JPH03129770A - Solid state image pickup device - Google Patents
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- 239000007787 solid Substances 0.000 title 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 18
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 22
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 7
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 abstract description 5
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 abstract description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 abstract description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 abstract description 2
- 229910015711 MoOx Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 54
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 5
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910052774 Proactinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020328 SiSn Inorganic materials 0.000 description 1
- YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)molybdenum Chemical compound [Si]=[Mo]=[Si] YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021344 molybdenum silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は、固体撮像装置に係り、特に固体撮像素子チッ
プ上に光導電体膜を積層して構成される固体撮像装置の
光遮蔽層に関する。[Detailed Description of the Invention] [Object of the Invention] (Industrial Application Field) The present invention relates to a solid-state imaging device, and particularly to a solid-state imaging device configured by laminating a photoconductor film on a solid-state imaging device chip. The present invention relates to a light shielding layer.
（従来の技術）
固体撮像素子チップ上に光導電体膜を積層した構造の固
体撮像装置（以下、積層型固体撮像装置という。）は、
感光部の開口面積を広くすることができるため、高感度
且つ低スミアと云う優れた特性を有する。このため、こ
の固体撮像装置は、各種監視用テレビジョンや高品位テ
レビジョン等のカメラとして有望視されている。この種
の固体撮像装置用の光導電膜としては、現在のところ、
アモルファス材料膜が用いられている。例えば、５ｅ−
Ａｓ−Ｔｏ膜、Ｚｎ５ｅ−ＺｎＣｄ’ｌ’ａ、ａ−ｓｉ
：Ｈ膜（水素化非晶質シリコン膜）等である。これらの
材料の中で特に、特性や加工性の良さ、低温形成の可能
性等から、ａ−３Ｌ：Ｈ膜が本命になりつつある。(Prior Art) A solid-state imaging device (hereinafter referred to as a stacked solid-state imaging device) has a structure in which a photoconductor film is stacked on a solid-state imaging device chip.
Since the aperture area of the photosensitive section can be widened, it has excellent characteristics of high sensitivity and low smear. Therefore, this solid-state imaging device is seen as promising as a camera for various surveillance televisions, high-definition televisions, and the like. Currently, photoconductive films for this type of solid-state imaging device include:
An amorphous material film is used. For example, 5e-
As-To film, Zn5e-ZnCd'l'a, a-si
:H film (hydrogenated amorphous silicon film), etc. Among these materials, the a-3L:H film is becoming the favorite because of its good properties, workability, and possibility of low-temperature formation.
この種の積層型面体搬像装置の概略断面構造は、第１図
に示す通りであり、有効撮像画素領域２１上に光が入射
した場合、光導電体［１０のバンドギャップ以上のエネ
ルギーを有する光は光導電体膜１０中で電子−正孔対を
生威し発生した電子および正孔は画素電極９と透明電極
１１により形成される電界により移動し、たとえばｎチ
ャネルＣＯＤを基板に用いた場合は、電子が信号電荷と
して画素電極９９画素電極配線７を介して蓄積ダイオー
ド４に注入され、一定期間蓄積された後信号電荷転送部
により転送され読み出される。The schematic cross-sectional structure of this type of stacked surface body image carrier is as shown in FIG. The light generates electron-hole pairs in the photoconductor film 10, and the generated electrons and holes move due to the electric field formed by the pixel electrode 9 and the transparent electrode 11. In this case, electrons are injected as signal charges into the storage diode 4 via the pixel electrode 99 and the pixel electrode wiring 7, and after being accumulated for a certain period of time, are transferred and read out by the signal charge transfer section.
ところで一般に、固体撮像装置においては、光入射時の
信号出力と暗時出力の差をもって実際の信号出力を得て
おり、この暗時出力を常時得るため有効撮像画素領域に
隣接して入射光を完全に遮断した画調領域（以下、オプ
ティカルブラックと呼ぶ）を有する構造となっている。By the way, in general, in solid-state imaging devices, the actual signal output is obtained from the difference between the signal output when light is incident and the dark output. The structure has a completely blocked image area (hereinafter referred to as optical black).
そして、前記オプティカルブラックは、固体撮像装置表
面に光遮蔽用の金属博膜１２を形成することにより構成
されている（第１図）。The optical black is constructed by forming a metal film 12 for shielding light on the surface of the solid-state imaging device (FIG. 1).
