JPH0311726A - Exposure device of wafer periphery - Google Patents

Exposure device of wafer periphery

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JPH0311726A
JPH0311726A JP1147174A JP14717489A JPH0311726A JP H0311726 A JPH0311726 A JP H0311726A JP 1147174 A JP1147174 A JP 1147174A JP 14717489 A JP14717489 A JP 14717489A JP H0311726 A JPH0311726 A JP H0311726A
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wafer
light source
position data
peripheral position
exposure
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Kenji Kamei
謙治 亀井
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Abstract

PURPOSE:To enable a wafer periphery to be exposed with high precision in a relatively simple constitution by a method wherein the peripheral position data on a wafer are collected by a linear image sensor to decide the displacement of an exposing light source based on the said data. CONSTITUTION:A CCD line sensor 6 continuously detects the peripheral positions of a wafer W by a driving circuit 9 regardless of a pulse motor 2 so as to successively feed detection signals to a signal processing circuit 10. The circuit 10 outputs the analog signals proportional to the picture element numbers of the sensor 6 detecting the irradiating beams from a light source 7 so that the analog signals may be fed to an A/D converter 11 receiving the data pick up timing signals (a) from a CPU 12 so as to be digitized and stored in a RAM 13 as the peripheral position data. On the other hand, the CPU 12, a pulse generator circuit 14 and a counter 16 control the step feed of the motor 2 while another pulse generating circuit 17 controls another pulse motor 5 based on the revolution data (c) during exposure times informed of the displacement of an exposing light source 3 by the CPU 12.

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、半導体ウェハやセラミックスウェハなとのウ
ェハの表面に塗布されたフォトレジストのうちウェハ周
辺部のフォトレジストを除去するためにウェハ周辺部を
露光するウェハの周辺部露光装置に関する。
[Detailed Description of the Invention] <Industrial Application Field> The present invention is applied to a wafer periphery for removing photoresist coated on the surface of a wafer such as a semiconductor wafer or a ceramic wafer. The present invention relates to a wafer peripheral area exposure apparatus that exposes a peripheral area of a wafer.

〈従来の技術〉 フォトレジストが塗布されたウェハを取り扱う際、ウェ
ハ周辺部のフォトレジストが取り扱い装置に付着して飛
散することにより、ウェハ表面や取り扱い装置を汚染す
るおそれがあることが知られている。そこで、フォトレ
ジスト、特にポジ型のフォトレジストが塗布されたウェ
ハ表面にパターンを形成する前、あるいは形成した後に
ウェハ周辺部を露光して、その部分のフォトレジストを
除去している。
<Prior art> It is known that when handling wafers coated with photoresist, the photoresist around the wafer may adhere to the handling equipment and scatter, potentially contaminating the wafer surface and handling equipment. There is. Therefore, before or after forming a pattern on the wafer surface coated with a photoresist, particularly a positive type photoresist, the periphery of the wafer is exposed to light to remove the photoresist in that area.

ウェハの周辺部は円弧部分とオリエンテーションフラッ
トと呼ばれる直線部分とからなっており、前述したウェ
ハ周辺部の露光は、このような円弧部分とオリエンテー
ションフラット部分とからなる全周囲にわたって行われ
る。
The periphery of the wafer consists of a circular arc portion and a straight line portion called an orientation flat, and the exposure of the wafer periphery described above is performed over the entire periphery consisting of the circular arc portion and the orientation flat portion.

このようなウェハの周辺部露光装置として、例えば、特
開昭60−80241号公報に開示されているような位
置決め装置を用いて、テーブルに吸着保持されて回転駆
動されるウェハのオリエンテーションフラットの両端を
光センサで検知し、そのときのテーブルの回転角度p、
、P、をそれぞれ求め、(P1+P2 )/2の位置を
基準としてウェハを位置決めし、さらに、ウェハと相値
形でウェハと同期回転する仮カムに沿って、露光用光源
を倣い運動させることによって、前記位置決めされたウ
ェハの円弧部分とオリエンテーションフラット部分とを
ほぼ同じ幅で露光させるような装置がある。
As such a wafer periphery exposure apparatus, for example, a positioning device as disclosed in Japanese Patent Application Laid-open No. 60-80241 is used to align both ends of the orientation flat of a wafer that is suctioned and held on a table and rotated. is detected by an optical sensor, and the rotation angle p of the table at that time is
, P, are determined, the wafer is positioned based on the position of (P1+P2)/2, and the exposure light source is moved along a temporary cam that rotates in phase with the wafer in synchronization with the wafer. There is an apparatus that exposes the circular arc portion and the orientation flat portion of the positioned wafer with substantially the same width.

また、特開昭61−276229号公報に開示されてい
るような位置検出装置を用いて、テーブルに吸着保持さ
れたウェハの回転角度を検出し、この角度検出信号に同
期して1次元イメージセンサを走査することにより、ウ
ェハの外周の離散的な位置情報を得、さらに、この位置
情報に基づいて露光用光源を変位させることによって前
者の装置と同様にウェハ周辺を露光することも考えられ
る。
Furthermore, a position detection device such as that disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-276229 is used to detect the rotation angle of a wafer held by suction on a table, and a one-dimensional image sensor is synchronized with this angle detection signal. It is also conceivable to obtain discrete positional information on the outer periphery of the wafer by scanning the wafer, and then to expose the periphery of the wafer by displacing the exposure light source based on this positional information, as in the former apparatus.

〈発明が解決しようとする課題〉 しかしながら、上述した従来装置には次のような問題点
がある。
<Problems to be Solved by the Invention> However, the above-described conventional device has the following problems.

