JPH03225322A - Recording medium - Google Patents

Recording medium

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JPH03225322A
JPH03225322A JP2018855A JP1885590A JPH03225322A JP H03225322 A JPH03225322 A JP H03225322A JP 2018855 A JP2018855 A JP 2018855A JP 1885590 A JP1885590 A JP 1885590A JP H03225322 A JPH03225322 A JP H03225322A
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JP
Japan
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layer
light
recording
electrode
recording medium
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JP2018855A
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Japanese (ja)
Inventor
Akio Kojima
小島 明夫
Masayuki Shiyoji
正幸 所司
Isamu Shibata
柴田 勇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
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Publication of JPH03225322A publication Critical patent/JPH03225322A/en
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  • Liquid Crystal (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
  • Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)

Abstract

PURPOSE:To obtain a recording medium enabling rapid vanishment with pyroelectric current by successively laminating an electrode, a layer of a ferroelectric substance, a layer of a light absorbing substance, an oriented layer, a recording layer of a high molecular liq. crystal and a transparent electrode on a substrate. CONSTITUTION:An electrode 7, a layer 6 of a ferroelectric substance, a layer 5 of a light absorbing substance, an oriented layer 3, a layer 4 of a high molecular liq. crystal and a transparent electrode 2 are successively laminated on a substrate 1 to form a recording medium. When this medium is irradiated with light having high density energy such as semiconductor laser light from the electrode 2 side in accordance with a recording signal, a record is formed in the irradiated part of the layer 4 by heating to the phase transition temp. In order to vanish this record, a short circuit is caused between the electrodes 2, 7, the temp. of the layer 4 is so regulated as to keep the liq. crystal state by irradiation with light, pyroelectric current is generated by a change of the temp. of the layer 6 due to heat generated by the layer 5 by irradiation with light and an electric field is applied. Rapid vanishment is thus enabled.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は高分子液晶を用いた書き換え可能な記録媒体に
関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a rewritable recording medium using polymeric liquid crystal.

[従来の技術] 近年OAの普及等により、各種の情報データの量は増大
の一途をたどっている。このため、これらの情報データ
を高密度に蓄積する手段として、光デイスク記録装置の
開発が活発に行われている。しかしながら、情報の整理
、編集あるいはコンピューターにアクセスするためには
、記録材料として、情報の記録、消去を可逆的に行える
ことが必要不可欠であり、このような観点からカルコゲ
ナイドのような半導体、あるいは熱可塑性樹脂を記録材
料とする開発が進められている。しかし上記半導体では
毒性がある、或いは蒸着などの工程があるため、コスト
が高くなるという欠点があり、上記樹脂については、光
吸収剤として色素を用いるため、記録材料の寿命が短い
、あるいはコントラストが低く十分なSN比をとれない
という問題点があり、現在のところ実用化できるものは
見出されていない。
[Prior Art] Due to the spread of OA in recent years, the amount of various information data has been increasing steadily. For this reason, optical disk recording devices are being actively developed as a means for storing such information data at high density. However, in order to organize and edit information or access computers, it is essential that the recording material be capable of reversibly recording and erasing information, and from this perspective semiconductors such as chalcogenide or thermal Development of plastic resin as a recording material is underway. However, the above semiconductors have the drawback of being toxic or requiring processes such as vapor deposition, which increases costs, and the above resins use dyes as light absorbers, so the lifespan of the recording material is short or the contrast is poor. There is a problem in that a low and sufficient signal-to-noise ratio cannot be obtained, and so far no one has been found that can be put to practical use.

上記、問題点を解決するものとして、特開昭58−12
5247には、高分子液晶の透明な配列状態と不透明な
ランダム状態とを、熱と電界によって可逆的に変化させ
ることを特徴とする、記録材料が開示されている。ここ
では熱はレーザー光を光吸収剤に照射することにより発
生させることができ、すなわち、書き込み手段として、
レーザ光を用いることができる。このような例は特開昭
60−114823にも開示されており、高分子液晶と
しポリシロキサンが使用されている。
As a solution to the above problems, Japanese Unexamined Patent Publication No. 58-12
No. 5247 discloses a recording material characterized in that a transparent aligned state and an opaque random state of a polymer liquid crystal can be reversibly changed by heat and an electric field. Here heat can be generated by irradiating the light absorber with laser light, i.e. as a writing means.
Laser light can be used. Such an example is also disclosed in JP-A-60-114823, in which polysiloxane is used as the polymeric liquid crystal.

