JPH03212985A - Semiconductor laser device - Google Patents

Semiconductor laser device

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JPH03212985A
JPH03212985A JP911890A JP911890A JPH03212985A JP H03212985 A JPH03212985 A JP H03212985A JP 911890 A JP911890 A JP 911890A JP 911890 A JP911890 A JP 911890A JP H03212985 A JPH03212985 A JP H03212985A
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JP
Japan
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light
laser element
diffraction grating
incident
laser
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Application number
JP911890A
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Japanese (ja)
Inventor
Koichi Nitta
康一 新田
Yukio Watanabe
幸雄 渡辺
Genichi Hatagoshi
玄一 波多腰
Yutaka Uematsu
豊 植松
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Abstract

PURPOSE:To obtain a wavelength-stabilization type device by a method wherein one part of radiated light from a laser element is incident on a diffraction grating, one side of reflected and diffracted light of a different order is incident on the laser element again and the other side is incident on a photodetector for monitoring use. CONSTITUTION:Laser beams are radiated respectively from a front edge and a rear edge 11, 12 of a semiconductor laser element 10. Radiated light from the edge 12 is incident on a diffraction grating 30 via a collimation lens 20. One side C and the other side D of reflected light from the grating 30 whose order is different are respectively incident again on the element 10 and are incident on a photodetector 40 for monitoring use. As a result, a wavelength- stabilization type semiconductor laser device whose oscillation wavelength and optical output can be stabilized is obtained.

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、発振波長の安定化をはかった波長安定型半導
体レーザ装置に係わり、特にレーザ光のモニタ機能を備
えた波長安定型半導体レーザ装置に関する。
[Detailed Description of the Invention] [Object of the Invention] (Industrial Application Field) The present invention relates to a wavelength-stable semiconductor laser device that stabilizes the oscillation wavelength, and particularly relates to a wavelength-stabilized semiconductor laser device that stabilizes the oscillation wavelength, and particularly relates to a wavelength-stable semiconductor laser device that stabilizes the oscillation wavelength. The present invention relates to a stable semiconductor laser device.

(従来の技術) 近年、半導体レーザの発振波長の安定化をはかるために
、レーザ素子からの出射光の一部をレーザ素子にフィー
ドバックする波長安定型半導体レーザ装置が開発されて
いる。例えば、文献(1989年電子情報通信学会、秋
季全国大会。
(Prior Art) In recent years, in order to stabilize the oscillation wavelength of a semiconductor laser, a wavelength-stable semiconductor laser device has been developed in which a portion of the emitted light from a laser element is fed back to the laser element. For example, literature (1989 Institute of Electronics, Information and Communication Engineers, Autumn National Conference.

B−4[i8 )では、レーザ素子からの後方出射光を
コリメートレンズを通して回折格子に導き、この回折格
子からの反射回折光をレンズを通してレーザ素子に戻す
構成が採用されている。そしてこの構成では、回折格子
で選択された波長の光のみがレーザ素子にフィードバッ
クされることになり、これによりレーザ素子の発振波長
を上記選択された波長に制御することが可能となる。
B-4 [i8) employs a configuration in which backward emitted light from a laser element is guided to a diffraction grating through a collimating lens, and reflected diffracted light from this diffraction grating is returned to the laser element through the lens. With this configuration, only light with a wavelength selected by the diffraction grating is fed back to the laser element, thereby making it possible to control the oscillation wavelength of the laser element to the selected wavelength.

