JPH03208280A

JPH03208280A - サージアレスタ

Info

Publication number: JPH03208280A
Application number: JP2273120A
Authority: JP
Inventors: Laurence K Wendahl; ローレンス・ケイ・ウェンダール; C Hartman Thomas; トーマス・シー・ハートマン; Stanley S Kershaw Jr; スタンレー・エス・カーショー・ジュニアー
Original assignee: Cooper Power Systems LLC
Current assignee: Cooper Power Systems LLC
Priority date: 1989-10-11
Filing date: 1990-10-11
Publication date: 1991-09-11
Also published as: AU6369790A; CA2027288A1

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は一般的には電気設備を過電圧から保護するサー
ジアレスタに関し、特に抵抗段階別ギャップを付けた組
立体を直列に備えた酸化金属製バリスタ要素を有するア
レスタに関する。

例えば落雷時、限流ヒューズの作動時あるいはコンデサ
の放電時、電線は時折過電圧状態にさらされることがあ
る。このような場合、サージアレスタを用いることによ
り重要で、かつ高価な設備を前述のよな状態から保護す
る必要がある。サージアレスタは典型的には電線とアー
スとの間に接続され、過電圧状態が発生すると、アレス
タが過剰のエネルギをその端子を介してアースまで分流
させる。

（従来の技術）サージアレスタは通常２つの基本タイプの中のいずれか
である。従来技術のアレスタの双方のタイプにおいて、
非直線要素に対する電圧、電流の関係はＩ＝ＫＥ”で表
わされ、■はアレスタ電流、Ｋは常数、Ｅはアレスタ電
流、モしてｎは非直線指数即ち係数である。旧式のギャ
ップ付アレスタの一タイプは低指数の段階別ギャップと
直列で低指数の非直線抵抗要素を用いている。第２のタ
イプ、即ち酸化金属バリスタ（ＭＯＶ）アレスタは各種
酸化金属の高指数非直線要素のみを用い、適正に作動す
るのに一連のギャップ組立体を必要としない。

前記第１のタイプのアレスタは第１図に示し、例えば米
国特許第４．　１６１，　７６３号および同第４．　１
７４．　５３０号のような多くの特許文献等に記載され
ている。

一連のギャップの付いた炭化けい素（Ｓｉｃ）のアレス
タは多年にわたり使用されてきたが、数々の固有の問題
がある。この構成においては、キャップはアレスタの寿
命にわたって全システム電圧に耐える必要があり、電流
を制限するためにのみ非直線抵抗要素が用いられ、電流
の方は放電作用中キャップをオフにしやすくする。ギャ
ップは電圧を接地するため全配線に耐える必要があるの
で、ギャップは典型的には多くの部品から構成され、該
部品の各は電圧の一部に対して耐える。このタイプの構
威ではより均一なインパルス即ちスパーク特性をもたら
すが、希望するものより高いインパルス保護特性をもた
らすが、これは好ましくない。このタイプのアレスタに
係わる別の固有の問題はそのサイズと重量である。

前記第１のタイプのアレスタのさらに別の問題は、高電
流放電特性とパワーフォロー電流の双方共が同じ非直線
要素により制御されることである。

より低いパワーフォロー電流に対しては、非直線の炭化
けい素要素によるより高い抵抗が所望される。このよう
に同じ要素を対角方向に対向させる必要があるため、設
計上の妥協として保護特性が望ましいものより低い結果
となった。