高分子液晶を記録材料として利用する記録媒体を繰返し
使用するためには記録した状態(−般的には不透明なラ
ンダム状態)を基の状態(一般的には透明な配列状態)
に戻す必要がある。この様にランダム状態から配列状態
に戻すために従来より種々の方法が提案されているが、
高分子液晶を液晶温度まで加熱し外部より電界を印加す
るというのが一般的である。外部電界を使用することは
システムが複雑となり、更に高速化、オーバーライド等
が難しくなる。
In order to repeatedly use a recording medium that uses polymeric liquid crystal as a recording material, it is necessary to change the recorded state (generally an opaque random state) to the base state (generally a transparent array state).
need to be returned to. Various methods have been proposed in the past to return from a random state to an arrayed state.
Generally, the polymer liquid crystal is heated to the liquid crystal temperature and an electric field is applied from the outside. Using an external electric field complicates the system, making it more difficult to speed up, override, etc.

[発明が解決しようとする課題] 本発明は、光照射による光吸収性物質層の発熱による温
度変化で強誘電性物質より発生する焦電電流を電極間に
通じることにより、記録層に熱及び電界を印加し、高分
子液晶を再配列し、記録の消去ができる記録媒体を提供
しようとするものである。
[Problems to be Solved by the Invention] The present invention provides heat and heat to the recording layer by passing a pyroelectric current generated from a ferroelectric material between electrodes due to a temperature change due to heat generation in the light-absorbing material layer due to light irradiation. The aim is to provide a recording medium in which recording can be erased by applying an electric field to rearrange polymer liquid crystals.

[課題を解決するための手段] 上記課題を解決するための本発明の構成は、電極、ポー
リング処理した強誘電性物質層、光吸収性物質層、配向
層、高分子液晶から成る記録層及び透明電極層を順次積
層した層構成を基本的に有する記録媒体である。
[Means for Solving the Problems] The structure of the present invention for solving the above problems includes an electrode, a poling-treated ferroelectric material layer, a light-absorbing material layer, an alignment layer, a recording layer consisting of a polymeric liquid crystal, and This recording medium basically has a layered structure in which transparent electrode layers are sequentially laminated.

具体的に説明すると、本発明は温度変化により強誘電電
流を発生する性質を示す焦電性物質層と高分子液晶から
なる記録層と光吸収性物質層とを一体化し、光照射によ
る光吸収層の発熱による温度変化で発生する焦電電流を
電極間に通じることによって記録層に電界及び熱を印加
し、高分子液晶を再配列することによって記録の消去が
できるようにした記録媒体である。
Specifically, the present invention integrates a pyroelectric material layer that exhibits the property of generating ferroelectric current due to temperature changes, a recording layer made of polymeric liquid crystal, and a light-absorbing material layer, and absorbs light by light irradiation. This is a recording medium that enables recording to be erased by applying an electric field and heat to the recording layer by passing a pyroelectric current generated by temperature changes due to heat generation in the layer between electrodes, and rearranging the polymer liquid crystal. .

又分極量をP1温度をTとすれば焦電率PYはPY−d
P/dTで表わされ、焦電電流をIPs時間をtとすれ
ばP−IPXtであるので、I p =Py XdT/
dTとなる。すなわち焦電電流は温度変化に伴う分極量
の大きさで決定される。代表的な強誘電性物質であるフ
ッ化ビニリデンとトリフルオロエチレンとの共重合体[
P(VDF/TrFE)]の誘電ヒステリシス曲線及び
EcSPrの値を下記第1表及び第3図に示す。
Also, if the polarization amount is P1 and the temperature is T, then the pyroelectric constant PY is PY-d
It is expressed as P/dT, and if t is the pyroelectric current, then P-IPXt, so I p = Py XdT/
It becomes dT. That is, the pyroelectric current is determined by the amount of polarization associated with temperature change. A copolymer of vinylidene fluoride and trifluoroethylene, which is a typical ferroelectric substance [
The dielectric hysteresis curve of P(VDF/TrFE)] and the value of EcSPr are shown in Table 1 and FIG. 3 below.

