JPH0311778A - Semiconductor laser excitation solid-state laser device - Google Patents
Semiconductor laser excitation solid-state laser deviceInfo
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- JPH0311778A JPH0311778A JP14543389A JP14543389A JPH0311778A JP H0311778 A JPH0311778 A JP H0311778A JP 14543389 A JP14543389 A JP 14543389A JP 14543389 A JP14543389 A JP 14543389A JP H0311778 A JPH0311778 A JP H0311778A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体レーザにより励起する固体レーザ装置
に関し、光ディスクの記録再生、レーザプリンタ、プロ
ジェクションＴＶ等に利用する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to a solid-state laser device excited by a semiconductor laser, and is used for recording and reproducing optical discs, laser printers, projection TVs, and the like.
（従来の技術）
一般に、半導体レーザはスペクトル幅が狭く高効率であ
り、発振波長をＮｄ：ＹＡＧ結晶等の光励起固体レーザ
の吸収波長に一致させることによって、効率よく励起で
きるところから、近年、従来の励起ランプに代る固体レ
ーザ励起用光源として注目を集めている。(Prior Art) In general, semiconductor lasers have a narrow spectrum width and high efficiency, and can be excited efficiently by matching the oscillation wavelength to the absorption wavelength of an optically pumped solid-state laser such as an Nd:YAG crystal. It is attracting attention as a light source for solid-state laser excitation in place of excitation lamps.
また、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ光の高調波は可視光レーザ光
として知られており、Ｎｄ：ＹＡＧ結晶を半導体レーザ
光により励起し、その第２高調波を発生する試みが行な
われている。Further, harmonics of Nd:YAG laser light are known as visible laser light, and attempts have been made to generate second harmonics by exciting Nd:YAG crystals with semiconductor laser light.
Ｎｄ：ＹＡＧレーザ光の発振波長の１．０６． （遷移
・４Ｆ□ｍ ’Ｉｘｚｚｚ）はよく知られているが、
その他に０−９４ＪＩＩＩ （’ Ｆ３７２ ’ Ｉ
５ｚｚ）や１．３ＪＪ１１ （’Ｆ３／２Ｉ １２／
ｉ）でも発振する。１，３４．１．０６戸、 ０．９４
−の各波長の第２高調波は順に、０．６５４ 、０．５
３ｇ 。The oscillation wavelength of Nd:YAG laser light is 1.06. (Transition・4F□m 'Ixzzz) is well known, but
In addition, 0-94JIII ('F372' I
5zz) and 1.3JJ11 ('F3/2I 12/
i) also oscillates. 1,34.1.06 houses, 0.94
- The second harmonic of each wavelength is 0.654, 0.5
3g.
０．４７−となり、それぞれ、赤色、緑色、青色に相当
する波長である。0.47-, which are wavelengths corresponding to red, green, and blue, respectively.
（発明が解決しようとする課題）
上記のように、Ｎｄ：ＹＡＧレーザの第２高調波は赤色
、緑色、青色のレーザ光として利用され得るが、各色の
レーザ光を得るには、その各波長を発振させるためのレ
ーザ共振器が必要で、レーザ共振器を構成する反射ミラ
ーの反射率を各波長ごとに合わせることになる。しかし
ながら、一つのＮｄ：ＹＡＧレーザ装置において各波長
を出力することは困難な問題があった。(Problem to be Solved by the Invention) As mentioned above, the second harmonic of the Nd:YAG laser can be used as red, green, and blue laser light, but in order to obtain laser light of each color, each wavelength of the A laser resonator is required to oscillate the light, and the reflectance of the reflecting mirrors that make up the laser resonator must be matched for each wavelength. However, there is a problem in that it is difficult to output each wavelength using one Nd:YAG laser device.
本発明は上述に鑑み、赤色、緑色、青色に相当する各波
長を発振する半導体レーザ励起の固体レーザ装置の提供
を目的とする。In view of the above, an object of the present invention is to provide a solid-state laser device pumped by a semiconductor laser that oscillates wavelengths corresponding to red, green, and blue.
（課題を解決するための手段）
本発明は上記の目的を１反射率の異なる反射ミラーを複
数配列した、回動可能に構成した円板ミラー一対の間に
、固体レーザ結晶と非線形光学結晶を配置し、半導体レ
ーザ光を用いて上記固体レーザ結晶を上記円板ミラーの
一方の側から励起することにより、上記反射ミラーの選
択により決まる波長のレーザ発振を行なわせて達成する
。(Means for Solving the Problems) The present invention achieves the above-mentioned object by installing a solid-state laser crystal and a nonlinear optical crystal between a pair of rotatably configured disc mirrors in which a plurality of reflective mirrors having different reflectances are arranged. By exciting the solid-state laser crystal from one side of the disc mirror using a semiconductor laser beam, laser oscillation with a wavelength determined by the selection of the reflecting mirror is achieved.
（作 用）
本発明によれば、簡単な構成によって赤色、緑色、青色
等の異なる発振レーザ出力を容易に得ることが可能にな
る。(Function) According to the present invention, different oscillation laser outputs such as red, green, and blue can be easily obtained with a simple configuration.
