JPH0294647A - Wafer treatment apparatus - Google Patents

Wafer treatment apparatus

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JPH0294647A
JPH0294647A JP63247056A JP24705688A JPH0294647A JP H0294647 A JPH0294647 A JP H0294647A JP 63247056 A JP63247056 A JP 63247056A JP 24705688 A JP24705688 A JP 24705688A JP H0294647 A JPH0294647 A JP H0294647A
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日浦 和夫
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金沢 元一
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Abstract

PURPOSE:To prevent dust particles from adhering and a wafer from being contaminated by a method wherein a treatment and an operation in individual units are executed in a necessary prescribed atmosphere and the wafer is shifted between the individual units in a vacuum state. CONSTITUTION:Untreated wafers 23 are taken out from a loading unit 2 by using a first handling unit 13; they are fed one after another; whenever each treatment is finished, they are fed in succession to a treatment in a next process by using a second handling unit 14; the wafers whose treatment has been completed are housed in an unloading unit 3. These wafers are sfifted between individual units via a Conveyance unit 1 and in a vacuum. Thereby, it is possible to prevent the wafers from being contaminated between the individual treatments and to prevent dust particles from adhering; a high quality can be realized.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、ウェーハより半導体素子を製造する場合に用
いられるウェーハ処理装置、特に低圧ガス雰囲気等の特
定雰囲気中での処理を必要とする工程、例えばドライエ
ツチング、CVD(化学蒸着)等に用いられるウェーハ
処理装置に関するものである。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to a wafer processing apparatus used for manufacturing semiconductor devices from wafers, particularly for processes that require processing in a specific atmosphere such as a low-pressure gas atmosphere. The present invention relates to wafer processing equipment used, for example, in dry etching, CVD (chemical vapor deposition), and the like.

[従来の技術] 従来のウェーハ処理装置としてはバッチ方式、枚葉方式
のものがある。
[Prior Art] Conventional wafer processing apparatuses include batch type and single wafer type.

バッチ方式、枚葉方式のいずれも1つの工程を処理する
処理装置であって、バッチ方式のものは複数のウェーハ
を真空容器等の処理室の中に同時に収納し処理するもの
であり、枚葉方式のものは一枚ずつ処理室に収納して処
理するものである。
Both batch and single wafer systems are processing equipment that processes one process, and the batch system processes multiple wafers by simultaneously storing them in a processing chamber such as a vacuum container. In this method, each sheet is stored in a processing chamber and processed.

[発明が解決しようとする課題] 然し乍ら上記したバッチ方式、枚葉方式では以下に述べ
る様な不具合がある。
[Problems to be Solved by the Invention] However, the batch method and single wafer method described above have the following disadvantages.

近年ではLSIの集積度が増々高くなり、超LSIも製
造されており、LSIの集積度の高度化に追従して、ウ
ェーハも大型化してきている。従って、−度に複数のウ
ェーハを収納して処理するバッチ方式では、処理装置が
大型化し、コスト的、スペース的に難しくなる。更に、
集積度の高密度化は処理装置の高精度化、製品の高品質
化も要求するが、バッチ方式ではウェーハのセットされ
た位置に起因するバラツキが生じてしまう。
In recent years, the degree of integration of LSIs has become higher and higher, and very large scale integrated circuits (VLSIs) have also been manufactured.As the degree of integration of LSIs has increased, wafers have also become larger. Therefore, in the batch method in which a plurality of wafers are stored and processed at a time, the processing equipment becomes large and difficult in terms of cost and space. Furthermore,
Higher integration density also requires higher precision in processing equipment and higher quality products, but in batch systems, variations occur due to the position of the wafers.

又、枚葉方式では一枚ずつ処理を行うので時間当りの処
理枚数(スループッ1へ)が低く、生産能率が悪い。
In addition, in the single-wafer system, since processing is performed one by one, the number of sheets processed per hour (throughput 1) is low, resulting in poor production efficiency.

更に、両者ともウェーハが必要な加工処理が終ると処理
室より取出され、次の処理工程へ回されるが、超LSI
等の半導体素子の製造ではウェーハの状態で多くの異な
った処理工程を経なければならないが、処理工程間の移
送時のゴミの付着や汚染を生じることもあり、これが製
品の欠陥、品質の低下の原因となっていた。
Furthermore, in both cases, when the necessary processing is completed, the wafer is taken out of the processing chamber and sent to the next processing step, but in the case of ultra-LSI
In manufacturing semiconductor devices such as wafers, the wafer must go through many different processing steps, but during transportation between processing steps, dust and contamination may occur, leading to product defects and quality deterioration. It was causing this.