第1表 強誘電性物質より焦電電流を得るには外部より電界を加
えて分極の向きを揃える必要、すなわちポーリング処理
を施し、適当な方法で温度変化をつければ良い。ポーリ
ング処理は強誘電性物質を電極ではさみ、抗電界以上の
電界を印加するか、強誘電性物質層の片側にのみ電極を
設けた状態で適当なチャージャーにてコロナ帯電を施し
、表面電位を抗電界電位以上に上げることにより行うこ
とができる。
Table 1 To obtain a pyroelectric current from a ferroelectric substance, it is necessary to apply an external electric field to align the direction of polarization, that is, to perform a poling process and to change the temperature by an appropriate method. Poling treatment involves sandwiching a ferroelectric material between electrodes and applying an electric field higher than the coercive field, or applying corona charging with an appropriate charger with an electrode provided on only one side of the ferroelectric material layer to increase the surface potential. This can be done by increasing the coercive field potential to a level higher than the coercive field potential.

図面を参照して基本的な層構成を説明すると、第1図に
示すように基板1の上に透明電極2、配向層3、高分子
液晶層4、光吸収性物質層5、強誘電性物質層B及び電
極7を順に積層したものである。
To explain the basic layer structure with reference to the drawings, as shown in FIG. A material layer B and an electrode 7 are laminated in this order.

第2図は第1図に示した例とは反対に、基板lの上に電
極7、強誘電性物質層6、光吸収性物質層5、配向層3
、高分子液晶層4、透明電極2の順に積層した例である
In contrast to the example shown in FIG. 1, FIG. 2 shows an electrode 7, a ferroelectric material layer 6, a light absorbing material layer 5, an alignment layer 3, and
, a polymer liquid crystal layer 4, and a transparent electrode 2 are laminated in this order.

このようして作製された記録媒体は液晶温度でアニール
処理することにより均一な配向状態を得ることができる
By annealing the recording medium thus produced at a liquid crystal temperature, a uniform alignment state can be obtained.

この記録媒体に半導体レーザー光のような高密度エネル
ギー光を透明電極側より記録信号に従って局所的に照射
すること等により相転移温度、あるいは透明点を経て加
熱され、その後冷却することにより、照射部分は光散乱
、光学活性、複屈折又は光吸収の差が生じ、記録が形成
される。
By locally irradiating this recording medium with high-density energy light such as semiconductor laser light from the transparent electrode side in accordance with the recording signal, the recording medium is heated to a phase transition temperature or clearing point, and then cooled to heat the irradiated area. A difference in light scattering, optical activity, birefringence, or light absorption occurs, and a record is formed.

記録の消去は透明電極と電極を短絡させて光照射し、高
分子液晶層を液晶温度にし、かつ光照射による光吸収性
物質層の発熱による強誘電性物質層の温度変化により焦
電電流を発生させ電界を印加することにより行われる。
To erase a record, the transparent electrode and the electrode are short-circuited and light is irradiated to bring the polymer liquid crystal layer to the liquid crystal temperature.The pyroelectric current is generated by the temperature change in the ferroelectric material layer due to the heat generation of the light-absorbing material layer caused by the light irradiation. This is done by generating and applying an electric field.

本発明で用いられる高分子液晶は公知のものが利用でき
、液晶基を主鎖ないし側鎖に有するものであり、その平
均分子量は500以上のものである。
The polymer liquid crystal used in the present invention can be of any known type, has a liquid crystal group in its main chain or side chain, and has an average molecular weight of 500 or more.

又、高分子液晶は架橋されているものであってもよい。Further, the polymer liquid crystal may be crosslinked.

更に架橋は光架橋であればなお好ましい。Furthermore, it is more preferable that the crosslinking is photocrosslinking.

以下に用いる高分子液晶の具体例を挙げる。Specific examples of polymer liquid crystals used are listed below.

なお、 具体例において*は不斉炭素原子であることを示す。In addition, In specific examples, * indicates an asymmetric carbon atom.

O2 CR3 (CH2)支 N なし N 2) Hs 9 ? 一−Dc4CN 0 一吠◇%CN 1 一←◇()cN 02 (CH2)I CH3 O 0(Co(CH2)  ll−C0+ v−C0−0C
H2−CH−C2 I3 5 co−ベへo−c−)o− このような高分子液晶は通常単独ないし混合されて使用
され、 更に他の低分子液晶を加えて 使用される。
O2 CR3 (CH2) Support N None N 2) Hs 9? 1-Dc4CN 0 Ichibo◇%CN 1 1←◇()cN 02 (CH2)I CH3 O 0(Co(CH2) ll-C0+ v-C0-0C
H2-CH-C2I35co-beheoc-)o- Such polymeric liquid crystals are usually used alone or in combination, and furthermore, other low-molecular liquid crystals are used.