ところで、半導体レーザ装置においては発振波長の安定
化と共に、光出力の安定化が重要である。光出力の安定
化をはかるには、レーザ素子の後端面側に受光素子等を
設置し、レーザ素子の出力光をモニタして駆動電源等に
フィードバックすればよい。しかしながら、上述した波
長安定型半導体レーザ装置では、発振波長の安定化のた
めにレーザ素子の後端面側にレンズ及び回折格子等を設
けているので、レーザ素子の後端面側に受光素子を設置
することはできない。
Incidentally, in a semiconductor laser device, it is important to stabilize the oscillation wavelength as well as the optical output. In order to stabilize the optical output, a light receiving element or the like may be installed on the rear end face side of the laser element, and the output light of the laser element may be monitored and fed back to the drive power source or the like. However, in the above-mentioned wavelength-stable semiconductor laser device, a lens, a diffraction grating, etc. are provided on the rear end face of the laser element in order to stabilize the oscillation wavelength, so a light receiving element is installed on the rear face side of the laser element. It is not possible.

このため、出力光をモニタすることはできず、モニタ出
力のフィードバック系を構成することはできない。従っ
て、発振波長の安定化をはかることはできても、光出力
の安定化をはかることは困難であった。
Therefore, it is not possible to monitor the output light, and it is not possible to configure a feedback system for the monitor output. Therefore, although it is possible to stabilize the oscillation wavelength, it is difficult to stabilize the optical output.

(発明が解決しようとする課題) このように従来、レーザ素子からの出射光の一部をレー
ザ素子にフィードバックして波長安定化をはかった波長
安定型半導体レーザ装置においては、光出力をモニタし
てフィードバック制御することができず、光出力の安定
化をはかることは困難であった。
(Problems to be Solved by the Invention) Conventionally, in wavelength-stabilized semiconductor laser devices that stabilize the wavelength by feeding back a portion of the emitted light from the laser element to the laser element, the optical output is monitored. Therefore, it was difficult to stabilize the optical output because feedback control could not be performed.

本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、その目
的とするところは、発振波長の安定化をはかるのは勿論
のこと、光出力の安定化をはかり得る波長安定型半導体
レーザ装置を提供することにある。
The present invention has been made in consideration of the above circumstances, and its purpose is to provide a wavelength-stable semiconductor laser device that can not only stabilize the oscillation wavelength but also stabilize the optical output. It is about providing.

[発明の構成] (課題を解決するための手段) 本発明の骨子は、レーザ素子に出射光の一部を戻す回折
格子の回折光を利用して、レーザ素子の光出力をモニタ
することにある。
[Structure of the Invention] (Means for Solving the Problems) The gist of the present invention is to monitor the optical output of a laser element by using diffracted light from a diffraction grating that returns part of the emitted light to the laser element. be.

即ち本発明は、発振波長の安定化と共に先出力の安定化
を目的とした半導体レーザ装置において、前方と後方に
レーザ光を出射する半導体レーザ素子と、このレーザ素
子からの後方出射光を反射回折する回折格子と、レーザ
索子からの後方出射光を回折格子に入射させ、nつ回折
格子からの所定次数の反射回折光をレーザ素子に再入射
させる光学系と、回折格子からのレーザ素子に再入射さ
せる反射回折光とは異なる次数の反射回折光を受光検出
する受光素子とを設けるようにしたものである。
That is, the present invention provides a semiconductor laser device for stabilizing the oscillation wavelength and the output power, which includes a semiconductor laser element that emits laser light forward and backward, and a reflection and diffraction system for the backward emitted light from the laser element. a diffraction grating, an optical system that makes backward emitted light from the laser grating enter the diffraction grating, and re-enters the reflected diffraction light of a predetermined order from the n diffraction gratings into the laser element; A light receiving element is provided for receiving and detecting reflected diffraction light of a different order from the reflected diffraction light that is re-injected.

