JPH03155067A - Soldering terminal - Google Patents
Soldering terminalInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要］
銅端子に密着層を介して金の薄膜層を形成した半田付は
端子に関し、
半田付けが完全に行える半田付は端子を提供することを
目的とし、
銅端子面が一部露出するように前記密着層のパターンを
形成するように構成する。[Detailed Description of the Invention] [Summary] Soldering in which a thin film layer of gold is formed on a copper terminal via an adhesive layer is related to a terminal, and the purpose of soldering is to provide a terminal that allows complete soldering. The pattern of the adhesive layer is formed so that a portion of the terminal surface is exposed.
［産業上の利用分野］
本発明は、銅端子に密着層を介して金の薄膜層を形成し
た半田付は端子に関する。[Industrial Application Field] The present invention relates to a soldering terminal in which a thin gold film layer is formed on a copper terminal via an adhesive layer.
半田付は端子は、端子面（半田と接触する而）が変質を
起こすと、半田のぬれ性が劣化し、確実な半田付けが行
えない。よって、金などの変質しにくい膜を端子面に形
成している。When soldering a terminal, if the terminal surface (the part that comes into contact with the solder) deteriorates in quality, the wettability of the solder deteriorates and reliable soldering cannot be performed. Therefore, a film made of gold or the like that does not easily deteriorate is formed on the terminal surface.
［従来の技術］
次に図面を用いて従来例を説明する。第１２図は従来の
半田付は端子の説明図である。[Prior Art] Next, a conventional example will be explained using the drawings. FIG. 12 is an explanatory diagram of a conventional soldering terminal.
図において、１はベース、２はベース１に設けられた銅
端子である。３は銅端子２の端子面２ａ上にスパッタリ
ングや真空蒸着によって形成されたチタンの密着層であ
る。４は密着層３上に同じく、スパッタリングや真空蒸
着によって形成された金の薄膜層である。In the figure, 1 is a base, and 2 is a copper terminal provided on the base 1. 3 is a titanium adhesion layer formed on the terminal surface 2a of the copper terminal 2 by sputtering or vacuum deposition. Reference numeral 4 denotes a gold thin film layer similarly formed on the adhesive layer 3 by sputtering or vacuum evaporation.
ここで、本例における密着層３の厚さは一約１００オン
グストローム、金の薄膜層４の厚さは約１μである。そ
して、密着層３は銅端子２と金の薄膜層４との密着を強
化する為に設けられている。金の薄膜層４は大気に接触
しても変質せず、半田のぬれ性を保持するために設けら
れている。Here, the thickness of the adhesive layer 3 in this example is about 100 angstroms, and the thickness of the gold thin film layer 4 is about 1 μm. The adhesion layer 3 is provided to strengthen the adhesion between the copper terminal 2 and the gold thin film layer 4. The gold thin film layer 4 does not change in quality even when exposed to the atmosphere, and is provided to maintain solder wettability.
［発明が解決しようとする課題］
上記構成の半田付は端子において、リード線等を半田付
けすると、金の薄Ｓ層４は熔けた半田に吸収され、半田
がチタンの密着層３に接触する場合がある。一般に、チ
タンに対しては半田付けはできない。上述のような場合
、チタンとの間で金ｆｉｌ１１．’ｌ化合物が生成でき
ず、完全な半田付けが行えず、歩止まりも低化するとい
う問題点がある。[Problems to be Solved by the Invention] In the soldering with the above configuration, when a lead wire or the like is soldered to the terminal, the thin gold S layer 4 is absorbed by the melted solder, and the solder comes into contact with the titanium adhesive layer 3. There are cases. Generally, titanium cannot be soldered. In the above case, gold fil11. There are problems in that the 'l compound cannot be generated, complete soldering cannot be performed, and the yield is low.
本発明は上記問題点に鑑みてなされたもので、その目的
は、半田付けが完全に行える半田付は端子を提供するこ
とにある。The present invention has been made in view of the above problems, and its object is to provide a soldering terminal that can be completely soldered.