前者の露光装置によれば、テーブルにウェハが偏心して
載置されたり、ウェハに2箇所以上のオリエンテーショ
ンフラットが形成されていたような場合に、ウェハを正
しく位置合わせすることができないために、ウェハ周辺
の露光幅が一定にならないという問題点がある。
According to the former type of exposure equipment, if the wafer is placed eccentrically on the table or if two or more orientation flats are formed on the wafer, the wafer cannot be aligned correctly. There is a problem that the exposure width around the periphery is not constant.

一方、後者の露光装置によれば、ウェハの全周囲にわた
って位置情報を得られるから、上記のような問題点は解
決されると考えられるが、ウェハの回転角度を検出する
必要があるため、角度検出器としてロークリエンコーダ
やレゾルバなどを備える必要があり、装置が複雑化して
高価になるという別鐸の問題点が生じる。
On the other hand, with the latter type of exposure equipment, position information can be obtained over the entire periphery of the wafer, so the above-mentioned problems can be considered to be solved, but since it is necessary to detect the rotation angle of the wafer, the angle It is necessary to include a low-resolution encoder, a resolver, etc. as a detector, which creates a problem with Betsutaku in that the device becomes complicated and expensive.

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであっ
て、比較的に簡単な構成によってウェハ周辺の位置情報
を得て、ウェハ周辺を精度よく露光することができるウ
ェハの周辺部露光装置を提供することを目的としている
The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides a wafer periphery exposure apparatus that can obtain positional information around the wafer and expose the wafer periphery with high precision using a relatively simple configuration. is intended to provide.

く課題を解決するための手段〉 本発明は、このような目的を達成するために、次のよう
な構成をとる。
Means for Solving the Problems> In order to achieve the above objects, the present invention has the following configuration.

即ち、本発明は、フォトレジストが塗布されたウェハを
回転させつつ、露光ビームで前記ウェハの周辺を露光す
るウェハの周辺部露光装置でありで、 ウェハを回転駆動するウェハ回転駆動手段と、前記ウェ
ハ回転駆動手段を所定の角度でステップ送りする回転駆
動制御手段と、 露光ビームを照射するための光源と、 前記光源とウェハとの位置間係を相対的に変位させる光
源変位手段と、 前記ウェハの周辺位置を検出する一次元イメージ′セン
サと、 前記ステップ送りの停止時に前記一次元イメージセンサ
からの周辺位置データを取り込むタイミングを与えるデ
ータ取り込みタイミング制j11手段と、 前記取り込まれた周辺位置データを記憶する記憶手段と
、 前記ウェハ回転駆動手段の露光時のステップ送りごとに
、前記記憶手段に記憶されたウェハの周辺位置データに
基づき光源変位手段の変位量を制御する光源変位制御手
段と、 を備えたものである。
That is, the present invention is a wafer peripheral exposure apparatus that exposes the periphery of the wafer with an exposure beam while rotating a wafer coated with photoresist, comprising: wafer rotation driving means for rotationally driving the wafer; Rotary drive control means for stepping the wafer rotation drive means at a predetermined angle; a light source for irradiating an exposure beam; light source displacement means for relatively displacing the positional relationship between the light source and the wafer; and the wafer. a one-dimensional image 'sensor for detecting the peripheral position of the image sensor; a data capture timing control means for providing a timing for capturing the peripheral position data from the one-dimensional image sensor when the step feeding is stopped; a storage means for storing data; and a light source displacement control means for controlling the displacement amount of the light source displacement means based on the peripheral position data of the wafer stored in the storage means for each step of the wafer rotation drive means during exposure. It is prepared.

く作用〉 本発明の作用は次のとおりである。Effect〉 The effects of the present invention are as follows.

ウェハの周辺位置データのサンプリング時において、回
転駆動制御手段からの指令により、ウェハ回転駆動手段
はウェハを所定の角度でステップ送りする。データ取り
込みタイミング制御手段は、一次元イメージセンサから
連続的に出力されている周辺位置データのうち、ステッ
プ送りが停止したときの周辺位置データを取り込むよう
にデータ取り込みタイミングを制御する。取り込まれた
周辺位置データは、各々のステップ角度に対応付けて記
憶手段に記憶される。
When sampling peripheral position data of the wafer, the wafer rotation drive means steps forwards the wafer at a predetermined angle based on a command from the rotation drive control means. The data capture timing control means controls the data capture timing so as to capture peripheral position data when the step feeding is stopped, out of the peripheral position data continuously output from the one-dimensional image sensor. The captured peripheral position data is stored in the storage means in association with each step angle.

露光時において、光源変位制御手段は、回転駆動制御手
段による露光時のステップ送りごとに、記憶手段から各
ステップ角度に対応した周辺位置データを記憶手段から
読み出し、その周辺位置データに基づいて露光用光源の
変位量を算出して光源変位手段を制御する。これにより
、露光用光源がウェハの周辺形状に応じて変位すること
により、ウェハ周辺に沿って露光ビームが照射される。
During exposure, the light source displacement control means reads peripheral position data corresponding to each step angle from the storage means every time the rotational drive control means advances the step angle during exposure, and adjusts the position for exposure based on the peripheral position data. The amount of displacement of the light source is calculated to control the light source displacement means. As a result, the exposure light source is displaced according to the peripheral shape of the wafer, so that the exposure beam is irradiated along the periphery of the wafer.

〈実施例〉 以下、本発明の実施例を凹面に基づいて詳細に説明する
<Example> Hereinafter, an example of the present invention will be described in detail based on a concave surface.