一般的に使用されている第２のタイプのアレスタはギャ
ップレス酸化金属バリスタとして知られ、第２図に示さ
れている。このアレスタは一連のギャップ付き炭化けい
素アレスタの望ましくないインパルス特性を排除するた
めに開発された。このタイプのアレスタにおいては、非
直線要素が通常の作動電圧において高度に非導電性に留
まることにより一連のキャップの必要性を排除する。供
給電流が増加するにつれて、一連のギャップを有するタ
イプのアレスタと同様に破裂放電することなく半導体は
徐々に導電し始める。このスイッチタイプの特性によっ
て酸化金属アレスタが全ての基本的な過渡過電圧エネル
ギをアースへ分流できるようにする。このタイプのアレ
スタに係わる固有の問題は降伏電圧と高電流放電電圧の
双方が同し非直線要素により制御されることである。よ
り低い非破壊過渡過電圧が導入されないようより高い降
伏電圧を有することが望ましい。同時に、設備をよりよ
く保護するため高電流放電電圧はより低くすることが望
ましい。また、一連のギャップ付き炭化けい素アレスタ
と同様に、同じ要素を２個対角方向に対向して配置する
必要があるため特性の上で妥協することになる。ある場
合には、放電電圧ケイバビイリティが妥協され、別の場
合には一時的な過電圧ケイバビイリティが低下される。

（発明の要約）本発明によるハイブリッドアレスタは双方の従来技術の
組み合わせである。低指数の、非直線で抵抗段階をつけ
たギャップ組立体が酸化金属のディスクと直列で使用さ
れる。このように部材を組み合わせることにより顕著で
、かつ予期せぬ特性の向上がもたらされる。この新規な
タイプのアレスタにおいては、同じ要素に対して多数の
矛盾する要件があるため性能特性上の妥協はなされない
。

安定状態での作動の間ギャップ組立体とディスクとは常
臣武力本沿相すＡ一紮雷汁能の聞一一遣のギャップがス
パークした後ディスクのみが回路に残る。この新規のア
レスタにおいては、電圧を適正に分配するためにはギャ
ップ組立体と酸化金属のディスクの安定した状態の６０
Ｈｚでのインピーダンスを正しく適合させることが極め
て重要である。さらに、ギャップとディスクの指数を比
例的に適合させて好ましい一時的な過電圧性能を達威す
ることが重要である。また、ギャップの波前方（フロン
トオブウェーブ）の放電電圧がディスクの放電電圧より
低いことを保証することが重要である。

（発明が解決しようとする課題）従って、本発明の目的は双方の従来技術に対して性能に
おいて数々の改良を提供することである。

ハイブリッドアレスタは放電電圧性能を何ら喪失するこ
となく典型的なギャップレスの酸化金属アレスタより高
い一時的な過電圧ケイバビイリティを提供する。このた
め、より信頼できるパワーシステム作動をもたらし、か
つ要素の故障を少なくする。

本発明の別の目的は、ギャップの付いた炭化けい素アレ
スタよりも外部汚染に対する性能を向上させることであ
る。一連のギャップ付きのアレスタの外面において、ゴ
ミ、塩および／または異物等が堆積することにより電圧
分布の不均一並びに早期スパークを発生させる可能性が
ある。ハイブリッドアレスタの性能が向上することは、
従来技術以上に使用するギャップが少ないこと並びに安
定状態作動の間容量性グレーディング電流をより高くし
た結果によるものである。

ハイブリッドアレスタのさらに別の目的はより低い放電
電圧特性を提供することである。この場合、本発明は双
方の従来技術より優れている。

本アレスタの別の目的はより小さいパッケージを提供す
ることである。これは、エネルギを放散するためにギャ
ップ組立体が必要とされず、かつ同等の電圧定格のＭＯ
Ｖ材料より小型で、かつより軽くしうるという事実によ
り達成される。

ハイブリッドアレスタのさらに別の目的はより低インパ
ルス保護特性を提供することである。これは、ＳｉＣギ
ャップ付きアレスタより少ないギャップおよびギャップ
レスの酸化金属アレスタより少ないディスクを用いるこ
とにより達成される。

ハイブリッドアレスタのさらに別の目的はコストのより
低い組立体を提供することである。このことは相対的に
より高価な酸化金属のディスクをよりコストの低いギャ
ップおよび抵抗リング組立体に代えることにより達成さ
れる。

本発明のさらに別の目的は優れた熱安定特性を提供する
ことである。ギャップ組立体が温度に感応しないため何
らかの理由でハイブリッドアレスタの温度が上昇するに
つれて、ギャップ組立体は単により高い比率のアレスタ
電圧を呈するのみである。ギャップ組立体電圧のこの増
大により、温度に対してより敏感なディスクの必要性を
低減する。

