JPH03106216A - Comparator - Google Patents

Comparator

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JPH03106216A
JPH03106216A JP24391289A JP24391289A JPH03106216A JP H03106216 A JPH03106216 A JP H03106216A JP 24391289 A JP24391289 A JP 24391289A JP 24391289 A JP24391289 A JP 24391289A JP H03106216 A JPH03106216 A JP H03106216A
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JP
Japan
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transistor
voltage
input
capacitor
inverter
Prior art date
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Pending
Application number
JP24391289A
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Japanese (ja)
Inventor
Takumi Miyashita
工 宮下
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To prevent generation of an offset voltage without decreasing the output speed by dispersing equally a channel charge when a 1st MOS transistor(TR) short-circuiting input/output terminals of a logic inverter is switched into OFF state. CONSTITUTION:The comparator is provided with a switch S1 leading an input voltage Vref to a capacitor C1 when a 1st MOS TR G1 short-circuiting the input terminal and the output terminal of a logic inverter R1 in response to a control signal is turned on and with a switch S2 leading an input voltage Vin to the capacitor C1 when the switch S1 is turned off. Moreover, the comparator is provided with a MOS TR G2 connecting to the input terminal of a source-drain logic inverter R1 and receiving an inverse of the control signal to its gate and with a 2nd capacitor C2 connecting to an output terminal of the logic inverter R1 via a MOS TR G3 to disperse the electric charge stored in the channel region to the source and the drain uniformly when the MOS TR G1 is turned off. Thus, the generation of an offset voltage is prevented without decreasing the output speed.

Description

【発明の詳細な説明】 〔目次〕 概要(第1図) 従来の技術(第4図,第5図.第6図)発明が解決しよ
うとする課題(第5図)課題を解決するための手段(第
1図) 作用(第1図) 実施例 (1)第1の実施例(第2図) (2)第2の実施例(第3図) 発明の効果 〔概要〕 二値情報を比較し、比較結果を信号出力するコンパレー
夕において、MOSデバイスがオフする際に発生するオ
フセット電圧を解消乃至緩和する技術に関し、 コンバレータにおいて、出力の速度を落とすことなく、
オフセット電圧の発生を防止することを目的とし、 第1キャパシタ(C1)と、 入力端が該第1キャパシタ(C1)の一端に接続された
論理反転器(R1)と、 該論理反転器(R1)の入力端と出力端との間を制御信
号に応答して短絡する第1MOSトランジスタ(G1)
と、 該第1MOSトランジスタ(G1)のオン時に前記第1
キャパシタ(CI)の他端へ第1入力電圧(Vref.
)を印加する第1スイッチ(S1)と、 該第1スイッチ(St)のオフ時に該第1キャパシタ(
C1)の他端へ第2入力電圧(Vin)を印加する第2
スイッチ(S2)と、 該第1MOSトランジスタ(G1)の略半分のチャネル
面積を有し、ソース1 ドレインが前記論理反転器(R
1)の入力端へ接続され、ゲートに前記制御信号の反転
信号を受ける第2MOSトランジスタ(G2)と、前記
第1MOSトランジスタ(G1)がオフに切り換わる際
にチャネル領域に蓄積された電荷をソース,ドレイン側
へ均等に分散させるために、第3MOSトランジスタ(
G3)を介して前記論理反転器(R1)の出力端へ接続
される第2キャパシタ(C2)とを具備し、 前記第3MOSトランジスタ(G3)は前記制御信号を
遅延させた信号で制御されるように構或する。
[Detailed description of the invention] [Table of contents] Overview (Fig. 1) Conventional technology (Figs. 4, 5, and 6) Problems to be solved by the invention (Fig. 5) Problems to be solved by the invention Means (Fig. 1) Effect (Fig. 1) Embodiment (1) First embodiment (Fig. 2) (2) Second embodiment (Fig. 3) Effects of the invention [Summary] Binary information Regarding the technology for eliminating or mitigating the offset voltage that occurs when a MOS device is turned off in a comparator that compares and outputs a signal as a result of the comparison, the present invention relates to a technology that eliminates or alleviates the offset voltage that occurs when a MOS device turns off, without reducing the output speed of the comparator.
A first capacitor (C1), a logic inverter (R1) whose input end is connected to one end of the first capacitor (C1), and the logic inverter (R1) for the purpose of preventing the generation of offset voltage. ) A first MOS transistor (G1) that short-circuits the input terminal and output terminal of the circuit in response to a control signal.
and when the first MOS transistor (G1) is turned on, the first
A first input voltage (Vref.
), and when the first switch (St) is turned off, the first capacitor (
A second input voltage (Vin) is applied to the other end of C1).
The switch (S2) has a channel area approximately half that of the first MOS transistor (G1), and has a source 1 and a drain connected to the logic inverter (R
A second MOS transistor (G2) is connected to the input terminal of 1) and receives an inverted signal of the control signal at its gate, and a second MOS transistor (G2) which is connected to the input terminal of , the third MOS transistor (
a second capacitor (C2) connected to the output terminal of the logic inverter (R1) via the logic inverter (R1), and the third MOS transistor (G3) is controlled by a signal obtained by delaying the control signal. It is structured as follows.

〔産業上の利用分野〕[Industrial application field]

本発明は、コンパレータの改良に関する。詳しくは、入
力信号が容量を介して入力されるインバータと、インバ
ータの入出力端を短絡するスイッチとしてのMOSトラ
ンジスタを有して構威されるコンパレータにおいて、二
つの入力電圧の大小を比較し、比較結果を信号出力する
コンパレータにおいて、M○Sトランジスタがオフする
際に発生するオフセット電圧を解消乃至緩和する技術に
関する。
The present invention relates to improvements in comparators. Specifically, in an inverter to which an input signal is input via a capacitor, and a comparator configured with a MOS transistor as a switch that shorts the input and output terminals of the inverter, the magnitude of two input voltages is compared, The present invention relates to a technique for eliminating or alleviating an offset voltage that occurs when an M○S transistor is turned off in a comparator that outputs a comparison result as a signal.

従来より、例えばある電圧を別の基準電圧と比較し、そ
の結果を出力する回路(以下、コンバレータと称する。
Conventionally, there has been a circuit (hereinafter referred to as a converter) that compares a certain voltage with another reference voltage and outputs the result.