第1図は本発明の一寞施例に係るウェハの周辺部露光装
置の概略構成を示したブロック図、第2図はウニ八周辺
露光部の概略構成を示しており、同図(a)はテーブル
に!!置されたウェハの平面図、四回(b)は露光部の
側面図である。
FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration of a wafer peripheral exposure device according to an embodiment of the present invention, and FIG. is on the table! ! A plan view of the placed wafer, and the fourth part (b) is a side view of the exposure section.

第2図において、符号1はウェハWを吸着保持するテー
ブルであり、このテーブルlはウェハ回転駆動手段とし
てのパルスモータ2によって回転駆動される。3はウェ
ハの周辺を露光するための露光用光源である。光源3は
、螺軸4に螺合されており、この螺軸4に連結された光
源変位手段としてのパルスモータ5によって、光源3を
ウェハWの半径方向に変位可能に構成されている。テー
ブルlを挟んで光源3と対向する位置には、ウェハWの
周辺位置を検出する一次元イメージセンサとしてのCC
Dラインセンサ6が設けられており、CCDラインセン
サ6の上方には周辺位置検出用の光源7および光学系8
が設けられている。CCDラインセンサ6は、ウェハW
がテーブルlにそれぞれの中心が一致するように!!2
置さ九た時に、ウェハWの円弧部端縁がCCDラインセ
ンサ6の有効画素領域の中央になるように配置されてい
る。
In FIG. 2, reference numeral 1 denotes a table that attracts and holds a wafer W, and this table 1 is rotationally driven by a pulse motor 2 serving as wafer rotation driving means. 3 is an exposure light source for exposing the periphery of the wafer. The light source 3 is screwed onto a screw shaft 4, and is configured to be able to displace the light source 3 in the radial direction of the wafer W by a pulse motor 5 as a light source displacement means connected to the screw shaft 4. At a position facing the light source 3 across the table l, there is a CC as a one-dimensional image sensor that detects the peripheral position of the wafer W.
A D-line sensor 6 is provided, and above the CCD line sensor 6, a light source 7 and an optical system 8 for peripheral position detection are provided.
is provided. The CCD line sensor 6 is connected to the wafer W.
so that their centers match the table l! ! 2
The edge of the circular arc portion of the wafer W is placed in the center of the effective pixel area of the CCD line sensor 6 when the wafer W is placed.

第1図を参照する。CCDラインセンサ6はCCD駆動
回路9によって、パルスモータ2の回転とは無関係(非
同期)に連続的にウェハWの周辺位置を検出しており、
その検出信号は信号処理回路10に逐次与えられる。C
CDラインセンサ6からの検出信号に基づき、信号処理
回路10は光[7からの照射光を受光したCCDライン
センサ6の画素数に比例したアナログ信号を出力する。
Please refer to FIG. The CCD line sensor 6 continuously detects the peripheral position of the wafer W by the CCD drive circuit 9, regardless of (asynchronously) the rotation of the pulse motor 2.
The detection signal is sequentially given to the signal processing circuit 10. C
Based on the detection signal from the CD line sensor 6, the signal processing circuit 10 outputs an analog signal proportional to the number of pixels of the CCD line sensor 6 that received the irradiated light from the light [7.

このアナログ信号はA/D変換器11に与えられる。デ
ータ取り込みタイミング制御手段としての機能を備えた
C P U12は、A/D変換器11にデータ取り込み
タイミング信号を与え、このタイミング信号に基づいて
前記入力アナログ信号がデジタル信号に変換される。こ
のデジタル信号はウェハWの周辺位置データとしてCP
U12を介してRAM13に記憶される。
This analog signal is given to the A/D converter 11. The CPU 12, which has a function as a data acquisition timing control means, provides a data acquisition timing signal to the A/D converter 11, and the input analog signal is converted into a digital signal based on this timing signal. This digital signal is transmitted to the CP as peripheral position data of the wafer W.
It is stored in the RAM 13 via U12.

CPU12、パルス発生回路14およびカウンタ16は
、パルスモータ2のステップ送りを制御する回転駆動制
御手段に対応し、パルス発生回路14はCPLJ12か
ら与えられた回転数データに基づき、パルスモータ駆動
回路15に所要個数のパルス信号を出力する。カウンタ
16は、CPU12がら前記回転数データをプリセット
信号として与えられるプログラマブルカウンタで、パル
ス発生回路]4が回転数データに対応した個数のパルス
信号を出力したときに、カウントアツプ信号をCP U
12に出力する。
The CPU 12, the pulse generation circuit 14, and the counter 16 correspond to rotational drive control means for controlling the step feed of the pulse motor 2, and the pulse generation circuit 14 controls the pulse motor drive circuit 15 based on the rotation speed data given from the CPLJ 12. Output the required number of pulse signals. The counter 16 is a programmable counter to which the CPU 12 receives the rotation speed data as a preset signal.
Output to 12.

CPU12およびパルス発生回路17は、露光用光S3
の変位量を制御する光源変位制御手段に相当し、パルス
発生回路17はCPU12から与えられた露光時の回転
数データに基づき、パルスモータ駆動回路18を介して
パルスモータ5を駆動制御する。
The CPU 12 and the pulse generation circuit 17 use the exposure light S3
The pulse generating circuit 17 drives and controls the pulse motor 5 via the pulse motor drive circuit 18 based on the rotation speed data during exposure given from the CPU 12.

次に、第3図に示したフローチャートを参照して、ウェ
ハWの周辺位置データのサンプリング処理手順を説明す
る。
Next, a procedure for sampling peripheral position data of the wafer W will be described with reference to the flowchart shown in FIG.

