JPH03209421A - Applying device of photo-photo converting element - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は光−光変換素子を応用して構成された表示装置
、撮像装置、光信号処理装置、光コンピュータ等の応用
装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to applied devices such as display devices, imaging devices, optical signal processing devices, optical computers, etc., which are constructed by applying light-to-light conversion elements.
(従来の技術)
高い解像度を有する画像を表示させるために光−光変換
素子を用いて構成した表示装置、高い解像度を有する画
像を撮像するために光−光変換素子を用いて構成した撮
像装置、その他、光−光変換素子を応用した各種装置が
提案されて来ている。(Prior Art) A display device configured using a light-to-light conversion element to display an image with high resolution, and an imaging device configured using a light-to-light conversion element to capture an image with high resolution. , and various other devices applying light-to-light conversion elements have been proposed.
ところで複屈折特性を利用したツィステッドネマティッ
ク液晶や各種の電気光学結晶を光変調材層部材として構
成されている光−光変換素子を用いて構成された光−光
変換装置では、光変調材層部材に印加された電界強度に
応じて偏光の状態や。By the way, in a light-to-light conversion device constructed using a light-to-light conversion element constructed of a twisted nematic liquid crystal that utilizes birefringence properties or various electro-optic crystals as a light modulation material layer member, the light modulation material layer is The state of polarization depends on the electric field strength applied to the member.
旋光の状態が変化するような動作を光変調材層部材に行
なわせるものであるから、光変調材層部材を通過するこ
とにより被写体の光学像と対応する電荷像の電界強度に
より光の偏光の状態や、旋光の状態が変化した読出し光
を、検光子によって光強度が変化している状態の光とし
て取り出すことが必要であるために、光学系中に備える
偏光子や検光子の存在によって必然的に効率が低下した
り、シェーディングが発生するという欠点があった。Since the light modulating material layer member performs an operation that changes the state of optical rotation, the polarization of the light is changed by the electric field intensity of the optical image of the subject and the corresponding charge image when the light passes through the light modulating material layer member. Because it is necessary to extract the readout light whose optical rotation state has changed by using an analyzer as light whose light intensity has changed, the existence of a polarizer and an analyzer in the optical system makes it necessary to However, this method has disadvantages such as reduced efficiency and shading.
また、前記のように光変調材層部材として、複屈折特性
を利用したツィステッドネマティック液晶や各種の電気
光学結晶が用いられている場合には、光変調材層部材に
よる光変調作用が結晶の光学軸の方向に依存しているた
めに、光変調材層部材の面の法線以外の方向から読出し
光を入射させると著るしく効率が低下するために、光変
調材層部材への読出し光の入射方向は光変調材層部材の
面の法線方向とされるから、反射型の光−光変換素子に
おいては入射させた読出し光と、光−光変換素子から出
射する読出し光とが分離できるように、光路中にハーフ
ミラ−1あるいは偏光ビームスプリッタ等の光学部材を
設けることが行われるが、周知のように前記のような光
学部材の使用は光の利用効率を低下させる他、書込光に
よって両像情報が書込まれるようになされるような場合
には、書込み光の漏れが読出されるというようなことも
起こる。Furthermore, when a twisted nematic liquid crystal or various electro-optic crystals that utilize birefringence properties are used as the light modulating material layer member as described above, the light modulating effect of the light modulating material layer member is the same as that of the crystal. Because it depends on the direction of the optical axis, if the readout light is incident from a direction other than the normal to the surface of the light modulation material layer member, the efficiency will drop significantly. Since the incident direction of light is the normal direction of the surface of the light modulating material layer member, in a reflective light-to-light conversion element, the input readout light and the readout light emitted from the light-to-light conversion element are different. To enable separation, an optical member such as a half mirror 1 or a polarizing beam splitter is provided in the optical path, but as is well known, the use of such optical members reduces the efficiency of light utilization and also increases the If both image information is written by incident light, leakage of the writing light may also be read out.
さらに、前記した光変調材層部材としてツィステッドネ
マティック液晶層による光変調材層部材が使用された場
合には、スペーサを用いて作ったセルにツィステッドネ
マティック液晶を注入しなければならないという複雑な
工程が必要とされるという欠点がある他に、大型な光−
光変換素子を作る場合には、均一な厚さのツィステッド
ネマティック液晶層による光変調材層部材を構成させる
ことが困難であり、さらにまた、前記した光変調材層部
材として例えばニオブ酸リチウムの単結晶、その他の固
体素子が使用された場合には、半波長電圧が高く、また
、取扱いが容易でない等の問題点があり、さらにまた光
−光変換素子が平面状のものとして構成されている場合
には、レーザ光の偏向等の手段により、光−光変換素子
の全面に画像情報の書込みが行われるようにするときに
fθレンズ等の複雑な偏向光学系が必要とされる等の問
題点があった。Furthermore, when a light modulating material layer member consisting of a twisted nematic liquid crystal layer is used as the light modulating material layer member described above, a complicated process is required in which the twisted nematic liquid crystal must be injected into a cell made using a spacer. In addition to the drawback of the process required, large-scale light-
When producing a light conversion element, it is difficult to construct a light modulating material layer member using a twisted nematic liquid crystal layer with a uniform thickness. When a single crystal or other solid-state element is used, there are problems such as a high half-wave voltage and difficulty in handling, and furthermore, the light-to-light conversion element is constructed as a flat element. In some cases, a complicated deflection optical system such as an f-theta lens is required to write image information on the entire surface of the light-to-light conversion element by means such as deflection of laser light. There was a problem.
それで前記した問題点の無い光−光変換装置を構成させ
るのに、印加された電界強度に応じて光の散乱状態が変
化するような動作を行なう光変調材層部材を用いて構成
された光−光変換素子を備えた光−光変換素子の応用装
置が提案された(例えば特願平1−310033号明細
書参照)。Therefore, in order to construct a light-to-light conversion device that does not have the above-mentioned problems, it is possible to construct a light-to-light conversion device using a light modulating material layer member that operates so that the scattering state of light changes depending on the applied electric field strength. - A light-to-light conversion element application device including a light conversion element has been proposed (see, for example, Japanese Patent Application No. 1-310033).
第6図及び第7図は前記したように電界強度に応じて光
の散乱状態を変化させるような光変調材層部材を用いた
光−光変換素子の構成例を示しているものであり、第6
図に例示されているいる光−光変換素子PPCeは、電
荷像によって情報の記憶動作が行われるようになされて
いる構成形態の光−光変換素子であり、また、第7図に
例示されている光−光変換素子PPCmは光変調材層部
材として用いられている高分子一液晶メモリ膜中の液晶
の配向状態によって情報の記憶動作が行われるようにな
されている構成形態の光−光変換素子である。6 and 7 show an example of the configuration of a light-to-light conversion element using a light modulating material layer member that changes the scattering state of light depending on the electric field intensity as described above, 6th
The light-to-light conversion element PPCe illustrated in the figure is a light-to-light conversion element configured such that information storage operation is performed by a charge image, and the light-to-light conversion element PPCe illustrated in FIG. The light-to-light conversion element PPCm is a light-to-light conversion element in which information storage operation is performed depending on the alignment state of liquid crystal in a polymer-liquid crystal memory film used as a light modulating material layer member. It is element.
まず、第6図においてPPCeは光−光変換素子、vb
は電源であり、光−光変換素子P P Ceは透明電極
Etlと、光導電層部材PCLと、誘電体ミラーDML
と、高分子材料に高抵抗液晶を分散させた高分子一液晶
複合膜を用いて構成した光変調材層部材HLLと、透明
電極Et2とを積層した構成態様のものとなされている
。First, in FIG. 6, PPCe is a light-to-light conversion element, vb
is a power source, and the light-light conversion element P P Ce includes a transparent electrode Etl, a photoconductive layer member PCL, and a dielectric mirror DML.
A light modulating material layer member HLL formed using a polymer-liquid crystal composite film in which high-resistance liquid crystal is dispersed in a polymer material, and a transparent electrode Et2 are laminated.
第6図中に示されている光−光変換素子では。In the light-light conversion element shown in FIG.
光導電層部材PCLと、高分子材料に高抵抗液晶を分散
させた高分子一液晶複合膜を用いて構成した光変調材層
部材HLLとの間に、誘電体ミラーDMLを設けている
が、光導電層部材PCLが読出し光RLを反射するとと
もに、読出し光RLに感度を有しないものであれば、誘
電体ミラーDMLを省いてもよい、この点は第7図中に
PPCmの図面符号を用いて示しである光−光変換素子
における誘電体ミラーDMLについても同様である。A dielectric mirror DML is provided between the photoconductive layer member PCL and the light modulating material layer member HLL constructed using a polymer-liquid crystal composite film in which high-resistance liquid crystal is dispersed in a polymer material. As long as the photoconductive layer member PCL reflects the readout light RL and is not sensitive to the readout light RL, the dielectric mirror DML may be omitted. The same applies to the dielectric mirror DML in the light-to-light conversion element shown here.
光−光変換素子P P Ceにおける光変調材層部材H
LLとして使用されている高分子一液晶複合膜は、例え
ば、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、塩化ビ
ニール樹脂、ポリアミド樹脂。Light modulating material layer member H in light-light conversion element P P Ce
The polymer-liquid crystal composite film used as LL is, for example, polyester resin, polycarbonate resin, vinyl chloride resin, or polyamide resin.
ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリスチレン
樹脂、シリコン樹脂のような体積抵抗率が10″1Ω1
以上の高分子材料中に、室温において液晶相を示し、か
つ、高い体積抵抗率を有するネマティック液晶(または
スメクティック液晶)を分散させることによって構成さ
れる。The volume resistivity of polyethylene resin, polypropylene resin, polystyrene resin, silicone resin is 10″1Ω1
It is constructed by dispersing nematic liquid crystal (or smectic liquid crystal), which exhibits a liquid crystal phase at room temperature and has a high volume resistivity, in the above polymer material.
高分子一液晶複合膜による光変調材層部材HLLにおけ
る液晶は、高分子材料中に存在する無数の細孔中に閉じ
込められた状態となされているが、前記した光変調材層
部材HLLとして使用される高分子一液晶複合膜におけ
る前記の細孔は、第7図を参照して後述されている実施
例中に示されている光−光変換素子PPCmにおいて、
それの光変調材層部材HLMとして使用されている高分
子一液晶複合膜で高分子材料中に液晶を閉じ込めている
無数の細孔に比べて寸法が大きなものとされている。The liquid crystal in the light modulating material layer member HLL made of a polymer-liquid crystal composite film is confined in countless pores existing in the polymer material, and is used as the light modulating material layer member HLL described above. The above-mentioned pores in the polymer-liquid crystal composite film to be used in the light-to-light conversion element PPCm shown in the examples described later with reference to FIG.