)が多用されているが、このコンバレータ内には、基準
電圧入力時にインバータの入出力端を短絡するスイッチ
としてMOSトランジスタが用いられている。しかしこ
のMOSトランジスタをオフする際のクロックフィード
スルーによりオフセット電圧が発生し、比較結果に誤差
が発生して比較精度に影響するという問題が起きている
。コンパレー夕は、一層高い精度が要求される分野への
利用が増加しており、オフセット電圧が発生しないコン
パレータの登場が待ち望まれていた。
) is often used, but a MOS transistor is used in this converter as a switch that shorts the input and output terminals of the inverter when a reference voltage is input. However, a problem arises in that an offset voltage is generated due to the clock feed-through when the MOS transistor is turned off, and an error occurs in the comparison result, which affects the comparison accuracy. Comparators are increasingly being used in fields that require even higher accuracy, and the appearance of a comparator that does not generate offset voltage has been awaited.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

以下、従来技術によるコンバレータについて第4図を参
照しながら説明する。最初に、回路構或の説明を行う。
Hereinafter, a conventional converter will be explained with reference to FIG. First, the circuit structure will be explained.

第4図は従来のコンバレータの動作説明図であり、制御
信号入力端Pc,Vin入力端P fn,Vref.入
力端Pref.の三つの入力端と一つの出力端Pout
とを有し、Vref.とVinのいずれを取り込むかを
切り換えるために、トランジスタSL, S2を設け、
Vin, Vref.によって充電.または放電される
キャパシタC1と、インバータRl (例えばCMOS
インバータ)とを直列に順に接続して、出力端にいたる
FIG. 4 is an explanatory diagram of the operation of a conventional converter, showing control signal input terminal Pc, Vin input terminal P fn, Vref. Input end Pref. Three input terminals and one output terminal Pout
and Vref. Transistors SL and S2 are provided in order to switch which of
Vin, Vref. Charge by. or discharged capacitor C1 and inverter Rl (e.g. CMOS
(inverter) in series to reach the output end.

さらにインバータR1の両端には、ゲートに受ける制御
信号に応答してオン・オフするトランジスタG1のソー
ス,ドレイン両端をインバータに並列に接続してなる構
或である。
Furthermore, both ends of the inverter R1 are connected in parallel to the source and drain of a transistor G1, which is turned on and off in response to a control signal received at its gate.

次に■入力電圧Vinが基準電圧Vref.よりも大き
い場合,■入力電圧Vinが基準電圧Vref.よりも
小さい場合の動作を順に説明する。なお、インバータR
1の入出力端を短絡した時の入出力端の自己バイアス電
圧は2.5vと仮定する。
Next, ■the input voltage Vin is the reference voltage Vref. If the input voltage Vin is larger than the reference voltage Vref. The operation when the value is smaller than is explained in order. In addition, inverter R
It is assumed that the self-bias voltage at the input and output terminals when the input and output terminals of No. 1 are short-circuited is 2.5V.

■まず、Vin=40mV,  Vref.=30mV
の場合を例にとって説明する。まず、トランジスタS1
をオンして、入力端Pref.より基準電圧Vref.
を取り込む。一方これと同期してトランジスタS2はオ
フして、入力端Pinからの入力を断つ。このときこれ
らトランジスタS1のオン, S2のオフと同期してト
ランジスタG1をオンして、インバータRlを自己バイ
アスする。キャパシタC1の一端には、自己バイアスさ
れたインバータR1側から2.5vの電圧が加わってい
るから、このキャパシタC1にはCI X ( 2. 
5 V−30mV)の電荷が蓄積される.これに次いで
、トランジスタSl. 52が同時にそれぞれオフ,オ
ンの状態をとれば、今度は電圧Vinが回路に入力され
てくる.これと同期してトランジスタG1をオフする。
■First, Vin=40mV, Vref. =30mV
The case will be explained using an example. First, transistor S1
Turn on the input terminal Pref. The reference voltage Vref.
Incorporate. Meanwhile, in synchronization with this, the transistor S2 is turned off to cut off the input from the input terminal Pin. At this time, the transistor G1 is turned on in synchronization with the turning on of these transistors S1 and the turning off of S2, thereby self-biasing the inverter Rl. Since a voltage of 2.5V is applied to one end of the capacitor C1 from the self-biased inverter R1 side, this capacitor C1 has CI X (2.
A charge of 5 V - 30 mV) is accumulated. This is followed by transistor Sl. 52 are turned off and on at the same time, the voltage Vin is input to the circuit. In synchronization with this, the transistor G1 is turned off.

このとき、キャパシタC1の他端の電圧は30a+Vか
ら4QmVへと変化するので、キャパシタC1の他端(
インバータR1の入力端)の電圧は約10mV上昇して
2.5V+10mVとなる。つまりインバータRlの入
力電圧はインバータI?1のしきい値よりも10mV上
昇するので、出力端Poutの電圧は2.5vから下降
する。
At this time, the voltage at the other end of capacitor C1 changes from 30a+V to 4QmV, so the voltage at the other end of capacitor C1 (
The voltage at the input terminal of inverter R1 increases by about 10 mV to 2.5V+10mV. In other words, the input voltage of inverter Rl is the input voltage of inverter I? Since the voltage rises by 10 mV from the threshold value of 1, the voltage at the output terminal Pout falls from 2.5V.

■次にVin=20mV, Vref.=30mV(D
場合を例にとって説明する。■の場合と同じく、インバ
ータには、2.5vの自己バイアス電圧が印加されるも
のと仮定する。まず、トランジスタSlをオンして、入
力端Pref.より電圧Vref.を取り込む。一方こ
れと同期してトランジスタS2のゲートはオフして、入
力端Pinからの入力を断つ。このときこれらトランジ
スタ31,S2と同期してトランジスタG1をオンする
。トランジスタS1がオンすると、キャパシタCtには
CIX (2.5V− 30mV )の電荷が蓄積され
る。これに次いで、トランジスタS1’, Glが同時
にそれぞれオフの状態をとれば、今度は入力電圧Vin
が回路に入力されてくる。
■Next, Vin=20mV, Vref. =30mV(D
This will be explained using an example. As in the case (2), it is assumed that a self-bias voltage of 2.5V is applied to the inverter. First, transistor Sl is turned on and input terminal Pref. The voltage Vref. Incorporate. Meanwhile, in synchronization with this, the gate of the transistor S2 is turned off, cutting off the input from the input terminal Pin. At this time, transistor G1 is turned on in synchronization with these transistors 31 and S2. When the transistor S1 is turned on, a charge of CIX (2.5V-30mV) is accumulated in the capacitor Ct. Next, if the transistors S1' and Gl are turned off at the same time, the input voltage Vin
is input to the circuit.

