JPH0320785Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0320785Y2 JPH0320785Y2 JP8550683U JP8550683U JPH0320785Y2 JP H0320785 Y2 JPH0320785 Y2 JP H0320785Y2 JP 8550683 U JP8550683 U JP 8550683U JP 8550683 U JP8550683 U JP 8550683U JP H0320785 Y2 JPH0320785 Y2 JP H0320785Y2
- Authority
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- Japan
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- current
- anode
- gate thyristor
- gate
- circuit
- Prior art date
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- Expired
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- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 3
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
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- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Thyristors (AREA)
Description
本考案はＮゲートサイリスタのピーク点電流及
び谷点電流を自動測定できるＮゲートサイリスタ
の特性試験装置に関する。 従来、この種の装置として第１図に示すような
ものがあつた。図において、１は試験されるＮゲ
ートサイリスタである。２は制御電流源であつ
て、直流電流源３、直流電流計４、微小交流バイ
アス電源５、直流バイアス電源６により構成され
ている。又、７は抵抗R1及び直流源Ｅによつて
構成されたゲートバイアス電源部、８は高入力イ
ンピーダンス増幅器、９，１０は電圧測定端子で
ある。 第２図は第１図における陽極電流IAと陽極電圧
VAKの特性概念図であつて、ピーク点電流IPと谷
点電流IVの様子を示している。 次に、第１図の動作を第２図を用いて説明す
る。先ず、直流バイアス電源６を調節することに
より、直流電流源３から供給される陽極電流IAを
ゼロから徐々に増加させてゆき、Ｎゲートサイリ
スタ１の陽極電圧VAKの交流成分の振幅を観測す
ると、陽極電流IAがピーク点電流IP及び谷点電流
IVに達したとき、Ｎゲートサイリスタ１の陽極・
陰極間の微分抵抗がゼロになるので、陽極電圧
VAKの交流成分の振幅が極小値を示すようにな
り、これによつてＮゲートサイリスタ１のピーク
点電流IP及び谷点電流IVを測定することができ
る。 しかしながら従来のこのような装置では、陽極
電圧VAKの交流成分の振幅のみを測定しており、
この振幅の極小値が２箇所あるため、ピーク点電
流IPであるか谷点電流IVであるかの判定がわかり
にくくなる。すなわち、陽極電流IAの可変範囲を
微妙に調整（例えば谷点の場合10-9〜10-4A程
度）しなければならず、このような広範囲の微小
電流の高精度の制御測定には時間が長くかかり非
能率となる欠点があつた。 本考案はこのような従来装置の欠点に鑑みてな
されたもので、ピーク点電流および谷点電流を容
易に測れるようにするため、Ｎゲートサイリスタ
の陽極電流と陽極電圧の位相極性関係を同期整流
し、これをフイードバツクして陽極電流を制御す
るようにしたものである。 次に本考案の一実施例について第３図を用いて
説明する。図において、２ａは制御電流源、１１
は低域カツトフイルタ、１２は比較器、１３は低
域カツトフイルタ、１４は増幅器、１５は極性反
転器、１６は極性切換スイツチである。又、１７
はゲート素子、１８は抵抗R4、コンデンサＣ、
オペアンプOP1からなる積分回路、R2，R3は抵
抗、Ｄはダイオードであつて、これらで同期整流
回路１９を構成している。又、２０は初期バイア
ス電源、２１は抵抗R5，R6，R7及びオペアンプ
OP2からなる加算反転回路、２２はフイードバツ
ク回路を示している。 上記構成において、制御電流源２ａは第１図に
