JPH0287542A - Inspection device - Google Patents

Inspection device

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JPH0287542A
JPH0287542A JP63238749A JP23874988A JPH0287542A JP H0287542 A JPH0287542 A JP H0287542A JP 63238749 A JP63238749 A JP 63238749A JP 23874988 A JP23874988 A JP 23874988A JP H0287542 A JPH0287542 A JP H0287542A
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JP
Japan
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inspected
measured
signal
observed
magnetic
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Pending
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JP63238749A
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Japanese (ja)
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Toru Kobayashi
徹 小林
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Abstract

PURPOSE:To make it feasible to observe the electric signals inside an element to be inspected non-destructively and noncontactly by a method wherein the element is scanned on a focus point of a magnetic lens so that the electric signals and the channel status thereof may be observed three-dimensionally. CONSTITUTION:A specimen base 2 is properly shifted so that the part of an element to be inspected may be scanned relatively on the focus point of a magnetic lens 4. The analog current levels detected by respective superconductive detecting elements 41a-43a are binary-coded through an A/D converter 5 to be inputted to a signal processor 6. The signal processor 6 performs the specified analysis based on the scanning positions to be changed by the shifting specimen base 2 as well as the distribution status of the detected magnetic induction flux density conforming to the previously set up program so that the potentials and the variable currents in the wiring structure inside the element 3 to be inspected may be detected three-demensionally to be inputted to an output device 7 for the display as visible picture images. Through these procedures, the electric signals inside the element 3 to be inspected can be observed non- destructively and noncontactly.

Description

【発明の詳細な説明】 〔従来の技術〕 本発明は、検査技術に関し、特に、半導体集積回路装置
などの内部における電流や電圧などの電気信号の非接触
かつ非破壊的な観察に適用して有効な技術に関する。
[Detailed Description of the Invention] [Prior Art] The present invention relates to inspection technology, and is particularly applicable to non-contact and non-destructive observation of electrical signals such as current and voltage inside semiconductor integrated circuit devices. Concerning effective techniques.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

たとえば、半導体集積回路装置の内部の配線構造などに
おける電気信号を非接触に測定する技術としては、たと
えば、株式会社オーム社、昭和59年11月30日発行
、社団法人電子通信学会橘「LSIハンドブックJP6
65〜P666に記載されているように、電子ビームの
照射部位から発生する二次電子量が当該照射部位におけ
る電位に依存することを利用したEB試験装置が知られ
ている。
For example, as a technology for non-contact measurement of electrical signals in the internal wiring structure of a semiconductor integrated circuit device, for example, Ohmsha Co., Ltd., published on November 30, 1980, Tachibana, Institute of Electronics and Communication Engineers, "LSI Handbook" JP6
As described in 65 to 666, an EB test device is known that utilizes the fact that the amount of secondary electrons generated from a site irradiated with an electron beam depends on the potential at the irradiation site.

すなわち、目的の配線構造を露出させた状態で電子ビー
ムを照射し、照射部位から発生する二次電子の強度で輝
度変調された画像を観察することにより、目的の配線構
造の電位分布などを二次元画像として観測するものであ
る。
In other words, by irradiating an electron beam with the target wiring structure exposed and observing an image whose brightness is modulated by the intensity of secondary electrons generated from the irradiated area, the potential distribution of the target wiring structure can be determined. It is observed as a dimensional image.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

ところが、上記のような従来技術では、目的の観察部位
を電子ビームに対して露出させること力(必須であるた
め、たとえば、セラミックス?、(どで構成され、半導
体集積回路装置を搭載した状態:こある多層配線基板や
、半導体集積回路装置(こおける多層配線構造の下層部
の観察などは実際上困難であるという問題がある。
However, in the above-mentioned conventional technology, it is necessary to expose the target observation site to the electron beam (because it is necessary to expose the target observation site to the electron beam, for example, it is made of ceramics? There is a problem in that it is practically difficult to observe the lower layer of a multilayer wiring structure in a multilayer wiring board or a semiconductor integrated circuit device.

そこで、本発明の目的は、被検査物の内部)こおける電
気信号の観測を非接触かつ非破壊(こ行うことが可能な
検査技術を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, an object of the present invention is to provide an inspection technique that allows observation of electrical signals inside an object to be inspected in a non-contact and non-destructive manner.

本発明の前記ならびにその他の目的と新規i、(特徴は
、本明細書の記述および添付図面から明ら力1になるで
あろう。
The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description herein and the accompanying drawings.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
A brief overview of typical inventions disclosed in this application is as follows.