The polymer-liquid crystal composite film used as the light modulating material layer member HLM is said to be larger in size than the countless pores that confine the liquid crystal in the polymer material.
さて、第6図に示されている光−光変換素子PPCeに
おいて、それの2つの透明電極Etl、 Etz間に電
源vbから電圧を与えて、散乱モードで動作しうる光変
調材層部材として構成されている高分子材料に高抵抗液
晶を分散させた高分子一液晶複合膜による光変調材層部
材HLL間に電界が加わるようにしておき、また、光−
光変換素子PPCeにおける光導電層部材PCL側に書
込み光WLを光導電層部材PCLに与えると、前記した
光導電層部材PCLの電気抵抗値はそれに到達した入射
光と対応して変化するために、光導電層部材PCLと誘
電体ミラーDMLとの境界面には光導電層部材に結与え
られた光と対応した電荷像が生じる。Now, in the light-to-light conversion element PPCe shown in FIG. 6, a voltage is applied from the power supply VB between its two transparent electrodes Etl and Etz, and it is configured as a light modulating material layer member that can operate in a scattering mode. An electric field is applied between the light modulating material layer members HLL, which are made of a polymer-liquid crystal composite film in which high-resistance liquid crystals are dispersed in a polymer material that is
When writing light WL is applied to the photoconductive layer member PCL on the photoconductive layer member PCL side of the photoconversion element PPCe, the electrical resistance value of the photoconductive layer member PCL described above changes in accordance with the incident light that reaches it. A charge image corresponding to the light focused on the photoconductive layer member is generated at the interface between the photoconductive layer member PCL and the dielectric mirror DML.
前記の状態において、電源vbの電圧が印加されている
2つの透明電極Etl、 EtZ間に、前記した光導電
層部材PCLに対して直列的な関係に設けられている高
分子材料に高抵抗液晶を分散させた高分子一液晶複合膜
による光変調材層部材HLLには、書込み光と対応した
電荷像の電荷分布に応じた強度分布の電界が加わる。In the above state, between the two transparent electrodes Etl and EtZ to which the voltage of the power supply vb is applied, a high resistance liquid crystal is formed on the polymer material provided in series with the photoconductive layer member PCL. An electric field with an intensity distribution corresponding to the charge distribution of the charge image corresponding to the writing light is applied to the light modulating material layer member HLL made of the polymer-liquid crystal composite film in which the writing light is dispersed.
この状態で光変調材層部材HLLとして用いられている
高分子一液晶複合膜では、前記の電荷像による電界によ
り液晶の配向状態が変化して書込み光と対応した液晶の
配向状態の変化像が生じる。In this state, in the polymer-liquid crystal composite film used as the light modulating material layer member HLL, the alignment state of the liquid crystal changes due to the electric field caused by the charge image, and an image of change in the alignment state of the liquid crystal corresponding to the writing light is created. arise.
前記のようにして光導電層部材PCLと誘電体ミラーD
MLとの境界面に生じた電荷像による電界に基づいて、
光変調材層部材HLLとして用いられている高分子一液
晶複合膜に書込み光と対応して生じた液晶の配向状態の
変化像は、光導電層部材PCLと誘電体ミラーDMLと
の境界面に生じている電荷像が存在している限り、その
ままの状態に保持されている。As described above, the photoconductive layer member PCL and the dielectric mirror D
Based on the electric field due to the charge image generated at the interface with ML,
The image of the change in the alignment state of the liquid crystal that occurs in response to the writing light in the polymer-liquid crystal composite film used as the light modulating layer member HLL is shown at the interface between the photoconductive layer member PCL and the dielectric mirror DML. As long as the generated charge image exists, it remains in that state.
すなわち、前記した電荷像によって光変調材層部材HL
Lとして用いられている高分子一液晶複合膜に与えられ
る電界は直流電界であるが、液晶として高抵抗のもの(
イオンの混入量が極めて少い液晶)が使用されているこ
とにより、既述のように長時間の経過によっても画像の
解像度の低下が生じないようにできる。That is, the light modulating material layer member HL is
The electric field applied to the polymer-liquid crystal composite film used as L is a DC electric field, but the liquid crystal with high resistance (
By using a liquid crystal (liquid crystal with an extremely small amount of ions mixed in), it is possible to prevent the image resolution from deteriorating even over a long period of time as described above.
なお、第6図示の光−光変換素子P P Ceにおける
2つの透明電極Etl、 EtZ間に接続する電源とし
て交流電源を用いても記録、再生動作を行うことができ
ることはいうまでもないが、透明電極Etl、 EtZ
間に交流電源を接続して記録動作を行った場合には、前
記したような電荷像の記録が行われないために記録動作
と同時に再生動作を行うことが必要とされる。Note that it goes without saying that recording and reproducing operations can be performed even if an AC power source is used as the power source connected between the two transparent electrodes Etl and EtZ in the light-to-light conversion element PPCe shown in FIG. Transparent electrode Etl, EtZ
If a recording operation is performed by connecting an AC power source between the two, the recording of the charge image as described above is not performed, so it is necessary to perform a reproducing operation at the same time as the recording operation.
次に前述のようにして光導電層部材PCLと誘電体ミラ
ーDMLとの境界面に生じた電荷像(誘電体ミラーDM
Lが使用されない場合には、電荷像は光導電層部材PC
Lと光変調材層部材HLLとして用いられている高分子
一液晶複合膜との境界面に生じることはいうまでもない
)を消去すると、光変調材層部材HLLとして用いられ
ている高分子一液晶複合膜に与えられる電界がなくなる
ために高分子一液晶複合膜中の液晶が等方性相になって
読出し光RLを光変調材層部材HLLに入射させても画
像情報は再生されない、すなわち、消去が行われること
になる。Next, the charge image (dielectric mirror DM) generated at the interface between the photoconductive layer member PCL and the dielectric mirror DML as described above
If L is not used, the charge image is formed on the photoconductive layer member PC.
It goes without saying that this occurs at the interface between L and the polymer-liquid crystal composite film used as the light modulating material layer member HLL. Since the electric field applied to the liquid crystal composite film disappears, the liquid crystal in the polymer-liquid crystal composite film becomes an isotropic phase, and even if the readout light RL is made incident on the light modulating material layer member HLL, image information is not reproduced. , erasure will be performed.
それで、消去動作としては前記のように光導電層部材P
CLと誘電体ミラーDMLとの境界面に生じた電荷像(
誘電体ミラーDMLが使用されない場合には、電荷像は
光導電層部材PCLと光変調材層部材HLLとして用い
られている高分子一液晶複合膜との境界面に生じること
はいうまでもない)が消去されるようにすればよいので
あり、それには例えば消去用の光源からの消去光をレン
ズを介して光−光変換素子P P Ceの透明電極Et
1側から光−光変換素子PPCeに入射させて、それの
光導電層部材PCLの電気抵抗値を低下させるようにす
ればよい、なお、前記の消去動作時における光−光変換
素子PPCeの2つの透明電極Etl、 Et2は、前
記した両者間が短絡された状態にされていても、あるい
は両者が接地されていてもよい。Therefore, as for the erasing operation, as described above, the photoconductive layer member P
The charge image generated at the interface between CL and dielectric mirror DML (
It goes without saying that when the dielectric mirror DML is not used, a charge image is generated at the interface between the photoconductive layer member PCL and the polymer-liquid crystal composite film used as the light modulating material layer member HLL.) For this purpose, for example, the erasing light from the erasing light source is passed through the lens to the transparent electrode Et of the light-to-light conversion element P P Ce.
The light may be made to enter the light-to-light conversion element PPCe from the 1 side to reduce the electrical resistance value of the photoconductive layer member PCL. The two transparent electrodes Etl and Et2 may be short-circuited as described above, or both may be grounded.
第6@を参照して既述したように、書込み光と対応する
電荷像が光−光変換素子P P Ceにおける光導電層
部材PCLと誘電体ミラーDMLとの境界面(誘電体ミ
ラーDMLが使用されない場合には、光導電層部材PC
Lと光変調材層部材HLLとして用いられている高分子
一液晶複合膜との境界面)に生じて、その電荷像による
電界が光変調材層部材HLLに印加されている状態にお
いて、光−光変換素子P P Caにおける透明電極E
t2側から読出し光RLを図示されていないない光源か
ら入射すると、その読出し光RLは透明電極Et2→光
変調材層部材HLLとして用いられている高分子一液晶
複合膜→誘電体ミラーDMLの経路で誘電体ミラーDM
Lに達し、そこで反射された後に光変調材層部材HLL
として用いられている高分子一液晶複合膜→透明電極E
t2の経路で光−光変換素子P P Ceから出射する
。As already mentioned with reference to the 6th @, the charge image corresponding to the writing light is transmitted to the interface between the photoconductive layer member PCL and the dielectric mirror DML in the light-to-light conversion element P P Ce (the dielectric mirror DML is If not used, photoconductive layer member PC
L and the polymer-liquid crystal composite film used as the light modulating material layer member HLL), and in a state where an electric field due to the charge image is applied to the light modulating material layer member HLL, the light - Transparent electrode E in photoconversion element P P Ca
When readout light RL is incident from a light source (not shown) from the t2 side, the readout light RL follows a path of transparent electrode Et2 → polymer-liquid crystal composite film used as light modulating material layer member HLL → dielectric mirror DML. dielectric mirror DM
L and after being reflected there, the light modulating material layer member HLL
Polymer-liquid crystal composite film used as transparent electrode E
The light is emitted from the light-to-light conversion element P P Ce on the path t2.
前記のようにして光−光変換素子PPCeから出射され
た読出し光RLは、光導電層部材PCLと誘電体ミラー
DMLとの境界面(誘電体ミラーDMLが使用されない
場合には、光導電層部材PCLと光変調材層部材HLL
として用いられている高分子−液晶複合膜との境界面)
に生じている電荷像による電界と対応して光の強度が変
化している状態のものになっている。The readout light RL emitted from the light-to-light conversion element PPCe as described above is transmitted to the interface between the photoconductive layer member PCL and the dielectric mirror DML (if the dielectric mirror DML is not used, the photoconductive layer member PCL and light modulating material layer member HLL
interface with a polymer-liquid crystal composite film used as
The intensity of the light changes in response to the electric field caused by the charge image generated in the image.