（実施例） 以下、本発明を図面を用いて実施例により説明する。(Example) Hereinafter, the present invention will be explained by examples using the drawings.
第１図は本発明の一実施例の半導体レーザ励起固体レー
ザ装置の分解斜視図、第２図（ａ）、 （ｂ）はそれぞ
れ、第１図の側面図、および要部の反射ミラーの正面図
である６両図において１は長さ１０ｍ＋。FIG. 1 is an exploded perspective view of a semiconductor laser pumped solid-state laser device according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 2(a) and 2(b) are a side view of FIG. 1 and a front view of a main part of a reflecting mirror, respectively. In the 6-car diagram, 1 is 10m+ long.
直径ＩＩのＮｄ：ＹＡＧロッド、２は３１角のＫＴＰ結
晶の非線形光学結晶であり、これらＮｄ：ＹＡＧロッド
１とＫＴＰ結晶２を挟んで両側に、一対のミラー、励起
側円板ミラー３と出力側円板ミラー４を、５０ｍ間隔で
対向させてレーザ共振器を構成しており、励起側円板ミ
ラー３の外側から集光レンズ５により、半導体レーザ６
の発光出力をＮｄ：ＹＡＧロッド１の端面に集光させ入
力している。The Nd:YAG rod 2 with a diameter of II is a nonlinear optical crystal of a 31-sided KTP crystal, and on both sides of the Nd:YAG rod 1 and KTP crystal 2 are a pair of mirrors, an excitation-side disc mirror 3 and an output. The side disc mirrors 4 are opposed to each other at intervals of 50 m to form a laser resonator, and the semiconductor laser 6 is
The light emission output is focused on the end face of the Nd:YAG rod 1 and inputted.
この実施例では発振波長８０７ｎ＋ｍの、出力１００ｍ
Ｗの半導体レーザ６を使用して励起させた６励起側円板
ミラー３、出射側円板ミラー４はそれぞれ、円板につい
て３枚の反射ミラーが円板の中心を中心とした１つの円
の円周上に配列されており、反射率は次のように設定さ
れている。In this example, the oscillation wavelength is 807n+m and the output is 100m.
The excitation-side disc mirror 3 and the exit-side disc mirror 4 are each excited using a W semiconductor laser 6, and each of the three reflecting mirrors forms a circle centered on the center of the disc. They are arranged on the circumference, and the reflectance is set as follows.
すなわち励起側円板ミラー３は、３ａ、３ｂおよび３ｃ
の３個の反射ミラーを有し、反射ミラー３ａは波長０．
８１ｕｍＡＲコート（無反射コート）、波長０．９４７
７１１１８ Ｒｍｌ−ト（高反射コート）、波長０．４
７ＪＪＩＩＨＲコートが施されており、また反射ミラー
３ｂは、波長０，８１． Ａ Ｒコート、波長１．０６
戸ＨＲコート。That is, the excitation side disc mirror 3 includes 3a, 3b, and 3c.
The reflecting mirror 3a has a wavelength of 0.
81umAR coat (non-reflective coat), wavelength 0.947
71118 Rml-to (high reflection coating), wavelength 0.4
7JJIIHR coating is applied, and the reflecting mirror 3b has wavelengths of 0, 81, . A R coat, wavelength 1.06
Door HR coat.
波長０．５３ＰＨＲコートを施しており、また反射ミラ
ー３ｃは波長０．８１７ａ＋ Ａ Ｒコート、波長１．
３ＪＩＩＩＨＲコート、波長０．６５． ＨＲコートが
施されている。It has a wavelength of 0.53 PHR coating, and the reflecting mirror 3c has a wavelength of 0.817a+AR coating and a wavelength of 1.
3JIIIHR coat, wavelength 0.65. HR coated.
また、同様に出射側円板ミラー４は、４ａ、 ４ｂおよ
び４ｃの３個の反射ミラーを有しており、反射ミラー４
ａは、波長０．９４４ ＨＲコート、波長０．４７．
Ａ Ｒコートが施され、反射ミラー４ｂは波長１．０６
． ＨＲコート、波長０．５３． Ａ Ｒコートを施さ
れ、また反射ミラー４Ｃは波長１．３．）（Ｒコート、
波長０．６５． Ａ Ｒコートが施されている。Similarly, the output side disc mirror 4 has three reflecting mirrors 4a, 4b, and 4c.
a is a wavelength of 0.944 HR coat, a wavelength of 0.47.
A R coating is applied, and the reflection mirror 4b has a wavelength of 1.06.
．． HR coat, wavelength 0.53. AR coating is applied, and the reflecting mirror 4C has a wavelength of 1.3. ) (R coat,
Wavelength 0.65. AR coated.
励起側円板ミラー３、出射側円板ミラー４の各々は傾き
の微調整が可能で発振各波長に調整されて、その時の各
波長の出力が一定になるように上記反射ミラーの反射率
が設定されている。Each of the excitation-side disc mirror 3 and the output-side disc mirror 4 can be finely adjusted in tilt and adjusted to each oscillation wavelength, and the reflectance of the reflection mirror is adjusted so that the output of each wavelength at that time is constant. It is set.