示す従来例の直流バイアス電源６の代りに、フイ
ードバツク回路２２により電圧制御されるように
なつている。このフイードバツク回路２２は、Ｎ
ゲートサイリスタ１の陽極電流IAの交流成分の位
相を検出する回路（低域カツトフイルタ１１と比
較器１２により構成）と、Ｎゲートサイリスタ１
の陽極電圧VAKの交流成分の位相を検出する回路
（低域カツトフイルタ１３、増幅器１４、極性反
転器１５および極性切換スイツチ１６により構
成）と、陽極電圧VAKの交流成分位相信号により
陽極電圧VAKの交流成分を同期整流する回路１９
と、初期バイアス電源２０の出力と同期整流回路
１９の出力を加算反転する回路２１から構成され
ている。 第２図の特性概念図は本考案についても同様に
適用できる。Ｎゲートサイリスタ１の微分抵抗ｒ
はｒ＝dVAK／dIAで表わされ、陽極電流IAのバイ
アス条件により下表のようになる。
び谷点電流を自動測定できるＮゲートサイリスタ
の特性試験装置に関する。 従来、この種の装置として第１図に示すような
ものがあつた。図において、１は試験されるＮゲ
ートサイリスタである。２は制御電流源であつ
て、直流電流源３、直流電流計４、微小交流バイ
アス電源５、直流バイアス電源６により構成され
ている。又、７は抵抗R1及び直流源Ｅによつて
構成されたゲートバイアス電源部、８は高入力イ
ンピーダンス増幅器、９，１０は電圧測定端子で
ある。 第２図は第１図における陽極電流IAと陽極電圧
VAKの特性概念図であつて、ピーク点電流IPと谷
点電流IVの様子を示している。 次に、第１図の動作を第２図を用いて説明す
る。先ず、直流バイアス電源６を調節することに
より、直流電流源３から供給される陽極電流IAを
ゼロから徐々に増加させてゆき、Ｎゲートサイリ
スタ１の陽極電圧VAKの交流成分の振幅を観測す
ると、陽極電流IAがピーク点電流IP及び谷点電流
IVに達したとき、Ｎゲートサイリスタ１の陽極・
陰極間の微分抵抗がゼロになるので、陽極電圧
VAKの交流成分の振幅が極小値を示すようにな
り、これによつてＮゲートサイリスタ１のピーク
点電流IP及び谷点電流IVを測定することができ
る。 しかしながら従来のこのような装置では、陽極
電圧VAKの交流成分の振幅のみを測定しており、
この振幅の極小値が２箇所あるため、ピーク点電
流IPであるか谷点電流IVであるかの判定がわかり
にくくなる。すなわち、陽極電流IAの可変範囲を
微妙に調整（例えば谷点の場合10-9〜10-4A程
度）しなければならず、このような広範囲の微小
電流の高精度の制御測定には時間が長くかかり非
能率となる欠点があつた。 本考案はこのような従来装置の欠点に鑑みてな
されたもので、ピーク点電流および谷点電流を容
易に測れるようにするため、Ｎゲートサイリスタ
の陽極電流と陽極電圧の位相極性関係を同期整流
し、これをフイードバツクして陽極電流を制御す
るようにしたものである。 次に本考案の一実施例について第３図を用いて
説明する。図において、２ａは制御電流源、１１
は低域カツトフイルタ、１２は比較器、１３は低
域カツトフイルタ、１４は増幅器、１５は極性反
転器、１６は極性切換スイツチである。又、１７
はゲート素子、１８は抵抗R4、コンデンサＣ、
オペアンプOP1からなる積分回路、R2，R3は抵
抗、Ｄはダイオードであつて、これらで同期整流
回路１９を構成している。又、２０は初期バイア
ス電源、２１は抵抗R5，R6，R7及びオペアンプ
OP2からなる加算反転回路、２２はフイードバツ
ク回路を示している。 上記構成において、制御電流源２ａは第１図に
示す従来例の直流バイアス電源６の代りに、フイ
ードバツク回路２２により電圧制御されるように
なつている。このフイードバツク回路２２は、Ｎ
ゲートサイリスタ１の陽極電流IAの交流成分の位
相を検出する回路（低域カツトフイルタ１１と比
較器１２により構成）と、Ｎゲートサイリスタ１
の陽極電圧VAKの交流成分の位相を検出する回路
（低域カツトフイルタ１３、増幅器１４、極性反
転器１５および極性切換スイツチ１６により構
成）と、陽極電圧VAKの交流成分位相信号により
陽極電圧VAKの交流成分を同期整流する回路１９
と、初期バイアス電源２０の出力と同期整流回路
１９の出力を加算反転する回路２１から構成され
ている。 第２図の特性概念図は本考案についても同様に
適用できる。Ｎゲートサイリスタ１の微分抵抗ｒ
はｒ＝dVAK／dIAで表わされ、陽極電流IAのバイ
アス条件により下表のようになる。
【表】
従つて、陽極電流IAを微小交流信号でふらせた
時の陽極電圧VAKの交流成分を検出し、これらの