(作用) 本発明によれば、回折格子からの所定の次数(例えば1
次)の反射回折光をレーザ索子に再入射させることによ
り、従来と同様に発振波長の安定化をはかることが可能
であり、これに加えて回折格子からの上記回折光とは異
なる次数(例えば0次)の反射回折光を受光素子に入射
させるようにしているので、光出力安定化のための光出
力モニタを行うことができる。しかも、レーザ索子に戻
す光とモニタする光に回折格子からの異なる次数の反射
回折光を利用しているので、レーザ素子と回折格子とを
結ぶ光路を避けて受光素子を設置することが可能となる
。従って、発振波長の安定化と共に、光出力の安定化を
はかることが可能となる。
(Operation) According to the present invention, a predetermined order (for example, 1
By re-injecting the reflected diffracted light (next) into the laser probe, it is possible to stabilize the oscillation wavelength in the same way as in the past. For example, since the reflected and diffracted light of the 0th order is made incident on the light receiving element, it is possible to monitor the optical output for stabilizing the optical output. Moreover, since the reflected diffracted light of different orders from the diffraction grating is used for the light returned to the laser probe and the light for monitoring, it is possible to install the light receiving element avoiding the optical path connecting the laser element and the diffraction grating. becomes. Therefore, it is possible to stabilize the oscillation wavelength as well as the optical output.

(実施例) 以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。(Example) Hereinafter, details of the present invention will be explained with reference to illustrated embodiments.

第1図は本発明の第1の実施例に係わる波長安定型半導
体レーザ装置を示す概略構成図である。図中10は半導
体レーザ素子であり、このレーザ索子10はGaA I
As系やI nGaA I P糸材料から形成されてい
る。そして、レーザ素子10の前端面11から前方出射
光Aが出射され、後端面12から後方出射光Bが出射さ
れるものとなっている。
FIG. 1 is a schematic diagram showing a wavelength-stable semiconductor laser device according to a first embodiment of the present invention. In the figure, 10 is a semiconductor laser element, and this laser probe 10 is made of GaA I
It is formed from As-based or InGaAIP thread material. Further, forward emitted light A is emitted from the front end face 11 of the laser element 10, and backward emitted light B is emitted from the rear end face 12.

レーザ素子10の後方には、コリメートレンズ202回
折格子30及び受光素子40が配置されている。レンズ
20は、レーザ素子10からの後方出射光Bを平行光に
して回折格子30に入射すると共に、回折格子30から
の1次の反射回折光Cをレーザ素子10の後端面に戻す
(再入射)ものである。回折格子30は、発振すべき波
長である1次の回折光Cがレンズ20を介してレーザ素
子10に戻るように、コリメートされた後方出射光Bに
対して直交位置から傾けて設置されている。また、受光
素子40は、例えばフォトダイオードからなるもので、
回折格子30で回折された0次の反射回折光りが向かう
方向に設置されている。そして、この受光素子40にて
反射回折光りが検出され、その検出信号が図示しないレ
ーザ素子駆動電源等に供給されるものとなっている。
A collimating lens 202, a diffraction grating 30, and a light receiving element 40 are arranged behind the laser element 10. The lens 20 converts the backward emitted light B from the laser element 10 into parallel light and makes it incident on the diffraction grating 30, and returns the first-order reflected diffraction light C from the diffraction grating 30 to the rear end surface of the laser element 10 (re-injecting light B). ) is a thing. The diffraction grating 30 is installed at an angle from a position perpendicular to the collimated backward emitted light B so that the first-order diffracted light C, which is the wavelength to be oscillated, returns to the laser element 10 via the lens 20. . Further, the light receiving element 40 is made of, for example, a photodiode,
It is installed in the direction in which the 0th-order reflected diffracted light diffracted by the diffraction grating 30 heads. The reflected and diffracted light is detected by this light receiving element 40, and the detection signal is supplied to a laser element driving power source (not shown) or the like.

なお、レーザ素子1oは、第2図(a) (b)に示す
如く、放熱を兼ねた基板50上に実装されているが、こ
の基板50はレーザ素子1oがらの出射光の広がりを考
慮して、レーザ素子設置部が突出形成されている。
As shown in FIGS. 2(a) and 2(b), the laser element 1o is mounted on a substrate 50 which also serves as a heat dissipator. A laser element installation portion is formed to protrude.