これと同期してトランジスタS2をオンする。このとき
、キャパシタC1の他端の電圧は30mVから20mV
に変化するのでキャパシタの一端の電圧は約10mV下
降する。つまりインバータR1の入力側の電圧は2.5
Vから10mV下降して出力端Poutの電圧は2.5
vから上昇する。以上■■の動作を通じて、インバータ
の出力はVinがV ref .よりも大きい時には、
2.5vから上昇し、VinがVref.よりも小さい
時には、2.5vから下降する。以上が第4図の従来回
路の基本的な動作である。
In synchronization with this, the transistor S2 is turned on. At this time, the voltage at the other end of capacitor C1 is from 30 mV to 20 mV.
The voltage at one end of the capacitor drops by about 10 mV. In other words, the voltage on the input side of inverter R1 is 2.5
The voltage at the output terminal Pout drops by 10mV from V and becomes 2.5
rises from v. Through the above operations ■■, the output of the inverter changes as Vin becomes V ref . When it is larger than
It increases from 2.5v and Vin becomes Vref. When the voltage is smaller than 2.5v, the voltage drops from 2.5v. The above is the basic operation of the conventional circuit shown in FIG.

ところが、このように比較すべき電圧が微小である場合
には、インバータR1の出力端の信号振幅は微小であり
、論理振幅としては不十分である。したがって、このコ
ンパレータの出力を受ける回路がO. S V以下を”
L”,3.2V以上を“H”とみなす場合には、コンバ
レー夕の出力で直接他の論理回路を制御することは不可
能になる。そこで、通常は第4図のコンパレータの出力
を増幅する増幅器を複数段直列に接続し、信号を増幅し
たうえで出力する。第6図の回路は、この従来技術によ
るコンパレー夕であり、第6図中、第4図と同一部位は
同一番号で示す。入力端Pinから電圧Vtnの信号を
入力し、入力端Pref.から基準電圧Vref.の信
号を入力し、またMOSトランジスタのゲートをオン・
オフすべき制御信号を入力して、VinがVref.よ
り大か小かの情報を”H′”か”L″かで出力するもの
である。第6図の回路では、利得向上のために同様の増
幅器が4段接続されているが、1段によって約IO倍の
利得が得られるため、4段の構威では10’倍の利得が
得られる構威である。
However, when the voltages to be compared are minute like this, the signal amplitude at the output end of the inverter R1 is minute and insufficient as a logic amplitude. Therefore, the circuit receiving the output of this comparator is O. SV or less”
If 3.2V or higher is considered to be "H", it becomes impossible to directly control other logic circuits with the output of the comparator.Therefore, the output of the comparator shown in Figure 4 is usually amplified. A plurality of stages of amplifiers are connected in series to amplify the signal and output it.The circuit shown in Fig. 6 is a comparator based on this conventional technology. A voltage Vtn signal is input from the input terminal Pin, a reference voltage Vref. signal is input from the input terminal Pref., and the gate of the MOS transistor is turned on.
A control signal to be turned off is input, and Vin becomes Vref. Information on whether the signal is larger or smaller is output as "H'" or "L". In the circuit shown in Figure 6, similar amplifiers are connected in four stages to improve gain, but each stage provides a gain of about IO times, so a four-stage configuration can provide a gain of 10' times. It is a structure that can be used.

ところが、トランジスタG1のオン,オフにまつわり、
第4図の回路でも第6図の回路でも、以下に述べるよう
な問題点がある。以下では説明を簡単にするために、仮
に制御信号入力@P,に入力される信号のうち”H”を
5V,”L”をoVと仮定する。
However, regarding the on/off of transistor G1,
Both the circuit of FIG. 4 and the circuit of FIG. 6 have the following problems. In the following, to simplify the explanation, it is assumed that among the signals input to the control signal input @P, "H" is 5V and "L" is oV.

いま仮に、制御信号入力端P,に”H” (=5V)の
信号が入力されていると、トランジスタのゲート電極下
にはチャネルが生じている。この後、制御信号入力端P
cに’L” (=OV)の信号が入力されると、チャネ
ルは消滅し、チャネル領域内の電荷はトランジスタGl
のソース領域とドレイン領域とに分散される。したがっ
て、第4図に示すキャパシタc1とインバータRlの入
力端とトランジスタG1のソース端子とが互いに接続さ
れる点では以上のようにトランジスタG1がオンからオ
フに変化するときのチャネル領域からの電荷放出により
自己バイアスされたインバータR1の入力端の電圧が変
化し(つまり所謂オフセット電圧が発生する。)、コン
バレー夕の正しい電圧比較を胆害する。
Now, if a signal of "H" (=5V) is input to the control signal input terminal P, a channel is generated under the gate electrode of the transistor. After this, the control signal input terminal P
When an 'L' (=OV) signal is input to c, the channel disappears and the charge in the channel region is transferred to the transistor Gl.
are distributed between the source and drain regions. Therefore, at the point where the input terminals of capacitor c1 and inverter Rl shown in FIG. 4 and the source terminal of transistor G1 are connected to each other, charge is released from the channel region when transistor G1 changes from on to off. This changes the voltage at the input terminal of the self-biased inverter R1 (that is, a so-called offset voltage occurs), which impairs correct voltage comparison of the converter.

この問題を解決する手段として、トランジスタG1のチ
ャネル領域からソース側へと注入される電荷を吸収する
部分を回路内に設ける構或が公知である。
As a means to solve this problem, a structure is known in which a circuit is provided with a portion that absorbs the charge injected from the channel region of the transistor G1 to the source side.

これを第5図を参照しながら説明する。第5図はこの改
良されたコンバレータの初段回路の動作説明図であり、
図中、第4図と同一部位は同一符号で示す。
This will be explained with reference to FIG. FIG. 5 is an explanatory diagram of the operation of the first stage circuit of this improved converter.
In the figure, parts that are the same as those in FIG. 4 are indicated by the same symbols.

第5図においては第4図の構或に加えて、トランジスタ
G1のソース,ゲート間にゲート側からインバータR2
,トランジスタG1のチャネル面積の略半分のチャネル
領域面積を有するトランジスタのソース,ドレイン間を
短絡させたMOSトランジスタよりなるキャパシタC2
を順に直列に接続してなる構戒である。
In FIG. 5, in addition to the structure shown in FIG. 4, an inverter R2 is connected between the source and gate of the transistor G1 from the gate side.
, a capacitor C2 consisting of a MOS transistor whose source and drain are short-circuited, and whose channel region area is approximately half that of the transistor G1.
This is a structure in which these are connected in series.