［課題を解決するための手段］
第１図は本発明の原理図である。図において、１１は銅
端子、１２は銅端子１１に密着層１３を介して形成され
た金の薄膜層である。そして、銅端子１１の銅端子面１
１ａが一部露出するように密着層１３のパターンが形成
されている。[Means for Solving the Problems] FIG. 1 is a diagram showing the principle of the present invention. In the figure, 11 is a copper terminal, and 12 is a gold thin film layer formed on the copper terminal 11 via an adhesive layer 13. Then, the copper terminal surface 1 of the copper terminal 11
The pattern of the adhesive layer 13 is formed so that part 1a is exposed.
［作用］
第１図に示す半田付は端子において、熔けた半田は、金
の薄膜層１２を溶かし、金を吸収するまでに銅端子１１
の銅端子面１１ａ上に流れ出す。[Function] When the soldering shown in FIG.
flows out onto the copper terminal surface 11a.
そして、溶けた半田は銅と反応し、金属間化合物を生成
し、半田付けがなされる。Then, the melted solder reacts with copper to form an intermetallic compound, and soldering is performed.
［実施例コ
次に、図面を用いて本発明を磁気ディスク用ヘッドに適
用した実施例を説明する。第２図は第１の実施例を説明
する構成図、第３図は第２図に示す半田付は端子が設け
られたスライダーの斜視図、第４図は第３図における磁
気ヘッドの平面図、第５図は第４図におけるＶ−■断面
図、第６図は第３図に示すスライダーの製造プロセスの
説明図、第７図は第２図に示す半田付は端子の製造方法
の第１段階を説明する図、第８図は第２図における半田
付は端子の製造方法の第２段階を説明する図、第９図は
第２０図における半田付は端子の製造方法の第３段階を
説明する図、第１０図は第２図における半田付は端子の
製造方法の第４段階を説明する図、第１１図は本発明の
第２の実施例を説明する図である。[Embodiment 2] Next, an embodiment in which the present invention is applied to a magnetic disk head will be described with reference to the drawings. Fig. 2 is a configuration diagram explaining the first embodiment, Fig. 3 is a perspective view of a slider with soldering terminals shown in Fig. 2, and Fig. 4 is a plan view of the magnetic head in Fig. 3. , FIG. 5 is a sectional view taken along the line V-■ in FIG. 4, FIG. 6 is an explanatory diagram of the manufacturing process of the slider shown in FIG. 3, and FIG. Figure 8 is a diagram explaining the first stage of the terminal manufacturing method, Figure 8 is a diagram explaining the second stage of the terminal manufacturing method, and Figure 9 is a diagram explaining the third stage of the terminal manufacturing method. 10 is a diagram illustrating the fourth step of the terminal manufacturing method, and FIG. 11 is a diagram illustrating a second embodiment of the present invention.
最初に、第２図乃至第１０図を用いて本発明の第１の実
施例を説明する。先ず、第４図及び第５図を用いて本実
施例が設けられた（薄膜）磁気ヘッドＨの構造を説明す
る。図において、２１は基板となるウェハー、２２はウ
ェハー２１上に形成されたパーマロイの下部コア、２３
は下部コア２２上に形成されたギャップ材、２４はギャ
ップ材２３上に形成された絶縁膜、２５は絶縁膜２４上
にスパイラル上にパターン化された銅のコイル、２６は
コイル２５を覆う絶縁膜、２７は絶縁膜２６上に形成さ
れたパーマロイの上部コアである。First, a first embodiment of the present invention will be described using FIGS. 2 to 10. First, the structure of the (thin film) magnetic head H provided in this embodiment will be explained using FIGS. 4 and 5. In the figure, 21 is a wafer serving as a substrate, 22 is a lower core of permalloy formed on the wafer 21, and 23
24 is a gap material formed on the lower core 22, 24 is an insulating film formed on the gap material 23, 25 is a copper coil patterned in a spiral shape on the insulating film 24, and 26 is an insulation covering the coil 25. The film 27 is an upper core of permalloy formed on the insulating film 26.