（実施例）本発明の実施例を説明する前に、本発明との比較のため
従来例のアレスタについて第１及び２図を参照して説明
する。

従来技術のサージアレスタが第１図に示されており、ア
レスタ１０は上方の端子キャップ１２と下方の端子キャ
ップ絶縁体１３とを有する磁器製ハウジング１１から構
成されている。アレスタ１０はさらに、直列に電気接続
された低指数の炭化けい素材から全体的に構成される弁
ブロック１４をハウジング１１内で収容している。弁ブ
ロック１４は共通して頂部と底部とに取り付けられた金
属電極１４Ａと周囲に緊密に取り付けられた絶縁カラー
１４Ｂとを有する。また、ハウジング１１内には、下方
のコップ状電極１６と、上方のくぼんだ電極１７と、そ
れらと適合する非直線形の低指数の炭化けい素のリング
１８とから構成された一連のギャップ組立体１５も収容
されている。コップ状電極ｌ６とくぼんだ電極１７とは
単純なスパークギャップ１９を提供し、該ギャップは弁
ブロック１４と電気的に直列に、リング１８と電気的に
並列に接続されている。

複数の一連のギャップ組立体１５は電気的に直列に接続
され、全体のギャップ組立体２４を構成する。またハウ
シング１１にはスペーサ２０とばね２１とが弁ブロック
１４とギャップ組立体２４とに電気的に直列に接続され
て収容されている。

上方のキャップ１２と上方の端子２２とにより電線と電
気接続されている。下方のキャップ組立体１３と接地端
子２３とによりアースへの電気接続がなされている。弁
ブロック１４と一連の接続されたリング１８とは継続し
てパワーシステムに接続されているので、少量の電流が
常にアースへ流れる。全ての外部の汚染状態の間ギャッ
プ組立体にわたって均一な電圧低下を保つに丁度必要な
レベルまで高抵抗、低指数リングが電流の大きさを制御
する。これはグレーディング電流として知られている。

ギャップ組立体２４の安定状態インピーダンスは典型的
には数メガオームのオーダであり、一方弁ブロック１４
の典型的な抵抗は数オームである。この比により、基本
的に全ての端子電圧は安定状態の間ギャップ組立体２４
にわたって抑圧される。端子２２と２３の間に過電圧状
態が発生すると、ギャップ１９を破壊するのに十分高い
レベルに達するまでギャップ組立体２４にわたって全面
的にまず抑圧される。この初期電圧レベルが波前方放電
電圧として知られており、従来技術による一連のギャッ
プ付き炭化けい素のアレスタの最も望ましくない特性で
ある。一旦、ギャップ１９がスパークすると、システム
の過電圧が複数の弁ブロック１４にわたって抑圧される
。次いで、弁ブロック１４は端子２２．２３を介してア
ースに分流される過度のシステムエネルギに対する低イ
ンピーダンスの軌道を提供する。リングｌ８とブロック
１４の電圧電流関係は式Ｉ＝ＫＥ’により予測される。

Ｋはリング１８に対しては極めて高く、ｎは極めて低い
。ブロック１４に対してはＫは極めて低く、ｎはリング
１８と同様約４〜５である。

第２の従来技術によるサージアレスタ３０が第２図に示
されている。前記アレスタ１０および３０の基本要素の
殆どは内部の作動部材を除いて類似である。アレスタ１
０の作動部材は弁ブロック１４とギャップ組立体１５と
からなる。アレスタ３０の作動部材は酸化金属のディス
ク３１のみからなる。ディスク３１は第３図に示すよう
に上部と底部に取り付けられた金属の電極３１Ａと周囲
に緊密に取り付けられた絶縁カラー３１Ｂとを共通に有
している。ＭＯＶディスク３１は直列に電気的に接続さ
れ、キャップ１２．１３および端子２２．２３により過
電圧エネルギをアースに分流させる機能を提供する。Ｍ
ＯＶディスクは、アレスタｌＯのように、初期の高度の
波前方スパークオーバが導電される必要はない。代わり
に、端子２２．２３にわたる供給電圧が増加するにつれ
て、ＭＯＶディスクはそれらが極めて低いインピーダン
スの抵抗として現れるまで単により導電性となるのみで
ある。インピーダンスはＩ＝ＫＥ’の形態を追従する。