本発明は斯かる実情に鑑み、ゴミの付着、汚染等を防止
すると共に高スルーグツトを実現し、高品質、高能率で
処理し得るウェーハ処理装置を提供しようとするもので
ある。
In view of these circumstances, it is an object of the present invention to provide a wafer processing apparatus that can prevent dust adhesion, contamination, etc., achieve high throughput, and perform processing with high quality and high efficiency.

[課題を解決するための手段] 本発明は、内部を気密とし、該内部に複数のハンドリン
グユニットを設け、ハンドリングユニットとハンドリン
グユニットとの間にウェーハを一時収納する貯留ステー
ジを設けた搬送ユニットに前記ハンドリングユニットに
対応させウェーハ処理ユニット50−ドユニツト等内部
が気密となる様構成した所要のユニットを真空ゲート弁
を介して連設したことを特徴とするものである。
[Means for Solving the Problems] The present invention provides a transfer unit having an airtight interior, a plurality of handling units provided therein, and a storage stage for temporarily storing wafers between the handling units. The present invention is characterized in that necessary units such as a wafer processing unit 50 corresponding to the handling unit are connected to each other via a vacuum gate valve, the inside of which is airtight.

[作  用] 各ユニットは真空ゲート弁によってそれぞれ独立した気
密の室となり、各ユニットでの処理、作動は必要とされ
る所定の雰囲気で行われ、各ユニット間のウェーハの移
動は真空状態で行い、スハンドリングユニット間のウェ
ーハの移動は貯留ステージで中継されて行われる。
[Function] Each unit becomes an independent airtight chamber with a vacuum gate valve, and processing and operation in each unit is performed in the required specified atmosphere, and wafers are transferred between each unit in a vacuum state. The movement of wafers between handling units is relayed by a storage stage.

[実 施 例] 以下図面を参照しつつ本発明の一実施例を説明する。[Example] An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第1図、第2図に於いて、1は搬送ユニット、2はロー
ドユニット、3はアンロードユニット、4は第1処理ユ
ニツト、5は第2処理ユニツト、6は第3処理ユニツト
を示し、これらはいずれも真空容器の中に諸機器を収納
する構成である。
In FIGS. 1 and 2, 1 is a transport unit, 2 is a load unit, 3 is an unload unit, 4 is a first processing unit, 5 is a second processing unit, 6 is a third processing unit, All of these have a configuration in which various devices are housed in a vacuum container.

又、ロードユニット2は真空ゲート弁7を介して搬送ユ
ニット1に気密に連設され、アンロードユニット3は真
空ゲート弁8を介し搬送ユニット1の前記ロードユニッ
ト2と対峙する位置に連設する。第1処理ユニツト4、
第2処理ユニツト5、第3処理ユニツト6は後述する第
2ハンドリング機構14を中心に等距離の位置に配置さ
れ、真空ゲート弁9. iQ、 11を介して前記搬送
ユニット1に連設しである。
Further, the load unit 2 is airtightly connected to the transfer unit 1 via a vacuum gate valve 7, and the unload unit 3 is connected to the transfer unit 1 at a position facing the load unit 2 via a vacuum gate valve 8. . first processing unit 4,
The second processing unit 5 and the third processing unit 6 are arranged equidistantly from each other with a second handling mechanism 14 (described later) as the center, and a vacuum gate valve 9. iQ, connected to the transport unit 1 via 11.

次に、搬送ユニット1、ロードユニット2、アンロード
ユニット3、第1処理ユニツト4、第2処理ユニツト5
、第3処理ユニツト6、それぞれについて説明する。
Next, the transport unit 1, the loading unit 2, the unloading unit 3, the first processing unit 4, and the second processing unit 5
, and the third processing unit 6 will be explained.

搬送ユニット1の真空容器12内のロードユニット2と
アンロードユニット3との中間位置に第】−ハンドリン
グユニツ1〜13を設け、又第1処理ユニツト4、第2
処理ユニツト5、第3処理ユニツト6の配置中心に第2
ハンドリングユニツト14を設ける。第1ハンドリング
ユニツト13と第2ハンドリングユニツト14の間で、
第1ハンドリングユニツト13側から貯留ステージ15
、光学式センサユニット16、アラインメントユニット
17を配設する。
Handling units 1 to 13 are provided at intermediate positions between the loading unit 2 and the unloading unit 3 in the vacuum container 12 of the transfer unit 1, and the first processing unit 4 and the second
The second processing unit 5 and the third processing unit 6 are located at the center of the arrangement.
A handling unit 14 is provided. Between the first handling unit 13 and the second handling unit 14,
Storage stage 15 from the first handling unit 13 side
, an optical sensor unit 16, and an alignment unit 17 are provided.