すなわち、光変調材層部材HLLとして用いられている
高分子一液晶複合膜における液晶に、被写体の光学像と
対応し光電荷像の電荷分布に応じた強度分布の電界が加
わることにより、前記の液晶がそれに印加された電界強
度と対応して配向の状態を変化して、光変調材層部材H
LLとして用いられている高分子一液晶複合膜中を前記
のように往復通過する読出し光RLに対して異なる散乱
動作を行うから、光変調材層部材HLLに読出し光を投
射すると、光変調材層部材HLLを通過した後に出射し
た読出し光RLは、それの光強度が被写体の光学像と対
応して変化しているものになるのである。That is, by applying an electric field with an intensity distribution corresponding to the optical image of the subject and the charge distribution of the photocharge image to the liquid crystal in the polymer-liquid crystal composite film used as the light modulating material layer member HLL, the above-mentioned The liquid crystal changes its alignment state in response to the electric field intensity applied to it, and the light modulating material layer member H
Since different scattering operations are performed on the readout light RL that passes back and forth through the polymer-liquid crystal composite film used as the LL as described above, when the readout light is projected onto the light modulating material layer member HLL, the light modulating material The light intensity of the readout light RL emitted after passing through the layer member HLL changes in accordance with the optical image of the subject.
このように光−光変換素子PPCeから出射する読出し
光RLが書込み光と対応して光強度が変化している状態
のものになっているから、それを検光子によって光強度
の変化している光に変換してから利用している場合に比
べて、構成の簡単化が容易になるとともに、光を効率的
に使用することができるという利点が得られる。In this way, since the reading light RL emitted from the light-to-light conversion element PPCe is in a state where the light intensity is changing in correspondence with the writing light, the change in light intensity is detected by the analyzer. Compared to the case where the light is converted into light and then used, the structure can be simplified and the light can be used more efficiently.
読出し光RLの光源としてはレーザ光源、白熱灯、放電
灯など、任意の光源からの光を用いることができる、ま
た、読出し光RLは微小な径の光束でも、大面積の光束
でも使用できることはいうまでもない。As the light source of the readout light RL, light from any light source such as a laser light source, an incandescent lamp, or a discharge lamp can be used.Also, the readout light RL can be used as a light beam with a minute diameter or a light beam with a large area. Needless to say.
これまでに説明した光−光変換素子における散乱モード
で動作しうる光変調材層部材としては、高分子材料に高
抵抗液晶を分散させた高分子一液晶複合膜を用いて構成
した光変調材層部材、及び高分子材料に液晶を分散させ
た高分子一液晶メモリ膜を用いて構成した光変調材層部
材を使用した実施例について説明したが、電界により光
の散乱状態繰返し変化するPLZT(例えばPLZT8
/70/30 )を光変調材層部材として構成させた光
−光変換素子が用いられてもよい。The light modulating material layer member that can operate in the scattering mode in the light-to-light conversion element described so far is a light modulating material constructed using a polymer-liquid crystal composite film in which high-resistance liquid crystal is dispersed in a polymer material. Although we have described an example using a layer member and a light modulating material layer member constructed using a polymer-liquid crystal memory film in which liquid crystal is dispersed in a polymer material, PLZT (PLZT), which repeatedly changes the scattering state of light due to an electric field, has been described. For example, PLZT8
/70/30) may be used as a light modulating material layer member.
次に第7図に示されている光−光変換素子PPCmにつ
いて説明する。第7図においてPPCmは光−光変換素
子、vbは電源、WLは書込み光、RLは読出し光、H
ECは加熱用電源である。Next, the light-light conversion element PPCm shown in FIG. 7 will be explained. In Fig. 7, PPCm is a light-to-light conversion element, vb is a power supply, WL is a write light, RL is a read light, and H
EC is a heating power source.
第7図中に示されている光−光変換素子PPCmは透明
電極Etlと、光導電層部材PCLと、誘電体ミラーD
MLと、高分子材料に液晶を分散させた高分子一液晶メ
モリ膜を用いて構成した光変調材層部材HLMと、透明
電極Et2と、加熱層HEL(この加熱層HELと透明
電極Et2とが兼用された構成のものとされもよい)と
を積層した構成態様のものとなされている。The light-to-light conversion element PPCm shown in FIG. 7 includes a transparent electrode Etl, a photoconductive layer member PCL, and a dielectric mirror D.
ML, a light modulating material layer member HLM constructed using a polymer-liquid crystal memory film in which liquid crystal is dispersed in a polymer material, a transparent electrode Et2, and a heating layer HEL (this heating layer HEL and transparent electrode Et2 are (It may also have a dual-use configuration).
第7図中に示されている光−光変換素子PCCmにおけ
る加熱層HELは、消去動作時に加熱用電源HECから
供給される電力によって発熱して、高分子材料に液晶を
分散させた高分子一液晶メモリ膜を用いて構成されてい
る光変調材層部材HLM中の液晶を溶融させるためのも
のである。The heating layer HEL in the light-to-light conversion element PCCm shown in FIG. This is for melting the liquid crystal in the light modulating material layer member HLM configured using a liquid crystal memory film.
前記した第7図に示されている光−光変換素子PPCm
における光変調材層部材HLMは、高分子材料に液晶を
分散させた高分子一液晶メモリ膜を用いて構成されてい
る。The light-light conversion element PPCm shown in FIG. 7 described above
The light modulating material layer member HLM is constructed using a polymer-liquid crystal memory film in which liquid crystal is dispersed in a polymer material.
前記した光−光変換素子P P Cmにおいて光変調材
層部材HLMとして用いられている高分子一液晶メモリ
膜は、第6図を参照して説明した光−光変換素子P P
Ceにおける光変調材層部材HLLとして用いられて
いる高分子一液晶複合膜と同様に、例えば、メタクリル
樹脂、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、塩化
ビニール樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエチレン樹脂、ポ
リプロピレン樹脂、ポリスチレン樹脂、シリコン樹脂の
ような体積抵抗率が1014Ω1以上の高分子材料中に
、室温において液晶相を示し、かつ、高い体積抵抗率を
有するネマティック液晶(またはスメクティック相)を
分散させることによって構成させることができる。The polymer-liquid crystal memory film used as the light modulating material layer member HLM in the light-to-light conversion element P P Cm described above is the same as the light-to-light conversion element P P Cm described with reference to FIG.
Similar to the polymer-liquid crystal composite film used as the light modulating material layer member HLL in Ce, for example, methacrylic resin, polyester resin, polycarbonate resin, vinyl chloride resin, polyamide resin, polyethylene resin, polypropylene resin, polystyrene resin, It can be constructed by dispersing nematic liquid crystal (or smectic phase), which exhibits a liquid crystal phase at room temperature and has a high volume resistivity, in a polymer material such as silicone resin with a volume resistivity of 1014 Ω1 or more. .
そして、前記した高分子一液晶メモリ膜HLMの構成の
ために使用される液晶としては、室温でネマチック相(
またはスメクティック相)を形成するものであれが、ど
のようなものが使用されてもよいが、体積抵抗率が高い
もの、粘度が高いものが使用されることは、情報を高い
コントラスト比で再生させたり、記録性能を高める上で
良い結果を生じさせる。また、前記した高分子一液晶メ
モリ@iHLMの構成のために使用される液晶としては
高分子材料の融点よりも低い融点のものが使用されるこ
とが必要である。The liquid crystal used to construct the polymer-liquid crystal memory film HLM mentioned above has a nematic phase (
Any material may be used, including those that form a smectic phase (or smectic phase), but the use of materials with high volume resistivity and high viscosity means that information can be reproduced with a high contrast ratio. and produce good results in improving recording performance. Furthermore, it is necessary that the liquid crystal used for the above-mentioned structure of the polymer-liquid crystal memory@iHLM has a melting point lower than that of the polymer material.
ところで、前記した光−光変換素子PPCmにおいて光
変調材層部材HLMとして用いられている高分子一液晶
メモリ膜は、第6図を参照して既述されている高分子一
液晶複合膜を使用して構成された光変調材層部材HLL
が、それに印加されている電界によって液晶の配向の状
態が保持されていたのとは異なり、光変調材層部材HL
Mに電界が印加されて高分子一液晶メモリ膜中の液晶の
配向状態が変化された後に、電界が除去されても高分子
一液晶メモリ膜中の液晶の配向状態が変化しない、とい
うメモリ機能を備えているようなものとして作られるの
である。By the way, the polymer-liquid crystal memory film used as the light modulating material layer member HLM in the above-mentioned light-light conversion element PPCm uses the polymer-liquid crystal composite film already described with reference to FIG. A light modulating material layer member HLL configured as
However, unlike the case where the alignment state of the liquid crystal was maintained by the electric field applied thereto, the light modulating material layer member HL
A memory function in which an electric field is applied to M to change the orientation state of the liquid crystal in the polymer-liquid crystal memory film, and then the orientation state of the liquid crystal in the polymer-liquid crystal memory film does not change even if the electric field is removed. It is made as if it were equipped with the following.
前記した高分子一液晶メモリ膜HLMの構成要素の一つ
として用いられている液晶は、高分子一液晶メモリwA
HLMの他の構成要素として用いられている多孔質の高
分子材料膜中にランダムに分布している状態で形成され
ている無数の微小な細孔中に封入された状態になされて
いるが、前記した高分子一液晶メモリ膜中の液晶による
メモリ機能は、液晶が閉じ込められている高分子材料中
の細孔の大きさを小さくして、高分子材料中の液晶に加
えられる細孔の壁の力が大きくすることによって得られ
るものと考えられており、前記の細孔が例えば0.5ミ
クロン程度以下の径のものとなされることは望ましい実
施の態様である。The liquid crystal used as one of the constituent elements of the polymer-liquid crystal memory film HLM described above is the polymer-liquid crystal memory wA.
It is encapsulated in countless minute pores that are randomly distributed in the porous polymer material membrane used as other components of HLM. The memory function of the liquid crystal in the polymer-liquid crystal memory film described above is achieved by reducing the size of the pores in the polymer material in which the liquid crystal is confined, and by reducing the size of the pore walls added to the liquid crystal in the polymer material. It is believed that this can be achieved by increasing the force of , and it is a desirable embodiment that the pores have a diameter of, for example, about 0.5 microns or less.
前記のように高分子一液晶メモリ膜における多孔質の高
分子材料膜中にランダムに分布して形成されている無数
の微小な細孔中に封入されている液晶に電界が印加され
て高分子一液晶メモリ膜が透明な状態になるような傾向
で液晶に生じた配向状態が前記した印加電界の除去後に
おいても保持され続けるというメモリ機能について補足
説明を行うと次の通りである。As mentioned above, an electric field is applied to the liquid crystal sealed in the countless minute pores randomly distributed in the porous polymer material film of the polymer-liquid crystal memory film. The following is a supplementary explanation of the memory function in which the alignment state that occurs in the liquid crystal so that the liquid crystal memory film tends to become transparent continues to be maintained even after the above-mentioned applied electric field is removed.