以下に、第5図の回路の動作を説明する。トランジスタ
Glのゲートに接続される制御信号入力端PCに″H”
の信号を入力し、トランジスタGlがオンしているもの
とする。この時キャパシタC2の端子にはインバータR
2一個を介して”L”の信号が与えられる。その後、制
御信号入力端PCに”L”の信号を入力し、トランジス
タG1をオフする。この際、インバータ1個通過する分
の時間だけ遅れてキャパシタC2を構或するトランジス
タのゲートには、”H”の信号が与えられる。その結果
、MOSI−ランジスタにはチャネルが生じ、ゲートと
チャネル間にキャパシタが形威される。このキャパシタ
C2にトランジスタGlのチャネルからソース側へ放出
された電荷が吸収される。キャパシタC2をつくるMO
Sトランジスタのチャネル面積はトランジスタG1のチ
ャネル面積の略半分に等しいから、このトランジスタG
1のチャネルからトランジスタG1のソース側へと放出
された電荷はすべてキャパシタC2に蓄えられる。すな
わち、オフセットの原因となる余剰電荷はすべてキャパ
シタC2に吸収されるので、トランジスタG1がオンか
らオフに変化したことに伴いオフセット電圧が発生する
問題は解消できるというものである。
The operation of the circuit shown in FIG. 5 will be explained below. "H" to the control signal input terminal PC connected to the gate of the transistor Gl
It is assumed that a signal is input and the transistor Gl is turned on. At this time, the inverter R is connected to the terminal of the capacitor C2.
An "L" signal is applied through the two terminals. Thereafter, an "L" signal is input to the control signal input terminal PC to turn off the transistor G1. At this time, an "H" signal is applied to the gate of the transistor constituting the capacitor C2 with a delay corresponding to the time required to pass through one inverter. As a result, a channel is created in the MOSI transistor, forming a capacitor between the gate and the channel. The charge discharged from the channel of the transistor Gl to the source side is absorbed by this capacitor C2. MO to make capacitor C2
Since the channel area of the S transistor is approximately equal to half of the channel area of the transistor G1, this transistor G
All charges released from the channel of G1 to the source side of transistor G1 are stored in capacitor C2. That is, all the excess charge that causes the offset is absorbed by the capacitor C2, so that the problem of offset voltage occurring when the transistor G1 changes from on to off can be solved.

〔発明の解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

しかし以上説明したトランジスタG1の有するチャネル
領域の半分のチャネル領域を持つトランジスタで構威し
たキャパシタC2を、このトランジスタGlのソース側
に接続するという手段は、トランジスタG1のチャネル
から、ソース.ドレイン側それぞれに均等に電荷が放出
されることを前提としている。しかしながら、現実には
このようにトランジスタG1のチャネルからソース,ド
レインそれぞれに向けて完全に均等に電荷が放出される
ということはあり得ない。
However, the method of connecting the capacitor C2, which is made up of a transistor having a channel region half as large as that of the transistor G1, to the source side of the transistor G1 as described above does not allow the channel of the transistor G1 to be connected to the source side. It is assumed that charge is released evenly to each drain side. However, in reality, it is impossible for charges to be completely evenly released from the channel of the transistor G1 toward the source and drain.

これはトランジスタG1のソース側とドレイン側とでイ
ンピーダンスが異なるためである。よって第5図のよう
なオフセット電圧補償手段を利用してもなお、オフセン
ト電圧の発生は完全には防止できないのである。このよ
うな回路を応用したコンバレータにより微弱な電圧を比
較する場合には、わずかに発生するオフセット電圧も精
度上致命的である。
This is because the impedance is different between the source side and the drain side of the transistor G1. Therefore, even if offset voltage compensating means as shown in FIG. 5 is used, the occurrence of offset voltage cannot be completely prevented. When comparing weak voltages using a converter using such a circuit, even a slight offset voltage is critical to accuracy.

本発明は、従来技術の上記した課題に鑑みてなされたも
のであり、コンバレータにおいて、出力の速度を落とす
ことなく、オフセット電圧の発生を防止することを課題
とする。
The present invention has been made in view of the above problems of the prior art, and an object of the present invention is to prevent offset voltage from occurring in a converter without reducing the output speed.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

本発明では、このような目的を達威するために、以下の
構戒を手段とする。
In order to achieve such an objective, the present invention employs the following precepts as means.

第1キャパシタ(C1)と、 入力端が該第1キャパシタ(C1)の一端に接続された
論理反転器(R1)と、 該論理反転器(R1)の入力端と出力端との間を制御信
号に応答して短絡する第1MOSトランジスタ(G1)
と、 該第1MOSトランジスタ(G1)のオン時に前記第1
キャパシタ(CI)の他端へ第1入力電圧(Vref.
)を印加する第1スイッチ(S1)と、 該第1スイッチ(S1)のオフ時に該第1キャパシタ(
C1)の他端へ第2入力電圧(Vin)を印加する第2
スイッチ(S2)と、 該第1MOSトランジスタ(G1)の略半分のチャネル
面積を有し、ソース,ドレインが前記論理反転器(R1
)の入力端へ接続され、ゲートに前記制御信号の反転信
号を受ける第2MOSトランジスタ(G2)と、前記第
1MOSトランジスタ(G1)がオフに切り換わる際に
チャネル領域に蓄積された電荷をソース.ドレイン側へ
均等に分散させるために、第3MOSトランジスタ(G
3)を介して前記論理反転器(R1)の出力端へ接続さ
れる第2キャパシタ(C2)とを具備し、 前記第3MOSトランジスタ(G3)は前記制御信号を
遅延させた信号で制御されるように構或する。
A first capacitor (C1), a logic inverter (R1) whose input end is connected to one end of the first capacitor (C1), and control between the input end and the output end of the logic inverter (R1). A first MOS transistor (G1) that shorts in response to a signal.
and when the first MOS transistor (G1) is turned on, the first
A first input voltage (Vref.
), and when the first switch (S1) is off, the first capacitor (
A second input voltage (Vin) is applied to the other end of C1).
The switch (S2) has a channel area approximately half that of the first MOS transistor (G1), and the source and drain are connected to the logic inverter (R1).
), the second MOS transistor (G2) receives an inverted signal of the control signal at its gate, and the second MOS transistor (G2) receives the charge accumulated in the channel region when the first MOS transistor (G1) is turned off. In order to distribute it evenly to the drain side, the third MOS transistor (G
3), the third MOS transistor (G3) is controlled by a signal obtained by delaying the control signal. It is structured as follows.