すなわち、本発明になる検査装置は、基板上に同心円状
に配置された複数の超伝導磁気検知素子と該超伝導磁気
検知素子のサンプリング出力を保持する電子回路とから
なり焦点に位置する被測定物における磁気的変化を検知
する磁気レンズと、この磁気レンズからアナログ信号と
して出力されるサンプリング出力をディジタル信号に変
換するアナログ−ディジタル変換手段と、ディジタル信
号を分析する信号処理手段と、ディジタル信号の分析結
果を可視化して出力する出力手段とを備え、被測定物に
対して焦点を走査することにより、当該被測定物の内部
における電気信号および電気信号の経路の状態を3次元
的に観察するようにしたものである。
That is, the inspection device according to the present invention includes a plurality of superconducting magnetic sensing elements concentrically arranged on a substrate and an electronic circuit that holds sampling outputs of the superconducting magnetic sensing elements, and a test device located at a focal point. A magnetic lens that detects magnetic changes in an object, an analog-to-digital converter that converts the sampling output output as an analog signal from the magnetic lens into a digital signal, a signal processing means that analyzes the digital signal, and a digital signal converter. The device is equipped with an output means for visualizing and outputting the analysis results, and by scanning the focus on the object to be measured, it is possible to three-dimensionally observe the state of the electrical signal and the path of the electrical signal inside the object to be measured. This is how it was done.

〔作用〕[Effect]

上記した本発明の検査技術によれば、被検査物の内部に
おける電流経路での電位や電流の経時的な変化に伴って
発生する磁気を媒介として観察を行うので、被検査物の
目的の観察部位が磁気的に透明な物質で阻蔽されている
場合には、たとえば、目的の観察部位を外部に露出させ
る1よどのために被検査物の一部を破壊する必要がなく
、被検査物の内部における電気信号および電気信号の経
路の観測を非接触かつ非破壊に行うことができる。
According to the above-described inspection technology of the present invention, observation is performed using magnetism generated as a result of changes in potential and current over time in the current path inside the object to be inspected, so that the object to be inspected is observed. If the area is magnetically blocked by a transparent material, there is no need to destroy a part of the object to be inspected, for example to expose the target observation area to the outside, and It is possible to observe electrical signals and electrical signal paths inside the device in a non-contact and non-destructive manner.

〔実施例〕〔Example〕

第1図は、本発明の一実施例である検査装置の要部を示
すブロック図であり、第2図は、その−部をさらに詳細
に示す説明図である。
FIG. 1 is a block diagram showing the main parts of an inspection apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is an explanatory diagram showing the negative part in more detail.

外部からの磁気的なノイズを遮断する磁気シールド室l
の内部には、水平面内の移動および上下動などが自在な
試料台2が設けられており、この試料台2の上には、た
とえば、半導体集積回路装置や、半導体集積回路装置が
搭載される多層配線基板などの被検査物3が着脱自在に
載置されるように構成されている。
Magnetic shield room that blocks external magnetic noise
A sample stage 2 is provided inside the sample stage 2, which can be moved freely in a horizontal plane and vertically.For example, a semiconductor integrated circuit device or a semiconductor integrated circuit device is mounted on this sample stage 2. It is configured such that an object to be inspected 3 such as a multilayer wiring board is placed thereon in a detachable manner.

この試料台2には、被測定物3の種別などに応じた図示
しないソケットなどが設けられており、半導体集積回路
装置などの被測定物3を通常の動作状態にする二とが可
能にされている。
This sample stage 2 is provided with a socket (not shown) depending on the type of the object to be measured 3, etc., and it is possible to put the object to be measured 3, such as a semiconductor integrated circuit device, into a normal operating state. ing.

試料台2の上方には、磁気レンズ4が設けられており被
検査物3の内部から発生する微弱な磁気が高感度に検出
されるように構成されている。
A magnetic lens 4 is provided above the sample stage 2 and is configured to detect weak magnetism generated from inside the object to be inspected 3 with high sensitivity.

すなわち、この磁気レンズ4は、たとえば、第2図に示
されるように、互いに重なり合う磁気的に透明な複数の
基板41,42.43の各々の上に、周知のフォ) +
Jソグラフィ技術などによって、超伝導物質からなる複
数の超伝導磁気検知素子41a、42a、43aを異な
る半径の円周上に配置するとともに、複数の超伝導磁気
検知素子41a〜43aの配置が同心円状になるように
基板41〜43を重ね合わせて構成されている。
That is, this magnetic lens 4 is, for example, as shown in FIG.
Using J-thography technology, etc., a plurality of superconducting magnetic sensing elements 41a, 42a, 43a made of superconducting materials are arranged on a circumference with different radii, and the plurality of superconducting magnetic sensing elements 41a to 43a are arranged in concentric circles. It is constructed by overlapping substrates 41 to 43 such that

そして、磁気レンズ4の焦点位置から個々の超伝導磁気
検知素子4ia、42a、43aまでの磁気信号の伝播
時間が等しくなるようにしたものである。
The propagation time of the magnetic signal from the focal position of the magnetic lens 4 to the individual superconducting magnetic sensing elements 4ia, 42a, and 43a is made equal.