細孔中に封入されている液晶分子は、細孔壁表面の力を
受けている状態で微小な細孔中にネマティック相(また
はスメクティック相)の状態で封入された状態になされ
ている(細孔中に封入されている液晶分子は細孔壁の表
面の力を受けるが、細孔壁に近い液晶分子になる程前記
の力は大きく加わる。したがって径の小さな細孔になる
程、細孔中に封入されている液晶分子に加わる細孔壁の
表面の力の影響が大になる)が、前記のように細孔壁の
表面の力を受けている状態で細孔中に封入されている液
晶に対して、ある閾値以上の電界強度の電界が印加され
た一場合には、細孔壁の表面からの力を受けている状態
で細孔中にネマティック相(またはスメクティック相)
の状態で封入されている液晶分子は、前記した細孔壁の
表面から加えられている力に抗して電界の方向に配向す
るように変位する。The liquid crystal molecules encapsulated in the pores are encapsulated in a nematic phase (or smectic phase) in the minute pores under the force of the pore wall surface. The liquid crystal molecules sealed in the pores are subjected to surface forces of the pore walls, and the closer the liquid crystal molecules are to the pore walls, the greater the force applied.Therefore, the smaller the pores are, the more The effect of the surface force of the pore wall on the liquid crystal molecules encapsulated in the liquid crystal molecules becomes large). When an electric field with an electric field strength above a certain threshold is applied to a liquid crystal, a nematic phase (or smectic phase) forms in the pores under the force from the surface of the pore walls.
The liquid crystal molecules sealed in this state resist the force applied from the surface of the pore wall and are displaced so as to align in the direction of the electric field.
そして電界の印加に対応して液晶分子に生じる変位の態
様は、印加される電界の強度に応じて変化し、液晶に印
加される電界が弱い状態のときは細孔壁の表面から加え
られている力が弱い液晶分子、すなわち、主として細孔
の中心部付近に位置する液晶分子だけが印加された電界
の方向に向くような傾向で変位し、液晶に印加される電
界の強度が次第に強くなるのにつれて、細孔壁の表面か
ら加えられている力が強い液晶分子、すなわち細孔壁に
近くに位置する液晶分子も印加された電界の方向に液晶
の分子軸の方向が向くような傾向で変位するという変位
の態様で液晶分子が配向する。The mode of displacement that occurs in liquid crystal molecules in response to the application of an electric field changes depending on the strength of the applied electric field, and when the electric field applied to the liquid crystal is weak, Only liquid crystal molecules with a weak force, that is, liquid crystal molecules mainly located near the center of the pores, are displaced with a tendency to face the direction of the applied electric field, and the strength of the electric field applied to the liquid crystal gradually becomes stronger. As the force increases, the liquid crystal molecules that are placed near the pore wall, which are subjected to a strong force from the surface of the pore wall, also tend to have their molecular axes oriented in the direction of the applied electric field. The liquid crystal molecules are oriented in a manner of displacement.
それで、高分子一液晶メモリ膜における多孔質の高分子
材料膜中にランダムに分布して形成されている無数の微
小な細孔中にネマティック相(またはスメクテイック相
)の状態で封入されている液晶分子は、電界の印加時に
前記した細孔壁の表面から加えられている力に抗して液
晶の分子軸の方向が電界の方向に向くような傾向で変位
するような変位の態様で配向されるが、前記のように印
加された電界によって配向された液晶の分子は既述した
細孔壁の表面の力によって、そのままの姿態に保持され
るから、前記のように電界の印加によって変化された液
晶の配向の状態は印加された電界が除去された後におい
ても、そのままの状態に保持されるためにメモリ機能を
示すのである。Therefore, liquid crystals are encapsulated in a nematic phase (or smectic phase) in countless minute pores that are randomly distributed and formed in a porous polymer material film in a polymer-liquid crystal memory film. The molecules are oriented in such a manner that when an electric field is applied, the molecules are displaced in such a way that the direction of the molecular axis of the liquid crystal is oriented in the direction of the electric field against the force applied from the surface of the pore wall described above. However, since the liquid crystal molecules oriented by the electric field applied as described above are held in the same state by the surface force of the pore walls, they are not changed by the application of the electric field as described above. The alignment state of the liquid crystal remains in that state even after the applied electric field is removed, so it exhibits a memory function.
そして、液晶の配向の状態による情報の記憶状態を消去
するのには、光変調材層部材HLMとして使用されてい
る高分子一液晶メモリ膜中の液晶をそれの融点の温度と
高分子材料の融点との間の温度にまで昇温しで、液晶を
溶融させて等方性相とすることによって行うことが必要
とされ、前記のようにして溶融状態になされて等方性相
になっていた液晶は、時間の経過により冷却してネマテ
ィック相(またはスメクティック相)になり、その部分
が不透明な状態に変化する。In order to erase the storage state of information due to the orientation state of the liquid crystal, it is necessary to adjust the melting point of the polymer used as the light modulating material layer member HLM and the liquid crystal in the liquid crystal memory film to the polymer material. It is necessary to perform this by heating the liquid crystal to a temperature between the melting point and melting the liquid crystal into an isotropic phase. The liquid crystal cools over time and becomes a nematic phase (or smectic phase), and that part changes to an opaque state.
まず、第7図に示されている光−光変換素子PPCmの
2つの透明電極Etl、 EtZ間に電源vbから電圧
を与えて、散乱モードで動作しうる光変調材層部材とし
て構成されている高分子材料に液晶を分散させた高分子
一液晶メモリ膜による光変調材層部材HLM間に電界が
加わるようにしておき、また、光−光変換素子PPCm
における光導電層部材PCL側から図示されていない撮
像レンズを介して被写体の光学像を書込み光WLとして
光導電層部材PCLに結像させると、前記した光導電層
部材PCLの電気抵抗値はそれに到達した入射光による
光学像と対応して変化するために。First, a voltage is applied from the power source VB between the two transparent electrodes Etl and EtZ of the light-to-light conversion element PPCm shown in FIG. 7 to form a light modulating material layer member that can operate in a scattering mode. An electric field is applied between the light modulating material layer member HLM made of a polymer material and a liquid crystal memory film in which liquid crystal is dispersed, and the light-light conversion element PPCm
When an optical image of a subject is formed as writing light WL on the photoconductive layer member PCL from the photoconductive layer member PCL side through an imaging lens (not shown), the electric resistance value of the photoconductive layer member PCL described above changes accordingly. In order to change correspondingly to the optical image due to the incident light that arrives.
光導電層部材PCLと誘電体ミラーDMLとの境界面に
は光導電層部材に結像した被写体の光学像と対応した電
荷像が生じる。A charge image corresponding to the optical image of the subject formed on the photoconductive layer member is generated at the interface between the photoconductive layer member PCL and the dielectric mirror DML.
前記の状態において、電源vbの電圧が印加されている
2つの透明電極Etl、 EtZ間に、前記した光導電
層部材PCLに対して直列的な関係に設けられている高
分子材料に液晶を分散させた高分子一液晶メモリ膜によ
る光変調材層部材HLMには、被写体の光学像と対応し
た電荷像の電荷分布に応じた強度分布の電界が加わる。In the above state, liquid crystal is dispersed in the polymeric material provided in series with the photoconductive layer member PCL between the two transparent electrodes Etl and EtZ to which the voltage of the power supply Vb is applied. An electric field with an intensity distribution corresponding to the charge distribution of the charge image corresponding to the optical image of the object is applied to the light modulating material layer member HLM made of the polymer-liquid crystal memory film.
この状態で光変調材層部材HLMとして用いられている
高分子一液晶メモリ膜では、前記の電荷像による電界に
より液晶の配向状態が変化し、被写体の電磁放射線像と
対応した液晶の配向状態の変化像が生じ、その配向の状
態が記憶される。In this state, in the polymer-liquid crystal memory film used as the light modulating material layer member HLM, the alignment state of the liquid crystal changes due to the electric field caused by the charge image, and the alignment state of the liquid crystal corresponds to the electromagnetic radiation image of the subject. A changed image is generated and its state of orientation is memorized.
前記のようにして光導電層部材PCLと誘電体ミラーD
MLとの境界面に生じた電荷像による電界に基づき、光
変調材層部材HLMとして用いられている高分子一液晶
メモリ膜に被写体の電磁放射線像と対応して生じた液晶
の配向状態の変化像は、光導電層部材PCLと誘電体ミ
ラーDMLとの境界面に生じている電荷像が除去されて
も、そのままの状態に保持されている。As described above, the photoconductive layer member PCL and the dielectric mirror D
Based on the electric field caused by the charge image generated at the interface with the ML, a change in the alignment state of the liquid crystal occurs in the polymer-liquid crystal memory film used as the light modulating material layer member HLM in response to the electromagnetic radiation image of the subject. The image remains as it is even if the charge image generated at the interface between the photoconductive layer member PCL and the dielectric mirror DML is removed.
第7図示の光−光変換素子PPCmにおける加熱層HE
L側から読出し光RLを図示されていないない光源から
入射すると、その読出し光RLは加熱層HEL→透明電
極Et2→光変舅材層部材HLMとして用いられている
高分子一液晶メモリ膜→誘電体ミラーDMLの経路で誘
電体ミラーDMLに達し、そこで反射された後に光変調
材層部材HLMとして用いられている高分子一液晶メモ
リ膜→透明電極Et2の経路で光−光変換素子PPCm
から出射する。Heating layer HE in the light-to-light conversion element PPCm shown in FIG.
When the readout light RL is incident from the L side from a light source (not shown), the readout light RL is transmitted through the heating layer HEL→transparent electrode Et2→the polymer-liquid crystal memory film used as the light-changing material layer member HLM→the dielectric It reaches the dielectric mirror DML via the path of the body mirror DML, and after being reflected there, it is transferred from the polymer-liquid crystal memory film used as the light modulating material layer member HLM to the light-light conversion element PPCm via the path of the transparent electrode Et2.
Emits from.
前記のようにして光−光変換素子P P Cmから出射
された読出し光RLは、光変調材層部材HLMとして用
いられている高分子一液晶メモリ膜に生じている液晶の
配向状態の変化像と対応して光の強度が変化している状
態のものになっている。The readout light RL emitted from the light-light conversion element P P Cm as described above is an image of the change in the alignment state of the liquid crystal occurring in the polymer-liquid crystal memory film used as the light modulating material layer member HLM. The intensity of the light changes accordingly.
このように光−光変換素子PPCmから出射する読出し
光RLは書込み光と対応して光強度が変化している状態
のものになっているから、従来の光−光変換素子からの
読出し光のように、それを検光子によって光強度の変化
している光に変換してから利用している場合に比べて、
構成の簡単化が容易になるとともに、光を効率的に使用
することができるという利点が得られる。In this way, the readout light RL emitted from the light-to-light conversion element PPCm has a light intensity varying in correspondence with the writing light, so that the readout light from the conventional light-to-light conversion element is different from the light intensity. Compared to the case where it is used after converting it into light with varying intensity using an analyzer,
The advantage is that the configuration can be simplified and light can be used efficiently.