前記第1ハンドリングユニツト13は第6図に示される
様に駆動機構を収納する本体18と、該本体18に回転
可能に設けられた回転座19と、該回転座19に回転可
能に設けた第1アーム20と、該第1アーム20に回転
可能に設けた第2アーム21と、該第2アーム21に回
転可能に設けたグレトアーム22から成っており、前記
駆動機構は回転座19と各アーム20,21.22とを
それぞれ独立して駆動する様になっており、特に第1ア
ーム20、第2アーム21、プレートアーム22は相互
の協働によってプレートアーム22が直進運動をする様
になっている。
As shown in FIG. 6, the first handling unit 13 includes a main body 18 housing a drive mechanism, a rotating seat 19 rotatably provided on the main body 18, and a rotary seat 19 rotatably provided on the rotating seat 19. 1 arm 20, a second arm 21 rotatably provided on the first arm 20, and a gret arm 22 rotatably provided on the second arm 21, and the drive mechanism includes a rotary seat 19 and each arm. 20, 21, and 22 are driven independently, and in particular, the first arm 20, second arm 21, and plate arm 22 cooperate with each other so that the plate arm 22 moves in a straight line. ing.

次に、貯留ステージ15は、上段、中段、下段の3つの
位置にウェーハ23(第6図参照)を収納可能で且各位
置共ウェーハ23が通過可能な貯留カセット24を昇降
駆動機構25で昇降可能としな構成である。
Next, the storage stage 15 lifts and lowers the storage cassette 24, which can store the wafers 23 (see FIG. 6) in three positions: upper stage, middle stage, and lower stage, and allows the wafers 23 to pass through each position, using the lifting drive mechanism 25. This is a possible configuration.

前記光学式センサユニット16は、ウェーハ23、プレ
ートアーム22°が通過可能な空間28を有すると共に
ウェーハ23の外周と同一径を有する円周上に発光ダイ
オード、フォトトランジスタ等の投光素子、受光素子2
6a、 26b、 26c、 26dを4対、更にセン
サユニット16の中心に1対27、それぞれウェーハ2
3の通過路を挾んで設ける。
The optical sensor unit 16 has a space 28 through which the wafer 23 and the plate arm 22° can pass, and has a light emitting element such as a light emitting diode, a phototransistor, and a light receiving element on a circumference having the same diameter as the outer circumference of the wafer 23. 2
Four pairs of 6a, 26b, 26c, and 26d, and one pair 27 at the center of the sensor unit 16, each with a wafer 2
3 passing paths are provided in between.

又、前記アラインメントユニット17はウェーハ載置盤
29を回転させ且昇降させる機能を有している。
Further, the alignment unit 17 has the function of rotating and raising/lowering the wafer mounting plate 29.

更に、第2ハンドリングユニツト14は第1ハンドリン
グユニツト13と同様な構成であり、相違するところは
、プレートアーム22゛が前記ウェーハ載置盤29と干
渉しない様切欠部30が設けられている。
Further, the second handling unit 14 has the same structure as the first handling unit 13, except that a notch 30 is provided so that the plate arm 22' does not interfere with the wafer mounting plate 29.

前記ロードユニット2は第3図、第4図に示される様に
真空容器の中にウェーハカートリッジ31の姿勢を90
°交換する支持回転機構32と、該支持回転機構32を
上昇降する為の昇降81横33(第5図)を具備してお
り、真空容器にはウェーハカートリッジ31を出入れ可
能な開口部と該開口部を開閉し、閉状態では気密を保持
できるる蓋(いずれも図示せず)が設けられている。
The load unit 2 maintains the posture of the wafer cartridge 31 in the vacuum container at a 90° angle as shown in FIGS. 3 and 4.
° It is equipped with a support rotation mechanism 32 to be replaced and a lift 81 horizontal 33 (FIG. 5) for raising and lowering the support rotation mechanism 32, and the vacuum container has an opening through which the wafer cartridge 31 can be taken in and taken out. A lid (both not shown) is provided that can open and close the opening and maintain airtightness in the closed state.

支持回転機構32の昇降基板34には軸35が回転自在
に設けられ、該軸35にL字状の回転基板36が固着し
ており、軸35をモータ等所要の手段で回転することに
よりウェーハカートリッジ31の姿勢が変更される様に
なっている。
A shaft 35 is rotatably provided on the lifting board 34 of the support rotation mechanism 32, and an L-shaped rotating board 36 is fixed to the shaft 35. By rotating the shaft 35 with a required means such as a motor, the wafer can be moved. The attitude of the cartridge 31 is changed.

次に、前記昇降機構33を説明する。Next, the elevating mechanism 33 will be explained.