２８は磁気記録媒体で、この磁気記録媒体２８は第５図
において、矢印方向に移動する。又、２９はウェハー全
面に形成されたアルミナ保護膜である。28 is a magnetic recording medium, and this magnetic recording medium 28 moves in the direction of the arrow in FIG. Further, 29 is an alumina protective film formed on the entire surface of the wafer.
そして、ギャップＧに発生する磁界によって、磁気記録
媒体２８に対してデータのり−ド／ライトがなされる。Data is written/written on the magnetic recording medium 28 by the magnetic field generated in the gap G.
次に、第６図を用いて薄膜磁気ヘッドの製造プロセスを
説明する。Next, the manufacturing process of the thin film magnetic head will be explained using FIG.
まず、所定形状のウェハー２１を準Ｎする（ステップ１
）。First, a wafer 21 of a predetermined shape is subjected to quasi-N (step 1
).
次に、ウェハー２１上に前述の下部コア２２、ギャップ
材２３、絶縁膜２４、コイル２５、絶縁膜２６及び上部
コア２７よりなる薄膜磁気ヘッドＨを複数個（本実施例
では３００個）形成する（ステップ２）。Next, on the wafer 21, a plurality of thin film magnetic heads H (300 in this embodiment) each made of the above-mentioned lower core 22, gap material 23, insulating film 24, coil 25, insulating film 26, and upper core 27 are formed. (Step 2).
次に、機械加工によって列単位に分割し、ギャップ加工
を行う（ステップ３）。Next, it is divided into rows by machining, and gap processing is performed (step 3).
次に、列単位のウェハー２１を単独のスライダーＳに分
割する（ステップ４）。Next, the wafer 21 in columns is divided into individual sliders S (step 4).
そして、分割されたスライダーＳは更に所定形状に加工
され、例えば固定磁気ディスク装置のスプリングアーム
３０に取付けられる（ステップ５）次に、第３図を用い
てスライダーＳの説明を行う。図において、３２はスラ
イダーＳのアルミナ保護膜２９に設けられた半田付は端
子である。この半田付は端子３２を介して磁気ヘッドＨ
に対して、信号の授受がなされる。The divided slider S is further processed into a predetermined shape and attached to, for example, a spring arm 30 of a fixed magnetic disk device (step 5).Next, the slider S will be explained using FIG. 3. In the figure, 32 is a soldered terminal provided on the alumina protective film 29 of the slider S. This soldering is done via the terminal 32 on the magnetic head H.
Signals are sent and received to and from.
次に、この半田付は端子３２の構成を第２図を用いて説
明する。図において、アルミナ保護膜２９には銅端子３
３が設けられている。この銅端子３３上には、チタンの
密着層３４が形成され、この密着層３４上には金の薄膜
層３５がリフトオフ法を用いて形成されている。そして
、密着層３４及び金の薄膜層３５は銅端子３３の銅端子
面３３ａよりも狭く形成されており、銅端子３３の銅端
子面３３ａの一部は露出している。Next, the structure of the soldering terminal 32 will be explained using FIG. 2. In the figure, the alumina protective film 29 has a copper terminal 3
3 is provided. A titanium adhesion layer 34 is formed on this copper terminal 33, and a gold thin film layer 35 is formed on this adhesion layer 34 using a lift-off method. The adhesive layer 34 and the gold thin film layer 35 are formed narrower than the copper terminal surface 33a of the copper terminal 33, and a portion of the copper terminal surface 33a of the copper terminal 33 is exposed.
次に、第７図乃至第１０図を用いて、リフトオフ法を用
いた密着層３４及び金の薄膜層３５の形成方法を説明す
る。Next, a method of forming the adhesion layer 34 and the gold thin film layer 35 using the lift-off method will be described with reference to FIGS. 7 to 10.
先ず第７図において、アルミナ保護膜２９及び銅端子３
３上に、フォトレジスト（感光性物質）層４１を形成す
る。First, in FIG. 7, the alumina protective film 29 and the copper terminal 3
3, a photoresist (photosensitive material) layer 41 is formed.