テーブルlにウェハWがセットされると、CPtJ12
はA/D変換器11に対して、周辺位置データの取り込
みタイミング信号を出力する。これによリ、θアドレス
が0°のサンプリング点、即ち、CCDラインセンサ6
に最初に対向していた点の周辺位置データがCPU12
を介してRAM13に記憶される(ステップSl)。
When wafer W is set on table l, CPtJ12
outputs a peripheral position data acquisition timing signal to the A/D converter 11. As a result, the sampling point where the θ address is 0°, that is, the CCD line sensor 6
The peripheral position data of the point that was initially facing the CPU 12
is stored in the RAM 13 via (step Sl).

最初の周辺位置データが取り込まれると、CPU12は
、データサンプリング用のステップ送り角度(例えば、
9°)に対応した回転数データをパルス発生回路14に
与えるとともに、この回転数データをカウンタ16にプ
リセットする。これによりパルス発生回路14から回転
数データに対応した個数のパルス信号が出力されてパル
スモータ2が駆動される結果、ウェハWが所定角度だけ
ステップ送りされる(ステップS2)。
When the first peripheral position data is taken in, the CPU 12 determines the step feed angle for data sampling (for example,
9°) is given to the pulse generating circuit 14, and this rotation number data is preset in the counter 16. As a result, the pulse generation circuit 14 outputs a number of pulse signals corresponding to the rotational speed data and the pulse motor 2 is driven, so that the wafer W is fed in steps by a predetermined angle (step S2).

設定された数のパルス信号が出力されると、カウンタ1
6はCP U12に対してカウントアツプ信号を出力す
る。CPU12は、このカウントアツプ信号に基づいて
、パルスモータ2が停止したかどうかを判断する(ステ
ップS3)。
When the set number of pulse signals are output, counter 1
6 outputs a count-up signal to the CPU 12. Based on this count-up signal, the CPU 12 determines whether the pulse motor 2 has stopped (step S3).

パルスモータ2が停止すると、CPU12はA/D変換
器11にデータ取り込みタイミング信号を出力して、次
のサンプリング点の周辺位置データを取り込み、これを
RAM13に記憶する(ステップS4)。
When the pulse motor 2 stops, the CPU 12 outputs a data acquisition timing signal to the A/D converter 11, acquires peripheral position data of the next sampling point, and stores this in the RAM 13 (step S4).

周辺値1データが取り込まれると、CPU12はウェハ
の全周囲の周辺位置データの取り込みが完了したかどう
か、即ち、パルスモータ2が360゜回転駆動されたか
どうかを判断しくステップS5)、完了していなければ
、前記ステップS2ないしステップS4の動作を繰り返
す。
When the peripheral value 1 data is taken in, the CPU 12 determines whether the peripheral position data around the entire wafer has been taken in, that is, whether the pulse motor 2 has been rotated through 360 degrees (step S5). If not, the operations of steps S2 to S4 are repeated.

以上のようにして、ウェハWの全周囲にわたる離散的な
周辺位置データが採取される。第5図は採取された周辺
位置データを示している。ウェハWはテーブルlの中心
に対して多少偏心して載置されるのが普通であるから、
周辺位置データは基準位置(ウェハ中心とテーブル中心
とが一致しているときのウェハ円弧部の周辺位置データ
)を中心に滑らかに変化している。また、第5図中のへ
領域はオリエンテーションフラット部分の周辺位置デー
タを示している。
In the manner described above, discrete peripheral position data over the entire periphery of the wafer W is collected. FIG. 5 shows the collected surrounding position data. Since the wafer W is normally placed somewhat eccentrically with respect to the center of the table l,
The peripheral position data changes smoothly around the reference position (peripheral position data of the wafer arc portion when the wafer center and the table center coincide). Further, the region in FIG. 5 shows peripheral position data of the orientation flat portion.

ウェハWの全周囲の周辺位置データの採取が完了すると
、本実施例では離散的な各周辺位置データ間の補間処理
を行っている(ステップS6)。
When the collection of peripheral position data around the entire periphery of the wafer W is completed, in this embodiment, interpolation processing is performed between each piece of discrete peripheral position data (step S6).

データサンプリング時のステップ送り角度を十分小さく
設定すれば、補間処理を特に行う必要はないが、データ
採取に要する時間を短縮するために、前記ステップ送り
角度を少し大きく設定した場合には、ウェハ周辺に沿っ
た露光ビームのトレースを滑らかに行うためにデータの
補間処理を行うのが好ましい。
If the step feed angle during data sampling is set small enough, there is no need to perform interpolation processing, but if the step feed angle is set slightly larger to shorten the time required for data collection, It is preferable to perform data interpolation processing in order to smoothly trace the exposure beam along.

補間処理の方法は特に限定されないが、本実施例ではウ
ェハWの円弧部の周辺位置データについては、第6図に
拡大して示すように、隣接するサンプリング点間を例え
ば10等分する補間点(図中、×印で示す)を設定し、
各補間点の周辺位置データを直線補間によって算出して
いる。
Although the method of interpolation processing is not particularly limited, in this embodiment, as for the peripheral position data of the circular arc portion of the wafer W, as shown in an enlarged view in FIG. (indicated by an x in the figure),
The peripheral position data of each interpolation point is calculated by linear interpolation.

オリエンテーションフラットの端部近傍のサンプリング
点間も直線補間によって処理してもよいが、そうすると
オリエンテーションフラット端部の露光幅が他の部分に
比較して幅広になるため、本実施例では、これらのサン
プリング点間を次のように補間している。
Linear interpolation may also be used between sampling points near the edges of the orientation flat, but in this case the exposure width at the edges of the orientation flat will be wider than other parts, so in this example, these sampling The points are interpolated as follows.