なお、読出し光RLの光源としてはレーザ光源、白熱灯
、放電灯など、任意の光源からの光を用いることができ
る。また、読出し光RLは微小な径の光束でも、大面積
の光束でも使用できることはいうまでもない。Note that as the light source of the readout light RL, light from any light source such as a laser light source, an incandescent lamp, or a discharge lamp can be used. Further, it goes without saying that the readout light RL can be used either as a light beam with a minute diameter or as a light beam with a large area.
次に、前記のようにして光変調材層部材HLMとして使
用されている高分子一液晶メモリ膜中の液晶の配向の状
態によって記憶されている情報を消去するには、光変調
材層部材HLMとして使用されている高分子一液晶メモ
リ膜中の液晶をそれの融点の温度と高分子材料の融点と
の間の温度にまで昇温しで、液晶を溶融させて等方性相
とすることによって行うことが必要とされるが、それは
第7図示の実施例の表示装置においては消去動作時に加
熱用電源HECからの加熱用電力を光−光変換素子PP
Cmの加熱層HEL(この加熱層HELと透明電極Et
2とが兼用された構成のものとされもよい)に供給して
加熱層HELを発熱させ、光変調材層部材HLMとして
使用されている高分子一液晶メモリ膜を加熱して、高分
子一液晶メモリ膜中の液晶をそれの融点の温度と高分子
材料の融点との間の温度にまで昇温しで、液晶を溶融さ
せて等方性相とすることによって行うことができる。Next, in order to erase the information stored by the alignment state of the liquid crystal in the polymer-liquid crystal memory film used as the light modulating material layer member HLM as described above, the light modulating material layer member HLM is The temperature of the liquid crystal in the polymer-liquid crystal memory film used as a liquid crystal memory film is raised to a temperature between the melting point of the polymer material and the melting point of the polymer material to melt the liquid crystal and make it into an isotropic phase. However, in the display device of the embodiment shown in FIG.
Cm heating layer HEL (this heating layer HEL and transparent electrode Et
2) to generate heat in the heating layer HEL, and heat the polymer-liquid crystal memory film used as the light modulating material layer member HLM. This can be done by heating the liquid crystal in the liquid crystal memory film to a temperature between the melting point of the liquid crystal and the melting point of the polymer material to melt the liquid crystal into an isotropic phase.
なお、書込み動作時に光導電層部材PCLと誘電体ミラ
ーDMLとの境界面に生じた電荷像(誘電体ミラーDM
Lが使用されない場合には、電荷像は光導電層部材PC
Lと光変調材層部材HLMとして用いられている高分子
一液晶メモリ膜との境界面に生じることはいうまでもな
い)が残っている場合には、前記した加熱による高分子
一液晶メモリ膜における記憶の消去動作を行う以前に、
前記のその電荷像も消去することが必要であるが。Note that a charge image (dielectric mirror DM) generated at the interface between the photoconductive layer member PCL and the dielectric mirror DML during the writing operation
If L is not used, the charge image is formed on the photoconductive layer member PC.
It goes without saying that this occurs at the interface between L and the polymer-liquid crystal memory film used as the light modulating material layer member HLM. Before performing the memory erasing operation in
It is necessary to erase that charge image mentioned above as well.
前記の電荷像の消去を行うためには、消去用の光源から
の消去光をレンズを介して透明電極Etl側から光−光
変換素子PPCmに入射させて、光導電層部材PCLの
電気抵抗値を低下させるようにすればよい。前記の消去
動作時に2つの透明電極Etl、 EtZ間を短絡した
状態にしておいても、あるいは開放状態にしておいても
、もしくは接地してもよい。In order to erase the charge image, erasing light from an erasing light source is made to enter the light-to-light conversion element PPCm from the transparent electrode Etl side through a lens, and the electrical resistance value of the photoconductive layer member PCL is All you have to do is lower it. During the erasing operation, the two transparent electrodes Etl and EtZ may be short-circuited, open, or grounded.
前記した第6図及び第7図を参照して説明した光−光変
換素子PPCe(またはPPCm)は、電界強度に応じ
て光の散乱状態を変化させるような光変調材層部材を使
用して構成されているために、読出し光RLの入射方向
を光−光変換素子PPCe(またはPPCm)の法線方
向以外の方向にしても読出すことができるので、高い光
の利用効率で情報の読出しができる。The light-to-light conversion element PPCe (or PPCm) explained with reference to FIGS. 6 and 7 above uses a light modulating material layer member that changes the scattering state of light according to the electric field strength. Because of this structure, it is possible to read out information even when the direction of incidence of the readout light RL is in a direction other than the normal direction of the light-to-light conversion element PPCe (or PPCm), so information can be read out with high light utilization efficiency. I can do it.
(発明が解決しようとする課題)
しかし、読出し光RLの入射方向を光−光変換素子PP
Ce(またはPPCm)の法線方向以外の方向にした場
合には、読出し光が被写体の光学像と対応して光強度の
変化している状態の光として光−光変換素子P P C
e (またはP P Cm )から出射して投影レンズ
によりスクリーン上に投影されたスクリーン上の画像は
、スクリーンの各部における結像の状態が異なっている
と同時に、スクリーンの各部における像倍率が異なって
スクリーン上に像歪が生じている画像が投影されるとい
う問題点が生じる。(Problem to be Solved by the Invention) However, the incident direction of the readout light RL is
When the direction is other than the normal direction of Ce (or PPCm), the light-to-light conversion element P
The image on the screen that is emitted from e (or P P Cm ) and projected onto the screen by the projection lens has different image formation conditions in each part of the screen, and also has different image magnification in each part of the screen. A problem arises in that an image with image distortion is projected onto the screen.
(課題を解決するための手段)
本発明は所定の電圧が印加された2枚の電極の間に、少
なくとも光導電層部材と、散乱モードで動作しうる光変
調材層部材とによって構成した光−光変換素子における
光導電層部材側の電極を通して、書込み用電磁放射線を
光導電層部材に与えて、光導電層部材と光変調材層部材
との間に前記した書込み用電磁放射線と対応する電荷像
を生じさせる手段と、前記の電荷像による電界によって
前記した光変調材層部材に光に対する散乱の度合いに変
化を生じさせる手段と、光−光変換素子の法線方向以外
の方向の主光軸を有する読出し用電磁放射線を用いて前
記した光変調材層部材における電磁放射線と対応する光
に対する散乱の度合いの変化を読出す手段と、読出し光
の結像面において生じる像歪を読出しの光学系で補正す
る手段とを備えてなる光−光変換素子の応用装置、及び
所定の電圧が印加された2枚の電極の間に、少なくとも
光導電層部材と、散乱モードで動作しうる光変調材層部
材とによって構成した光−光変換素子における光導電層
部材側の電極を通して、書込み用電磁放射線を光導電層
部材に与えて、光導電層部材と光変調材層部材との間に
前記した書込み用電磁放射線と対応する電荷像を生じさ
せる手段と、前記の電荷像による電界によって前記した
光変調材層部材に光に対する散乱の度合いに変化を生じ
させる手段と、光−光変換素子の法線方向以外の方向の
主光軸を有する読出し用電磁放射線を用いて前記した光
変調材層部材における電磁放射線と対応する光に対する
散乱の度合いの変化を読出す手段と、読出し光の結像面
において生じる像歪を打消しうるように書込み光によっ
て形成させる画像形状を予め歪ませる手段とを備えてな
る光−光変換素子の応用装置を提供する。(Means for Solving the Problems) The present invention provides a light beam structure comprising at least a photoconductive layer member and a light modulating material layer member capable of operating in a scattering mode between two electrodes to which a predetermined voltage is applied. - Applying electromagnetic radiation for writing to the photoconductive layer member through the electrode on the side of the photoconductive layer member in the photoconversion element, so that electromagnetic radiation for writing corresponds to the above-mentioned electromagnetic radiation for writing between the photoconductive layer member and the light modulating material layer member. means for generating a charge image; means for causing a change in the degree of scattering of light in the light modulating material layer member by an electric field caused by the charge image; means for reading out changes in the degree of scattering of light corresponding to the electromagnetic radiation in the light modulating material layer member using readout electromagnetic radiation having an optical axis; A light-to-light conversion element application device comprising means for correcting with an optical system, and at least a photoconductive layer member and a light source capable of operating in a scattering mode between two electrodes to which a predetermined voltage is applied. A writing electromagnetic radiation is applied to the photoconductive layer member through the electrode on the photoconductive layer member side of the light-to-light conversion element constituted by the modulating material layer member, thereby creating a gap between the photoconductive layer member and the light modulating material layer member. means for generating a charge image corresponding to the electromagnetic radiation for writing; means for causing a change in the degree of scattering of light in the light modulating material layer member by an electric field caused by the charge image; and a light-light conversion element. means for reading out a change in the degree of scattering of light corresponding to the electromagnetic radiation in the light modulating material layer member using readout electromagnetic radiation having a main optical axis in a direction other than the normal direction of the light modulating material; An application device for a light-to-light conversion element is provided, which includes means for predistorting an image shape formed by writing light so as to cancel out image distortion occurring on an image plane.
(作用)
散乱モードで動作しうる光変調材層部材を含んで構成さ
れている光−光変換素子に対して、それの法線方向以外
の方向の主光軸を有する読出し用電磁放射線を用いて前
記した光変調材層部材の光に対する散乱の度合いの変化
を読出すようにした光−光変換素子を用いた光−光変換
素子の応用装置において、光−光変換素子における書込
み用電磁放射線の結像面と投影レンズの主平面とスクリ
ーン面とが平行になされるとともに前記した投影レンズ
によって前記した光−光変換素子から読出された電磁放
射線情報がスクリーンに結像されるように、前記した光
−光変換素子と投影レンズとスクリーンとを配置して、
スクリーン上に像歪の無い投影画像を投影させる。(Function) Using readout electromagnetic radiation having a main optical axis in a direction other than the normal direction to a light-to-light conversion element that includes a light modulating material layer member that can operate in a scattering mode. In the application device of the light-to-light conversion element using the light-to-light conversion element which reads out the change in the degree of scattering of light of the light modulating material layer member, the electromagnetic radiation for writing in the light-to-light conversion element is used. The imaging plane of the projection lens, the main plane of the projection lens, and the screen surface are parallel to each other, and the electromagnetic radiation information read from the light-to-light conversion element is imaged on the screen by the projection lens. A light-to-light conversion element, a projection lens, and a screen are arranged.
To project a projection image without image distortion on a screen.
また、散乱モードで動作しうる光変調材層部材を含んで
構成されている光−光変換素子に対して。Further, the present invention relates to a light-to-light conversion element including a light modulating material layer member capable of operating in a scattering mode.