特に前記積層型固定撮像装置においては、オプティカル
ブラック２２形成のための光遮蔽層１２のパターニング
をエツチング処理で行なうのでその下の透明電極１１は
耐エツチング性でなければならない、したがってその透
明電極に対するエツチングの選択性を確保するためにど
うしても光遮蔽層１２の材料が制約される。一般に透明
電極１１として工ＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ ０ｘｉ
ｄｅ）を用いる事が多いが、この場合は上記のエツチン
グ選択性確保のために光遮蔽層１２としてＭｏ（モリブ
デン）膜を用いる。In particular, in the laminated fixed imaging device, since the patterning of the light shielding layer 12 for forming the optical black 22 is performed by etching, the transparent electrode 11 thereunder must be resistant to etching. In order to ensure selectivity, the material of the light shielding layer 12 is inevitably restricted. In general, the transparent electrode 11 is made of Indium Tin Oxi
de) is often used, but in this case, a Mo (molybdenum) film is used as the light shielding layer 12 in order to ensure the above-mentioned etching selectivity.
スパッタリング法により ＭＯ光遮蔽層を形成した場合
の光遮蔽層付近（第４図のＡの部分）を拡大した概略式
図を第４図に示す、この場合、光遮蔽層の形成にはたと
えば不活性ガスとしてＡ ｒ （アルゴン）ガスを導入
し、チャンバー内圧力をＩＰａとしてＤＣマグネトロン
スパッタリング法による成膜を行なうが、 Ｍｏ膜は柱
状に成長するため第４図に示されるように柱状のＭｏ部
１２−２とＭｏのないＭｏ間隙部１２−３が形成されて
しまう。このＭｏ間隙部は２００〜５００λ程度の幅を
持ち、このために十分な遮光効果が得られない場合があ
る。Figure 4 shows an enlarged schematic diagram of the vicinity of the light shielding layer (portion A in Figure 4) when the MO light shielding layer is formed by the sputtering method. Film formation is performed by DC magnetron sputtering method by introducing Ar (argon) gas as an active gas and setting the chamber internal pressure to IPa. However, since the Mo film grows in a columnar shape, columnar Mo parts are formed as shown in Fig. 4. 12-2 and a Mo gap 12-3 without Mo is formed. This Mo gap has a width of about 200 to 500λ, and therefore a sufficient light shielding effect may not be obtained in some cases.
また、第４図に示した平坦部分ではなく、たとえば画素
電極の間隙部分等の凹部においてはＭ。Furthermore, M is not present in the flat portion shown in FIG. 4, but in a concave portion such as a gap between pixel electrodes.
間隙部が広がり、１００ＯＡ以上にもなる場合もある。In some cases, the gap widens and reaches 100 OA or more.
オプティカルブラック以外のたとえば画素同士を光分離
するための光遮蔽層も同様である。The same applies to light shielding layers other than optical black, for example, for separating pixels from each other.
一方、Ｍｏ膜は１本来強い引張り応力を持つため、Ｍｏ
膜が基板からはがれてしまうことがある。On the other hand, since Mo film inherently has strong tensile stress, Mo film
The film may peel off from the substrate.
この場合↓こは、 Ｍｏ膜は光″ａ蔽層としての役割
−を果たすことができない。In this case, the Mo film cannot play the role of a light shielding layer.
現在までに、 スパッタリング時にＭｏターゲットと基
板間距離を極めて短くし、 Ｍｏの釘打ち効果を用いる
ことにより、 ＭＯの引張り応力を低減する方法が報告
されている（ Ｊ ｏｈｎ Ａ 、 Ｔ ｈｏｒｎｔｏ
ｎＤ 、Ｗ 、 Ｈｏｆｆｎ＋ａｎｎ、 Ｊ 、 Ｖａ
ｃ、 Ｓ ｃｉ、 Ｔｅｃｈｎｏｌ、 Ａ ３（１９８
５） ５７６頁）。しかし、この方法では、Ｍｏの粒子
（原子）が大きなエネルギーを持って基板に衝突するた
めに、積層型固体撮像装置の光導電体膜に致命的なダメ
ージを与えるという欠点がある（発明が解決しようとす
る課題）
このように従来の積層型固体撮像装置においては１Ｍｏ
膜が十分な遮光効果を奏さないという問題があり、 さ
らにＭｏの持つ真性の引張り応力およびＭｏ膜とＩＴ○
との密着性が低いことなどから、オプティカルブラック
部で使用されるＭ。To date, a method has been reported to reduce the tensile stress of MO by extremely shortening the distance between the Mo target and the substrate during sputtering and using the nailing effect of Mo (John A, Thornto
nD, W, Hoffn+ann, J, Va
c, Sci, Technol, A3 (198
5) p. 576). However, this method has the disadvantage that the Mo particles (atoms) collide with the substrate with high energy, causing fatal damage to the photoconductor film of the stacked solid-state imaging device. ) In this way, in conventional stacked solid-state imaging devices, 1Mo
There is a problem that the film does not have a sufficient light shielding effect, and furthermore, the intrinsic tensile stress of Mo and the relationship between the Mo film and IT○
M is used in the optical black part because of its low adhesion with the metal.