〔作用〕[Effect]

すなわち本発明では、論理反転器の人出力端を短絡する
第1MOSトランジスタがオフに切り換わる時には、論
理反転器の出力端に第3MOSトランジスタを介して第
2キャパシタを接続することで、第1MOSトランジス
タのソース,ドレイン側のインピーダンスをバランスさ
せてチャネルの電荷を均等に分散させることで、オフセ
ット補償の精度を高め、且つオフセット補償後、すなわ
ち第1MOSトランジスタがオフしてから所定時間後に
は第3MOSトランジスタをオフさせることで、その後
のコンパレータの出力変化が遅れないようにしている。
That is, in the present invention, when the first MOS transistor that short-circuits the output terminal of the logic inverter is switched off, the second capacitor is connected to the output terminal of the logic inverter via the third MOS transistor. The accuracy of offset compensation is improved by balancing the impedance on the source and drain sides of the transistor to evenly distribute the charge on the channel. By turning OFF, the subsequent changes in the comparator output are prevented from being delayed.

〔実施例〕〔Example〕

以下では、本発明を複数の実施例に則して説明していく
In the following, the present invention will be explained based on a plurality of embodiments.

(1)  第1の実施例 第2図は本発明のコンバレータを用いた集積回路の説明
図であり、本発明のオフセット電圧の影響がない比較回
路を、4段の比較回路からなるコンパレータの初段回路
に適用した場合を示すものである.なお図中の第4図,
及び第5図と同一部位は同一記号で示してある。このよ
うなコンバレータ回路では、利得を向上させるために、
4段の同様の回路を直列に接続しており、これら各段の
回路の各々が第6図と同様に働く。第2図中、入力端子
として制御信号入力端Pc,Vin入力端Pin,  
Vref,入力端Pref.の三つを具備し、この他結
果を出力すべき出力端子として出力端Poutを具備す
る。なお、制御信号PCを各段同時に入力していたので
は、既に説明したオフセット電圧発生の問題は各段一緒
に発生することになって、オフセット電圧までもが段数
分増幅されてしまい具合が悪い。制御信号Pcの入力を
各段ごとにわずかづつずらすことで、初段部分で発生し
たオフセット電圧が後段に転送されることもなく、次段
で発生するオフセット電圧との重畳が避けられる。この
ような考えに基いて、第2図のコンパレータ回路では、
制御信号線の各段相互間にインバータ数個を直列してな
る遅延回路を設けるものである。
(1) First Embodiment FIG. 2 is an explanatory diagram of an integrated circuit using the comparator of the present invention. This shows the case when applied to a circuit. In addition, Figure 4 in the figure,
The same parts as in FIG. 5 are indicated by the same symbols. In such a converter circuit, to improve the gain,
Four stages of similar circuits are connected in series, and each of the circuits in each stage operates in the same manner as in FIG. In Fig. 2, the input terminals are a control signal input terminal Pc, a Vin input terminal Pin,
Vref, input end Pref. In addition, an output terminal Pout is provided as an output terminal for outputting the result. Note that if the control signal PC is input to each stage at the same time, the problem of offset voltage generation described above will occur at the same time in each stage, and even the offset voltage will be amplified by the number of stages, which is bad. . By slightly shifting the input of the control signal Pc for each stage, the offset voltage generated in the first stage is not transferred to the subsequent stage, and superimposition with the offset voltage generated in the next stage can be avoided. Based on this idea, in the comparator circuit shown in Figure 2,
A delay circuit consisting of several inverters connected in series is provided between each stage of the control signal line.

この回路では、比較結果の信号がインバータR1から出
力されると、このインバータR1に繋がる次の段の回路
のキャパシタに比較結果の信号に相当する電荷が蓄えら
れる。この電荷量の変化に伴って第2段目の回路内に押
し出される,あるいは吸引される電荷によって、2段目
の回路も初段の回路と同様に動作を行う。この第2段目
の回路内の前記キャパシタに接続されてなるインバータ
が、初段の回路のインバータと同様に信号を増幅し、こ
の信号がさらに3段目の回路に転送される。このことが
続いて、出力端Poutには増幅された信号が取り出さ
れる。
In this circuit, when the comparison result signal is output from the inverter R1, a charge corresponding to the comparison result signal is stored in the capacitor of the next stage circuit connected to the inverter R1. The second-stage circuit also operates in the same way as the first-stage circuit due to the charge pushed out or attracted into the second-stage circuit as a result of this change in the amount of charge. The inverter connected to the capacitor in the second stage circuit amplifies the signal in the same way as the inverter in the first stage circuit, and this signal is further transferred to the third stage circuit. This follows and an amplified signal is taken out at the output Pout.

本発明によって、従来問題となっていたオフセット電圧
を解消できた理由を説明する。従来よりオフセット電圧
発生の原因は、トランジスタGlのソースドレイン端か
らそれぞれ回路に注入される電荷が等しくないことに起
因していた。本発明では、まず第4図のコンバレータの
初段回路で問題になるトランジスタG1のソース端の.
ドレイン端■でのインピーダンスを互いに略等しくなる
ように構或する。このためにこのソース端のに繋がるす
べてのキャパシタの総和(C1+C2+ C I1) 
 (ここに、キャパシタCILは、トランジスタGlの
ソース,ゲート間の寄生容量を示す。)とドレイン端■
に繋がるすべてのキャパシタの総和とが釣り合うように
構或する。
The reason why the present invention was able to eliminate the conventional problem of offset voltage will be explained. Conventionally, the cause of the offset voltage has been that the charges injected into the circuit from the source and drain ends of the transistor Gl are not equal. In the present invention, first, the source end of the transistor G1, which is a problem in the first stage circuit of the converter shown in FIG.
The impedances at the drain ends (2) are designed to be approximately equal to each other. Therefore, the sum of all capacitors connected to this source end (C1+C2+C I1)
(Here, the capacitor CIL indicates the parasitic capacitance between the source and gate of the transistor Gl.) and the drain terminal
The structure is such that the sum of all capacitors connected to is balanced.

第1図の回路の以上述べた工夫によれば、インバータR
1の入力端.及び出力端それぞれに接続されるキャパシ
タの総量が、互いに等しくなるように構戒されるから、
オフセット電圧は生じないものである。
According to the circuit of FIG. 1 described above, the inverter R
1 input end. Since the total amount of capacitors connected to each output terminal is set to be equal to each other,
No offset voltage occurs.