このような構成であれば、レーザ素子1oの後方出射光
Bの一部が回折格子3oにより1次の反射回折光Cとし
てレーザ素子1oにフィードバックされることになり、
レーザ素子1oの発振波長の安定化をはかることができ
る。これに加えて、後方出射光Bの一部が回折格子3゜
により0次の反射回折光りとして受光素子4゜により検
出されることになる。従って、レーザ素子10の光出力
をモニタすることが可能となり、このモニタ信号をレー
ザ素子10の駆動電源等にフィードバックすることによ
り光出力の安定化をはかることができる。
With such a configuration, a part of the backward emitted light B of the laser element 1o is fed back to the laser element 1o as a first-order reflected diffraction light C by the diffraction grating 3o,
The oscillation wavelength of the laser element 1o can be stabilized. In addition, a portion of the backward emitted light B is detected by the light receiving element 4° as zero-order reflected diffracted light by the diffraction grating 3°. Therefore, it is possible to monitor the optical output of the laser element 10, and by feeding back this monitor signal to the drive power source of the laser element 10, etc., it is possible to stabilize the optical output.

即ち、光出力が安定した波長安定型半導体レーザ装置を
実現することが可能となる。また、レーザ素子10に戻
す光とモニタする光に回折格子30からの異なる次数の
反射回折光を利用しているので、レーザ素子10と回折
格子3゜とを結ぶ光路を避けて受光素子40を設置する
ことが可能となり、受光素子40の設置が容易になる利
点もある。
That is, it becomes possible to realize a wavelength-stable semiconductor laser device with stable optical output. In addition, since the reflected diffraction light of different orders from the diffraction grating 30 is used for the light returned to the laser element 10 and the light to be monitored, the light receiving element 40 is avoided from the optical path connecting the laser element 10 and the diffraction grating 3°. There is also an advantage that the light receiving element 40 can be easily installed.

第3図は本発明の第2の実施例を示す概略構成図である
。なお、第1図と同一部分には同一符号を付して、その
詳しい説明は省略する。
FIG. 3 is a schematic configuration diagram showing a second embodiment of the present invention. Note that the same parts as in FIG. 1 are given the same reference numerals, and detailed explanation thereof will be omitted.

この実施例が先に説明した第1の実施例と異なる点は、
回折格子と受光素子を一体形成したことにある。即ち、
受光素子40の一部(中央部)に回折格子30が設けら
れ、受光部は回折格子30を囲むリング状となっている
。そして、レーザ素子10からの後方出射光Bはコリメ
ートレンズ20を通して受光素子40に入射される。回
折格子30に入射したレーザ光は反射され、その1次の
反射回折光Cがレンズ20を通してレーザ索子10に再
入射する。回折格子30以外に入射した光は光出力のモ
ニタに利用される。
This embodiment differs from the first embodiment described above as follows:
The reason is that the diffraction grating and the light receiving element are integrally formed. That is,
A diffraction grating 30 is provided in a part (center) of the light receiving element 40, and the light receiving portion has a ring shape surrounding the diffraction grating 30. Then, the backward emitted light B from the laser element 10 is incident on the light receiving element 40 through the collimating lens 20. The laser light incident on the diffraction grating 30 is reflected, and the first-order reflected diffraction light C enters the laser probe 10 again through the lens 20. The light that has entered other than the diffraction grating 30 is used for monitoring the optical output.

このような構成であれば、レーザ素子10の後方出射光
Bを受光素子40で検出することができ、さらに回折格
子30による1次の反射回折光Cをレーザ素子10に戻
すことができる。
With such a configuration, the backward emitted light B of the laser element 10 can be detected by the light receiving element 40, and the first-order reflected diffraction light C by the diffraction grating 30 can be returned to the laser element 10.

従って、発振波長の安定化と共に光出力の安定化をはか
ることができ、先の第1の実施例と同様の効果が得られ
る。
Therefore, it is possible to stabilize the oscillation wavelength as well as the optical output, and the same effects as in the first embodiment can be obtained.