膜が剥がれるという問題があった。There was a problem that the film peeled off.
本発明は、上記事情を考慮して威されたものであり、遮
光効果が大きく、光遮蔽層の膜はがれをなくし、正確な
暗時出力が得られるオプティカルブラックを有する固体
撮像装置を提供することを目的としている。The present invention has been developed in consideration of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a solid-state imaging device having optical black that has a large light shielding effect, eliminates peeling of a light shielding layer, and provides accurate dark output. It is an object.
（課題を解決するための手段）
本発明は、第１は、固体撮像装置における光遮蔽層とし
てモリブデン酸化物（Ｍ ｏ Ｏｘ ）を用いることを
特徴としている。さらに、第２は、モリブデン酸化物の
膜に含まれる酸素の含有量を５原子（ａｔ）％以上にす
ることを特徴としている。(Means for Solving the Problems) The first feature of the present invention is that molybdenum oxide (M o Ox ) is used as a light shielding layer in a solid-state imaging device. Furthermore, the second feature is that the content of oxygen contained in the molybdenum oxide film is 5 atomic (at) % or more.
すなわち、本発明は、半導体基板上に信号電荷蓄積ダイ
オードの配列及び信号電萄読み出し部の配列がそれぞれ
形成され、最上部に信号電荷蓄積ダイオードと電気的に
接続された画素電極が形成された固体撮像素子チップと
、このチップ上に積層された光導電体膜とを備えた固体
撮像装置において、光導電体膜上にモリブデン酸化物を
用いた光遮蔽層を形成するようにしたものである。That is, the present invention provides a solid-state structure in which an array of signal charge storage diodes and an array of signal charge storage diodes are respectively formed on a semiconductor substrate, and a pixel electrode electrically connected to the signal charge storage diodes is formed on the top. This solid-state imaging device includes an image sensor chip and a photoconductor film laminated on the chip, in which a light shielding layer using molybdenum oxide is formed on the photoconductor film.
（作用）
本発明によれば光遮蔽層の材料として非晶質の酸化モリ
ブデン膜を用いることにより光遮蔽層内の微小間隙の生
成を抑止することができ、この光遮蔽層を用いたオプテ
ィカルブラックにおいては前記微小間隙による光漏れが
なく正確な暗時出力を得ることが可能となる。またこの
酸化モリブデン膜を用いた画素間分離用の光遮蔽層にお
いてはオプティカルブラック同様、前記微小間隙による
光漏れがなく、十分な画素分離が可能となり、シリコン
基板内への光漏れに起因するスミアの発生も低減するこ
とが可能となる。(Function) According to the present invention, by using an amorphous molybdenum oxide film as the material of the light shielding layer, it is possible to suppress the generation of minute gaps in the light shielding layer, and optical black using this light shielding layer can be used. In this case, there is no light leakage due to the minute gap, and accurate dark output can be obtained. In addition, in the light shielding layer for pixel isolation using this molybdenum oxide film, as with optical black, there is no light leakage due to the minute gaps, allowing sufficient pixel separation, and smear caused by light leakage into the silicon substrate. It is also possible to reduce the occurrence of
さらに、前述のように、 Ｍｏ膜を酸化することにより
光遮蔽層の透明電極からの剥がれを防止するという格別
な効果を期待することができる。即ち、酸化モリブデン
膜中の酸素がＭｏの真性な引張り応力を小さくシ（第３
図参照）、前記膜と工Ｔｏとの密着性が向上して膜はが
れを無くすことができる。又、光導電体膜のダメージを
ほとんど無くすことができる。そして、この光遮蔽層を
用いたオプティカルブラックは、膜剥がれが無いので正
確な暗時出力を得ることができる。Furthermore, as mentioned above, by oxidizing the Mo film, it is possible to expect the special effect of preventing the light shielding layer from peeling off from the transparent electrode. That is, oxygen in the molybdenum oxide film reduces the intrinsic tensile stress of Mo (the third
(see figure), the adhesion between the film and the coating material is improved, and peeling of the film can be eliminated. Furthermore, damage to the photoconductor film can be almost eliminated. Optical black using this light shielding layer does not peel off, so accurate dark output can be obtained.