それの法線方向以外の方向の主光軸を有する読出し用電
磁放射線を用いて前記した光変調材層部材の光に対する
散乱の度合いの変化を読出すようにした光−光変換素子
を用いた光−光変換素子の応用装置において、光−光変
換素子における書込み用電磁放射線の結像面の延長と投
影レンズの主平面の延長とスクリーンの延長とが略々1
直線上で交じわるように前記した光−光変換素子と投影
レンズとスクリーンとを配置し、また、スクリーン上に
投影された画像に生じる台形歪を打消しうるように書込
み光による画像形状を予め台形に歪ませておき、さらに
書込み光を前記した台形と対応して強度変調させてスク
リーン上の両像にシェーディングが生じないようにする
。A light-to-light conversion element is used that reads out changes in the degree of scattering of light of the light modulating material layer member using readout electromagnetic radiation having a main optical axis in a direction other than the normal direction thereof. In an application device of a light-to-light conversion element, the extension of the imaging plane of electromagnetic radiation for writing in the light-to-light conversion element, the extension of the main plane of the projection lens, and the extension of the screen are approximately 1
The above-mentioned light-to-light conversion element, projection lens, and screen are arranged so as to intersect on a straight line, and the image shape by the writing light is adjusted so as to cancel the trapezoidal distortion that occurs in the image projected on the screen. The writing light is previously distorted into a trapezoid, and the intensity of the writing light is modulated in correspondence with the trapezoid, so that shading does not occur on both images on the screen.
散乱モードで動作しうる光変調材層部材を含んで構成さ
れている光−光変換素子に対して、それの法線方向以外
の方向の主光軸を有する読出し用電磁放射線を用いて前
記した光変調材層部材の光に対する散乱の度合いの変化
を読出すようにした光−光変換素子を用いた光−光変換
素子の応用装置において、光−光変換素子における書込
み用電磁放射線の結像面の延長と投影レンズの主平面の
延長とスクリーンの延長とが略々1直線上で交じわると
ともに、光−光変換素子における書込み用電磁放射線の
結像面の延長と光−光変換素子への結像レンズの主平面
の延長と原稿面の延長とが略々1直線上で交じわるよう
に、がっ、スクリーンの中心と投影レンズの主点と光−
光変換素子への結像レンズの主点と原稿面の中心とが一
直線上に位置するようにして、スクリーンと投影レンズ
と光−光変換素子と光−光変換素子への結像レンズと原
稿面とを配置して、像歪のない画像がスクリーンに投影
されるようにする。The above-mentioned method uses a readout electromagnetic radiation having a main optical axis in a direction other than the normal direction to a light-to-light conversion element including a light modulating material layer member capable of operating in a scattering mode. In a light-to-light conversion element application device using a light-to-light conversion element that reads out changes in the degree of scattering of light in a light modulating material layer member, imaging of electromagnetic radiation for writing in the light-to-light conversion element is performed. The extension of the surface, the extension of the main plane of the projection lens, and the extension of the screen intersect on approximately one straight line, and the extension of the imaging surface of the electromagnetic radiation for writing in the light-to-light conversion element and the light-to-light conversion element The center of the screen, the principal point of the projection lens, and the light -
The screen, the projection lens, the light-to-light conversion element, the imaging lens to the light-to-light conversion element, and the original are aligned so that the principal point of the imaging lens to the light conversion element and the center of the document surface are aligned. so that an image without image distortion is projected onto the screen.
(実施例)
以下、添付図面を参照しながら本発明の光−光変換素子
の応用装置の具体的な内容を詳細に説明する。第1図乃
至第3図ならびに第5図は本発明の光−光変換素子の応
用装置の容具なる実施例のブロック図であり、また、第
4図は第3図に示されている光−光変換素子の応用装置
の一部の構成部材の平面図である。(Example) Hereinafter, specific contents of the application device of the light-light conversion element of the present invention will be explained in detail with reference to the accompanying drawings. 1 to 3 and FIG. 5 are block diagrams of embodiments of the application device of the light-to-light conversion element of the present invention, and FIG. - It is a top view of some structural members of the application device of a light conversion element.
第1図においてPPCe(PPCm)は光−光変換素子
、Lpは投影レンズ、Sはスクリーン、LSは読出し光
の光源、Lcnはコンデンサレンズ、vbは電源である
。In FIG. 1, PPCe (PPCm) is a light-to-light conversion element, Lp is a projection lens, S is a screen, LS is a light source of readout light, Lcn is a condenser lens, and vb is a power source.
第1図に示されている装置において書込み光WLが光−
光変換素子PPCe(PPCm)における結像面に結像
されると、光−光変換素子P P Ce(PPCm)に
は書込み光WLによって、第6図及び第7図について既
述したようにして書込み動作が行われる。In the apparatus shown in FIG.
When the image is formed on the imaging plane of the light conversion element PPCe (PPCm), the writing light WL is applied to the light-to-light conversion element PPCe (PPCm) as already described in FIGS. 6 and 7. A write operation is performed.
第1図に示されている装置は、光−光変換素子PPCe
(PPCm)における結像面と投影レンズLpの主平面
とスクリーンSとが互に平行になされるとともに前記し
た投影レンズLpにより前記した光−光変換素子PPC
e(PPCm)から読出された電磁放射線情報がスクリ
ーンAに結像されるように、前記した光−光変換素子P
PCe(PPCm )と投影レンズLpとスクリーンS
とが配置されているから、光−光変換素子PPCe(P
PCm)の面の法線以外の方向から光−光変換素子PP
Ce(PPCm)に読出し光RLを入射させた場合でも
、スクリーンS上の全面にわたって同一の倍率で、かつ
、良好な結像状鳶の画像がスクリーンS上に投影される
。The device shown in FIG. 1 includes a light-light conversion element PPCe.
The imaging plane in (PPCm), the main plane of the projection lens Lp, and the screen S are made parallel to each other, and the projection lens Lp allows the light-to-light conversion element PPC
The above-mentioned light-to-light conversion element P is configured so that the electromagnetic radiation information read from
PCe (PPCm), projection lens Lp, and screen S
Since the light-light conversion element PPCe (P
PCm) from a direction other than the normal to the surface of the light-light conversion element PP.
Even when the readout light RL is incident on Ce (PPCm), a well-formed image of the kite is projected onto the screen S at the same magnification over the entire surface of the screen S.
ところが、第1図示のような構成となされた装置では、
画角が大きくなるために通常の光学系が使用された場合
に1画像の中心部から周辺部に行くに従って光量が著る
しく減少することが起きることがあるが、この問題は第
2図及び第3図ならびに第5図に示されている装置によ
れば解決できる。However, in a device configured as shown in the first diagram,
When a normal optical system is used because the angle of view becomes larger, the amount of light may decrease significantly from the center to the periphery of an image, but this problem is solved as shown in Figure 2 and This problem can be solved by the devices shown in FIGS. 3 and 5.
まず第2図において、1は表示の対象にされている情報
信号によって強度変調されたレーザ光を放射するレーザ
光源、2は制御部、3は変調回路、PDEFは光偏向器
、Lfは書込み光の結像レンズ、PPCe(PPCm)
は光−光変換素子、Lpは投影レンズ、Sはスクリーン
、LSは読出し光の光源、Lcnはコンデンサレンズ、
M r e fは反射鏡、vbは電源である。First, in Fig. 2, 1 is a laser light source that emits laser light whose intensity is modulated by the information signal to be displayed, 2 is a control unit, 3 is a modulation circuit, PDEF is an optical deflector, and Lf is a writing light. imaging lens, PPCe (PPCm)
is a light-light conversion element, Lp is a projection lens, S is a screen, LS is a light source of readout light, Lcn is a condenser lens,
M r e f is a reflecting mirror, and vb is a power source.
レーザ光源1は変調回路3から与えられる情報によって
強度変調されたレーザ光を放射し、それを光偏向器PD
EFに供給する。光偏向器PDEFではそれに供給され
たレーザ光を所定の偏向態様で偏向して出射する。光偏
向器PDEFから出射されたレーザ光は書込み光WLと
して書込み光の結像レンズLfによって光−光変換素子
PPCe(PPCm)における結像面に結像されて、光
−光変換素子PPCe(PPCm)には書込み光WLに
より、第6図及び第7図について既述したようにして書
込み動作が行われる。A laser light source 1 emits laser light whose intensity is modulated according to information given from a modulation circuit 3, and transmits the laser light to an optical deflector PD.
Supply to EF. The optical deflector PDEF deflects the supplied laser light in a predetermined manner and emits it. The laser beam emitted from the optical deflector PDEF is focused as writing light WL on the imaging plane of the light-to-light conversion element PPCe (PPCm) by the imaging lens Lf of the writing light, and then ), a writing operation is performed by the writing light WL as already described with reference to FIGS. 6 and 7.
光−光変換素子PPCe(PPCm)からの情報信号の
読出しは、第6図及び第7図について既述したようにし
て読出し光RLを入射させることによって行なわれる。The information signal is read out from the light-to-light conversion element PPCe (PPCm) by making the readout light RL incident thereon as already described with reference to FIGS. 6 and 7.
第2図において読出し光RLは、読出し光の光源LSか
ら放射された光がコンデンサレンズLcnと反射鏡M
r e fとを介して光−光変換素子P P Ce (
P P Cm )に対して、それの法線方向とは異なる
方向から入射される。前記した反射鏡M r e fは
必要に応じて設けられるものである。In FIG. 2, the readout light RL is the light emitted from the readout light source LS and the light emitted from the condenser lens Lcn and the reflecting mirror M.
The light-to-light conversion element P P Ce (
P P Cm ) is incident from a direction different from the normal direction thereof. The reflecting mirror M r e f described above is provided as necessary.
第2図において光−光変換素子PPCe(PPCm)と
投影レンズLpとスクリーンSとは、光−光変換素子P
P Ce (P P Cm )における書込み用電磁
放射線の結像面の延長と、投影レンズLpの主平面の延
長と、スクリーンSの延長とが略々1直線上で交じわる
ような状態で配置されているから、前記した読出し光R
Lの入射によって光−光変換素子PPCe(PPCm)
から読出された画像情報は、投影レンズLpによってス
クリーンSの全面に良好な結像状態で投影される。In FIG. 2, the light-light conversion element PPCe (PPCm), the projection lens Lp, and the screen S are the light-light conversion element PPCm.
Arranged in such a way that the extension of the imaging plane of the electromagnetic radiation for writing in P Ce (P P Cm ), the extension of the principal plane of the projection lens Lp, and the extension of the screen S substantially intersect on one straight line. Therefore, the above-mentioned readout light R
By the incidence of L, the light-light conversion element PPCe (PPCm)
The image information read out is projected onto the entire surface of the screen S in a good image formation state by the projection lens Lp.