しかし増幅率の高いインバータR1では、このインバー
タRl自体のインピーダンスZ1も大きい。このインピ
ーダンスz1の存在ゆえに、インバータR1の両端(ト
ランジスタG1のソース端とドレイン端)間に電位差は
生じ、電荷の注入は均等には行われないのである。トラ
ンジスタctがオンからオフに移行する過渡状態では、
このトランジスタG1のソース,ドレイン端(すなわち
、インバータR1の人,出力端)で互いにインピーダン
スが等しいが、本発明ではこのような状態を維持しよう
とする。この説明のために、以下では本発明のコンバレ
ータの初段回路の動作説明図である第1図を参照する。
However, in the inverter R1 having a high amplification factor, the impedance Z1 of the inverter R1 itself is also large. Due to the existence of this impedance z1, a potential difference occurs between both ends of the inverter R1 (the source end and the drain end of the transistor G1), and charge injection is not performed evenly. In a transient state where transistor ct transitions from on to off,
The source and drain terminals of the transistor G1 (ie, the output terminal of the inverter R1) have the same impedance, and the present invention attempts to maintain this state. For this explanation, reference will be made below to FIG. 1, which is a diagram illustrating the operation of the first stage circuit of the converter of the present invention.

トランジスタ61がオフした際には、このゲートにかか
る信号が図に示すように、”H”から”L″へと単純に
変化しても、接続点P!で観測される波形は、図示した
ように急峻に落ち込み、その後緩やかに”H”レベルに
近い電圧まで立ち直る。つまり接続点P2では、トラン
ジスタG1がオフした後にも電圧が”L”レベルに落ち
ずに、接続点P2からインバータR1に向かって電流が
流れる.この波形の変化を解消し、トランジスタG1の
ゲートに与えられる信号の波形と同様にするには、トラ
ンジスタG1がオンからオフに切り換わる時間つまりは
時定数が、接続点P2での信号の立ち下がり時間よりも
著しく小さいように構或する。まずこの接続点Pgにお
ける時定数は、この接続点に繋がるインバータR1のイ
ンピーダンスZ1と,同じこの接続点に繋がるキャパシ
タC2,キャパシタC3,トランジスタG3のソース,
ゲート間の寄生容量C IL+及びトランジスタG3の
ゲート,ドレイン間の寄生容量C?の容量の総和(C2
+c3+ C IL + C +■)との積で表現でき
る。すなわち、接続点P2における時定数τが、T <
Zl (C2 + C3+ C IL + C I R
)を満足させる。
When the transistor 61 is turned off, even if the signal applied to this gate simply changes from "H" to "L" as shown in the figure, the connection point P! The waveform observed at , as shown in the figure, drops sharply and then gradually recovers to a voltage close to the "H" level. That is, at the connection point P2, the voltage does not fall to the "L" level even after the transistor G1 is turned off, and current flows from the connection point P2 toward the inverter R1. In order to eliminate this change in waveform and make it similar to the waveform of the signal applied to the gate of transistor G1, the time for transistor G1 to switch from on to off, that is, the time constant, must be set at the falling edge of the signal at connection point P2. It is designed to be significantly smaller than the time. First, the time constant at this connection point Pg is the impedance Z1 of the inverter R1 connected to this connection point, the capacitor C2, the capacitor C3, the source of the transistor G3, which is also connected to this connection point,
Parasitic capacitance C between the gates IL+ and parasitic capacitance C between the gate and drain of transistor G3? The sum of the capacities of (C2
+c3+CIL+C+■). That is, the time constant τ at the connection point P2 is T <
Zl (C2 + C3+ C IL + C I R
) to satisfy.

このような構或によれば、前記した波形の変化の問題を
解消できる。
According to such a structure, the above-mentioned problem of waveform change can be solved.

一方、回路構威では、第5図に示す従来の改良された回
路に比較して、接続点P3から接続点P2までの間を接
続点P3側から順にインバータR3とトランジスタG3
を介して接続し、さらにこのトランジスタG3のドレイ
ン端にはキャパシタC2を介して接地(基準電圧に接続
)される点が新たな特徴である。このように接続点P2
に繋がるキャパシタの一部を基準電圧との間に配置する
ので、回路の比較動作に影響を及ぼすこともなく、比較
動作中にこのキャパシタを切断して、接続点P2に繋が
るキャパシタ総量を減じることができる。この新しい回
路構或を採るために、いま最初には基準電圧Vref.
が回路に入力されているものとすれば、トランジスタG
1はオンしており、トランジスタG3はオンしている。
On the other hand, in the circuit structure, compared to the conventional improved circuit shown in FIG.
A new feature is that the drain terminal of this transistor G3 is grounded (connected to a reference voltage) via a capacitor C2. In this way, connection point P2
Since a part of the capacitor connected to P2 is placed between the reference voltage and the reference voltage, this capacitor can be disconnected during the comparison operation without affecting the comparison operation of the circuit, and the total amount of capacitors connected to the connection point P2 can be reduced. I can do it. In order to adopt this new circuit structure, first the reference voltage Vref.
is input to the circuit, then the transistor G
1 is on, and transistor G3 is on.

よって基準電圧Vref.が回路に入力されている限り
、キャパシタC2は回路と電気的に繋がっている.この
後、回路に電圧■inが入力されるようになると、トラ
ンジスタG1はオフし、比較結果を示す信号がインバー
タR1の出力側に現れる.しかし接続点P2での負荷が
大きいために、″H″信号と”L″信号との電位差が小
さくなって、出力端Poutに比較結果が出力されてく
るのが遅くなる.上記の回路構戒によれば、制御信号の
立ち下がりから(すなわちトランジスタG1がオフして
、オフセット電圧が発生してから)インバータ2個を通
遇する時間だけ遅れてトランジスタG3はオフする。
Therefore, the reference voltage Vref. As long as C2 is input to the circuit, capacitor C2 is electrically connected to the circuit. Thereafter, when the voltage ■in is input to the circuit, the transistor G1 is turned off and a signal indicating the comparison result appears at the output side of the inverter R1. However, since the load at the connection point P2 is large, the potential difference between the "H" signal and the "L" signal becomes small, resulting in a delay in outputting the comparison result to the output terminal Pout. According to the above circuit configuration, the transistor G3 is turned off after a delay of the time required to pass through the two inverters from the fall of the control signal (that is, after the transistor G1 is turned off and an offset voltage is generated).

比較結果が出力されて《る瞬間だけ、キャパシタC2が
回路から電気的に切り離され、接続点P2での負荷が小
さくなるから、出力端Poutへは比較結果が早く送り
出されることになる。
At the instant when the comparison result is output, the capacitor C2 is electrically disconnected from the circuit, and the load at the connection point P2 is reduced, so that the comparison result is quickly sent to the output terminal Pout.

