JPH0297408A - Ａｇ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ化学量論化合物 - Google Patents
Ａｇ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ化学量論化合物Info
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- JPH0297408A JPH0297408A JP24817588A JP24817588A JPH0297408A JP H0297408 A JPH0297408 A JP H0297408A JP 24817588 A JP24817588 A JP 24817588A JP 24817588 A JP24817588 A JP 24817588A JP H0297408 A JPH0297408 A JP H0297408A
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- 239000000126 substance Substances 0.000 title abstract 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 10
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Landscapes
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は主に電気及び光学材料として用いることのでき
るＡｇ−Ｇｅ−８ｂ−Ｔｅ化学量論化合物に関する。
るＡｇ−Ｇｅ−８ｂ−Ｔｅ化学量論化合物に関する。
従来の技術
従来Ｇｅ１ Ｓｂ１ およびＴｅの３元素よりなる化学
ｍ論化合物のひとつとして、Ｇｅ５ｂ２Ｔｅ４が知られ
ている。これは、Ｋ、Ａ、７カ゛エフ（Ａｇａｅｖ）氏
等の研究ｒ Ｇｅ５ｂ２Ｔｅ４電子線回折による構造解
析（Ｅｌｅｃｔｒｏｍ Ｄｌｆｆｒａｃｔｆｏｎ Ａｎ
ａｌｙｓｉｓ ｏｆ ５ｔｒｕｃｔｕｒｅｏｆ Ｇｅ５
ｂ２Ｔｅ４）ソビエトフィジックス クリスクログラフ
ィ（Ｓｏｖ、 Ｐｈｙｓ、 Ｃｒｙｓｔ、） ＩＩ
（Ｉｎ２） ４００、Ｊにより、第２図に示すようにＣ
軸方向に層状に各構成元素が積み重なった構造であるこ
とが既に明らかにされている。しかも、層が２！層で単
位胞を形成している。また単位胞中には、３分子のＧｅ
５ｂ２Ｔｅ４が含まれている構造となっている。
ｍ論化合物のひとつとして、Ｇｅ５ｂ２Ｔｅ４が知られ
ている。これは、Ｋ、Ａ、７カ゛エフ（Ａｇａｅｖ）氏
等の研究ｒ Ｇｅ５ｂ２Ｔｅ４電子線回折による構造解
析（Ｅｌｅｃｔｒｏｍ Ｄｌｆｆｒａｃｔｆｏｎ Ａｎ
ａｌｙｓｉｓ ｏｆ ５ｔｒｕｃｔｕｒｅｏｆ Ｇｅ５
ｂ２Ｔｅ４）ソビエトフィジックス クリスクログラフ
ィ（Ｓｏｖ、 Ｐｈｙｓ、 Ｃｒｙｓｔ、） ＩＩ
（Ｉｎ２） ４００、Ｊにより、第２図に示すようにＣ
軸方向に層状に各構成元素が積み重なった構造であるこ
とが既に明らかにされている。しかも、層が２！層で単
位胞を形成している。また単位胞中には、３分子のＧｅ
５ｂ２Ｔｅ４が含まれている構造となっている。
発明が解決しようとする課題
Ｇｅ５ｂ２Ｔｅ４なる３元系化合物では層状構造となる
ため、結晶構造の異方性に起因する、たとえば電気伝導
度、屈折率等に異方性が生じる。また、成長時に完全な
結晶を作成するためには、原子拡散の時間を十分とる必
要があるため、融点より低い温度で長時間のアニールが
必要である。はぼ同じ材料物性を示す材料であれば、構
造はより簡単な方がよい。
ため、結晶構造の異方性に起因する、たとえば電気伝導
度、屈折率等に異方性が生じる。また、成長時に完全な
結晶を作成するためには、原子拡散の時間を十分とる必
要があるため、融点より低い温度で長時間のアニールが
必要である。はぼ同じ材料物性を示す材料であれば、構
造はより簡単な方がよい。
課題を解決するための手段
組成がＡｇＧｅＳｂ２Ｔｅｚで示される４元素からなる
化学量論化合物を構成する。
化学量論化合物を構成する。
作用
本発明者は、前記の３元化合物とＡｇとで、今まで知ら
れていなかった、新規な化学量論的な化合物を形成する
ことを見出した。
れていなかった、新規な化学量論的な化合物を形成する
ことを見出した。
すなわちＧｅ５ｂ２Ｔｅａなる３元化合物にＡｇを添加
することにより、添加しない化合物よりも、より構造が
簡単で、基本的な結晶学的な物性の異方性が少ない化合
物を得ることができる。
することにより、添加しない化合物よりも、より構造が
簡単で、基本的な結晶学的な物性の異方性が少ない化合
物を得ることができる。
実施例
本発明による化合物は、種々の方法で作成が可能である
が、最も簡単な方法は、それぞれの構成元素を所定の原
子比に秤全したあと、透明または不透明石英ガラス管中
に真空封入し、熔融後、徐冷するものである。
が、最も簡単な方法は、それぞれの構成元素を所定の原
子比に秤全したあと、透明または不透明石英ガラス管中
に真空封入し、熔融後、徐冷するものである。
本発明による化合物は主に、光記録媒体などの光学材料
として用いられるが、抵抗材料、熱電材料、もしくは超
伝導材料などの電気材料としても用いられる。
として用いられるが、抵抗材料、熱電材料、もしくは超
伝導材料などの電気材料としても用いられる。
実施例ｌ
ＡｇＧｅＳｂ２Ｔｅ４を作成した。石英ガラス管に真空
封入後、電気炉で８００℃まで加熱熔融し、試料全体が
均一になるように、２時間８００℃で保持した後、徐冷
した。石英ガラス管より試料を取り出した後、乳鉢で粉
砕して、デイフラクトメーターでＸ線回折を行った。結
果を第１図に示す。
封入後、電気炉で８００℃まで加熱熔融し、試料全体が
均一になるように、２時間８００℃で保持した後、徐冷
した。石英ガラス管より試料を取り出した後、乳鉢で粉
砕して、デイフラクトメーターでＸ線回折を行った。結
果を第１図に示す。
得られた試料は、Ｘ線回折の結果からは立方晶系の単一
相の化合物であることがわかる。格子定数はＮ ａ＝
０．６０４ｎｍであることがわかった。
相の化合物であることがわかる。格子定数はＮ ａ＝