第4図は本発明の第3の実施例を示す概略構成図である
。なお、第1図と同一部分には同一符号を付して、その
詳しい説明は省略する。
FIG. 4 is a schematic configuration diagram showing a third embodiment of the present invention. Note that the same parts as in FIG. 1 are given the same reference numerals, and detailed explanation thereof will be omitted.

この実施例が先の第1の実施例と異なる点は、レーザ素
子の前方出射光を利用して波長安定化及び光出力モニタ
を行うことにある。即ち、レーザ素子10は大きな光出
力を取り出すことを目的に構成されたものであり、後端
面に反射膜13が形成されている。これにより、前方の
反射率を下げ、後方の反射率を上げ、前面の光パワー密
度の増大をはかっている。このようなレーザ素子では、
後方での十分なモニタ光を検出することは困難である。
This embodiment differs from the first embodiment in that wavelength stabilization and optical output monitoring are performed using the forward emitted light of the laser element. That is, the laser element 10 is constructed for the purpose of extracting a large optical output, and a reflective film 13 is formed on the rear end surface. This lowers the reflectance at the front, increases the reflectance at the rear, and increases the optical power density at the front. In such a laser element,
It is difficult to detect sufficient monitor light at the rear.

本実施例では、レーザ素子10の前方側にコリメートレ
ンズ20.ビームスプリッタ60゜回折格子30及び受
光素子40が設けられている。レーザ索子10からの前
方出射光Aはコリメートレンズ20を介して平行にされ
、その−部A′はビームスプリッタ60を通して出力さ
れる。また、前方出射光Aの一部はビームスプリッタ6
0で反射され、この反射光A′は回折格子30に入射す
る。回折格子30からの1次の反射回折光Cはビームス
プリッタ60で反射されレーザ素子10に再入射する。
In this embodiment, a collimating lens 20 is provided on the front side of the laser element 10. A beam splitter 60° diffraction grating 30 and a light receiving element 40 are provided. The forward emitted light A from the laser probe 10 is made parallel through the collimating lens 20, and its negative portion A' is output through the beam splitter 60. In addition, a part of the forward emitted light A is transmitted to the beam splitter 6
0, and this reflected light A' enters the diffraction grating 30. The first-order reflected diffraction light C from the diffraction grating 30 is reflected by the beam splitter 60 and enters the laser element 10 again.

また、回折格子30からの0次の反射回折光りは受光素
子40に入射するものとなっている。
Furthermore, the zero-order reflected diffracted light from the diffraction grating 30 is incident on the light receiving element 40.

このような構成であれば、レーザ素子10からの前方出
射光Aの一部が回折格子30により1次の反射回折光C
としてレーザ素子10にフィードバックされることにな
り、レーザ素子10の発振波長の安定化をはかることが
できる。
With such a configuration, a part of the forward emitted light A from the laser element 10 is converted into first-order reflected diffracted light C by the diffraction grating 30.
This is fed back to the laser device 10 as a result, and the oscillation wavelength of the laser device 10 can be stabilized.

これに加えて、前方出射光Aの一部が回折格子30によ
り0次の反射回折光りとして受光素子40により検出さ
れることになる。従って、発振波長の安定化及び光出力
の安定化をはかることができ、先の第1の実施例と同様
の効果が得られる。
In addition, a portion of the forward emitted light A is detected by the light receiving element 40 as zero-order reflected diffracted light by the diffraction grating 30. Therefore, the oscillation wavelength and the optical output can be stabilized, and the same effects as in the first embodiment can be obtained.

第5図は本発明の第4の実施例を示す概略構成図である
。なお、第4図と同一部分には同一符号を付して、その
詳しい説明は省略する。
FIG. 5 is a schematic configuration diagram showing a fourth embodiment of the present invention. Note that the same parts as in FIG. 4 are given the same reference numerals, and detailed explanation thereof will be omitted.

