JPH03167500A - 放射光用ミラー及び回折格子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、放射光発生装置で発生させた放射光を反射
するためのミラー或いは分光するための回折格子に関す
るものである． 〔従来の技術〕 シンクロトロン放射光（ＳＯＲ）の中には炭化水素ガス
に吸収され易い波長が含まれており、そのため、ＳＯＲ
発生装置においては、ビームラインの真空チャンバ内に
残っている炭化水素が容易に分解されてしまう。

この分解された炭化水素は、ＳＯＲ発生装置のビームラ
イン中に設置された反射ミラーや分光用回分析格子の表
面に付着して果ラーの反射率や回折格子の回折率（分光
率）を低下させる。

そこで、従来は、その防止策として真空チャンバの内の
真空度を上げ、ビームライン中の炭化水素残存量を低減
する方法を採っている。

〔発明が解決しようとする課題〕

上述した従来の方法によると、ミラー及び回折格子設置
空間の真空度を高めるために超高真空用排気ポンプが不
可欠となり設備費が嵩む。

また、真空度を上げても旦ラーや回折格子の表面汚染を
完全には無くし得ないので、反射率や回折効率の落ちた
ミラー及び回折格子はビームラインを停止して再生しな
ければならないが、真空度を上げる方法では再生のため
の停止回数削減に限度があり、ビームラインの運用効率
がまだ充分とは云えない． この発明は、これ等の問題点を解決することを課題とし
ている。

〔課題を解決するための手段〕

この発明の放射光用ミラー及び回折格子は、昇温手段を
含む構成として使用中の温度を室温以上に高めるように
したものである． 〔作用〕 ミラーや回折格子などの表面温度を上昇させると炭化水
素の吸着確率が下がって放射光による表面部での分解反
応が減少する．このため、表面に対する炭化水素の付着
量が減り、反射効率、回折効率の低下が抑制される． 第５図は、炭化水素ガス（メタン）をＩＸＩＯ−３ｔｏ
ｒｒの圧力を保った反応室内で放射光照射により反応さ
せ、シリコン基板上に炭化水素膜を戒長させた場合の威
膜速度の基板温度依存性を示している。この図から分か
るように、基板温度が１５゜Ｃ付近と５０℃付近とでは
炭化水素欣の付着量が大幅に異なり、これからこの発明
の有効性が確認できる。

〔実施例〕

第１図乃至第４図にこの発明の一具体例を示す。

各図とも１は反射面２を有する反射ミラーである。

また、３はミラーの表面部温度を検出する熱電対、４は
３の出力電圧を測定する電圧計、５はミラー加熱手段の
電源を示している。

さて、第１図のミラーは、反射面を除く各面に電熱ヒー
タ６を添わせ、このヒータ６を電源５からの給電により
発熱させて表面温度を高めるようにしてある。この場合
の電源５は、ヒータの発熱量制御のために可変電源を用
いている。

また、第２図のミラーは、タンク？内に収納した熱媒体
（気体や液体）を電源５に接続したヒータ８で加熱し、
これを循環パイブ９に通してポンプ１０で循環させるこ
とにより、ミラー内に導入したパイブ９の放熱部からミ
ラーに熱を伝えて表面温度を高めるようにしてある． 一方、第３図のくラーは、一端を反射面以外の面（図は
背面）に接触させる熱伝導体１１を設け、この熱伝導体
１１を外周に巻きつけるなどしたヒーク１２で加熱して
１１を伝った熱で表面温度を上昇させるようにしてある
。

また、第４図の藁ラーは、その近傍に赤外線ランプ１３
を設置し、ここからの輻射熱で表面温度を高めるように
してある。

これ等は、いずれも表面の昇温手段を有しているので、
既述の作用により炭化水素の付着に起因した反射率（図
の１が２の部分に椙子溝を設けた回折格子である場合に
は回折率）の低下が抑制される。

なお、例示の如き昇温手段による竃ラーや回折格子表面
の加熱温度は、第５図から分かるように、３０゜Ｃ前後
でも５００゜Ｃ＃後でも発明の効果には大差が無いので
、省エネルギー及びミラー等の熱劣化防止の観点から、
目的達成可能温度範囲の下限域近辺に制御するのが望ま
しい．熱電対３があればそのような制御が可能である． 〔効果〕 以上説明したように、この発明の放射光用ミラー或いは
回折格子は、表面の昇温手段を設けて表面に対する炭化
水素の付着を防止し、表面汚染による反射率、回折効率
の低下を抑制するので、表面の再生時期を遅延させてビ
ームラインの停止回数を減少させることができる。

また、真空排気ボンブの能力も小さくて済み、放射光の
効率的利用、放射光施設の設６Ｉ費削滅が可能になる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例の斜視図、第２図乃至第４
図は他の実施例の斜視図、第５図は炭化水素膜の威膜速
度の基板温度依存性を示す図である。 １・・・・・・反射ミラー　　２・・・・・・反射面、
３・・・・・・熱電対、　　　４・・・・・・電圧計、
５・・・・・・電源、　　　　　６、８、１２・・・・
・・ヒーク、７・・・・・・タンク、　　　　９・・・
・・・循環パイプ、１０・・・・・・ボンブ、 １ １・・・・・・熱伝導体．

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）シンクロトロン放射光発生装置のビームライン中
   におかれる放射光用ミラー及び回折格子であって、使用
   中の温度を室温以上に高める昇温手段を具備しているこ
   とを特徴とする放射光用ミラー及び回折格子。
2. （２）昇温手段が、加温対象物（上記ミラー及び回折格
   子）に取付けた電熱ヒータ、放熱部を加温対象物内に導
   入した熱媒体循環式ヒータ、熱伝導体を介して加熱部か
   ら加熱対象物に熱を伝える伝熱式ヒータ、又は加温対象
   物近くに設置する赤外線ランプのいずれかである請求項
   （１）記載の放射光用ミラー及び回折格子。