真空容器の底板37にガイドロッド38を下方に向って
垂直に設け、該ガイドロッド38下端に台座39を固着
し、該ガイドロッド38には軸受40を介してスライダ
41を摺動自在に設ける。前記台座39には前記ガイド
ロッド38と平行にスクリューロッド42を回転自在に
設けてあり、該スクリューロッド42はウオームギア4
3を介してモータ44によって回転される様になってい
ると共に前記スライダ41に設けたナツト45と螺合し
ている。
A guide rod 38 is provided vertically downward on the bottom plate 37 of the vacuum container, a pedestal 39 is fixed to the lower end of the guide rod 38, and a slider 41 is slidably provided on the guide rod 38 via a bearing 40. A screw rod 42 is rotatably provided on the pedestal 39 in parallel with the guide rod 38, and the screw rod 42 is connected to the worm gear 4.
3 and is rotated by a motor 44, and is screwed into a nut 45 provided on the slider 41.

又、前記台座39にはスクリューロッド42を気密に覆
う中空の支柱46を前記底板37を遊貫せしめて立設し
、更に支柱46の周囲はベローズ47によって気密に覆
う。
A hollow support 46 that airtightly covers the screw rod 42 is erected on the pedestal 39 so as to loosely pass through the bottom plate 37, and the periphery of the support 46 is airtightly covered by a bellows 47.

而I7て、モータ44を駆動させることにより、ウオー
ムギア43を介してスクリューロッド42を回転させ得
、スライダ41即ち支持回転機構32を昇降させ得る様
になっている。
By driving the motor 44, the screw rod 42 can be rotated via the worm gear 43, and the slider 41, that is, the support rotation mechanism 32 can be raised and lowered.

前記第1処理ユニツト4、第2処理ユニツト5、第3処
理ユニ・〉・トロは路間−の構成を有しているので以下
は第1処理ユニツト4について説明する。
Since the first processing unit 4, the second processing unit 5, the third processing unit, etc. have an intermediate configuration, the first processing unit 4 will be explained below.

第1処理ユニツト4は前記した様に真空容器で内部か気
密となる様構成されており、該第1処理ユニツト4の内
部と前記搬送ユニット1の内部とは真空ゲート弁9を介
して連通ずる。
As described above, the first processing unit 4 is a vacuum container and is configured to be airtight inside, and the inside of the first processing unit 4 and the inside of the transfer unit 1 are communicated via the vacuum gate valve 9. .

第1処理ユニツト4の中心部にはウェーハ支持機構48
が設81られている。該ウェーハ支持機構48について
は特に詳述1〜ないが、3点又は4点でウェーハを支持
するウェーハ支持ビンを有し、該ウェーハ支持ビンは昇
降可能となっている。又、49は排気ユニットを示す。
A wafer support mechanism 48 is located in the center of the first processing unit 4.
81 has been established. The wafer support mechanism 48 will not be described in detail, but it has wafer support bins that support wafers at three or four points, and the wafer support bins can be moved up and down. Further, 49 indicates an exhaust unit.

以下作動を説明する。The operation will be explained below.

搬送ユニット1に連設する各処理ユニット4゜5.6は
該ウェーハ処理装置に要求される所望の処理、例えば、
ドライエツチング、CVD、PVD(物理蒸着)等の処
理を行い得るものを選定しておく。
Each processing unit 4゜5.6 connected to the transfer unit 1 performs desired processing required for the wafer processing apparatus, for example,
A material that can be subjected to treatments such as dry etching, CVD, and PVD (physical vapor deposition) is selected in advance.

各真空ゲート弁7,8,9,10.11を閉じ、各処理
ユニット4,5.6を排気ユニット49により真空雰囲
気とし、又搬送ユニット1についても図示しない排気・
給気ユニットによって真空雰囲気としておく。
Each vacuum gate valve 7, 8, 9, 10.11 is closed, each processing unit 4, 5.6 is brought into a vacuum atmosphere by an exhaust unit 49, and the transport unit 1 is also subjected to an exhaust gas (not shown).
A vacuum atmosphere is created by the air supply unit.

該ウェーハ処理装置を稼動させる為の準備として、ロー
ドユニット2には未処理のウェーハ23を装填したウェ
ーハカートリッジ31を装入し、アンロードユニット3
には空のウェーハカーI・リッジ31を装入する。ロー
ドユニット2.アンロードユニット3ともに気密に密閉
し、図示しない排気・給気ユニットで内部を真空とする
In preparation for operating the wafer processing apparatus, a wafer cartridge 31 loaded with unprocessed wafers 23 is loaded into the load unit 2, and the unload unit 3
An empty wafer car I-ridge 31 is loaded into the wafer car. Load unit 2. The unload unit 3 is hermetically sealed, and the inside is evacuated by an exhaust/air supply unit (not shown).

内部が真空となったところで真空ゲート弁1,8を開け
る。
When the inside becomes vacuum, the vacuum gate valves 1 and 8 are opened.