次に、形成しようとする密着層３４及び金の薄膜層３５
に対応した切り欠き４２ａが形成されたフォトマスク４
２を上方に載置し、紫外線を照射する。そして、現像液
に浸すと、紫外線照射された部分は光化学作用によって
、現像液に対して溶解し、第８図に示すような状態とな
る。Next, the adhesive layer 34 and gold thin film layer 35 to be formed
A photomask 4 in which a notch 42a corresponding to the
2 is placed above and irradiated with ultraviolet light. Then, when immersed in a developer, the portion irradiated with ultraviolet rays dissolves in the developer due to photochemical action, resulting in a state as shown in FIG. 8.
そして、第９図に示すように、チタン及び金を連続蒸着
する。図に示すように、銅端子３３の上の角部に近傍の
チタン層及び金層は、立ち壁の影響で膜厚が薄くなって
いる。Then, as shown in FIG. 9, titanium and gold are successively deposited. As shown in the figure, the titanium layer and gold layer near the upper corner of the copper terminal 33 are thinner due to the effect of the standing wall.
次に、アセトン中に浸し、超音波を用いて振動させる。Next, it is soaked in acetone and vibrated using ultrasound.
すると、アセトン中にフォトレジストは溶解し、超音波
によって、チタン層及び金層の膜厚の薄い部分には、亀
裂が生じ、第１０図に示すように、銅端子３３上の密着
層３４及び金の薄膜層３５が分離される。Then, the photoresist is dissolved in acetone, and cracks are generated in the thin parts of the titanium layer and the gold layer due to the ultrasonic waves, and as shown in FIG. A thin layer of gold 35 is separated.
上記構成の半田付は端子において半田付けを行う場合の
作動を説明する。先ず、溶けた半田を金の薄膜層３５上
に置く。金は、変質しにくいので、半田のぬれ性も良好
である。そして、熔けた半田は、金の薄膜層３５を溶か
し、金を吸収するまでに銅端子３３の銅端子面上に流れ
出す。そして、熔けた半田は銅と反応し、金属間化合物
を生成し、半田付けがなされる。Regarding soldering with the above configuration, the operation when soldering is performed on a terminal will be explained. First, melted solder is placed on the gold thin film layer 35. Since gold is difficult to change in quality, it has good solder wettability. The melted solder then melts the gold thin film layer 35 and flows out onto the copper terminal surface of the copper terminal 33 before absorbing the gold. Then, the melted solder reacts with copper to form an intermetallic compound, and soldering is performed.
このような構成によれば、半田のぬれ性も良好で、しか
も、半田付けを完全に行うことができる。According to such a configuration, the wettability of solder is also good, and moreover, soldering can be performed perfectly.
次に、第１１図を用いて本発明の第２の実施例を説明す
る。図において、５１はチタンの密着層５２は金の薄膜
層である。そして、本実施例においては、密着層５１は
銅端子３３の銅端子面３３ａよりも狭く形成され、銅端
子面３３ａは一部露出し、金の薄膜層５２は密着層５１
を覆うように形成されている。Next, a second embodiment of the present invention will be described using FIG. 11. In the figure, 51 is a titanium adhesion layer 52 and a gold thin film layer. In this embodiment, the adhesive layer 51 is formed narrower than the copper terminal surface 33a of the copper terminal 33, the copper terminal surface 33a is partially exposed, and the gold thin film layer 52 is formed to be narrower than the copper terminal surface 33a of the copper terminal 33.
It is formed to cover.
このような構成においても、第１の実施例と同様な効果
を得ることができる。更に、銅端子面３３ａと金の薄膜
層５２とがチタンの密着層５１０周りで接触しているの
で、第１の実施例よりも、半田は銅端子３３と接触しや
すく、より完全な半田付けを行うことができる。Even in such a configuration, the same effects as in the first embodiment can be obtained. Furthermore, since the copper terminal surface 33a and the gold thin film layer 52 are in contact around the titanium adhesive layer 510, the solder comes into contact with the copper terminal 33 more easily than in the first embodiment, resulting in more complete soldering. It can be performed.