このタイプのアレスタに対して、ｎはシステム電圧にお
いて２５の範囲であり、より高い電流において５〜１０
まで低減される。

次に本発明によるアレスタの形態を第３図に示す。殆ど
の部材は第１図と第２図とに示すものと同一である。し
かしながらギャップ組立体３３と酸化金属のディスク３
１との独特の組み合わせにより各々別の作動モードをも
たらし、かつ双方の従来技術に対して大きく向上した特
性をもたらした。ハイブリッドアレスタ３２はギャップ
／リング組立体３３と電気的に直列に接続された酸化金
属ディスク３１を含む。ハイブリッドアレスタ３２の作
動は以下の通りである。安定状態作動の間は、システム
電圧の一部がディスク３１とギャップ組立体３３の双方
にわたって印加される。これは、低指数のリング１８の
インピーダンスが比例的に高指数のディスク３１と適合
した場合のみである。過電圧状態が始まると、アレスタ
３２を通る電流は増加し始める。リング１８の指数はデ
ィスク３１より低いので、電圧はディスク３１よりも速
い速度でリング１８にわたって上昇する。この電圧の移
動を第６図にグラフで示す。

第６図から、アレスタの電圧が増加するにつれて、ギャ
ップ電圧がディスク電圧より速い速度で増加することが
判る。この電圧分布の変化はリングとディスクのｊヒ直
總指針の善よー上スｔ１のでもスギャップに向かう電圧
分布のこの移動により放電電圧で何ら妥協することなく
ハイブリッドアレスタの一時的な過電圧ケイバビイリテ
ィを大きく向上させる。

組立体３３の初期スパークオーバにおいて、ギャップ１
９は波前方（ＦＯＷ）放電電圧を示す。しかしながら、
従来技術と比較して、数ギャップのみ使用しているとい
う事実から、ＦＯＷ電圧のピークレベルは、何ら、懸念
するに足らぬ程低い。

このことは第８図の曲線３にグラフで示されており、第
８図においては電圧の軌跡の立ち上がりの異形はギャッ
プの破壊の結果であり、より長い時間の放電電圧より低
い。

ギャップ組立体３３が一旦スパークすると、アレスタ３
２の放電特性はディスク３１により制御される。ハイブ
リッドアレスタにおいては従来技術のアレスタ３０より
少ないディスクが用いられているので、その結果の放電
電圧は全体の電流範囲にわたって低い、このことは第７
図にグラフで示７ＡねーでいＡ一この好適実施例の利点をさらに説明するために、第８図
（４）、第８図（５）および第８図（６）は前述のアレ
スタのパワーフォロー電流特性を比較している。ＳｉＣ
アレスタ１０は著しいパワーフォロー電流を許容し、ギ
ャップレス　アレスタ３０はパワーフォロー電流を何ら
許容せず、ハイブリッドアレスタ３２はＯ〜１０００ア
ンペアのいずれのレベルに対しても構威しうろことが判
る。

この構成の柔軟性により図示したちの以外の他の多くの
ギャップ組立体をも構成することができる。

ハイブリッドアレスタの別の実施例を第４図に示す。こ
の実施例には２つの差異がある。第１の差異は組立体３
５が、リング１８に面する側のみにくぼみあるいは隆起
部分を有する電極３６を有していることである。また少
なくともｌ個の組立体３５がディスク３１の各側にある
。このようにすることにより、ギャップレス組立体をサ
ージデューティ間の熱だめとしてよく利用できる。この
ように分離することによりまた、熱だめとして作用する
ハウジング１１の長さにわったて熱発生成分を分配する
。