（実施例）
以下、本発明の実施例を第１図、第２図および第３図を
用いて説明する。(Example) Hereinafter, an example of the present invention will be described using FIG. 1, FIG. 2, and FIG. 3.
第１図は本発明の実施例に係る積層型固体撮像装置の概
ｌ［ｌａ構造を示す断面図であり、信号電萄読み出し部
にはインターライン転送ＣＯＤ （ＩＴ−〇ＣＤ）を用
いている。FIG. 1 is a cross-sectional view showing the general structure of a stacked solid-state imaging device according to an embodiment of the present invention, in which an interline transfer COD (IT-〇CD) is used in the signal readout section. .
まず、ｐ型シリコン半導体基板１の表面層に９１層（素
子分離領域）２．ｎ”層（垂直ＣＯＤチャネル）３．ｎ
”十層（蓄積ダイオード）４を形成する。First, 91 layers (element isolation regions) 2. n” layer (vertical COD channel) 3.n
``Ten layers (storage diodes) 4 are formed.
さらに、この基板１上にたとえばＳｉＯ，からなるゲー
ト絶縁膜を介して垂直ＣＯＤの転送ゲート塩ｗＡ５−１
．５−２をたとえば多結晶シリコンなどで形成する。次
いで、９この上に第１絶縁層６となるＳｉｎ、等をＣＶ
Ｄ法で堆積した後に、該絶縁層６に画素電極配線７と蓄
積ダイオード４との電気的績続のためのコンタクトホー
ルを形成する。画素電極配線７にはたとえばポリサイド
配線を用いる。即ち、多結晶シリコン層とその上のモリ
ブデンシリサイド層からなる積層配線である。そして、
蓄積ダイオード４と電気的に接続した画素電極配線７を
形成した後に、表面形状を平坦化する目的で例えばＣＶ
Ｄ法によるＢＰＳＧあるいはＰＳＧ膜からなる第２絶縁
層８を形成し、この絶縁層８に画素コンタクトホールを
形成する。第２絶縁層８は、平坦化が容易にできるもの
ならポリイミド。Furthermore, a vertical COD transfer gate salt wA5-1 is provided on this substrate 1 via a gate insulating film made of, for example, SiO.
．． 5-2 is formed of, for example, polycrystalline silicon. Next, on this layer 9, a layer of Sin, etc., which will become the first insulating layer 6, is applied by CVD.
After deposition by the D method, a contact hole for electrical connection between the pixel electrode wiring 7 and the storage diode 4 is formed in the insulating layer 6. For example, polycide wiring is used for the pixel electrode wiring 7. That is, it is a laminated wiring consisting of a polycrystalline silicon layer and a molybdenum silicide layer thereon. and,
After forming the pixel electrode wiring 7 electrically connected to the storage diode 4, for example, CV
A second insulating layer 8 made of BPSG or PSG film is formed by the D method, and a pixel contact hole is formed in this insulating layer 8. The second insulating layer 8 is made of polyimide if it can be easily planarized.
Ｓｉｏ、でもよい。Sio is fine.
次に膜厚１０００〜３０００λ程度の画素電極９を形成
した後、撮像領域全面に光導電体膜１０としてたとえば
膜厚２ＩＩＭ程度の水素化非晶質シリコン膜をプラズマ
ＣＶＤ法により、また膜厚３００〜５００λ程度の透明
電極１１としてたとえばＩＴＯをスパッタリング法によ
り各々形成する。画素電極９としては、例えばＴｉを用
いる。Next, after forming a pixel electrode 9 with a film thickness of about 1000 to 3000λ, a hydrogenated amorphous silicon film with a film thickness of about 2IIM, for example, is deposited as a photoconductor film 10 on the entire surface of the imaging area by plasma CVD. For example, ITO is formed as a transparent electrode 11 having a thickness of about 500 λ by a sputtering method. For example, Ti is used as the pixel electrode 9.