ロードユニット2、アンロードユニット3を真空引して
いる間に、第3図の状態から第4図の状態へとウェーハ
カートリッジ31の姿勢を所要の手段で軸35を回転さ
せ変更させておく、これは、ウェーハ23の運搬にはウ
ェーハカートリッジ31よりウェーハ23が脱落しない
様、ウェーハの差入れ口が上になる様にして運ぶが、ウ
ェーハ処理装置でのウェーハ23のハンドリングの方向
が水平方向であることによる。
While the loading unit 2 and unloading unit 3 are being evacuated, the attitude of the wafer cartridge 31 is changed from the state shown in FIG. 3 to the state shown in FIG. 4 by rotating the shaft 35 by a necessary means. This is because the wafer 23 is transported so that the wafer 23 does not fall out of the wafer cartridge 31, with the wafer insertion port facing upward, but the direction in which the wafer 23 is handled in the wafer processing equipment is horizontal. It depends.

第1ハンドリングユニツト13のグレートアーム22の
運動方向がロードユニット2に対し進退する様に回転座
19を回転させ位置決めする。又、昇降機構33は、所
望位置例えば最上段のウェーハ23が取出せる様プレー
トアーム22の垂直方向の位置が最上段のウェーハと2
段目のウェーハとの間となる様、モータ44を駆動して
ウェーハカートリッジ31の位置決めをする。
The rotary seat 19 is rotated and positioned so that the direction of movement of the great arm 22 of the first handling unit 13 moves forward and backward relative to the load unit 2. Further, the lifting mechanism 33 is arranged such that the vertical position of the plate arm 22 is aligned with the top wafer 23 so that the top wafer 23 can be taken out at a desired position, for example, the top wafer 23.
The motor 44 is driven to position the wafer cartridge 31 so that it is between the wafer cartridge 31 and the wafer in the tier.

次に、第1アーム20、第2アーム21、プレートアー
ム22を協働させてプレートアーム22を前記ウェーハ
カートリッジ31に挿入する。プレートアーム22が挿
入されると昇降機構33によってウェーハカートリッジ
31を若干下げ最上段のウェーハ23をプレートアーム
22上に載置せしめる。
Next, the first arm 20, the second arm 21, and the plate arm 22 cooperate to insert the plate arm 22 into the wafer cartridge 31. When the plate arm 22 is inserted, the wafer cartridge 31 is slightly lowered by the lifting mechanism 33 so that the uppermost wafer 23 is placed on the plate arm 22.

第1アーム20、第2アーム21、プレートアーム22
の協働でプレートアーム22を後退させウェーハ23を
カートリッジ31より引出す9回転座19を90”回転
させプレートアーム22が貯留ステージ15に向って進
退する様にする。
First arm 20, second arm 21, plate arm 22
The nine-turn seat 19, which moves the plate arm 22 backward and pulls out the wafer 23 from the cartridge 31, is rotated 90'' so that the plate arm 22 moves forward and backward toward the storage stage 15.

貯留ステージ15の昇降駆動機構25はウェーハ23が
貯留カセット24の所定の段、例えば最上段に挿入され
る様貯留カセット24の上下方向の位置決めをしておく
The elevating and lowering drive mechanism 25 of the storage stage 15 positions the storage cassette 24 in the vertical direction so that the wafer 23 is inserted into a predetermined stage of the storage cassette 24, for example, the top stage.

第1ハンドリングユニツト13によってウェーハ23を
貯留カセット24の最上段に挿入した後、昇降駆動機構
25は貯留カセット25を若干上昇させ、ウェーハ23
を貯留カセット25で保持する。
After the first handling unit 13 inserts the wafer 23 into the uppermost stage of the storage cassette 24, the lifting drive mechanism 25 slightly raises the storage cassette 25, and the wafer 23
is held in the storage cassette 25.

第1ハンドリングユニツト13のプレートアーム22を
後退させる。
The plate arm 22 of the first handling unit 13 is moved back.

第2ハンドリングユニツト14のプレートアーム22°
を貯留カセット24に挿入し、その状態で昇降駆動機構
25で貯留カセット24を若干下げ、ウェーハ23をプ
レートアーム22゛に移載する。
Plate arm 22° of second handling unit 14
is inserted into the storage cassette 24, and in this state, the storage cassette 24 is slightly lowered by the elevating drive mechanism 25, and the wafer 23 is transferred to the plate arm 22'.

第2ハンドリングユニツト14はプレートアーム22°
をウェーハ23の中心がアラインメントユニット17の
中心と一致する位置迄後退させる。
The second handling unit 14 has a plate arm 22°
is retracted to a position where the center of the wafer 23 coincides with the center of the alignment unit 17.