この低分子液晶は高分子液晶の粘 度、相転移温度等をコントロールして、記録特性及び消
去特性の改善を目的とするもので、ネマチックやスメチ
ックあるいはコレステリック液晶で公知の低分子液晶が
利用できる。
The purpose of this low-molecular liquid crystal is to control the viscosity, phase transition temperature, etc. of the polymeric liquid crystal to improve recording characteristics and erasing characteristics. Known low-molecular liquid crystals such as nematic, smectic, or cholesteric liquid crystals can be used.

このような高分子液晶を使用して、例えばメチルエチル
ケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等
のケトン系、酢酸ブチル、酢酸エチル、カルピトールア
セテート、ブチルカルピトールアセテート等のエステル
系、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、テトラヒド
ロフラン等のエーテル系、ないしトルエン、キシレン等
の芳香族系、ジクロロエタン等のハロゲン化アルキル系
、N、N−ジメチルホルムアミド、アルコール系等の溶
媒に溶解して、例えばスピンコード、デイツプ等のコー
ディングにより記録媒体を作製することができる。
Using such polymeric liquid crystals, for example, ketones such as methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, esters such as butyl acetate, ethyl acetate, carpitol acetate, butyl carpitol acetate, methyl cellosolve, ethyl cellosolve, tetrahydrofuran, etc. Dissolved in ether type solvents such as toluene, aromatic type such as toluene, xylene, halogenated alkyl type such as dichloroethane, N,N-dimethylformamide, alcohol type, etc., and recorded by coding such as spin code or dip. A medium can be created.

又、セル型の構造を有する記録媒体には直接充填するこ
とも可能である。
It is also possible to directly fill a recording medium having a cell-type structure.

場合によっては一度昇温し、徐冷して相を形成させる。Depending on the case, the temperature may be raised once and then slowly cooled to form a phase.

その時は必要に応じて電場や磁場を印加する。At that time, apply an electric field or magnetic field as necessary.

なお、液晶層の厚さは0.01−100μ腸程度とされ
る。
Note that the thickness of the liquid crystal layer is approximately 0.01 to 100 μm.

更に高分子液晶層中には光吸収性物質の1種以上が含有
されていてもよい。
Furthermore, the polymer liquid crystal layer may contain one or more light-absorbing substances.

光吸収性物質は例えばレーザーのような光で制御、使用
され、場合によっては多色性色素も使用される。これら
の光吸収性物質の光吸収は使用されるレーザーの波長に
適応すべきである。
The light-absorbing substance is controlled and used with light such as a laser, and in some cases, pleochroic dyes are also used. The light absorption of these light-absorbing materials should be adapted to the wavelength of the laser used.

種々のレーザーの波長を用いて記録読み取り過程を行う
べき場合には使用されるレーザーの波長範囲で高い吸収
を示す光吸収性物質の混合物を用いることが好ましい。
If the recording/reading process is to be carried out using various laser wavelengths, it is preferable to use a mixture of light-absorbing substances that exhibit high absorption in the wavelength range of the lasers used.

具体的に例を挙げると、下記のとおりである。Specific examples are as follows.

(アゾ染料) 例えば、 −1 H3 (アズレン染料) (フタロシアニン) 例えば、 R−アルキル基 式中R −n−CtzH2s (ナフタロシアニン) 又は (金属錯体) 例えば、 で・ある。(azo dye) for example, -1 H3 (Azulene dye) (phthalocyanine) for example, R-alkyl group In the formula R -n-CtzH2s (naphthalocyanine) or (metal complex) for example, There is.

これ等の物質は溶解又は分散して使用され、例えば、U
V安定剤、酸化防止剤、又は軟化剤等を含有することが
でき、キャスティング1蒸着等で成膜し、光吸収性物質
層を形成することができる。更にCr、Ge、N15T
is Pt5A1等の金属材料を蒸着、スパッタリング
等で設け、光吸収性物質層とすることができる。これら
の金属材料は電極としても作用するので好都合である。
These substances are used dissolved or dispersed, for example, U
It can contain a V stabilizer, an antioxidant, a softener, etc., and can be formed into a film by casting 1 vapor deposition or the like to form a light-absorbing material layer. Furthermore, Cr, Ge, N15T
A metal material such as is Pt5A1 can be provided by vapor deposition, sputtering, etc. to form a light-absorbing material layer. These metal materials are advantageous because they also act as electrodes.