第7図(a)は、第5図に示した周辺位置データをのう
ちオリエンテーションフラット部近傍の周辺位置データ
を拡大して示したものである6図中、破線は直線補間に
よって得られた周辺位置データのプロフィール、鎖線は
実際のウェハ周辺を示すプロフィールである。同図より
明らかなように、オリエンテーションフラット端部にお
いて、直線捕間のプロフィールと実際のウェハ周辺のプ
ロフィールとの誤差が相当大きくなっている。この誤差
のために、直線補間によるとオリエンテーションフラッ
ト端部の露光幅は、第7図(C)に示したB領域の分だ
け、他の部分の露光領域(斜線で示す)よりも太くなる
Figure 7 (a) is an enlarged view of the peripheral position data near the orientation flat part of the peripheral position data shown in Figure 5. In Figure 6, the broken line indicates the peripheral position obtained by linear interpolation. The positional data profile, the dashed line, is a profile showing the actual wafer periphery. As is clear from the figure, at the orientation flat end, the error between the profile of the linear interpolation and the actual profile around the wafer is considerably large. Due to this error, according to linear interpolation, the exposure width at the edge of the orientation flat becomes wider than the other exposure areas (indicated by diagonal lines) by the area B shown in FIG. 7(C).

そこで、第7図(b)に拡大して示すように、オリエン
テーションフラットの端部をその間に挟んだ、例えばサ
ンプリング点P、とP、。1間の補間にあたっては、周
辺位置データP、からオリエンテーションフラット端部
F1に対応する補間点r1に至る各補間点のデータを、
サンプリング点P、の周辺位置データに等しく設定し、
補間点r1からサンプリング点P1..までは直線捕間
によって周辺位置データを算出している。他方のオリエ
ンテーションフラット端部F8についても同様の補間処
理を行っている。
Therefore, as shown in an enlarged view in FIG. 7(b), for example, sampling points P and P, with the end of the orientation flat sandwiched therebetween. 1, the data of each interpolation point from the peripheral position data P to the interpolation point r1 corresponding to the orientation flat end F1 is
Set equal to the peripheral position data of the sampling point P,
From interpolation point r1 to sampling point P1. .. Until now, peripheral position data had been calculated by linear scanning. Similar interpolation processing is performed for the other orientation flat end F8.

このような処理において、補間点fl、fxを決定する
ために、オリエンテーションフラットの端部位置F+、
Fzは次のようにして算出される。
In such processing, in order to determine the interpolation points fl and fx, the end position F+ of the orientation flat,
Fz is calculated as follows.

以下、第8図を参照して説明する。第8図はテーブルl
に載置されたウェハWのを示しており、図中、OHはウ
ェハ中心、0はテーブル中心、P。
This will be explained below with reference to FIG. Figure 8 shows table l
In the figure, OH is the center of the wafer, 0 is the center of the table, and P is the center of the table.

〜P□、はオリエンテーションフラット部周辺のサンプ
リング点、θ、〜θ1や、は各サンプリング点の回転角
度に対応するθアドレスを示している。
˜P□, indicates sampling points around the orientation flat portion, θ, ˜θ1, and θ addresses corresponding to rotation angles of each sampling point.

本実施例では、テーブル中心Oからオリエンテーション
フラットに下した垂線σ頁を基準線とし、この基準線か
らの開き角r++  γ2によってオリエンテーション
フラットの端部F+、Fzの位1をそれぞれ表している
。そこで、まず前記基準線の位置が次のようにして算出
される。
In this embodiment, the perpendicular line σ drawn from the table center O to the orientation flat is used as the reference line, and the opening angle r++ γ2 from this reference line represents the ends F+ and Fz of the orientation flat, respectively. Therefore, first, the position of the reference line is calculated as follows.

〔1〕基準線の位置算出処理 ■ まず、採取した周辺位置データの中から、最大の周
辺位置データを持ったサンプリング点を探し出す0周辺
位置データは、CCDラインセンサ6が広範囲にわたっ
て受光するほど大きくなるので、最大の周辺位置データ
を持ったサンプリング点は、ウェハWが極端に偏心して
テーブル1に@置されていない限り、オリエンテーショ
ンフラット部に含まれる。ここではθアドレスがθ1.
4のサンプリング点P1..が検出されたとする。
[1] Reference line position calculation process■ First, find the sampling point with the largest peripheral position data from among the collected peripheral position data.The 0 peripheral position data is large enough that the CCD line sensor 6 receives light over a wide range. Therefore, the sampling point with the largest peripheral position data is included in the orientation flat portion unless the wafer W is placed on the table 1 with extreme eccentricity. Here, the θ address is θ1.
4 sampling point P1. .. Suppose that is detected.

■ 次に、前記サンプリングP1..を挟むサンプリン
グ点でオリエンテーションフラ・ノドの中にあるサンプ
リング点を適当に選択する。これは、最大周辺位置デー
タをもつサンプリング点のθアドレスに対し予め定めら
れたステップ角だけ離れたサンプリング点を選択するこ
とによって決定される。ここでは、P、。4から2ステ
ツプ角だけ離れたθ1.およびθ114&の各サンプリ
ング点P。・2およびP 116&が選ばれたとする。
■ Next, the sampling P1. .. Appropriately select sampling points within the orientation frame and throat between the sampling points sandwiching the . This is determined by selecting a sampling point that is a predetermined step angle away from the θ address of the sampling point with the largest peripheral position data. Here, P. θ1, which is two step angles away from 4. and each sampling point P of θ114&. Suppose that 2 and P 116& are selected.

■ 丁子、、2と「乙、、の開き角をαとすると、基準
線区の長さは次式で表される。
■ Let α be the opening angle of clove, 2 and Otsu, then the length of the reference line section is expressed by the following formula.