電極３６とリング１８とは組み合わされて前期イオン化
ギャップ３７を形成する。リング１８の高さは約６．３
５ミリ（０．２５インチ）で直径は約３８．１ミリ（１
．５インチ）である。高さと直径とは特性を向上させる
か、あるいは他の部材との適合のために、０．５から４
までの端数だけ変えることができる。リング１８の直径
が変わると、電極１６．３６も同様に変える必要がある
。

前期イオン化ギャップは約０．１８ミリ（０．００７イ
ンチ）であって、リング１８と電極３６の第２の面３０
により形成される。電極３６は隆起部分４０とくぼみ部
分４２とを有し、それらは交互になっている。例えば、
第５図に示す隆起部分４０はその上方にあるリングと共
に前期イオン化ギャップ３７を形成し、くぼみ部分４２
はその下方のリングと共に前記イオン化ギャップを形成
する。前記イオン化ギャップの間隔は種々の構成要件に
対して０．５から４倍まで増減できる。イオン化ギャッ
プ３７は、ギャップ１９を介して拡散し、キャップ１９
にわたって電圧応力が増大したときさらに均一なスパー
クを提供するようなイオンを発生させる。ギャップ１９
のサイズは、希望する降伏電圧によって０．２５ミリ（
０．０１０インチ）から２５．４ミリ（１．００インチ
）まで変わりうる。一般的にギャップ１９はリング１８
より厚くはできない。

第５図はギャップ組立体３３斜視図である。ギャップ組
立体３３の性能を向上させるために、導電性電極１８Ａ
がリング１８の両面に取り付けられている。これらの導
電性電極は、例えばアークスプレイあるいはフレームス
プレイのような種々の要領で付与でき、かつ例えばアル
ミニウムあるいは銅のような適当な導電性材料でよい。

導電性電極がリングの面の全て、あるいは一部を被覆し
うる。第９図は好適実施例３３の線図である。

ディスクの厚さに対するギャップ組立体の厚さの比は０
．２から２までの間で変えることができる。ディスクに
わたる電圧に対するギャップ組立とができる。ディスク
の直径に対するギャップ組立体の直径の比は０．５から
２まで変えることができる。

リングの厚さがディスクの厚さと同じ場合ディスクにわ
たる電圧に対するリングあるいはギャップ組立体をわた
る電圧の比はＯ、５から４の範囲である。これは称呼（
通常）電圧あるいはそれ以上の電圧に適用される。

称呼作動電圧においてギャップ組立体にわたる電圧低下
はアレスタにわたる電圧の５％から９０％である。

本発明において説明したサージアレスタは給電−システ
ムにおける電気設備の保護のために構成したものである
が、これは電子システム、居住区の電線、工業用回路あ
るいはそのようなサージに対する保護を要する設備にお
いて使用可能である。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来技術の、一連のギャップ付き炭化けい素の
アレスタを示す断面図、アレスタを示す断面図、第３図は本発明の好適実施例を示す部分的に断面の断面
図、第４図は第３図に示すものの代替実施例を示す断面図、第５図は非直線の抵抗段階をつけたギャップ組立体の分
解し、破断した一部分解図、第６図はギャップ組立体とディスクとの間の電圧分配を
示すグラフ、第７図は従来技術と本発明の特性曲線を示すグラフ、第８図は従来技術と本発明のインパルスと６０Ｈｚの応
答性を示すグラフ、および第９図は本発明を示す線図である。０，３２・・・アレスタ　１１・・・ハウジング２・・
・キャップ　　　エ３・・・絶縁体４・・・弁ブロック
　　１４Ａ・・・電極４Ｂ・・・絶縁カラー　１５・・
・ギャップ組立体６・・・電極　１７・・・電極　１８
・・・リング１９・・・スパークギャップ　２０・・・
スペーサ２１・・・ばね　　　　　２２，２３・・・端
子２４・・・全体ギャップ組立体　３１・・・ディスク
３２・・・ハイブリッドアレスタ３３・・・ディスク　　　３５・・・ギャップ組立体３
６・・・電極　　　　　３７・・・ギャップ４０・・・
隆起部分　　　４２・・・くぼんだ部分（外４名）Ｆ／σ３Ｂ７レχタ電斤