最後にオプティカルブラック２２形成のために、光遮蔽
層１２となるＭ ｏ Ｏｘ膜を不活性ガスと酸化性ガス
の混合雰囲気中での反応性スパッタリング法により形成
し、バターニングすることで前記第１図の構造の積層型
固体撮像装置を得る。このとき同時に画素分離用光″ｉ
ｊ１蔽層１３も形成される。光遮蔽層１２の膜厚は、６
００〜１００００Å程度である。Finally, in order to form the optical black 22, a M o Ox film that will become the light shielding layer 12 is formed by a reactive sputtering method in a mixed atmosphere of an inert gas and an oxidizing gas, and is buttered to form the first A stacked solid-state imaging device having the structure shown in the figure is obtained. At this time, the pixel separation light "i"
A j1 covering layer 13 is also formed. The film thickness of the light shielding layer 12 is 6
The thickness is approximately 00 to 10,000 Å.
前記酸化モリブデン膜の形成条件としてはたとえば、次
の条件がある。酸化性ガスとして、０２を導入したチャ
ンバー内圧力を０，０１Ｐａとし、更に、不活性ガスと
して、Ａｒを導入し、チャンバー内圧力をＩＰａに設定
したのち、Ｍｏターゲットに４００ Ｖ印加し、 スパ
ッタ電流２ＡでＤＣマグネトロンスパッタリングを行な
うと、チャンバー内のＭｏ原子が雰囲気中の０２と反応
し、半導体基板上には、酸化モリブデン膜が形成される
。上記条件を適宜変えることにより、酸素含有量を任意
の値に調節することができる。For example, the conditions for forming the molybdenum oxide film are as follows. 02 was introduced as an oxidizing gas, the pressure in the chamber was set to 0.01 Pa, Ar was introduced as an inert gas, and the pressure in the chamber was set to IPa. Then, 400 V was applied to the Mo target, and the sputtering current was changed. When DC magnetron sputtering is performed at 2A, Mo atoms in the chamber react with 02 in the atmosphere, and a molybdenum oxide film is formed on the semiconductor substrate. By appropriately changing the above conditions, the oxygen content can be adjusted to any value.
スパッタリング時における酸素の導入方法として、他に
酸素と不活性ガスＡｒをあらかじめ混合しておき、その
のちチャンバー内に導入する方法がある。 この方法で
は、Ａｒと酸素を良く混合できるのでＭｏ薄膜中に酸素
が均一に入る。また、酸素をＭｏターゲットに直接吹き
付けながらスパッタリングを行なうと、ターゲット近く
の酸素濃度が他の所よりも高いので、酸素濃度の高い酸
化モリブデンの膜を作ることができ、酸素の無駄な消費
も減少する。Another method for introducing oxygen during sputtering is a method in which oxygen and an inert gas Ar are mixed in advance and then introduced into the chamber. In this method, since Ar and oxygen can be well mixed, oxygen is uniformly introduced into the Mo thin film. In addition, when sputtering is performed while blowing oxygen directly onto the Mo target, the oxygen concentration near the target is higher than elsewhere, making it possible to create a molybdenum oxide film with a high oxygen concentration, reducing wasteful consumption of oxygen. do.
第２図は前記第１図の光遮蔽層１２のＡの部分を拡大し
た模式図である。本発明によれば、光遮蔽Ｍ、１２−１
は非晶質であるので光遮蔽ｋｊ１２−１内には柱状晶Ｍ
Ｏの場合のような微小間隙は発生しない。FIG. 2 is an enlarged schematic diagram of the portion A of the light shielding layer 12 in FIG. 1. As shown in FIG. According to the invention, light shielding M, 12-1
Since it is amorphous, there are columnar crystals M in the light shield kj12-1.
Micro gaps as in the case of O do not occur.
したがって、オプティカルブラック２２においては正確
な暗時出力を得ることができ、また、画素間隙上部の透
明電極上にＭ ｏ Ｏｘ膜の光遮蔽層を形成すれば、前
記微小間隙部の生成に起因する光漏れがなくなるため隣
接画素間の画素分離不良（たとえば単板カラーデバイス
における混色）は防止され、また同じ理由で半導体基板
１への光漏れがないためスミアを低減することが可能と
なる。Therefore, in the optical black 22, accurate dark output can be obtained, and if a light shielding layer of M o Ox film is formed on the transparent electrode above the pixel gap, the Since there is no light leakage, poor pixel separation between adjacent pixels (for example, color mixing in a single-panel color device) is prevented, and for the same reason, since there is no light leakage to the semiconductor substrate 1, smear can be reduced.