０．６０４ｎｍであることがわかった。
この値から、得られた化合物の構造が推定可能である。
最も可能性の高いものは第２図に示したＧｅ５ｂ２Ｔｅ
４の層状構造のすべての格子点にＡｇ及び他の構成元素
が無秩序に分布する構造、すなわち面心立方構造（ｆｃ
ｃ）か、あるいはその誘導構造である、ＮａＣ１（岩塩
）型である。後者のＮａＣ１型は、本新規化合物の構成
元素であるＧｅとＴｅよりなる化合物のＧｅＴｅの高温
相の結晶構造である。
４の層状構造のすべての格子点にＡｇ及び他の構成元素
が無秩序に分布する構造、すなわち面心立方構造（ｆｃ
ｃ）か、あるいはその誘導構造である、ＮａＣ１（岩塩
）型である。後者のＮａＣ１型は、本新規化合物の構成
元素であるＧｅとＴｅよりなる化合物のＧｅＴｅの高温
相の結晶構造である。
前述の格子定数はＮａＣｌ型を仮定した時に値であって
、面心立方構造を仮定するとその２分の１のａ＝ｏ、３
０２ｎｍが格子定数となる。岩塩型の＋Ｂ合には、陰イ
オンと陽イオンとがある程度区別される場合に適応でき
、また面心立方構造の場合にｉｔ、元素の種類がＸ線的
に区別できない場合である。
、面心立方構造を仮定するとその２分の１のａ＝ｏ、３
０２ｎｍが格子定数となる。岩塩型の＋Ｂ合には、陰イ
オンと陽イオンとがある程度区別される場合に適応でき
、また面心立方構造の場合にｉｔ、元素の種類がＸ線的
に区別できない場合である。
すなわち、Ｇｅ５ｂ２Ｔｅ４なる３元化合物番こＡｇを
添加することにより、層状構造を壊して、より結晶構造
が簡単で、対称性の高い立方晶系の化合物を得ることが
できた。
添加することにより、層状構造を壊して、より結晶構造
が簡単で、対称性の高い立方晶系の化合物を得ることが
できた。
発明の効果
本発明によれば、Ｇｅ５ｂ２Ｔｅｊなる３元化合物にＡ
ｇを添加することにより、層状構造を示す元の化合物と
比べて、結晶構造が簡単な立方構造を示し、結晶学的な
異方性が少なｔ１化合物を得ることができる。
ｇを添加することにより、層状構造を示す元の化合物と
比べて、結晶構造が簡単な立方構造を示し、結晶学的な
異方性が少なｔ１化合物を得ることができる。
第１図は、ＡｇＧｅＳｂｔＴｅａのＸ線回折ノｆターン
を示す図、第２図（ａ）は、ＱｅＳｂ２Ｔｅａの構造を
示す模式図、第２図（ｂ）、 （ｃ）および（ｄ）は第
２図（ａ）の要部を示す図である。 代理人の氏名 弁理士 栗野重孝 はか１名第１図 ７θ ω ５θ ２θ ■ゴ゛１７１“角 （Ｏン Ｘ線回紺パターン 第 図 ○眞 ○ｓｂ ｒｅ ＯｅｓｂｚＴｅ４の３１ｆＬ
を示す図、第２図（ａ）は、ＱｅＳｂ２Ｔｅａの構造を
示す模式図、第２図（ｂ）、 （ｃ）および（ｄ）は第
２図（ａ）の要部を示す図である。 代理人の氏名 弁理士 栗野重孝 はか１名第１図 ７θ ω ５θ ２θ ■ゴ゛１７１“角 （Ｏン Ｘ線回紺パターン 第 図 ○眞 ○ｓｂ ｒｅ ＯｅｓｂｚＴｅ４の３１ｆＬ
Claims (2)
- （１）組成がＡｇＧｅＳｂ＿２Ｔｅ＿４で示される４元
素からなる化学量論化合物。 - （２）組成がＡｇＧｅＳｂ＿２Ｔｅ＿４で示され、その
結晶構造が立法晶系岩塩型に属し、その室温での格子定
数がａ＝０．６０４ｎｍであることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の化学量論化合物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24817588A JPH0297408A (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | Ａｇ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ化学量論化合物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24817588A JPH0297408A (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | Ａｇ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ化学量論化合物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0297408A true JPH0297408A (ja) | 1990-04-10 |
Family
ID=17174325
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24817588A Pending JPH0297408A (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | Ａｇ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ化学量論化合物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0297408A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1398778A3 (en) * | 1996-10-04 | 2004-05-19 | Mitsubishi Chemical Corporation | Optical information recording medium and optical recording method |
-
1988
- 1988-09-30 JP JP24817588A patent/JPH0297408A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1398778A3 (en) * | 1996-10-04 | 2004-05-19 | Mitsubishi Chemical Corporation | Optical information recording medium and optical recording method |
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