間の位相関係を調べることにより微分抵抗ｒの極
性を知ることができるので、現在の直流バイアス
陽極電流IAが各極点のプラス側かマイナス側かを
知ることができる。なお、バイアス条件が(1)と(5)
の範囲では、微分抵抗ｒが両方ともプラスとなる
が、Ｎゲートサイリスタ１の場合、(1)と(5)では電
流値に数百倍程度の差があるため容易に区別する
ことができる。第３図の実施例では微分抵抗ｒの
極性を知り、また、微分抵抗ｒの絶対値に比例し
た陽極電流IAを検出することができる。 すなわち、陽極電圧VAKの交流成分を低域カツ
トフイルタ１３、増幅器１４により検出し、これ
を陽極電流IAの交流成分を低域カツトフイルタ１
１、比較器１２で波形整形した出力により同期整
流回路１９で同期整流する。ここで、同期整流回
路１９の動作は次のようになる。 比較器１２の出力電圧が「Ｈ」レベルのときゲ
ート素子１７が導通し、極性切替スイツチ１６か
らの入力信号を積分回路１８で積分反転する。 従つて、極性切換スイツチ１６がＡ側に接続さ
れている場合には、Ｎゲートサイリスタ１の微分
抵抗ｒが正の値になるようにバイアスされた条件
では同期整流回路１９の出力は負の値となり、加
算反転回路２１により初期値より高いバイアス電
圧で直流電流源３を制御するようになる。ここ
で、直流電流源３の制御特性が制御電圧増により
出力電流が増加する正特性であるとき、Ｎゲート
サイリスタ１の陽極電流IAは増加する。同様にＮ
ゲートサイリスタ１の微分抵抗ｒが負のときはＮ
ゲートサイリスタ１の陽極電流IAは減少する。従
つて、初期バイアス状態を前記表の「１」，「２」
又は「３」にしておけば、このフイードバツク系
はバイアス状態が「２」のとき、陽極電流IAがIA
＝IPでバランスすることができる。 また、極性切換スイツチ１６がＢ側に接続され
ている場合も、同様にしてIA＝IVでバランスする
ことができる。ただしこの場合初期バイアス状態
は「３」，「４」又は「５」である必要がある。従
つて、初期バイアス状態を初期バイアス電源２０
により「３」、すなわちIP＜IA＜IVとなるように設
定しておけば、極性切換スイツチの切換えによ
り、ピーク点電流IP及び谷点電流IVを自動測定す
ることができる。 なお、上記実施例はＮゲートサイリスタのピー
ク点電流IP及び谷点電流IVを自動測定する場合に
ついて述べたが、上記と同様な微分抵抗ｒの極性
変化を有する素子であれば、同様に本考案を適用
できる。 以上説明したように本考案によれば、Ｎゲート
サイリスタの陽極電流と陽極電圧の位相極性関係
を同期整流し、これをフイードバツクして陽極電
流を制御するようにしたので、陽極電流のピーク
点電流及び谷点電流を自動測定することができ、
測定時間の短縮、高精度化が計れる効果がある。
時の陽極電圧VAKの交流成分を検出し、これらの
間の位相関係を調べることにより微分抵抗ｒの極
性を知ることができるので、現在の直流バイアス
陽極電流IAが各極点のプラス側かマイナス側かを
知ることができる。なお、バイアス条件が(1)と(5)
の範囲では、微分抵抗ｒが両方ともプラスとなる
が、Ｎゲートサイリスタ１の場合、(1)と(5)では電
流値に数百倍程度の差があるため容易に区別する
ことができる。第３図の実施例では微分抵抗ｒの
極性を知り、また、微分抵抗ｒの絶対値に比例し
た陽極電流IAを検出することができる。 すなわち、陽極電圧VAKの交流成分を低域カツ
トフイルタ１３、増幅器１４により検出し、これ
を陽極電流IAの交流成分を低域カツトフイルタ１
１、比較器１２で波形整形した出力により同期整
流回路１９で同期整流する。ここで、同期整流回
路１９の動作は次のようになる。 比較器１２の出力電圧が「Ｈ」レベルのときゲ
ート素子１７が導通し、極性切替スイツチ１６か
らの入力信号を積分回路１８で積分反転する。 従つて、極性切換スイツチ１６がＡ側に接続さ
れている場合には、Ｎゲートサイリスタ１の微分
抵抗ｒが正の値になるようにバイアスされた条件
では同期整流回路１９の出力は負の値となり、加
算反転回路２１により初期値より高いバイアス電
圧で直流電流源３を制御するようになる。ここ
で、直流電流源３の制御特性が制御電圧増により
出力電流が増加する正特性であるとき、Ｎゲート
サイリスタ１の陽極電流IAは増加する。同様にＮ
ゲートサイリスタ１の微分抵抗ｒが負のときはＮ
ゲートサイリスタ１の陽極電流IAは減少する。従
つて、初期バイアス状態を前記表の「１」，「２」
又は「３」にしておけば、このフイードバツク系
はバイアス状態が「２」のとき、陽極電流IAがIA