この位置では光学式センサユニット16がウェーハ23
の周縁を検出し得るようになっており、投・受光素子2
6a、 26b、 26c、 26dの周縁検出結果が
同一状態となった時にウェーハ23の中心とアラインメ
ントユニット17との中心が合致したと判断されウェー
ハ23の水平方向の位置合せが完了するが、各校・受光
素子の検出結果が同一状態でない場合は、グレートアー
ム22°の水平方向の移動によって水平方向の位置合せ
を行う。
In this position, the optical sensor unit 16 is connected to the wafer 23.
The peripheral edge of the light emitting/receiving element 2 can be detected.
When the peripheral edge detection results of 6a, 26b, 26c, and 26d are the same, it is determined that the center of the wafer 23 and the center of the alignment unit 17 match, and the horizontal alignment of the wafer 23 is completed. - If the detection results of the light receiving elements are not in the same state, horizontal alignment is performed by horizontally moving the great arm 22°.

水平方向の位置合せ後回転方向の位置合せはウェーハ載
置盤29を上昇させ ウェーハ載置盤29でウェーハ23を回転させ、投・受
光素子27でウェーハ23の切欠部23aを検出するこ
とで行う0例えば、投・受光素子27の行路がウェーハ
23によって遮断されていない回転角度を求めれば、切
欠部23aの中心位置即ちウェーハ23の回転方向の位
置を検出し得、位置合せを行うことができる。このアラ
インメントユニット17の作用により他のユニットに於
けるウェーハのアラインメント機能を省略できる。
After alignment in the horizontal direction, alignment in the rotational direction is performed by raising the wafer placement plate 29, rotating the wafer 23 on the wafer placement plate 29, and detecting the notch 23a of the wafer 23 with the light emitting/receiving element 27. For example, if the rotation angle at which the path of the light emitting/receiving element 27 is not blocked by the wafer 23 is determined, the center position of the notch 23a, that is, the position in the rotational direction of the wafer 23 can be detected, and alignment can be performed. . Due to the function of this alignment unit 17, the wafer alignment function in other units can be omitted.

ウェーハ23のアラインメントが完了すると再びプレー
トアーム22゛によってウェーハ23を受取る。
When the alignment of the wafer 23 is completed, the wafer 23 is received again by the plate arm 22'.

ウェーハ23を処理する順序が第1処理ユニツト4、第
2処理ユニツト5、第3処理ユニツト6の順に行われる
とすると第1処理ユニツト4の内部4を真空とし、真空
ゲート弁9を開け、第2ハンドユニツト14でウェーハ
23ヲウエーハ支持機梢48上迄移動させ、ウェーハ支
持機構48はウェーハ支持ピン(図示せず)を上昇させ
つ工−ハ23を保持する。
Assuming that the wafer 23 is processed in the order of the first processing unit 4, second processing unit 5, and third processing unit 6, the interior 4 of the first processing unit 4 is evacuated, the vacuum gate valve 9 is opened, and the The two-hand unit 14 moves the wafer 23 onto the wafer support mechanism 48, and the wafer support mechanism 48 raises wafer support pins (not shown) to hold the wafer 23.

第2ハンドリングユニツト14がプレートアーム22°
を後退させた後真空ゲート弁9が閉じられ、排気ユニッ
ト49と図示しないガス供給ユニットで第1処珠ユニツ
ト4の内部が処理に必要な雰囲気とされ、所定のウェー
ハ処理が行われる。
The second handling unit 14 has a plate arm 22°
After retracting the wafer, the vacuum gate valve 9 is closed, and the exhaust unit 49 and a gas supply unit (not shown) create an atmosphere necessary for processing inside the first processing unit 4, and predetermined wafer processing is performed.

第1処理ユニツト4でのウェーハ処理が完了すると第1
処理ユニツト4及び第2処理ユニツト5の内部が真空に
され、真空ゲート弁9,10が開かれ、第2ハンドリン
グユニツト14と第1、第2処理ユニツトのウェーハ支
持機構48.48との協働によって、ウェーハ23を第
1処理ユニツト4から第2処理ユニツト5へと移動する
When the wafer processing in the first processing unit 4 is completed, the first
The interiors of the processing unit 4 and the second processing unit 5 are evacuated, the vacuum gate valves 9, 10 are opened, and the second handling unit 14 cooperates with the wafer support mechanisms 48, 48 of the first and second processing units. , the wafer 23 is moved from the first processing unit 4 to the second processing unit 5.

第2処理ユニツト5の真空ゲート弁10が閉じられ、排
気ユニット49と図示しないガス供給ユニットで第2処
理ユニツト4の内部が処理に必要な雰囲気とされ、所定
めウェーハ処理が行われる。
The vacuum gate valve 10 of the second processing unit 5 is closed, and the inside of the second processing unit 4 is made into an atmosphere necessary for processing by the exhaust unit 49 and a gas supply unit (not shown), and a predetermined wafer processing is performed.