この実施例は、先の第3の実施例と異なる点は、回折格
子と受光素子を一体形成したことにある。即ち、受光素
子40は先の第2の実施例で用いたものと同様に、中央
部に回折格子30が設けられ、この回折格子30を囲む
ように受光部がリング状に形成されている。そして、ビ
ームスプリッタ60からの反射光A′は、一部が回折格
子30によりレーザ素子10にフィードバックされ、残
りが受光素子40にて検出されることになる。
This embodiment differs from the previous third embodiment in that the diffraction grating and the light receiving element are integrally formed. That is, the light receiving element 40 is provided with a diffraction grating 30 in the center, and a light receiving part is formed in a ring shape so as to surround this diffraction grating 30, similar to that used in the second embodiment. A portion of the reflected light A' from the beam splitter 60 is fed back to the laser element 10 by the diffraction grating 30, and the rest is detected by the light receiving element 40.

このような構成であっても、先の第1の実施例と同様の
効果が得られるのは勿論である。なお、第4図及び第5
図の例では反射膜13を設けているが、これは反射膜1
3がなくて後方の反射率が低い場合でも同様の光学系を
用いて波長安定化・出力安定化をはかることができる。
Of course, even with such a configuration, the same effects as in the first embodiment can be obtained. In addition, Figures 4 and 5
In the example shown in the figure, a reflective film 13 is provided;
Even if the rear reflectance is low without 3, wavelength stabilization and output stabilization can be achieved using a similar optical system.

第6図は本発明の第5の実施例を示す概略構成図である
。なお、第1図と同一部分には同一符号を付して、その
詳しい説明は省略する。
FIG. 6 is a schematic configuration diagram showing a fifth embodiment of the present invention. Note that the same parts as in FIG. 1 are given the same reference numerals, and detailed explanation thereof will be omitted.

この実施例が先の第1の実施例と異なる点は、モニタ光
を取り出すためにビームスプリッタを用いたことにある
。即ち、レーザ素子10の後方には、先の第1の実施例
と同様にコリメートレンズ20及び回折格子30が設置
され、これに加えてレンズ20と回折格子30との間に
ビームスプリッタ60が設置されている。ビームスプリ
ッタ60を通過した光B′は回折格子30に入射し、そ
の1次の反射回折光Cがレーザ素子10に再入射する。
This embodiment differs from the first embodiment in that a beam splitter is used to extract the monitor light. That is, a collimating lens 20 and a diffraction grating 30 are installed behind the laser element 10 as in the first embodiment, and in addition, a beam splitter 60 is installed between the lens 20 and the diffraction grating 30. has been done. The light B' that has passed through the beam splitter 60 is incident on the diffraction grating 30, and its first-order reflected diffraction light C is incident on the laser element 10 again.

また、ビームスプリッタ60で反射した光B′は受光索
子40に入射し、受光素子40にて検出される。
Further, the light B' reflected by the beam splitter 60 enters the light receiving element 40 and is detected by the light receiving element 40.

このような構成であっても、先の第1の実施例と同様に
、レーザ素子10からの後方出射光Bの一部を回折格子
30によりレーザ素子10にフィードバックすると共に
、後方出射光Bの一部を受光素子40でモニタすること
ができ、先の第1の実施例と同様の効果が得られる。
Even with such a configuration, as in the first embodiment, part of the backward emitted light B from the laser element 10 is fed back to the laser element 10 by the diffraction grating 30, and the backward emitted light B is A part of the light can be monitored by the light receiving element 40, and the same effect as in the first embodiment can be obtained.