ところで第2図示の装置においては、光−光変換素子P
PCe(PPCm)から読出された画像が第85i!I
の(a)に示されているように、例えば基盤目状のもの
であった場合に、投影レンズLPによってスクリーンS
上の各部について異なる倍率で投影される画像は第8図
の(b)に示されているように台形歪を有するものとな
る。By the way, in the device shown in the second figure, the light-light conversion element P
The image read from PCe (PPCm) is the 85th i! I
As shown in (a), for example, in the case of a base-like object, the screen S
Images projected at different magnifications for each part above have trapezoidal distortion as shown in FIG. 8(b).
それで、スクリーンS上に台形歪の無い画像が投影され
た状態にするために、第2図示の装置においては、投影
されるべき画像が例えば基盤目状のものであったときに
、光−光変換素子PPCe(PPCm)に書込まれた画
像が第9図の(a)に示されているように予め逆台形状
に歪んでいる状態のものとしておき、読出し光学系で台
形歪が発生したときに基盤目状のものとして投影レンズ
LPによってスクリーンS上に投影されるようにしてい
る。Therefore, in order to project an image free of trapezoidal distortion onto the screen S, in the apparatus shown in the second figure, when the image to be projected is, for example, a grid pattern, the light-light The image written on the conversion element PPCe (PPCm) was previously assumed to be distorted into an inverted trapezoidal shape as shown in FIG. 9(a), and trapezoidal distortion occurred in the readout optical system. Sometimes, it is projected onto a screen S by a projection lens LP as a substrate eye-like object.
なお、第9図の(a)における周囲の斜線図示の部分に
は黒の情報が書込まれるので、スクリーンS上に投影さ
れる第9図の(b)に示されている画像における周囲の
斜線図示の部分は黒として表示されることになる。書込
みが第10図に示されている斜線図示の部分だけに行な
われるようになされてもよい。Note that black information is written in the surrounding hatched area in FIG. 9(a), so that the surrounding area in the image shown in FIG. 9(b) projected onto the screen S is The shaded area will be displayed as black. Writing may be performed only in the shaded area shown in FIG. 10.
第2図示の装置においては書込み光WLによって投影さ
れるべき画像が例えば基盤目状のものであったときには
、光−光変換素子PPCe(PPCm)に書込むべき画
像が、第9図の(a)に示されているように予め逆台形
状に歪んでいる状態のものとなされるように光偏向器P
DEFにおけるレーザ光束による読出し光に対する偏向
の態様を制御回路2によって制御する。In the apparatus shown in FIG. 2, when the image to be projected by the writing light WL is, for example, a substrate pattern, the image to be written on the light-to-light conversion element PPCe (PPCm) is ), the optical deflector P is pre-distorted into an inverted trapezoidal shape.
A control circuit 2 controls the manner in which the readout light is deflected by the laser beam in the DEF.
また、前記のように光偏向器PDEFにおけるレーザ光
束による読出し光に対する偏向の態様が制御回路2によ
って制御されて水平走査速度が変化されることにより、
投影画像における垂直走査方向には光強度のシェーディ
ングが発生することになる。それで、制御回路2では変
調回路3からレーザ光源1に供給される変調波信号の振
幅を制御して、投影画像に前記したシェーディングが発
生しないようにする。Furthermore, as described above, the mode of deflection of the readout light by the laser beam in the optical deflector PDEF is controlled by the control circuit 2, and the horizontal scanning speed is changed.
Shading of light intensity occurs in the vertical scanning direction in the projected image. Therefore, the control circuit 2 controls the amplitude of the modulated wave signal supplied from the modulation circuit 3 to the laser light source 1 to prevent the above-mentioned shading from occurring in the projected image.
なお1画像の形状は光学系における収差により変形する
ものであることは周知のとおりであり、例えば第11図
の(a)に示されているような原画像は、第11図の(
b)に示されているような樽型歪を有する画像となされ
たり、あるいは第11図の(c)に示されているような
ビンクツション歪を有する画像となされたりするから、
前記した制御部2によって制御される光偏向器PDEF
におけるレーザ光束による読出し光に対する偏向の態様
を装置中で使用されている光学系で発生する画像歪も補
正できるようなものとし、また、前記した画像歪の補正
と同時にレーザ光の強度変調についても制御して光強度
のシェーディングも補正できるようにする。It is well known that the shape of one image is deformed due to aberrations in the optical system. For example, the original image shown in FIG. 11(a) is
The image may have barrel distortion as shown in b), or it may have binction distortion as shown in FIG. 11(c).
Optical deflector PDEF controlled by the control section 2 described above
The mode of deflection of the readout light by the laser beam in the above is made such that image distortion generated in the optical system used in the device can also be corrected, and the intensity modulation of the laser beam is also corrected at the same time as the correction of the image distortion described above. It is also possible to control and correct shading of light intensity.
第3図は第2図を参照して説明した装置における投影レ
ンズLpとスクリーンSとの間に、第4図に例示されて
いるような光路制限部材Mmを設置して、画枠形状が矩
形の投影画像がスクリーンS上に投影されるようにした
ものであり、第4図に例示されている光路制限部材Mm
は、at byc、dによって包囲されている平面形状
が台形状の反射鏡である。なお前記した光路制限部材M
mとしては1反射鏡でなく絞りとして構成されてもよい
(前記した光路制限部材Mmが絞りとなされた場合には
、第2図中の投影レンズLpとスクリーンSとの間に設
けられてよい)。FIG. 3 shows that an optical path limiting member Mm as illustrated in FIG. 4 is installed between the projection lens Lp and the screen S in the apparatus described with reference to FIG. 2, so that the image frame shape is rectangular. The projected image is projected onto the screen S, and the optical path limiting member Mm illustrated in FIG.
is a trapezoidal reflecting mirror surrounded by at byc,d. Note that the optical path limiting member M described above
m may be configured as a diaphragm instead of a single reflecting mirror (if the optical path limiting member Mm described above is a diaphragm, it may be provided between the projection lens Lp and the screen S in FIG. ).
次に第5図に示されている装置においてLSwは書込み
光の光源であり、また、0は表示の対象にされている画
像情報を含むオリジナル(原稿)であり、図示の例にお
けるオリジナル0は記録済みの写真フィルムのようなも
のであるとされている。Next, in the apparatus shown in FIG. 5, LSw is the light source of the writing light, and 0 is the original (original) containing image information to be displayed, and the original 0 in the illustrated example is It is said to be like recorded photographic film.
Lfは書込み光の結像レンズ、PPCe(PPCm)は
光−光変換素子、LPは投影レンズ、Sはスクリーン、
LSは読出し光の光源、Lcnはコンデンサレンズ、M
r8fは反射鏡、vbは電源である。Lf is a writing light imaging lens, PPCe (PPCm) is a light-light conversion element, LP is a projection lens, S is a screen,
LS is the light source of the readout light, Lcn is the condenser lens, M
r8f is a reflecting mirror, and vb is a power source.
オリジナル0によって強度変調された状態の書込み光W
Lは書込み光の結像レンズLfによって光−光変換素子
PPCe(PPCm)における結像面に結像されて、光
−光変換素子PPCs(PPCm)には書込み光WLに
より、第6図及び第7図について既述したようにして書
込み動作が行われる6
光−光変換素子PPCe(PPCm)からの情報信号の
読出しは、第6図及び第7図について既述したようにし
て読出し光RLを入射させることによって行なわれる。Writing light W whose intensity is modulated by the original 0
L is imaged on the imaging plane of the light-to-light conversion element PPCe (PPCm) by the imaging lens Lf of the writing light, and is transferred to the light-to-light conversion element PPCs (PPCm) by the writing light WL as shown in FIGS. The write operation is performed as already described with respect to FIG. This is done by making it incident.
第5図において読出し光RLは、第2図示の装置の場合
と同様に読出し光の光源LSから放射された光がコンデ
ンサレンズLcnと必要に応じて設けられる反射鏡M
r e fとを介して光−光変換素子PPCe(PPC
m)に対して、それの法線方向とは異なる方向から入射
される。In FIG. 5, readout light RL is emitted from a light source LS of readout light as in the case of the apparatus shown in FIG.
The light-to-light conversion element PPCe (PPC
m) is incident from a direction different from the normal direction thereof.
第5図においてと投影レンズLpとスクリーンSとは、
光−光変換素子P P Ca (P P Cm )にお
ける書込み用電磁放射線の結像面の延長と、投影レンズ
LPの主平面の延長と、スクリーンSの延長とが略々1
直線上で交じわるような状態で配置されているから。In FIG. 5, the projection lens Lp and the screen S are:
The extension of the imaging plane of the electromagnetic radiation for writing in the light-light conversion element P P Ca (P P Cm ), the extension of the main plane of the projection lens LP, and the extension of the screen S are approximately 1.
Because they are arranged so that they intersect in a straight line.
光−光変換素子PPCe(PPCm)における書込み用
電磁放射線の結像面の延長と投影レンズLPの主平面の
延長とスクリーンSの延長とが略々1直線上で交じわる
とともに、光−光変換素子PP Ce (P P Cm
)における書込み用電磁放射線の結像面の延長と光−
光変換素子PPCe(PPCm)への結像レンズLfの
主平面の延長と原稿0面の延長とが略々1直線上で交じ
わるように、かつスクリーンSの中心と投影レンズLp
の主点と光−光変換素子への結像レンズLfの主点と原
稿面の中心とが一直線上に位置するようにして、スクリ
ーンSと投影レンズLPと光−光変換素子PPCe(P
PCm)と光−光変換素子PPCe(PPCm)への結
像レンズLfと原稿0面とを配置したから、前記した読
出し光RLの入射によって光−光変換素子PPCe(P
PCm)から読出された画像情報は、投影レンズLpに
よりスクリーンSの全面に良好な結像状態で投影される
とともに。The extension of the imaging plane of the writing electromagnetic radiation in the light-to-light conversion element PPCe (PPCm), the extension of the principal plane of the projection lens LP, and the extension of the screen S intersect on approximately one straight line, and the light-to-light conversion Conversion element PP Ce (P P Cm
) Extension of the imaging plane of electromagnetic radiation for writing and light −
The extension of the main plane of the imaging lens Lf to the light conversion element PPCe (PPCm) and the extension of the 0th surface of the original are arranged so that they intersect on approximately one straight line, and the center of the screen S and the projection lens Lp
The screen S, the projection lens LP, and the light-to-light conversion element PPCe (P
PCm) and the light-to-light conversion element PPCe (PPCm), the imaging lens Lf and the 0th surface of the original are arranged, so that the light-to-light conversion element PPCe (PPCm) is
The image information read from PCm) is projected onto the entire surface of the screen S in a good image formation state by the projection lens Lp.
原稿0面の情報が光−光変換素子PPCe(PPCm)
への結像レンズLfにより光−光変換素子PPCe(P
PCm)に結像されたときに、原稿Oの画像が逆台形状
に所定のように変形された状態のものとして書込みが行
なわれるようにされているために、投影レンズLpを介
してスクリーンS上に投影される画像の像歪の無い状態
のものになされるのである。The information on page 0 of the original is transmitted to the light-to-light conversion element PPCe (PPCm)
The light-to-light conversion element PPCe (P
When the image of the document O is formed on the screen S via the projection lens Lp, the image of the document O is written as having been transformed into an inverted trapezoid shape in a predetermined manner. This is done so that the image projected onto the screen is free from image distortion.