＝IPでバランスすることができる。 また、極性切換スイツチ１６がＢ側に接続され
ている場合も、同様にしてIA＝IVでバランスする
ことができる。ただしこの場合初期バイアス状態
は「３」，「４」又は「５」である必要がある。従
つて、初期バイアス状態を初期バイアス電源２０
により「３」、すなわちIP＜IA＜IVとなるように設
定しておけば、極性切換スイツチの切換えによ
り、ピーク点電流IP及び谷点電流IVを自動測定す
ることができる。 なお、上記実施例はＮゲートサイリスタのピー
ク点電流IP及び谷点電流IVを自動測定する場合に
ついて述べたが、上記と同様な微分抵抗ｒの極性
変化を有する素子であれば、同様に本考案を適用
できる。 以上説明したように本考案によれば、Ｎゲート
サイリスタの陽極電流と陽極電圧の位相極性関係
を同期整流し、これをフイードバツクして陽極電
流を制御するようにしたので、陽極電流のピーク
点電流及び谷点電流を自動測定することができ、
測定時間の短縮、高精度化が計れる効果がある。
第１図は従来装置の回路図、第２図は特性概念
図、第３図は本考案の一実施例によるＮゲートサ
イリスタの特性試験装置の回路図である。 １……Ｎゲートサイリスタ、３……直流電流
源、４……直流電流計、５……微小交流バイアス
電源、７……ゲートバイアス電源部、１１，１３
……低域カツトフイルタ、１２……コンパレー
タ、１４……増幅器、１５……極性反転器、１６
……極性切換スイツチ、１７……ゲート素子、１
８……積分回路、１９……同期整流回路、２０…
…初期バイアス電源、２１……加算反転回路、２
２……フイードバツク回路。
図、第３図は本考案の一実施例によるＮゲートサ
イリスタの特性試験装置の回路図である。 １……Ｎゲートサイリスタ、３……直流電流
源、４……直流電流計、５……微小交流バイアス
電源、７……ゲートバイアス電源部、１１，１３
……低域カツトフイルタ、１２……コンパレー
タ、１４……増幅器、１５……極性反転器、１６
……極性切換スイツチ、１７……ゲート素子、１
８……積分回路、１９……同期整流回路、２０…
…初期バイアス電源、２１……加算反転回路、２
２……フイードバツク回路。
Claims (1)
- Ｎゲートサイリスタの陽極・陰極間に接続さ
れ、微小交流信号の重畳された電流を供給する制
御電流源と、前記Ｎゲートサイリスタのゲート・
陰極間に接続されたゲートバイアス電源部と、前
記Ｎゲートサイリスタの陽極電流に対する陽極電
圧の増減傾向を陽極電流の位相によつて陽極電圧
を同期整流することにより検出し、前記制御電流
源に対する制御信号を初期レベルから増減して前
記Ｎゲートサイリスタのピーク点もしくは谷点に
自動的に陽極電流を調節するフイードバツク回路
とを備えたことを特徴とするＮゲートサイリスタ
の特性試験装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8550683U JPS59189166U (ja) | 1983-06-03 | 1983-06-03 | Ｎゲ−トサイリスタの特性試験装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8550683U JPS59189166U (ja) | 1983-06-03 | 1983-06-03 | Ｎゲ−トサイリスタの特性試験装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59189166U JPS59189166U (ja) | 1984-12-15 |
| JPH0320785Y2 true JPH0320785Y2 (ja) | 1991-05-07 |
Family
ID=30215469
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8550683U Granted JPS59189166U (ja) | 1983-06-03 | 1983-06-03 | Ｎゲ−トサイリスタの特性試験装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59189166U (ja) |
-
1983
- 1983-06-03 JP JP8550683U patent/JPS59189166U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59189166U (ja) | 1984-12-15 |
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