既に述べているように、比較すべき二つの信号の電位差
が僅かの場合には、やはり初段の回路(点線で包囲した
部分)から出力されてくる”H″の信号と”L”の信号
との電位差もやはり僅かとなる。初段の回路の動作を除
いては、第6図の従来の回路と変わらない。この回路で
は、後段の各回路の増幅器により信号が増幅されるから
、第6図の回路同様に、特に比較すべき電圧が微小であ
るにも係わらず、このコンバレー夕の出力で動作させね
ばならない回路のしきい値の論理振幅が大きい場合に有
効である。
As already mentioned, when the potential difference between the two signals to be compared is small, the "H" signal and "L" signal output from the first stage circuit (the part surrounded by the dotted line) The potential difference is also small. Except for the operation of the first stage circuit, this circuit is the same as the conventional circuit shown in FIG. In this circuit, the signal is amplified by the amplifiers in the subsequent circuits, so like the circuit in Figure 6, even though the voltage to be compared is extremely small, it must be operated with the output of this converter. This is effective when the logic amplitude of the circuit threshold is large.

(2)第2の実施例 第3図は本発明の第2の実施例に則した集積回路の説明
図であり、基本的には第1図の回路の入力にVinの値
を可変できるように抵抗ラダーRBを具備した構或にな
っている。なお図中の記号は、第2図第4図,第5図と
同一部位は同一記号で示しており、入力側の一端には電
圧+Fsを与え、他端には電圧−Fsを与える。また、
比較に用いる電圧を入力すべき端部は基準電圧v0(ア
ナログ・グランドの与える電圧)に接地され、制御信号
入力端Pcとを具備する構或であり、ほぼ第1図の回路
と同様である。
(2) Second Embodiment FIG. 3 is an explanatory diagram of an integrated circuit according to the second embodiment of the present invention. Basically, the value of Vin can be varied at the input of the circuit of FIG. 1. The structure is equipped with a resistance ladder RB. Note that the symbols in the figure indicate the same parts as in FIGS. 2, 4, and 5, and a voltage +Fs is applied to one end of the input side, and a voltage -Fs is applied to the other end. Also,
The terminal to which the voltage used for comparison is input is grounded to the reference voltage v0 (voltage given by analog ground), and has a control signal input terminal Pc, and is almost the same as the circuit shown in FIG. .

この第3図の回路では、電圧Vinに代えて最高値十F
sから最低値一Fsまでの間で、トランジスタのゲート
への指示に従って任意の値を選択できる構或である。こ
のために、この第3図の回路では、第1図の回路が、ト
ランジスタG1とVin入力端Pinとで構威される部
分を、多数の抵抗を直列に接続した抵抗ラグーRBを用
意し、この抵抗ラダーRBの両端部を各々最高電圧を与
える信号十Fsと最低電圧を与える信号一Fsに接続さ
れ、この抵抗ラダーRBを構或する抵抗相互の各接続点
には、各々の接続点に対して一個づつ用意されるトラン
ジスタのソース端が繋がる。さらにこのトランジスタの
各々が有するドレイン端は同じキャパシタC1に接続さ
れ、またこの各々のトランジスタのゲートは、少しづつ
異なる制御信号を受けて開閉し、抵抗値を変化させて入
力電圧VinO値を可変して、出力は出力端Poutへ
なされる構或である, この回路で、比較の基準になる電圧をVAG(アナログ
・グランド(接地)に相当する電圧)にとる。
In this circuit of Fig. 3, the maximum value 10 F is used instead of the voltage Vin.
The structure is such that any value can be selected between s and the lowest value 1 Fs according to instructions to the gate of the transistor. For this purpose, in the circuit of FIG. 3, the circuit of FIG. 1 is replaced with a resistor lug RB in which a large number of resistors are connected in series, in the part where the transistor G1 and the Vin input terminal Pin are connected. Both ends of this resistance ladder RB are connected to the signal 1Fs that gives the highest voltage and the signal 1Fs that gives the lowest voltage, and each connection point between the resistors that make up this resistance ladder RB has a The source ends of the transistors prepared one by one are connected to each other. Furthermore, the drain end of each of these transistors is connected to the same capacitor C1, and the gate of each transistor is opened and closed in response to slightly different control signals to change the resistance value and vary the input voltage VinO value. In this circuit, the voltage used as a reference for comparison is taken as VAG (voltage corresponding to analog ground).

一方、最低電圧一Fs接続端と最高電圧十Fs接続端と
の間で、抵抗ラダーRBに接続されるMOSトランジス
タ群のうちの任意の一個をオンし、他をオフする。この
オンするMOSトランジスタを可変することにより、こ
の最低電圧一Fsと最高電圧十Fs?の間の任意の電圧
を比較することができる。この抵抗ラダーR8に接続さ
れるトランジスタ群の任意の一個をオンする際には、同
じ制御信号の反転信号が基準電圧■■の入力端に繋がる
トランジスタはオフする構成であり、またこの同じ制御
信号によって、トランジスタG1はオフしている。この
制御信号が反転すると、それぞれのトランジスタがいづ
れもこの反転状態を保つ.まず基準電圧V■が回路に入
力されると、キャパシタC1にはいくらかの電荷が蓄積
される。次に制御信号が”L”から”H”に切り換わり
、この最低電圧一Fsと最高電圧十Fsとの間の任意の
電圧が回路に入力されると、キャパシタC1に最初に蓄
えられていた電荷よりも大きいか小さいかによって、キ
ャパシタCIからインバータR1方向に電荷が流れるか
、インバータR1からキャパシタC1方向に電荷が流れ
る。このことから、インバータR1の出力側では”H 
IIあるいは”L I+の信号が出力される。
On the other hand, any one of the MOS transistors connected to the resistance ladder RB is turned on and the others are turned off between the lowest voltage 1Fs connection end and the highest voltage 1Fs connection end. By varying the MOS transistor that is turned on, the lowest voltage is 1 Fs and the highest voltage is 10 Fs? Any voltage between can be compared. When turning on any one of the transistors connected to this resistance ladder R8, the inverted signal of the same control signal turns off the transistor connected to the input terminal of the reference voltage. Therefore, the transistor G1 is turned off. When this control signal is inverted, each transistor maintains this inverted state. First, when the reference voltage V■ is input to the circuit, some charge is stored in the capacitor C1. Next, when the control signal switches from "L" to "H" and any voltage between this minimum voltage 1Fs and maximum voltage 10Fs is input to the circuit, the voltage initially stored in the capacitor C1 Depending on whether the charge is larger or smaller than the charge, the charge flows from the capacitor CI toward the inverter R1, or from the inverter R1 toward the capacitor C1. From this, on the output side of inverter R1, "H"
II or "LI+" signal is output.