第３図は第１図の装置を、出力１００ｍＷの半導体レー
ザ６により励起したときの、各波長における発振スペク
トルを示し、縦軸は発振強度（ｍＷ）、横軸は波長（Ｉ
Ｍ）である。FIG. 3 shows the oscillation spectrum at each wavelength when the device shown in FIG. 1 is excited by the semiconductor laser 6 with an output of 100 mW.
M).
本発明はこのように赤、緑、青の各波長で１ｍＷの発振
出力が得られ、各波長ともＴＥＭ、。モードの安定な発
振であった。In this way, the present invention can obtain an oscillation output of 1 mW at each of the red, green, and blue wavelengths, and each wavelength is a TEM. The mode was stable oscillation.
（発明の効果）
以上、説明して明らかなように本発明の半導体レーザ励
起固体レーザ装置は、発振波長に応じた反射率の反射ミ
ラーを、同一円板上に円周的に配置してなる円板ミラー
を回転させて、反射ミラーしたがって発振波長を選択す
ることにより、一つの、しかも小形の装置で異なる波長
の赤、緑および青の３原色の発振等が可能であるから、
プロジェクションＴＶ、光ディスクの記録再生、レーザ
プリンタ等に用いて大きな効果が得られる。(Effects of the Invention) As is clear from the above description, the semiconductor laser pumped solid-state laser device of the present invention is constructed by disposing reflective mirrors having reflectances corresponding to the oscillation wavelength circumferentially on the same disk. By rotating the disk mirror and selecting the reflection mirror and therefore the oscillation wavelength, it is possible to oscillate the three primary colors of red, green, and blue at different wavelengths with one small device.
Great effects can be obtained when used in projection TVs, optical disk recording/reproduction, laser printers, etc.
第１図は本発明の一実施例を説明する半導体レーザ励起
固体レーザ装置の分解斜視図、第２図（ａ）、 （ｂ）
は第１図の側面図および要部正面図、第３図は本発明の
一実施例の効果を説明する発振スペクトルを示す図であ
る。
１ ・・・ Ｎｄ：ＹＡＧロッド、 ２ ・・・ＫＴＰ
結晶、 ３ ・・・励起側円板ミラー、 ４・・・出射
側円板ミラー、 ５ ・・・集光レンズ、 ６ ・・・
半導体レーザ。FIG. 1 is an exploded perspective view of a semiconductor laser pumped solid-state laser device illustrating an embodiment of the present invention, and FIGS. 2(a) and (b)
FIG. 3 is a side view and a front view of main parts of FIG. 1, and FIG. 3 is a diagram showing an oscillation spectrum for explaining the effects of an embodiment of the present invention. 1...Nd:YAG rod, 2...KTP
Crystal, 3...Excitation side disc mirror, 4...Emission side disc mirror, 5...Condensing lens, 6...
semiconductor laser.
Claims (1)
構成した円板ミラー一対の間に、固体レーザ結晶と非線
形光学結晶を配置し、半導体レーザ光を用いて上記固体
レーザ結晶を上記円板ミラーの一方の側から励起するこ
とにより、上記反射ミラーの選択により決まる波長のレ
ーザ発振を行なわせることを特徴とする半導体レーザ励
起固体レーザ装置。A solid-state laser crystal and a nonlinear optical crystal are arranged between a pair of rotatable disk mirrors in which a plurality of reflection mirrors with different reflectances are arranged, and the solid-state laser crystal is connected to the disk using semiconductor laser light. 1. A semiconductor laser-excited solid-state laser device, characterized in that by exciting one side of the mirror, laser oscillation is performed at a wavelength determined by the selection of the reflecting mirror.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14543389A JPH0311778A (en) | 1989-06-09 | 1989-06-09 | Semiconductor laser excitation solid-state laser device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14543389A JPH0311778A (en) | 1989-06-09 | 1989-06-09 | Semiconductor laser excitation solid-state laser device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0311778A true JPH0311778A (en) | 1991-01-21 |
Family
ID=15385134
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14543389A Pending JPH0311778A (en) | 1989-06-09 | 1989-06-09 | Semiconductor laser excitation solid-state laser device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0311778A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5764663A (en) * | 1995-11-30 | 1998-06-09 | Nidek Co., Ltd. | Laser apparatus |
| JP2012222207A (en) * | 2011-04-11 | 2012-11-12 | Canon Inc | Laser device and photo-acoustic device |
| EP2763248A4 (en) * | 2011-09-27 | 2015-09-02 | Fujifilm Corp | Laser source unit and optical acoustic image generation device |
-
1989
- 1989-06-09 JP JP14543389A patent/JPH0311778A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5764663A (en) * | 1995-11-30 | 1998-06-09 | Nidek Co., Ltd. | Laser apparatus |
| JP2012222207A (en) * | 2011-04-11 | 2012-11-12 | Canon Inc | Laser device and photo-acoustic device |
| EP2763248A4 (en) * | 2011-09-27 | 2015-09-02 | Fujifilm Corp | Laser source unit and optical acoustic image generation device |
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