σて=?T”P、、、 Co58 =rL、&cos 
 (cx −8)・・・・・・(1) σ7a+t+ σ下、1は、テーブル中心からCCDラ
インセンサ6の中央位置までの距離り、から各サンプリ
ング点P、や2およびP、、、の周辺位置データD +
s+f +  D@hh、をそれぞれ差し引くことによ
って容易に求まり、αはθ1.h−〇、。8で与えられ
る。また、βは、サンプリングP□茸のθアドレス0.
1に対する基準線区の開き角を示している。
σte=? T”P, , Co58 = rL, &cos
(cx -8)...(1) σ7a+t+ σ Below, 1 is the distance from the center of the table to the center position of the CCD line sensor 6, and the distance between each sampling point P, 2 and P, . Surrounding position data D+
It can be easily determined by subtracting s+f + D@hh, respectively, and α is θ1. h-○,. It is given by 8. Moreover, β is the θ address 0 of the sampling P□mushroom.
The opening angle of the reference line section with respect to 1 is shown.

上式(1)より、基準線の位置βを算出するための次式
(2)が得られる。
From the above equation (1), the following equation (2) for calculating the position β of the reference line is obtained.

・・・・・・(2) 〔2〕オリエンテーシツンフラツトの端部位置算出処理 上記[1]のようにして算出された基準線に対するオリ
エンテーションフラットの端部F、、Flの位置γ1.
γ2が次のようにして算出される。
...... (2) [2] Orientation flat edge position calculation process Position γ1 of the orientation flat edges F, , Fl with respect to the reference line calculated as in [1] above.
γ2 is calculated as follows.

■ 前記(1)■において選び出された最大周辺位置デ
ータを示すサンプリング点P1.4の近傍において、周
辺位置データの変化率が最も大きな値を示すサンプリン
グ点を選択する0周辺位置データの変化率が最も大きく
なるのは、オリエンチーシランフラット端部F+、Fg
を挟んだサンプリング点間であり、ここではθアドレス
がθ、のサンプリング点P、と、θアドレスがθ1..
のサンプリング点P0..が選択されたとする。
■ The rate of change of 0 peripheral position data that selects the sampling point showing the largest value of the rate of change of peripheral position data in the vicinity of sampling point P1.4 indicating the maximum peripheral position data selected in (1)■ above. is the largest at the orientee silane flat end F+, Fg
Here, the sampling point P whose θ address is θ, and the sampling point P whose θ address is θ1. ..
The sampling point P0. .. Suppose that is selected.

■  1.  !=tn、  、 ?lr、  ’in
、、、  と近(以することができるから、基準線Qに
対するσT1の開き角T1は次式(3)により、基準線
σてに対するrlの開き角γ2は次式(4)により、そ
れぞれ算出することができる。
■ 1. ! =tn, ? lr, 'in
, , , can be approximated by can do.

以上のようにして求められたオリエンテーシジンフラッ
トの端部F、、F、の位置から、Fl。
From the positions of the ends F, , F, of the orientation siding flat determined as above, Fl.

F8に最も近い補間点f+’、fzが決定される。The interpolation point f+', fz closest to F8 is determined.

次に、第4図に示したフローチャートを参照して、ウェ
ハWの周辺露光処理について説明する。
Next, the peripheral exposure process of the wafer W will be described with reference to the flowchart shown in FIG.

周辺位置データのサンプリングのために、ウェハWが1
回転することにより、ウェハWは最初のセツティングに
戻っている。サンプリング点のθアドレスの基準である
CCDラインセンサ6の設置位置に対向して光源3が設
置されているので、露光処理のためにθアドレスが18
0°のサンプリング点の周辺位置データが最初に読み出
される。
For sampling of peripheral position data, wafer W is
By rotating, the wafer W has returned to its initial setting. Since the light source 3 is installed opposite to the installation position of the CCD line sensor 6, which is the standard for the θ address of the sampling point, the θ address is 18 for exposure processing.
The peripheral position data of the 0° sampling point is first read out.

第2図(a)に示すように、露光用光fi3の基準位置
Cとテーブル1の中心0との距j!llt、、は予め設
定されているので、光源3を、基準位置Cから距離り、
−L、と、予め設定された露光幅だけ駆動する。そして
、θアドレスが180@のサンプリング点の周辺位置デ
ータに基づいて、露光位置を修正する。
As shown in FIG. 2(a), the distance j! between the reference position C of the exposure light fi3 and the center 0 of the table 1! Since llt, , is set in advance, the distance of the light source 3 from the reference position C,
-L, and is driven by a preset exposure width. Then, the exposure position is corrected based on the peripheral position data of the sampling point whose θ address is 180@.

CPU12は、上記のようにして求められた露光位置に
光源3を変位させるための回転数データをパルス発生回
路17に出力する(ステップN1)。
The CPU 12 outputs rotation speed data for displacing the light source 3 to the exposure position determined as described above to the pulse generation circuit 17 (step N1).

光′a3の最初の位置設定が終わると、CPU12は、
θアドレスが180 ”の露光開始点から、0.9″だ
けウェハWを回転させるための回転数データをパルス発
生回路14に出力するとともに、その回転数データをカ
ウンタ16にプリッセトする。これにより、パルス発生
回路14から回転数データに対応する個数のパルス信号
が出力されてウェハWが0.9°だけ回転変位される(
ステップN2)。
When the initial position setting of the light 'a3 is completed, the CPU 12
The rotation speed data for rotating the wafer W by 0.9'' from the exposure start point with the θ address of 180'' is output to the pulse generation circuit 14, and the rotation speed data is preset to the counter 16. As a result, the pulse generation circuit 14 outputs a number of pulse signals corresponding to the rotational speed data, and the wafer W is rotationally displaced by 0.9° (
Step N2).