本発明によればＭＯ模膜中酸素が存在するため酸素がＭ
ｏの格子を押し広げ、圧縮応力を生じる。According to the present invention, since oxygen exists in the MO model film, oxygen is
o's lattice is stretched out, creating a compressive stress.
これは、 Ｍｏ本来の引張り応力と打ち消しあって低応
力のＭｏ酸化膜を実現する。この結果、遮蔽層であるＭ
ｏの膜はがれを無くすことができる。This cancels out the inherent tensile stress of Mo and realizes a low-stress Mo oxide film. As a result, the shielding layer M
o film peeling can be eliminated.
Ｍｏ薄膜の応力と酸素含有量の関係を第３図に示す、酸
素の含有量が５ａｔ％以上からこの効果が顕著になるこ
とがわかる。The relationship between stress and oxygen content in the Mo thin film is shown in FIG. 3, and it can be seen that this effect becomes noticeable when the oxygen content is 5 at% or more.
光導電体膜１０はアモルファスシリコンがらなり、圧縮
応力が大きいのでその下の画素電極とはがれ易くなるが
、光導電体膜１０の上に形成された酸化モリブデン［１
２のおかげでその心配もなくなる。The photoconductor film 10 is made of amorphous silicon and has a large compressive stress, so it easily peels off from the pixel electrode below, but the molybdenum oxide [1
Thanks to 2, you don't have to worry about that anymore.
前述のゲート絶縁膜には５ｉ０２膜を用いたが、窒化物
を用いた例えばＳ ｘ３ Ｎ ４ ／ Ｓ ｉＯ２膜を
使用することも可能である。また、画素電極配線はポリ
サイドを用いたが、これに限定されるものではなく、メ
タルシリサイドのように光の透過の少ない材料を選ぶこ
とができる。Although the 5i02 film is used as the gate insulating film described above, it is also possible to use a nitride film such as S x 3 N 4 /SiO 2 film. Further, although polycide is used for the pixel electrode wiring, it is not limited to this, and a material that transmits less light such as metal silicide can be selected.
なお、本実施例では、信号電荷読み出し部に工Ｔ−ＣＯ
Ｄを用いたが１例えば、Ｘ−Ｙアドレス型ＭＯ８，ライ
ンアドレス型ＣＰＤ、電荷掃き寄せ素子Ｃ８Ｄ、ＢＢＤ
その他の信号読み出しかできるものであれば本発明に適
用できる。In addition, in this embodiment, the signal charge readout section is equipped with an engineered T-CO.
For example, X-Y address type MO8, line address type CPD, charge sweeping element C8D, BBD.
Any other device that can only read signals can be applied to the present invention.
また、光導電体膜としてａ−８ｉ：ＨＩｌｌを用いたが
、ａ−ＳｉＣ： Ｈ，ａ−８ｉＧａ： Ｈ，ａ−８ｉＮ
：Ｈ。In addition, a-8i:HIll was used as the photoconductor film, but a-SiC: H, a-8iGa: H, a-8iN
:H.
ａ−ＳｉＳｎ：Ｈ，これらを混合したもの、 ５ａ−Ａ
ｓ−Ｔｏ、Ｚｎ５ｅ−ＺｎＣｄＴｅなどが本発明に有効
である。a-SiSn:H, a mixture of these, 5a-A
s-To, Zn5e-ZnCdTe, etc. are effective in the present invention.
さらに、実施例では、ＣＯＤをＮチャネルとして説明し
たが、Ｐチャネル型ＣＯＤでも本発明は適用することが
できる。Further, in the embodiments, the COD is described as an N-channel COD, but the present invention can also be applied to a P-channel type COD.
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で１種々変形し
て実施することができる。In addition, various modifications can be made without departing from the gist of the present invention.
以上詳述したように、本発明によれば、光遮蔽層内に微
小間隙を形成することなく完全な光遮蔽を行うことが可
能であり、また、膜のはがれもないので、正確な暗時出
力を得ることができる。As described in detail above, according to the present invention, it is possible to perform complete light shielding without forming minute gaps in the light shielding layer, and since there is no peeling of the film, accurate dark time can be achieved. You can get the output.