Claims

【特許請求の範囲】

１．１個又は直列接続された複数の酸化金属バリスタデ
ィスクと、少なくとも１個のギャップ組立体とを含み、前記ギャップ組立体がギャップと並列の非直線の炭化け
い素の抵抗リングを含み、前記ギャップがさらに第１の電極と第２の電極とを含むことを特徴とするサージアレスタ。
２．請求項１記載のサージアレスタにおいて前記ディス
クが誘電カラーを有することを特徴とするサージアレス
タ。
３．請求項１記載のサージアレスタにおいて、前記ディ
スクがその第１と第２の面において導電性電極を有する
ことを特徴とするサージアレスタ。
４．請求項３記載のサージアレスタにおいて、前記導電
性電極がアークスプレーされることを特徴とするサージ
アレスタ。
５．請求項３記載のサージアレスタにおいて、前記導電
性電極がフレームスプレーされることを特徴とするサー
ジアレスタ。
６．請求項５記載のサージアレスタにおいて、前記導電
性電極がアルミニウムであることを特徴とするサージア
レスタ。
７．請求項１記載のサージアレスタにおいて、前記リン
グが第１の面で導電性電極を、第２の面で導電性電極を
有することを特徴とするサージアレスタ。
８．請求項７記載のサージアレスタにおいて、前記導電
性電極が前記第１のリングの面と前記第２のリングの面
の極一部を被覆することを特徴とするサージアレスタ。
９．請求項７記載のサージアレスタにおいて、前記導電
性電極が銅であることを特徴とするサージアレスタ。
１０．請求項９記載のサージアレスタにおいて、前記導
電性電極がフレームスプレーされることを特徴とするサ
ージアレスタ。
１１．請求項９記載のサージアレスタにおいて、前記導
電性電極がアークスプレーされることを特徴とするサー
ジアレスタ。
１２．請求項７記載のサージアレスタにおいて、前記第
１のリングの面が平坦であることを特徴とするサージア
レスタ。
１３．請求項７記載のサージアレスタにおいて、前記第
２のリングの面が平坦な面であって、第２の面が前記第
１の面に平行であり、前記第２の面が前記第１のリング
の面に対して前記第１の面より近いことを特徴とするサ
ージアレスタ。
１４．請求項１３記載のサージアレスタにおいて、前記
導電性電極が前記第１の面の極一部を被覆し、前記第２
の面には実質的に導電性電極が無いことを特徴とするサ
ージアレスタ。
１５．請求項７記載のサージアレスタにおいて、前記第
１の電極が凹形であって、その凹形の部分が前記リング
の中心へ突出していることを特徴とするサージアレスタ
。
１６．請求項１５記載のサージアレスタにおいて、前記
第１の電極が前記第１の電極の概ね中心に孔を有するこ
とを特徴とするサージアレスタ。
１７．請求項１５記載のサージアレスタにおいて、前記
第１の電極が前記第１のリングの面に位置していること
を特徴とするサージアレスタ。
１８．請求項１３記載のサージアレスタにおいて、前記
第２の電極が前記第２の面に面した少なくとも１個の突
起を有することを特徴とするサージアレスタ。
１９．請求項１８記載のサージアレスタにおいて、前記
の突起と前記第２の面が前期イオン化ギャップを形成す
ることを特徴とするサージアレスタ。
２０．請求項１９記載のサージアレスタにおいて、前記
の前期イオン化ギャップが約０．０８９ミリ（０．００
３５インチ）から０．７１ミリ（０．０２８インチ）の
範囲の寸法を有することを特徴とするサージアレスタ。
２１．請求項１８記載のサージアレスタにおいて、少な
くとも１個の第２の突起が前記第１の突起から外方に向
いていることを特徴とするサージアレスタ。
２２．請求項２１記載のサージアレスタにおいて、前記