ウェハWが0.966回転て、カウンタ16がカウント
アツプすると、CPU12は、θアドレスが180 +
0.9°の捕間点の周辺位置データをRAM13から読
み出し、このデータに対応する回転数データをパルス発
生回路17に出力することにより、光源3の位置を新た
に設定する(ステップN3)。
When the wafer W rotates 0.966 times and the counter 16 counts up, the CPU 12 determines that the θ address is 180 +
The peripheral position data of the 0.9° interpolation point is read from the RAM 13, and the rotation speed data corresponding to this data is output to the pulse generation circuit 17, thereby setting the position of the light source 3 anew (step N3).

そして、予め指定された領域の露光が完了したかどうか
を判断しくステップN4)、完了していなければ、前記
ステップN2〜N3の露光処理を繰り返し行う。
Then, it is determined whether or not the exposure of the pre-specified area has been completed (step N4). If not, the exposure processing of steps N2 to N3 is repeated.

指定領域の周辺露光が完了すると光′a3をOFF状態
にして基準位置Cに戻す(ステップN5)。
When the peripheral exposure of the designated area is completed, the light 'a3 is turned off and returned to the reference position C (step N5).

以上の処理によってウェハWの周辺露光は完了するが、
本実施例では、上記の処理中にウェハ回転駆動用のパル
スモータ2が脱調したり、ウエノ1Wのセツティング位
置がずれなかったかどうかを判断するために、ステップ
N6〜N8の処理を行っている。
Although the peripheral exposure of the wafer W is completed by the above processing,
In this embodiment, in order to determine whether the pulse motor 2 for driving the wafer rotation has stepped out or the setting position of the wafer 1W has shifted during the above processing, steps N6 to N8 are performed. There is.

即ち、周辺露光の終わったウェハWを、周辺位置データ
のサンプリング開始点に設定し、その位置の周辺位置デ
ータを再びサンプリングする(ステップN6)、そして
、最初に一サンプリングした周辺位置データと今回の周
辺位置データとを比較し、その誤差が許容範囲内に入っ
ているかどうかを判断する(ステップN7)、許容範囲
に入っていなければ、ウェハWは正しく周辺露光されな
かったものと判断して、エラー表示を行ってオペレータ
に注意を促す(ステップN8)。
That is, the wafer W whose peripheral exposure has been completed is set as the sampling start point of peripheral position data, and the peripheral position data at that position is sampled again (step N6), and the peripheral position data sampled first and this time are It compares the peripheral position data and determines whether the error is within the permissible range (step N7). If it is not within the permissible range, it is determined that the wafer W has not been correctly peripherally exposed. An error message is displayed to alert the operator (step N8).

なお、上述の実施例では、光源3とウェハWとの位置関
係を相対的に変位させる光源変位手段として、光源3を
テーブル1の中心に向けて駆動させる機構を用いたが、
光源3を固定して、テーブル1を水平変位させるように
構成してもよい。
In the above embodiment, a mechanism for driving the light source 3 toward the center of the table 1 was used as the light source displacement means for relatively displacing the positional relationship between the light source 3 and the wafer W.
The light source 3 may be fixed and the table 1 may be horizontally displaced.

また、前記光源変位手段は、光B3を上述の実施例のよ
うに1軸方向にのみ変位させるものに限らず、直交2軸
に独立して水平変位させるように構成してもよい、この
ような光源変位手段によれば、ウェハ周辺の円弧部を露
光する場合には、実施・例で説明したように光/IR3
をテーブル1の中心に向けて変位させる駆動機構を使用
し、ウエノ1のオリエンテーションフラ・ット部を直線
状に露光する場合には、前記駆動機構に対して直交する
方向に光源を変位させるもう一つの駆動機構を使用する
ことによって、オリエンチーシロンフラットの端部を一
層精度よく露光することができる。
Furthermore, the light source displacement means is not limited to one that displaces the light B3 only in one axis direction as in the above embodiment, but may be configured to horizontally displace the light B3 independently on two orthogonal axes. According to the light source displacement means, when exposing the circular arc portion around the wafer, the light/IR3
When exposing the orientation flat portion of the wafer 1 in a straight line using a drive mechanism that displaces the light source toward the center of the table 1, it is necessary to displace the light source in a direction perpendicular to the drive mechanism. By using one drive mechanism, the edges of the orientated chiron flat can be exposed with higher precision.

さらに、実施例ではウェハWの周辺を一定幅で露光する
場合を例に採って説明したが、例えば、ウェハ周辺の所
定個所の露光幅を他の部分に比較して幅広に露光するよ
うな場合にも適用することができる。
Furthermore, in the embodiment, the case where the periphery of the wafer W is exposed to light with a constant width has been explained as an example, but for example, when the exposure width of a predetermined part of the wafer periphery is exposed to be wider than other parts. It can also be applied to

〈発明の効果〉 本発明によれば、一次元イメージセンサによってウェハ
の周辺位置データを採取し、この周辺位置データに基づ
いて露光用光源の変位量を決定しているから、ウェハが
テーブルに偏心してitされたり、ウェハに2箇所以上
のオリエンテーションフラットあっても、ウェハ周辺を
正確に露光することができる。
<Effects of the Invention> According to the present invention, the peripheral position data of the wafer is collected using a one-dimensional image sensor, and the amount of displacement of the exposure light source is determined based on this peripheral position data, so that the wafer is not biased toward the table. Even if the wafer is carefully aligned or the wafer has two or more orientation flats, the periphery of the wafer can be exposed accurately.