焦電電流について簡単に説明する。強誘電性物質に交流
電界を印加すると第4図の様な誘電ヒステリシス曲線が
得られる。ここでX軸と交叉する点を抗電界Ec  (
分極を反転させるのに必要な最小の電界)、Y軸と交叉
する点を残留分極Pr(電界0で残留している分極量)
と−般に定義されている。強誘電性物質は一般的に微結
晶がアモルファス中に分散した構造であり、結晶全体の
分極が揃ったり、反転したりすることにより、このよう
なヒステリシス曲線が得られる。抗電界、残留分極は温
度に依存し、高温になるに従い、小さくなり、キュリー
温度を越えると消失する(詳しくは古川猛夫 高分子加
工85巻9号1986年) 本発明で使用することのできる強誘電性物質はポリフッ
化ビニリデン、フッ化ビニリデンとトリフルオロエチレ
ンとの共重合体、フッ化ビニリデンとテトラフルオロエ
チレンとの共重合体、ポリシアン化ビニリデン等であり
、テトラヒドロフラン、メチルエチルケトン、N、N−
ジメチルホルムアミド、N、N−ジメチルアセトアミド
、アセトン等に溶解し適当なキャスト法で製膜し強誘電
性物質層を得ることができる。更に真空蒸着法によって
も製膜することができる。
Let me briefly explain pyroelectric current. When an alternating current electric field is applied to a ferroelectric material, a dielectric hysteresis curve as shown in FIG. 4 is obtained. Here, the point intersecting the X axis is the coercive electric field Ec (
The point that intersects the Y-axis is the residual polarization Pr (the amount of polarization remaining when the electric field is 0).
It is generally defined as Ferroelectric materials generally have a structure in which microcrystals are dispersed in an amorphous state, and such a hysteresis curve is obtained by aligning or reversing the polarization of the entire crystal. Coercive electric field and remanent polarization depend on temperature, become smaller as the temperature increases, and disappear when the Curie temperature is exceeded (for details, see Takeo Furukawa, Kobunshi Kako Vol. 85, No. 9, 1986). Dielectric materials include polyvinylidene fluoride, a copolymer of vinylidene fluoride and trifluoroethylene, a copolymer of vinylidene fluoride and tetrafluoroethylene, polyvinylidene cyanide, etc., and tetrahydrofuran, methyl ethyl ketone, N, N-
A ferroelectric material layer can be obtained by dissolving it in dimethylformamide, N,N-dimethylacetamide, acetone, etc. and forming a film by an appropriate casting method. Furthermore, the film can also be formed by a vacuum evaporation method.

配向層の材料としてはポリイミド、ポリビニルアルコー
ル、ポリアミド、ポリフッ化ビニリデンなどの有機高分
子材料やシランカップリング剤、あるいはSiO等の酸
化物が適している。
Suitable materials for the alignment layer include organic polymer materials such as polyimide, polyvinyl alcohol, polyamide, and polyvinylidene fluoride, silane coupling agents, and oxides such as SiO.

[実施例コ 以下、実施例によって本発明を具体的に説明する。[Example code] Hereinafter, the present invention will be specifically explained with reference to Examples.

1 、2mm厚のガラス基板上に電極としてITO(ス
ズをドープした酸化インジウム)をスパッタで設け、次
にP (VDF/TrFE)(共重合比65/35(仏
)アトケム社製)のメチルエチルケトン溶液を用意し、
スピナーにてITO上に塗布し、100℃で乾燥し、膜
厚0.5μ腸の強誘電性物質層を設けた。次に強誘電性
物質層上にCrを100OXの厚さに蒸着し、光吸収性
物質層とした。
1. ITO (tin-doped indium oxide) was sputtered as an electrode on a 2 mm thick glass substrate, and then a methyl ethyl ketone solution of P (VDF/TrFE) (copolymerization ratio 65/35 (manufactured by Atochem, France)) was sputtered. Prepare
It was applied onto ITO using a spinner and dried at 100° C. to form a ferroelectric material layer with a thickness of 0.5 μm. Next, Cr was deposited to a thickness of 100 OX on the ferroelectric material layer to form a light-absorbing material layer.

この光吸収性物質層は導電層としても作用する程度の電
気抵抗を有している(〜50Ω/口)。
This light-absorbing material layer has an electrical resistance (~50Ω/hole) to the extent that it also acts as a conductive layer.