さらに１画素分離用光遮蔽層としては、隣接画素間の画
素分離不良が防止され、さらにスミアを大きく低減する
ことができるなど顕著な効果がある。Furthermore, the light shielding layer for separating one pixel has remarkable effects such as preventing poor pixel separation between adjacent pixels and greatly reducing smear.
第１図は１本発明の実施例における固体撮像酸化装置の
概略構造を示す断面図、第２図は、第１図中のＡ部分を
拡大した断面図、第３図は、酸化モリブデン膜の応力と
酸素含有量の関係を示す特性図および第４図は、従来例
における第２図と同部分の拡大断面図である。
１・・・Ｐ型シリコン半導体基板。
２・・・Ｐ◆層（素子分離領域）。
３・・・ｎ十層（垂直ＣＣＤチャネル）、４・・・ｎ◆
十層（蓄積ダイオード）。
５−１．５−２・・・垂直ＣＣＤ転送用ゲート電極。
６・・・第１絶縁層、 ７・・・画素電極配線、８
・・・第２絶縁層、 ９・・・画素電極、１０・・・
光導電体膜、 １１・・・透明電極、１２、１２−
１．１２−２・・・光遮蔽層、１２−３・・・光遮蔽層
内の微小間隙、１３・・・画素分離用光遮蔽層、
２１・・・有効撮像画素領域。
２２・・・オプティカルブラック。
（８７３３）代理人弁理士 猪 股 祥 晃（ほか工名
）１
２２
第
！
図
第
図
第
図
遍
凪FIG. 1 is a cross-sectional view showing the schematic structure of a solid-state imaging oxidation device according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of part A in FIG. 1, and FIG. The characteristic diagram showing the relationship between stress and oxygen content and FIG. 4 are enlarged cross-sectional views of the same portion as FIG. 2 in the conventional example. 1...P-type silicon semiconductor substrate. 2...P◆ layer (element isolation region). 3...n ten layers (vertical CCD channel), 4...n◆
Ten layers (storage diode). 5-1.5-2...Gate electrode for vertical CCD transfer. 6... First insulating layer, 7... Pixel electrode wiring, 8
...Second insulating layer, 9...Pixel electrode, 10...
Photoconductor film, 11... Transparent electrode, 12, 12-
1.12-2... Light shielding layer, 12-3... Minute gap in the light shielding layer, 13... Light shielding layer for pixel separation, 21... Effective imaging pixel area. 22...Optical black. (8733) Representative Patent Attorney Yoshiaki Inomata (other work name) 1 22nd! Figure Figure Figure Figure Bennagi
Claims (2)
び信号電荷読み出し部の配列がそれぞれ形成され、最上
部に前記信号電荷蓄積ダイオードと電気的に接続された
画素電極が形成された固体撮像素子チップと、前記チッ
プ上に積層された光導電膜とを具備してなる固体撮像装
置において、前記光導電膜上の光遮蔽層として酸化モリ
ブデン膜を用いてなることを特徴とする固体撮像装置。(1) A solid-state image sensor chip in which an array of signal charge storage diodes and an array of signal charge readout sections are respectively formed on a semiconductor substrate, and a pixel electrode electrically connected to the signal charge storage diodes is formed on the top. and a photoconductive film laminated on the chip, wherein a molybdenum oxide film is used as a light shielding layer on the photoconductive film.
上とすることを特徴とする請求項１の固体撮像装置。(2) The solid-state imaging device according to claim 1, wherein the molybdenum oxide film has an oxygen content of 5 at % or more.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1-196616 | 1989-07-31 | ||
| JP19661689 | 1989-07-31 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03129770A true JPH03129770A (en) | 1991-06-03 |
| JP2831752B2 JP2831752B2 (en) | 1998-12-02 |
Family
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1306607A Expired - Fee Related JP2831752B2 (en) | 1989-07-31 | 1989-11-28 | Solid-state imaging device |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JP2831752B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009117802A (en) * | 2007-09-07 | 2009-05-28 | Dongbu Hitek Co Ltd | Image sensor, and manufacturing method thereof |
-
1989
- 1989-11-28 JP JP1306607A patent/JP2831752B2/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2831752B2 (en) | 1998-12-02 |
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