［発明の効果］
以上説明したように本発明によれば、銅端子面が一部露
出するように前記密着層のパターンを形成するようにし
たことにより、半田付けが完全に行える半田付は端子を
実現できる。[Effects of the Invention] As explained above, according to the present invention, the pattern of the adhesive layer is formed so that a part of the copper terminal surface is exposed, so that soldering can be performed completely on the terminal. can be realized.
第１図は本発明の原理図、
第２図は第１の実施例を説明する構成図、第３図は第２
図に示す半田付は端子が設けられたスライダーの斜視図
、
第４図は第３図に示す磁気ヘッドの平面図、第５図は第
４図に示すＶ−■断面図、
第６図は第３図に示すスライダーの製造プロセスの説明
図、
第７図は第２図に示す半田付は端子の製造方法の第１段
階を説明する図、
第８図は第２図に示す半田付は端子の製造方法の第２段
階を説明する図、
第９図は第２図に示す半田付は端子の製造方法の第３段
階を説明する図、
第１０図は第２図に示す半田付は端子の製造方法の第４
段階を説明する図、
第１１図は本発明の第２の実施例を説明する図第１２図
は従来の半田付は端子の説明図である。
第１図乃至第１０図において、
１１．３３は銅端子、
１１ａ、３３ａは銅端子面、
１２．３５．５２は金の薄膜層、
１３゜３４．５１は密着層である。Fig. 1 is a diagram of the principle of the present invention, Fig. 2 is a configuration diagram explaining the first embodiment, and Fig. 3 is a diagram of the second embodiment.
The soldering shown in the figures is a perspective view of the slider with terminals provided, Figure 4 is a plan view of the magnetic head shown in Figure 3, Figure 5 is a sectional view taken along the line V-■ shown in Figure 4, and Figure 6 is a cross-sectional view of the magnetic head shown in Figure 4. Figure 3 is an explanatory diagram of the slider manufacturing process; Figure 7 is a diagram explaining the first step of the terminal manufacturing method for the soldering shown in Figure 2; Figure 9 is a diagram explaining the second stage of the terminal manufacturing method. Figure 9 is a diagram explaining the third stage of the terminal manufacturing method. Figure 10 is the soldering diagram shown in Figure 2. Fourth method of manufacturing terminals
FIG. 11 is a diagram illustrating a second embodiment of the present invention; FIG. 12 is a diagram illustrating a conventional soldering terminal. 1 to 10, 11.33 is a copper terminal, 11a and 33a are copper terminal surfaces, 12.35.52 is a gold thin film layer, and 13° and 34.51 are adhesive layers.
Claims (1)
１２）を形成した半田付け端子において、銅端子面（１
１ａ）が一部露出するように前記密着層（１３）のパタ
ーンを形成したことを特徴とする半田付け端子。A thin gold film layer (
12), the copper terminal surface (1
A soldering terminal characterized in that the adhesive layer (13) is patterned so that part 1a) is partially exposed.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29536489A JPH03155067A (en) | 1989-11-14 | 1989-11-14 | Soldering terminal |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29536489A JPH03155067A (en) | 1989-11-14 | 1989-11-14 | Soldering terminal |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03155067A true JPH03155067A (en) | 1991-07-03 |
Family
ID=17819670
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29536489A Pending JPH03155067A (en) | 1989-11-14 | 1989-11-14 | Soldering terminal |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03155067A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011090171A (en) * | 2009-10-23 | 2011-05-06 | Nec Infrontia Corp | Image display device |
| JP2011095772A (en) * | 2011-01-21 | 2011-05-12 | Nec Infrontia Corp | Image display device |
-
1989
- 1989-11-14 JP JP29536489A patent/JPH03155067A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011090171A (en) * | 2009-10-23 | 2011-05-06 | Nec Infrontia Corp | Image display device |
| JP2011095772A (en) * | 2011-01-21 | 2011-05-12 | Nec Infrontia Corp | Image display device |
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