これまでは本発明を表示装置に適用した場合について記
述したが、本発明は撮像装置、光コンピュータ、その他
の装置などにも良好に適用できることはいうまでもない
。Up to now, the case where the present invention is applied to a display device has been described, but it goes without saying that the present invention can also be favorably applied to an imaging device, an optical computer, and other devices.
(発明の効果)
以上、詳細に説明したところから明らかなように1本発
明は所定の電圧が印加された2枚の電極の間に、少なく
とも光導電層部材と、散乱モードで動作しうる光変調材
層部材とによって構成した光−光変換素子における光導
電層部材側の電極を通して、書込み用電磁放射線を光導
電層部材に与えて、光導電層部材と光変調材層部材との
間に前記した書込み用電磁放射線と対応する電荷像を生
じさせる手段と、前記の電荷像による電界によって前記
した光変調材層部材に光に対する散乱の度合いに変化を
生じさせる手段と、光−光変換素子の法線方向以外の方
向の主光軸を有する読出し用電磁放射線を用いて前記し
た光変調材層部材における電磁放射線と対応する光に対
する散乱の度合いの変化を読出す手段と、読出し光の結
像面において生じる像歪を読出しの光学系で補正する手
段とを備えてなる光−光変換素子の応用装置、及び所定
の電圧が印加された2枚の電極の間に、少なくとも光導
電層部材と、散乱モードで動作しうる光変調材層部材と
によって構成した光−光変換素子における光導電層部材
側の電極を通して、書込み用電磁放射線を光導電層部材
に与えて、光導電層部材と光変調材層部材との間に前記
した書込み用電磁放射線と対応する電荷像を生じさせる
手段と、前記の電荷像による電界によって前記した光変
調材層部材に光に対する散乱の度合いに変化を生じさせ
る手段と、光−光変換素子の法線方向以外の方向の主光
軸を有する読出し用電磁放射線を用いて前記した光変調
材層部材における電磁放射線と対応する光に対する散乱
の度合いの変化を読出す手段と、読出し光の結像面にお
いて生じる像歪を打消しうるように書込み光によって形
成させる画像形状詮予め歪ませる手段とを備えてなる光
−光変換素子の応用装置であるから、光−光変換素子の
面の法線以外の方向から光−光変換素子に読出し光RL
を入射させた場合でも、スクリーン上の全面にわたって
同一の倍率で、かつ、良好な結像状態の画像がスクリー
ン上に投影でき、また。(Effects of the Invention) As is clear from the above detailed explanation, one aspect of the present invention is to provide at least a photoconductive layer member between two electrodes to which a predetermined voltage is applied, and a light source capable of operating in a scattering mode. A writing electromagnetic radiation is applied to the photoconductive layer member through the electrode on the photoconductive layer member side of the light-to-light conversion element constituted by the modulating material layer member, thereby creating a gap between the photoconductive layer member and the light modulating material layer member. means for generating a charge image corresponding to the electromagnetic radiation for writing; means for causing a change in the degree of scattering of light in the light modulating material layer member by an electric field caused by the charge image; and a light-light conversion element. means for reading out a change in the degree of scattering of light corresponding to the electromagnetic radiation in the light modulating material layer member using readout electromagnetic radiation having a main optical axis in a direction other than the normal direction of the light modulating material; A light-to-light conversion element application device comprising means for correcting image distortion occurring on an image plane using a readout optical system, and at least a photoconductive layer member between two electrodes to which a predetermined voltage is applied. A writing electromagnetic radiation is applied to the photoconductive layer member through an electrode on the photoconductive layer member side of the light-to-light conversion element constituted by a light modulating material layer member capable of operating in a scattering mode. A means for generating a charge image corresponding to the writing electromagnetic radiation between the light modulating material layer member and a means for causing a change in the degree of scattering of light in the light modulating material layer member by an electric field caused by the charge image. A change in the degree of scattering of light corresponding to the electromagnetic radiation in the light modulating material layer member using a readout electromagnetic radiation having a principal optical axis in a direction other than the normal direction of the light-to-light conversion element. This is an application device of a light-to-light conversion element, which is equipped with a reading means and a means for predistorting the image shape formed by the writing light so as to cancel the image distortion occurring on the imaging plane of the reading light. Readout light RL is applied to the light-to-light conversion element from a direction other than the normal to the surface of the light-to-light conversion element.
Even when the light is incident on the screen, an image can be projected on the screen at the same magnification and in good imaging condition over the entire surface of the screen.
その際に通常の光学系を使用してもシェーディングによ
って周辺部の光量が著るしく減少することもなく、さら
に光学系の収差による画像歪もない良好な画像が投影で
きる。In this case, even if a normal optical system is used, the amount of light in the peripheral area will not be significantly reduced due to shading, and a good image can be projected without image distortion due to aberrations of the optical system.
第1図乃至第3図ならびに第5図は本発明の光−光変換
素子の応用装置の各員なる実施例のブロック図、第4図
は第3図に示されている光−光変換素子の応用装置の一
部の構成部材の平面図、第6図及び第7図は光−光変換
素子の構成例を示す図、第8図乃至第11図は画像と歪
の説明図である。
1・・・表示の対象にされている情報信号によって強度
変調されたレーザ光を放射するレーザ光源、2・・・制
御部、3・・・変調回路、PDEF・・・光偏向器。1 to 3 and 5 are block diagrams of embodiments of the light-to-light conversion element application device of the present invention, and FIG. 4 is the light-to-light conversion element shown in FIG. 3. FIG. 6 and FIG. 7 are diagrams showing a configuration example of a light-to-light conversion element, and FIGS. 8 to 11 are explanatory diagrams of images and distortions. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... A laser light source that emits laser light whose intensity is modulated by an information signal to be displayed, 2... Control section, 3... Modulation circuit, PDEF... Optical deflector.
Claims (1)
とも光導電層部材と、散乱モードで動作しうる光変調材
層部材とによって構成した光−光変換素子における光導
電層部材側の電極を通して、書込み用電磁放射線を光導
電層部材に与えて、光導電層部材と光変調材層部材との
間に前記した書込み用電磁放射線と対応する電荷像を生
じさせる手段と、前記の電荷像による電界によって前記
した光変調材層部材に光に対する散乱の度合いに変化を
生じさせる手段と、光−光変換素子の法線方向以外の方
向の主光軸を有する読出し用電磁放射線を用いて前記し
た光変調材層部材における電磁放射線と対応する光に対
する散乱の度合いの変化を読出す手段と、読出し光の結
像面において生じる像歪を読出しの光学系で補正する手
段とを備えてなる光−光変換素子の応用装置 2、所定の電圧が印加された2枚の電極の間に、少なく
とも光導電層部材と、散乱モードで動作しうる光変調材
層部材とによって構成した光−光変換素子における光導
電層部材側の電極を通して、書込み用電磁放射線を光導
電層部材に与えて、光導電層部材と光変調材層部材との
間に前記した書込み用電磁放射線と対応する電荷像を生
じさせる手段と、前記の電荷像による電界によって前記
した光変調材層部材に光に対する散乱の度合いに変化を
生じさせる手段と、光−光変換素子の法線方向以外の方
向の主光軸を有する読出し用電磁放射線を用いて前記し
た光変調材層部材における電磁放射線と対応する光に対
する散乱の度合いの変化を読出す手段と、読出し光の結
像面において生じる像歪を打消しうるように書込み光に
よって形成させる画像形状を予め歪ませる手段とを備え
てなる光−光変換素子の応用装置 3、読出し光の結像面までの光路中に画枠形状の、整形
手段を備えた請求項1または2に記載の光−光変換素子
の応用装置[Claims] 1. A light-to-light conversion element constituted by at least a photoconductive layer member and a light modulating material layer member capable of operating in a scattering mode between two electrodes to which a predetermined voltage is applied. A writing electromagnetic radiation is applied to the photoconductive layer member through an electrode on the side of the photoconductive layer member to produce a charge image corresponding to the writing electromagnetic radiation between the photoconductive layer member and the light modulating material layer member. means for causing a change in the degree of scattering of light in the light modulating material layer member by an electric field caused by the charge image; and a main optical axis in a direction other than the normal direction of the light-light conversion element. means for reading out changes in the degree of scattering of light corresponding to the electromagnetic radiation in the light modulating material layer member using readout electromagnetic radiation; and a readout optical system for correcting image distortion occurring on the imaging plane of the readout light. A light-to-light conversion element application device 2 comprising means for: at least a photoconductive layer member and a light modulating material layer member capable of operating in a scattering mode between two electrodes to which a predetermined voltage is applied; Electromagnetic radiation for writing is applied to the photoconductive layer member through the electrode on the photoconductive layer member side of the light-to-light conversion element constructed by means for generating a charge image corresponding to electromagnetic radiation; means for causing a change in the degree of scattering of light in the light modulating material layer member by an electric field caused by the charge image; and a normal direction of the light-to-light conversion element. A means for reading out a change in the degree of scattering of light corresponding to the electromagnetic radiation in the light modulating material layer member using readout electromagnetic radiation having a main optical axis in a direction other than the above; A light-to-light conversion element application device 3 comprising means for pre-distorting the shape of an image formed by writing light so as to cancel out image distortion; 3. The light-light conversion element application device according to claim 1 or 2, further comprising a shaping means.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP544590A JPH03209421A (en) | 1990-01-12 | 1990-01-12 | Applying device of photo-photo converting element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP544590A JPH03209421A (en) | 1990-01-12 | 1990-01-12 | Applying device of photo-photo converting element |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03209421A true JPH03209421A (en) | 1991-09-12 |
Family
ID=11611406
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP544590A Pending JPH03209421A (en) | 1990-01-12 | 1990-01-12 | Applying device of photo-photo converting element |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03209421A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005189529A (en) * | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Polarization control element and method for driving the same |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4917252A (en) * | 1972-06-05 | 1974-02-15 | ||
JPS59136726A (en) * | 1983-01-03 | 1984-08-06 | ミネソタ・マイニング・アンド・マニユフアクチユアリング・コンパニ− | Overhead projector |
-
1990
- 1990-01-12 JP JP544590A patent/JPH03209421A/en active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4917252A (en) * | 1972-06-05 | 1974-02-15 | ||
JPS59136726A (en) * | 1983-01-03 | 1984-08-06 | ミネソタ・マイニング・アンド・マニユフアクチユアリング・コンパニ− | Overhead projector |
Cited By (1)
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JP2005189529A (en) * | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Polarization control element and method for driving the same |
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