また、本発明に係ろウェハの周辺部露光装置は、一次元
イメージセンサを連続的に自走させ、ウェハのステップ
送りが停止したときに、前記一次元イメージセンサから
周辺位置データを採取するようにしてい6ので、ウェハ
の回転角度に同期して一次元イメージセンサを走査する
従来装置において必要とされたテーブルの回転角度を検
出するためのロータリエンコーダやレゾルバなどの角度
検出器が不要になり、装置を簡単かつ安価に構成するこ
とができる。
Further, the wafer peripheral area exposure apparatus according to the present invention allows the one-dimensional image sensor to continuously move by itself, and when the step feeding of the wafer stops, the peripheral position data is collected from the one-dimensional image sensor. 6, there is no need for an angle detector such as a rotary encoder or resolver to detect the rotation angle of the table, which was required in the conventional device that scans a one-dimensional image sensor in synchronization with the rotation angle of the wafer. The device can be constructed easily and inexpensively.

さらに、本発明によれば、ウェハが停止しているときに
一次元イメージセンサからの信号を取り込むようにして
いるから、例えば、MOSイメージセンサのように各画
素を走査することによって順に光検出を行うようなセン
サ、つまり全画素の光検出に相当の時間を要するような
センサを使用しても、ウェハの周辺位置データを正確に
読み取ることができる。
Furthermore, according to the present invention, since the signal from the one-dimensional image sensor is taken in when the wafer is stopped, for example, light detection is performed in order by scanning each pixel like a MOS image sensor. Even if such a sensor is used, that is, a sensor that requires a considerable amount of time to detect light from all pixels, it is possible to accurately read the peripheral position data of the wafer.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図ないし第8図は本発明の一実施例の説明図であり
、第1図はウェハの周辺部露光装置の概略構成を示した
ブロック図、第2図は露光部の構成図、第3図は周辺位
置データのサンプリング処理の手順を示したフローチャ
ート、第4図は露光処理の手順を示したフローチャート
、第5図はサンプリングされた周辺位置データの説明図
、第6図は直線補間処理の説明図、第7図はオリエンテ
ーションフラット部の補間処理の説明図、第8図はオリ
エンテーションフラット端部の検出処理の説明図である
。 1・・・テーブル 2・・・ウェハ回転駆動用のパルスモータ3・・・光源 5・・・光源変位用のパルスモータ 6・・・CCDラインセンサ 9・・・CCD駆動回路 lO・・・信号処理回路 11・・・A/D変換器 12・・・CPU 13・・・RAM 14、17・・・パルス発生回路 15・・・パルスモータ駆動回路 16・・・カウンタ 18・・・パルスモータ駆動回路 W・・・ウェハ
1 to 8 are explanatory diagrams of one embodiment of the present invention, in which FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration of a wafer peripheral area exposure apparatus, FIG. 2 is a configuration diagram of an exposure section, and FIG. Figure 3 is a flowchart showing the procedure for sampling peripheral position data, Figure 4 is a flowchart showing the procedure for exposure processing, Figure 5 is an explanatory diagram of sampled peripheral position data, and Figure 6 is linear interpolation processing. FIG. 7 is an explanatory diagram of the interpolation process for the orientation flat portion, and FIG. 8 is an explanatory diagram of the orientation flat end detection process. 1...Table 2...Pulse motor for driving wafer rotation 3...Light source 5...Pulse motor for light source displacement 6...CCD line sensor 9...CCD drive circuit 1O...Signal Processing circuit 11...A/D converter 12...CPU 13...RAM 14, 17...Pulse generation circuit 15...Pulse motor drive circuit 16...Counter 18...Pulse motor drive Circuit W...wafer

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)フォトレジストが塗布されたウェハを回転させつ
つ、露光ビームで前記ウェハの周辺を露光するウェハの
周辺部露光装置であって、 ウェハを回転駆動するウェハ回転駆動手段と、前記ウェ
ハ回転駆動手段を所定の角度でステップ送りする回転駆
動制御手段と、 露光ビームを照射するための光源と、 前記光源とウェハとの位置関係を相対的に変位させる光
源変位手段と、 前記ウェハの周辺位置を検出する一次元イメージセンサ
と、 前記ステップ送りの停止時に前記一次元イメージセンサ
からの周辺位置データを取り込むタイミングを与えるデ
ータ取り込みタイミング制御手段と、 前記取り込まれた周辺位置データを記憶する記憶手段と
、 前記ウェハ回転駆動手段の露光時のステップ送りにごと
に、前記記憶手段に記憶されたウェハの周辺位置データ
に基づき光源変位手段の変位量を制御する光源変位制御
手段と、 を備えたことを特徴とするウェハの周辺部露光装置。
(1) A wafer peripheral exposure device that rotates a wafer coated with photoresist and exposes the periphery of the wafer with an exposure beam, the device comprising: wafer rotation drive means for rotationally driving the wafer; and the wafer rotation drive. a rotational drive control means for stepping the means at a predetermined angle; a light source for irradiating an exposure beam; a light source displacement means for relatively displacing the positional relationship between the light source and the wafer; a one-dimensional image sensor for detecting; a data capture timing control means for providing a timing for capturing peripheral position data from the one-dimensional image sensor when the step feeding is stopped; and a storage means for storing the captured peripheral position data; Light source displacement control means for controlling the amount of displacement of the light source displacement means based on the peripheral position data of the wafer stored in the storage means each time the wafer rotation drive means steps forward during exposure. Wafer peripheral area exposure equipment.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01132124A (en) * 1987-08-28 1989-05-24 Teru Kyushu Kk Exposure method and apparatus thereof

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