この回路では信号十Fsに対応する最高電圧値から信号
一Fsに対応する最低電圧値までの間で任意の電圧を基
準電圧と比較できるから、例えばD/Aコンバータの出
力回路のような用途がある。 以上二つの実施例によっ
て、本発明の特徴を説明してきたが、本発明はこれら二
つの実施例に限定されることなく自由に変形が可能であ
る。例えば論理反転器として、インバータに代えてオさ
アンブを使用し、比較回路に広く応用できる。また、第
1の実施例で示したコンパレータ回路を横戒する4段の
比較回路すべてを第1図の回路にしても構わない。この
場合には、初段回路にのみ第1図の回路を用いた場合よ
りも検出精度は勿論向上する。
Since this circuit can compare any voltage with the reference voltage between the highest voltage value corresponding to the signal 10 Fs and the lowest voltage value corresponding to the signal 1 Fs, it is suitable for applications such as the output circuit of a D/A converter. be. Although the features of the present invention have been explained using the above two embodiments, the present invention is not limited to these two embodiments and can be freely modified. For example, an inverter can be used as a logic inverter instead of an inverter, and can be widely applied to comparison circuits. Furthermore, all of the four stages of comparison circuits that replace the comparator circuits shown in the first embodiment may be replaced by the circuits shown in FIG. In this case, the detection accuracy is naturally improved compared to the case where the circuit shown in FIG. 1 is used only in the first stage circuit.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明によれば、オフセット電圧を相当緩和乃至は完全
に防止したコンパータ回路を構或でき、ある電圧値が規
定の電圧値よりも高いか低いかの判定を、従来よりも精
度よく行えるという効果がある。
According to the present invention, it is possible to construct a converter circuit in which the offset voltage is considerably reduced or completely prevented, and it is possible to determine whether a certain voltage value is higher or lower than a specified voltage value with higher accuracy than before. There is.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明のコンバレータの動作説明図,第2図は
本発明による集積回路の説明図,第3図は本発明の一実
施例に則した集積回路の説明図.第4図は従来のコンバ
レータの動作説明図,第5図は従来の改良されたコンバ
レータの動作説明図,第6図は従来技術による集積回路
の説明図である。 Vin・・・第1の電圧, Vref.・・・第2の電
圧,Pin・・・第1の入力端,  Pref.・・・
第2の入力端,  Pout・・・出力端,Pc・・・
制御信号入力端, Pi・・・接続点, P2・・・接
続点, P3・・・接続点, P4・・・接続点, S
t・・・トランジスタ(スイッチ),S2・・・トラン
ジスタ(スイッチ),G1・・・トランジスタ(第1M
OSトランジスタ),G3・・・トランジスタ(第3M
OSトランジスタ),c1・・・キャパシタ(第1キャ
パシタ),G2・・・第2MOSトランジスタ, Rl
・・・インバータ(論理反転H),R2・・・インバー
タ(第2論理反転器),R3・・・インバータ(第3論
理反転器),RB・・・抵抗ラダー〉へ 〉ベ
FIG. 1 is an explanatory diagram of the operation of a converter according to the present invention, FIG. 2 is an explanatory diagram of an integrated circuit according to the present invention, and FIG. 3 is an explanatory diagram of an integrated circuit according to an embodiment of the present invention. FIG. 4 is an explanatory diagram of the operation of a conventional converter, FIG. 5 is an explanatory diagram of the operation of an improved conventional converter, and FIG. 6 is an explanatory diagram of an integrated circuit according to the prior art. Vin...first voltage, Vref. ...Second voltage, Pin...First input terminal, Pref. ...
Second input terminal, Pout...output terminal, Pc...
Control signal input terminal, Pi...connection point, P2...connection point, P3...connection point, P4...connection point, S
t...Transistor (switch), S2...Transistor (switch), G1...Transistor (1st M
OS transistor), G3...transistor (3rd M
OS transistor), c1... Capacitor (first capacitor), G2... Second MOS transistor, Rl
... Inverter (logic inversion H), R2... Inverter (second logic inverter), R3... Inverter (third logic inverter), RB... To resistance ladder>

Claims (1)

【特許請求の範囲】 第1キャパシタ(Cl)と、 入力端が該第1キャパシタ(C1)の一端に接続された
論理反転器(R1)と、 該論理反転器(R1)の入力端と出力端との間を制御信
号に応答して短絡する第1MOSトランジスタ(G1)
と、 該第1MOSトランジスタ(G1)のオン時に前記第1
キャパシタ(C1)の他端へ第1入力電圧(Vref.
)を印加する第1スイッチ(S1)と、 該第1スイッチ(S1)のオフ時に該第1キャパシタ(
C1)の他端へ第2入力電圧(Vin)を印加する第2
スイッチ(S2)と、 該第1MOSトランジスタ(G1)の略半分のチャネル
面積を有し、ソース、ドレインが前記論理反転器(R1
)の入力端へ接続され、ゲートに前記制御信号の反転信
号を受ける第2MOSトランジスタ(G2)と、前記第
1MOSトランジスタ(G1)がオフに切り換わる際に
チャネル領域に蓄積された電荷をソース、ドレイン側へ
均等に分散させるために、第3MOSトランジスタ(G
3)を介して前記論理反転器(R1)の出力端へ接続さ
れる第2キャパシタ(C2)とを具備し、 前記第3MOSトランジスタ(G3)は前記制御信号を
遅延させた信号で制御されることを特徴とするコンパレ
ータ。
[Claims] A first capacitor (Cl), a logic inverter (R1) whose input end is connected to one end of the first capacitor (C1), and an input end and an output of the logic inverter (R1). a first MOS transistor (G1) that short-circuits the terminal in response to a control signal;
and when the first MOS transistor (G1) is turned on, the first
A first input voltage (Vref.
), and when the first switch (S1) is off, the first capacitor (
A second input voltage (Vin) is applied to the other end of C1).
The switch (S2) has a channel area approximately half that of the first MOS transistor (G1), and the source and drain are connected to the logic inverter (R1).
), the second MOS transistor (G2) receives an inverted signal of the control signal at its gate; In order to distribute it evenly to the drain side, the third MOS transistor (G
3), the third MOS transistor (G3) is controlled by a signal obtained by delaying the control signal. A comparator characterized by:
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100394557B1 (en) * 2000-10-16 2003-08-19 주식회사 진웅테크놀러지 Apparatus Of Metal Plate Embossed With Mesh-Type Groove For Duct

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