第１と第２の突起が前記第２の電極の周囲で交互に設け
られていることを特徴とするサージアレスタ。
２３．請求項１記載のサージアレスタにおいて、前記ギ
ャップが０．２５ミリ（０．０１インチ）から２５．４
ミリ（１インチ）の範囲であることを特徴とするサージ
アレスタ。
２４．請求項１記載のサージアレスタにおいて、前記デ
ィスクと前記ギャップ組立体の直径が概ね同一であるこ
とを特徴とするサージアレスタ。
２５．請求項１記載のサージアレスタにおいて、前記ギ
ャップ組立体の直径が前記ディスクの直径の５０％から
２００％であることを特徴とするサージアレスタ。
２６．請求項１記載のサージアレスタにおいて、通常作
動電圧における前記ギャップ組立体の両端の電圧降下が
前記アレスタの両端の電圧降下の約５％から９０％であ
ることを特徴とするサージアレスタ。
２７．請求項１記載のサージアレスタにおいて、通常作
動電圧において前記ギャップ組立体の両端の電圧降下は
前記アレスタの両端の電圧低下の約１５％から４５％で
あることを特徴とするサージアレスタ。
２８．請求項１記載のサージアレスタにおいて、前記ギ
ャップ組立体の高さが前記ディスクの高さの０．５から
２倍であることを特徴とするサージアレスタ。
２９．１個又は直列接続された複数の酸化金属のバリス
タディスクと、少なくとも１個のギャップ組立体とを含
み、前記ギャップ組立体が、非直線抵抗リングと、第１の電極と、第２の電極とを含み、通常作動電圧において前記アレスタの両端の電圧降下が
前記ディスクと前記リングの厚さに比例して前記リング
と前記ディスクとの間で分割されることを特徴とするサ
ージアレスタ。
３０．請求項２９記載のサージアレスタにおいて、前記
リングが炭化けい素製であることを特徴とするサージア
レスタ。
３１．１個又は直列接続された複数の酸化金属のバリス
タディスクと、少なくとも１個のギャップ組立体とを含
み、前記ギャップ組立体が、非直線の抵抗リングと、第１の電極と、第２の電極とを含み、通常作動電圧における前記非直線抵抗リングの両端の電
圧降下が単位厚さを基準にして前記ディスクの両端の電
圧低下と等しいことを特徴とするサージアレスタ。
３２．請求項３１記載のサージアレスタにおいて、通常
作動電圧における前記リングの両端の電圧降下が単位厚
さを基準にして前記ディスクの両端の電圧降下の０．５
から４倍であることを特徴とするサージアレスタ。
３３．請求項３１記載のサージアレスタにおいて前記リ
ングが炭化けい素製であることを特徴とするサージアレ
スタ。
３４．請求項３１記載のサージアレスタにおいて、前記
ギャップ組立体にわたる電圧降下が前記ディスクの両端
の電圧降下の２０％から２００％であることを特徴とす
るサージアレスタ。
３５．請求項３１記載のサージアレスタにおいて、前記
ディスクの両端の電圧に対する前記リングの両端の電圧
の比が前記通常作動電圧以上の電圧において厚さ当たり
より大きくなることを特徴とするサージアレスタ。
３６．請求項３１記載のサージアレスタにおいて、前記
ディスクの両端の電圧に対する前記ギャップ組立体の両
端の電圧の比が前記通常作動電圧以上の電圧において厚
さ当たりの比の半分から４倍であることを特徴とするサ
ージアレスタ。
３７．請求項３１記載のサージアレスタにおいて、前記
アレスタが死面（デッドフロント）アレスタであること
を特徴とするサージアレスタ。
３８．請求項３１記載のサージアレスタにおいて、前記
アレスタが油面下（アンダオイル）アレスタであること
を特徴とするサージアレスタ。
３９．請求項第３１項に記載のサージアレスタにおいて
、前記アレスタが高分子材囲繞アレスタであることを特
徴とするサージアレスタ。