次にポリビニルアルコールの水/メタノール溶液を用意
し、スピナーにて光吸収性物質上に乾燥後の膜厚が10
00人になるように塗布し、100g/ci+’の圧力
で5回のラビング処理を施し、配向層とした。次に高分
子液晶Lc34をテトラヒドロフランに溶解し、スピナ
ーにて配向層上に塗布し、2μ層厚の高分子液晶層を設
けた。次に高分子液晶層上に酸化亜鉛をスパッタにて成
膜し透明電極層を設け、第2図の構成の記録媒体を作製
した。
Next, prepare a water/methanol solution of polyvinyl alcohol, and use a spinner to apply it onto the light-absorbing material so that the film thickness after drying is 10%.
00 g/ci+' and rubbed 5 times at a pressure of 100 g/ci+' to form an alignment layer. Next, polymer liquid crystal Lc34 was dissolved in tetrahydrofuran and applied onto the alignment layer using a spinner to provide a polymer liquid crystal layer with a thickness of 2 μm. Next, a film of zinc oxide was formed on the polymer liquid crystal layer by sputtering to provide a transparent electrode layer, thereby producing a recording medium having the structure shown in FIG. 2.

この記録媒体を150℃でアニール処理することにより
高分子液晶が配向し、配向性の良い記録媒体が得られた
。次にITO電極とCr層(光吸収性物質層)間に30
vの直流を印加し強誘電性物質層をポーリング処理した
By subjecting this recording medium to annealing treatment at 150° C., the polymeric liquid crystals were oriented, and a recording medium with good orientation was obtained. Next, between the ITO electrode and the Cr layer (light-absorbing material layer),
The ferroelectric material layer was subjected to poling treatment by applying a direct current of v.

このようにして処理した記録媒体に780n■の半導体
レーザー光をスポット径5μ観に絞り照射強度1 、2
mWでlμSee基板側より照射し、偏光顕微鏡で観察
したところレーザー光が照射された部分の高分子液晶層
は配向が乱れ、クロスニコル下で暗の状態の記録部が形
成されていた。
A semiconductor laser beam of 780 nm is applied to the recording medium treated in this manner with a spot diameter of about 5 μm and an irradiation intensity of 1, 2
When the laser beam was irradiated from the lμSee substrate side and observed under a polarizing microscope, the orientation of the polymer liquid crystal layer in the portion irradiated with the laser beam was disturbed, and a dark recording area was formed under crossed nicol conditions.

次に酸化亜鉛透明電極層とCr層を短絡した状態で、基
板側より 780nwの半導体レーザー光をスポット径
5μ園に絞り、照射光強度51Wで2μSee記録部に
照射したところ、記録部゛の乱れた配向が再配向し、記
録が消去されていた。
Next, with the zinc oxide transparent electrode layer and the Cr layer short-circuited, a 780 nw semiconductor laser beam was focused from the substrate side to a spot diameter of 5 μm and was irradiated onto the 2 μSee recording area with an irradiation light intensity of 51 W, resulting in disturbances in the recorded area. The original orientation was reoriented and the record was erased.

[発明の効果] 以上説明したように、本発明の記録媒体は強誘電性物質
層の温度変化により発生する焦電電流がもたらす電界の
効果により迅速に消去することが可能である。
[Effects of the Invention] As explained above, the recording medium of the present invention can rapidly erase data due to the effect of the electric field produced by the pyroelectric current generated by the temperature change of the ferroelectric material layer.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図及び第2図は本発明の記録媒体の具体例の構成を
示す断面の模式図である。 第3図及び第4図は誘電ヒステリシス曲線を説明するた
めのグラフである。 l・・・基板、2・・・透明電極、3・・・配向層、4
・・・高分子液晶層、5・・・光吸収性物質層、B・・
・強誘電性物質層、7・・・電極。 第 図
1 and 2 are schematic cross-sectional views showing the structure of a specific example of the recording medium of the present invention. 3 and 4 are graphs for explaining dielectric hysteresis curves. l...Substrate, 2...Transparent electrode, 3...Alignment layer, 4
...Polymer liquid crystal layer, 5...Light-absorbing material layer, B...
- Ferroelectric material layer, 7... electrode. Diagram

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)電極、ポーリング処理した強誘電性物質層、光吸
収性物質層、配向層、高分子液晶から成る記録層及び透
明電極層を順次積層した層構成を基本的に有する記録媒
体。
(1) A recording medium that basically has a layer structure in which electrodes, a poling-treated ferroelectric material layer, a light-absorbing material layer, an alignment layer, a recording layer made of polymeric liquid crystal, and a transparent electrode layer are sequentially laminated.
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