空きとなった第1処理ユニツトには前述したと同様の作
動でロードユニット2よりウェーハ23を取出し、第1
処理ユニツト4へ装入する。
In the vacant first processing unit, the wafer 23 is taken out from the load unit 2 in the same manner as described above, and the wafer 23 is placed in the first processing unit.
Charge to processing unit 4.

第2処理ユニツト5でウェーハ処理が終ると、第1処理
ユニツト4から第2処理ユニツト5ヘウエーハ23を移
動させたのと同様の作動で第3処理ユニツト6ヘウエー
ハ23を移動する。
When the wafer processing is completed in the second processing unit 5, the wafer 23 is moved to the third processing unit 6 in the same manner as the wafer 23 was moved from the first processing unit 4 to the second processing unit 5.

第3処理ユニツト6でのウェーハ処理が終ると第2ハン
ドリングユニツト14で処理完了のウェーハ23を取出
し、貯留ステージ15の貯留カセット24へ収納せしめ
る。この収納位置は未処理ウェーハ23との干渉を避け
る為、例えば3段目とする。更に、処理完了のウェーハ
23は第1ハンドリングユニツト13によって貯留ステ
ージ15より取出され、アンロードユニット3の昇降機
構33との協働により、ウェーハカートリッジ31へと
収納される。
When the wafer processing in the third processing unit 6 is completed, the processed wafer 23 is taken out by the second handling unit 14 and stored in the storage cassette 24 of the storage stage 15. In order to avoid interference with the unprocessed wafer 23, this storage position is set, for example, to the third stage. Further, the processed wafer 23 is taken out from the storage stage 15 by the first handling unit 13 and stored in the wafer cartridge 31 in cooperation with the lifting mechanism 33 of the unloading unit 3.

以上述べた如く、未処理のウェーハ23がロードユニッ
ト2より第1ハンドリングユニツト13より取出され、
順次供給されると共に各処理が終了毎に次行程への処理
へと第2ハンドリングユニツト14によって順次送られ
、更に処理完了のものはアンロードユニット3へ収納さ
れる。
As described above, the unprocessed wafer 23 is taken out from the load unit 2 and the first handling unit 13,
They are sequentially supplied, and each time each process is completed, they are sequentially sent to the next process by the second handling unit 14, and those that have been processed are stored in the unload unit 3.

これら、ウェーハの各ユニット間の移動は搬送ユニット
1を経て行われ、しかも真空中で行われる。
These movements of wafers between each unit are performed via the transport unit 1, and moreover, are performed in vacuum.

尚、1つの処理から次の処理へ移動する際に再度アライ
ンメントが必要な場合にはアラインメントユニット17
へ戻され、或は1つの処理から前の処理へ戻す場合もあ
り、この場合直接戻してもよく或は前処理中で処理ユニ
ットにウェーハが残っている場合等では一旦貯留ステー
ジ15に中継させる様にしてもよい、この時は、貯留カ
セット24で収納場所を2段目とすれば、未処理ウェー
ハ、処理完了ウェーハ等と干渉しないので好都合である
In addition, if alignment is required again when moving from one process to the next, the alignment unit 17
, or may be returned from one process to the previous process. In this case, it may be returned directly, or if there are wafers remaining in the processing unit during preprocessing, the wafers may be temporarily relayed to the storage stage 15. In this case, it is convenient to set the storage location to the second stage of the storage cassette 24 because it will not interfere with unprocessed wafers, processed wafers, etc.

又、上記実施例では貯留カセットのウェーハ収納段数を
3段としたが5.2段としても4段以上としても勿論か
まわない、収納段数を複数段とするとバッファ機能を発
揮し、各ユニットに於ける処理時間等によって生じるハ
ンドリング時期のずれによって生じるロスタイムを吸収
でき効率が上がる。
In addition, in the above embodiment, the number of wafer storage stages of the storage cassette was set to three, but it is of course possible to set the number of wafer storage stages to 5.2 stages, four stages or more. The loss time caused by the difference in handling timing caused by the processing time etc. can be absorbed, increasing efficiency.

更に、ウェーハの移動経路についても効率、処理手順を
考慮して適宜決定すればよく、ロードユニット、アンロ
ードユニットについてもその機能を固定する必要がなく
、ロードユニットから取出し処理完了したものをロード
ユニットへ戻すようにしてもよい、更に、本装置を生産
ラインの途中に設ければラインに沿って流れてくるウェ
ーハを処理することになるので上記した如き構成のロー
ドユニ、ット、アンロードユニットは必要なくなる。
Furthermore, the movement path of the wafer can be determined appropriately considering efficiency and processing procedures, and there is no need to fix the functions of the loading unit and unloading unit. Furthermore, if this device is installed in the middle of the production line, it will process the wafers flowing along the line, so the load unit, unit, and unload unit with the above-mentioned configuration will be It will no longer be necessary.

