省略)内に処理効果の高い振動電界が形成
され、この振動電界の作用を受けて被処理物が処理され
る。
の端子46との間では例えば600VでIQOk Hz
の交流成分と1800 Vの直流成分とが含まれており
、これが出力コンデンサ43を通過すると直流成分が除
去されて、第1の端子45と第2の端子46との間では
600Vで100kHzの処理に有効な高周波高電圧と
なる。この高周波高電圧により、被処理物が収容された
処理室(図示省略)内に処理効果の高い振動電界が形成
され、この振動電界の作用を受けて被処理物が処理され
る。
振動電界による処理の対象である被処理物としては、特
に限定されない。固体、液体、気体のいずれでもよく、
例えば生鮮食品、解凍食品、加工食品、穀類、芋類等の
飲食物、水、空気、土壌等の環境資源を代表的なものと
して挙げることができる。また、処理温度は、特に限定
されない。被処理物に応じて、常温処理、冷蔵処理、冷
凍処理、解凍処理、加熱処理等を適宜選択することがで
きる。
に限定されない。固体、液体、気体のいずれでもよく、
例えば生鮮食品、解凍食品、加工食品、穀類、芋類等の
飲食物、水、空気、土壌等の環境資源を代表的なものと
して挙げることができる。また、処理温度は、特に限定
されない。被処理物に応じて、常温処理、冷蔵処理、冷
凍処理、解凍処理、加熱処理等を適宜選択することがで
きる。
次に、被処理物として冷凍マグロを用いて解凍処理する
場合について説明する。
場合について説明する。
温度25.4±0.3℃.の室温で短冊状態の冷凍マグ
ロを2時間で解凍し、その後5±1.6℃の冷蔵庫に保
管して、解凍マグロのに値低減率(特願平1−2522
10号明細書参照)を調べたところ、第1表に示す結果
が得られた。なお、このに値低減率が大きいほど処理効
果が高い。
ロを2時間で解凍し、その後5±1.6℃の冷蔵庫に保
管して、解凍マグロのに値低減率(特願平1−2522
10号明細書参照)を調べたところ、第1表に示す結果
が得られた。なお、このに値低減率が大きいほど処理効
果が高い。
第1表において、「未処理区」は、パック状態で空気解
凍したものであり、「処理区」は、パッり状態で振動電
界により処理しながら空気解凍したものである。なお、
未処理区と処理区の検体の保管温度差は0.2℃以内で
ある。また、Nα1は受光部が磁場中に配置されていな
い場合、No、 2〜No。
凍したものであり、「処理区」は、パッり状態で振動電
界により処理しながら空気解凍したものである。なお、
未処理区と処理区の検体の保管温度差は0.2℃以内で
ある。また、Nα1は受光部が磁場中に配置されていな
い場合、No、 2〜No。
4はそれぞれ受光部が第2図〜第4図の構成によって磁
場中に配置された場合を示す。
場中に配置された場合を示す。
11
12
〔発明の効果〕
本発明によれば、入力端子から高周波発生部の前段に至
る回路中に枝線を延ばして当該枝線に受光部を接続し、
この受光部に光を照射する光源部を設けるとともに、当
該受光部を磁場中に置くという独特の構成を採用したの
で、振動電界による処理効果を格段に高めることができ
る。
る回路中に枝線を延ばして当該枝線に受光部を接続し、
この受光部に光を照射する光源部を設けるとともに、当
該受光部を磁場中に置くという独特の構成を採用したの
で、振動電界による処理効果を格段に高めることができ
る。
第1図は本発明の一実施例に係る処理装置の概略図、第
2図〜第4図はそれぞれ磁場中に受光部を置いた具体例
を示す説明図であり、第2図において(a)は正面図、
(b)は右側面図、第5図および第6図はそれぞれ枝線
の接続位置の他の例を示す概略図である。 10・・・電源部 13・・・枝線 30・・・昇圧部 41・・・L字形回路 43・・・出力コンデンサ 45・・・第1の端子 11、12・・・入力端子 20・・・高周波発生部 40・・・変換部 42・・・縦続接続回路部 44・・・節点 46・・・第2の端子 50・・・コイル 62・・・ガラス管 64・・・反射板 68・・・パイプ 70・・・光源部 C・・・コンデンサ Z・・・並列インピーダンス 60・・・受光部 63・・・プラチナ線 65、66、67・・・板磁石 69・・・コイル R・・・抵抗 D・・・ダイオード (XJ 口
2図〜第4図はそれぞれ磁場中に受光部を置いた具体例
を示す説明図であり、第2図において(a)は正面図、
(b)は右側面図、第5図および第6図はそれぞれ枝線
の接続位置の他の例を示す概略図である。 10・・・電源部 13・・・枝線 30・・・昇圧部 41・・・L字形回路 43・・・出力コンデンサ 45・・・第1の端子 11、12・・・入力端子 20・・・高周波発生部 40・・・変換部 42・・・縦続接続回路部 44・・・節点 46・・・第2の端子 50・・・コイル 62・・・ガラス管 64・・・反射板 68・・・パイプ 70・・・光源部 C・・・コンデンサ Z・・・並列インピーダンス 60・・・受光部 63・・・プラチナ線 65、66、67・・・板磁石 69・・・コイル R・・・抵抗 D・・・ダイオード (XJ 口
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 入力端子に続く電源部と、この電源部の周波数を高周
波に変換する高周波発生部と、この高周波発生部からの
高周波を昇圧する昇圧部と、この昇圧部の出力から直流
成分を除去して高周波を取り出す変換部とからなる振動
電界発生装置を備えてなる処理装置であって、 前記入力端子から前記高周波発生部の前段に至る回路中
に枝線の一端を接続し、この枝線の他端に受光部を接続
し、この受光部に光を照射する光源部を設けるとともに
、該受光部を磁場中に置いたことを特徴とする振動電界
による処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2037463A JPH03241689A (ja) | 1990-02-20 | 1990-02-20 | 振動電界による処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2037463A JPH03241689A (ja) | 1990-02-20 | 1990-02-20 | 振動電界による処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03241689A true JPH03241689A (ja) | 1991-10-28 |
Family
ID=12498221
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2037463A Pending JPH03241689A (ja) | 1990-02-20 | 1990-02-20 | 振動電界による処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03241689A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001024647A1 (fr) * | 1999-10-01 | 2001-04-12 | Abi Limited | Procede et appareil de congelation rapide |
-
1990
- 1990-02-20 JP JP2037463A patent/JPH03241689A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001024647A1 (fr) * | 1999-10-01 | 2001-04-12 | Abi Limited | Procede et appareil de congelation rapide |
US6250087B1 (en) | 1999-10-01 | 2001-06-26 | Abi Limited | Super-quick freezing method and apparatus therefor |
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