なお、本発明は上述した各実施例に限定されるものでは
ない。実施例ではレーザ素子に再入射させる光を1次の
回折光、モニタする光を0次の回折光としたが、それぞ
れの光が異なる次数の回折光であればよい。また、前記
レーザ素子はGaA IAs系やInGaAIP系に限
るものではなく、仕様に応じて適宜変更可能である。そ
の他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して
実施することができる。
Note that the present invention is not limited to the embodiments described above. In the embodiment, the light to be re-injected into the laser element is the first-order diffracted light, and the light to be monitored is the zero-order diffracted light, but each light may be a diffracted light of a different order. Furthermore, the laser element is not limited to GaA IAs-based or InGaAIP-based, and can be changed as appropriate according to specifications. In addition, various modifications can be made without departing from the gist of the present invention.

[発明の効果] 以上詳述したように本発明によれば、レーザ素子からの
出射光の一部を回折格子に入射させ、回折格子からの異
なる次数の反射回折光の一方をレーザ素子へ再入射させ
、他方を受光素子に入射させモニタ光を検出する構成と
しているので、発振波長の安定化をはかるのは勿論のこ
と、光出力の安定化をはかり得る波長安定型半導体レー
ザ装置を実現することができる。
[Effects of the Invention] As detailed above, according to the present invention, a part of the emitted light from the laser element is made incident on the diffraction grating, and one of the reflected and diffracted lights of different orders from the diffraction grating is redirected to the laser element. Since the configuration is such that the monitor light is detected by making one light incident on the light receiving element and the other light incident on the light receiving element, it is possible to realize a wavelength-stable semiconductor laser device that can not only stabilize the oscillation wavelength but also stabilize the optical output. be able to.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の第1の実施例に係わる波長安定型半導
体レーザ装置を示す概略構成図、第2図は上記レーザ装
置に用いたマウント基板の構造を示す図、第3図は本発
明の第2の実施例を示す概略構成図、第4図は本発明の
第3の実施例を示す概略構成図、第5図は本発明の第4
の実施例を示す概略構成図、第6図は本発明の第5の実
施例を示す概略構成図である。 10・・・半導体レーザ索子、 11・・・レーザ素子前端面、 12・・・レーザ素子後端面、 13・・・レーザ素子反射膜、 20・・・コリメートレンズ、 30・・・回折格子、 4 0・・・受光素子、 0・・・マウン ト基板、 O・・・ビームスプリ ツタ。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing a wavelength-stable semiconductor laser device according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a diagram showing the structure of a mount substrate used in the laser device, and FIG. 3 is a diagram showing the structure of a mount substrate according to the present invention. FIG. 4 is a schematic diagram showing the second embodiment of the present invention, FIG. 5 is a schematic diagram showing the third embodiment of the present invention, and FIG.
FIG. 6 is a schematic diagram showing the fifth embodiment of the present invention. DESCRIPTION OF SYMBOLS 10... Semiconductor laser probe, 11... Laser element front end face, 12... Laser element rear end face, 13... Laser element reflective film, 20... Collimating lens, 30... Diffraction grating, 4 0... Light receiving element, 0... Mount board, O... Beam splitter.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 前方と後方にレーザ光を出射する半導体レーザ素子と、
このレーザ素子からの後方出射光を反射回折する回折格
子と、前記レーザ素子からの後方出射光を前記回折格子
に入射させ、且つ前記回折格子からの所定次数の反射回
折光を前記レーザ素子に再入射させる光学系と、前記回
折格子からの前記レーザ素子に再入射させる反射回折光
とは異なる次数の反射回折光を受光検出する受光素子と
を具備してなることを特徴とする半導体レーザ装置。
A semiconductor laser element that emits laser light forward and backward,
A diffraction grating that reflects and diffracts the backward emitted light from the laser element; and a diffraction grating that allows the backward emitted light from the laser element to enter the diffraction grating, and redirects the reflected and diffracted light of a predetermined order from the diffraction grating to the laser element. A semiconductor laser device comprising: an optical system for making the light incident on the laser element; and a light receiving element that receives and detects reflected diffracted light of a different order from the reflected diffracted light that is made to enter the laser element again from the diffraction grating.
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