又、上記実施例では処理ユニットを3組設けたが、2組
であってもよい、或は搬送ユニットの処理ユニットが設
けられる部分の形状を5角形、6角形として処理ユニッ
トを4M、5組設けてもよい、更に、ハンドリングユニ
ットを直線的に3組以上設け、各ハンドリングユニット
間に貯留ステージを設け、増設したハンドリングユニッ
トに対応させ各種ユニットを増設させてもよい。
Further, in the above embodiment, three sets of processing units are provided, but two sets may be used, or the shape of the portion of the transport unit where the processing units are provided is pentagonal or hexagonal, and the number of processing units is 4M or 5 sets. Furthermore, three or more sets of handling units may be provided in a straight line, a storage stage may be provided between each handling unit, and various units may be added to correspond to the added handling units.

更に又、ハンドリングユニットに昇降機能を付加すれば
、ロードユニット、アンロードユニット、貯留ステージ
、ウェーハ支持機構に設けた昇降a!楕は省略すること
ができる。
Furthermore, if a lifting function is added to the handling unit, the loading unit, unloading unit, storage stage, and wafer support mechanism can be lifted and lowered. Ovals can be omitted.

その池水発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変更を加え
得ることは言うまでもない。
It goes without saying that various changes can be made without departing from the gist of the invention.

[発明の効果] 以上述べた如く本発明によれば下記の優れた効果を発揮
する。
[Effects of the Invention] As described above, the present invention exhibits the following excellent effects.

(1)処理方式は枚葉方式であるのでウェーハの大型化
に対応できると共に品質にバラツキがなく高品質の処理
か可能である。
(1) Since the processing method is a single wafer method, it is possible to cope with larger wafers, and it is possible to perform high-quality processing without variations in quality.

(11)−度にa数の処理を行うので高スルーグツトが
得られる。
(11) High throughput can be obtained because the processing is performed for a number of times.

国)ウェーハの移動は常に真空状態で行われるので、各
処理間での汚染を防止できると共にゴミの付着が防止で
き、高品質化を図れ、不良品発生率を大幅に低減できる
Since wafers are always moved in a vacuum, it is possible to prevent contamination between each process and the adhesion of dust, resulting in higher quality and a significant reduction in the incidence of defective products.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例を示す平面図、第2図は第1
図のA−A矢視図、第3図、第4図はロードユニット、
アンロードユニットの支持回転機構の斜視図、第5図は
ロードユニット、アンロードユニットの昇降機構を示す
説明図、第6図はハンドリングユニットの斜視図、第7
図はウェーハの斜視図である。 1は搬送ユニット、2はロードユニット、3はアンロー
ドユニット、4は第1処理ユニツト、5は第2処理ユニ
ツト、6は第3処理ユニット、7、8.9.10.11
は真空ゲート弁、13は第1ハンドリングユニツト、1
4は第2ハンドリングユニツト、15は貯留ステージ、
23はウェーハを示す。
Fig. 1 is a plan view showing one embodiment of the present invention, and Fig. 2 is a plan view showing an embodiment of the present invention.
The A-A arrow view in the figure, Figures 3 and 4 are load units,
FIG. 5 is an explanatory diagram showing the lifting and lowering mechanism of the loading unit and unloading unit; FIG. 6 is a perspective view of the handling unit; FIG.
The figure is a perspective view of a wafer. 1 is a transport unit, 2 is a load unit, 3 is an unload unit, 4 is a first processing unit, 5 is a second processing unit, 6 is a third processing unit, 7, 8.9.10.11
is a vacuum gate valve, 13 is a first handling unit, 1
4 is a second handling unit, 15 is a storage stage,
23 indicates a wafer.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1)内部を気密とし、該内部に複数のハンドリングユニ
ットを設け、ハンドリングユニットとハンドリングユニ
ットとの間にウェーハを一時収納する貯留ステージを設
けた搬送ユニットに前記ハンドリングユニットに対応さ
せウェーハ処理ユニット、ロードユニット等内部が気密
となる様構成した所要のユニットを真空ゲート弁を介し
て連設したことを特徴とするウェーハ処理装置。
1) A transfer unit with an airtight interior, a plurality of handling units provided therein, and a storage stage for temporarily storing wafers between the handling units is made to correspond to the handling unit, and a wafer processing unit and a load are provided. A wafer processing apparatus characterized in that necessary units configured to be airtight inside are connected via a vacuum gate valve.
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