また、特に図示しないが、個々の基板41.42.43
に配置された複数の超伝導磁気検知素子41a、42a
、43aの各々には、当該超伝導磁気検知素子を磁束が
横切る再に発生する電流を所定の時間間隔でサンプリン
グしてアナログ量として保持する働きをする電子回路が
、周知のフォトリングラフィ技術によって形成されてい
る。
Although not particularly shown, individual substrates 41, 42, 43
A plurality of superconducting magnetic sensing elements 41a, 42a arranged in
, 43a is equipped with an electronic circuit that functions to sample the current generated when the magnetic flux crosses the superconducting magnetic sensing element at a predetermined time interval and hold it as an analog quantity using well-known photolithography technology. It is formed.

また、これらの電子回路には、当該電子回路においてサ
ンプリングされたアナログ量の測定信号を2値化するA
/Dコンバータ5が接続されており、さらにこのA/D
コンバータ5には、たとえばマイクロプロセッサなどか
らなる信号処理装置6が接続されている。
In addition, these electronic circuits have an A that binarizes the analog measurement signal sampled in the electronic circuit.
/D converter 5 is connected, and this A/D converter 5 is also connected.
A signal processing device 6 consisting of, for example, a microprocessor is connected to the converter 5.

この信号処理装置6は、前記磁気レンズ4を構成する複
数の前記超伝導磁気検知素子41a、42a、43aに
対応する複数個の測定情報の時間的な変化などを解析す
ることにより、磁気レンズ4の焦点位置に位置する被測
定物3の内部の配線構造などにおける電流や電位などを
計測するものである。
This signal processing device 6 analyzes the temporal changes in a plurality of measurement information corresponding to the plurality of superconducting magnetic sensing elements 41a, 42a, and 43a constituting the magnetic lens 4. The current and potential in the internal wiring structure of the object to be measured 3 located at the focal point of the object 3 are measured.

また、信号処理装置6には、たとえば陰極線管やプリン
タなどからなる出力装置7が接続されており、当該信号
処理装置6において得られた被測定物3の内部における
電流経路などの三次元画像が表示されるように構成され
ている。
Further, an output device 7 consisting of, for example, a cathode ray tube or a printer is connected to the signal processing device 6, and a three-dimensional image such as a current path inside the object to be measured 3 obtained by the signal processing device 6 is displayed. configured to be displayed.

以下、本実施例の作用について説明する。The operation of this embodiment will be explained below.

まず、試料台2に半導体集積回路装置や、半導体集積回
路装置を搭載した多層配線基板などの被測定物3を通常
の状態のまま磁気レンズ4の焦点位置にセットする。
First, the object 3 to be measured, such as a semiconductor integrated circuit device or a multilayer wiring board on which the semiconductor integrated circuit device is mounted, is set on the sample stage 2 at the focus position of the magnetic lens 4 in its normal state.

その後、被測定物3を通常の動作状態にして、内部の図
示しない配線構造などに電気信号が流れるようにすると
もに、試料台2を適宜移動させることによって、磁気レ
ンズ4の焦点位置に対して被検査物3の目的の検査部位
を相対的に走査させる。
Thereafter, the object to be measured 3 is brought into a normal operating state so that an electrical signal flows through the internal wiring structure (not shown), and the sample stage 2 is moved appropriately so that the focus position of the magnetic lens 4 is adjusted. A target inspection region of the object 3 to be inspected is relatively scanned.

この時、当該被検査物3の内部を流れる電気信号によっ
て発生する磁束の一部は磁気レンズ4を横切り、磁気レ
ンズ4を構成する複数の超伝導磁気検知素子41a、4
2a、43aにはこの磁束によって電流が発生し、当該
超伝導磁気検知素子41a、42a、43aに接続され
ている図示しない電子回路は所定の周期のサンプリング
動作によってこの電流をアナログlとして検出し保持す
る。
At this time, a part of the magnetic flux generated by the electric signal flowing inside the object to be inspected 3 crosses the magnetic lens 4, and the plurality of superconducting magnetic sensing elements 41a, 4 forming the magnetic lens 4
A current is generated in 2a, 43a by this magnetic flux, and an electronic circuit (not shown) connected to the superconducting magnetic sensing elements 41a, 42a, 43a detects and holds this current as an analog l by sampling operation at a predetermined period. do.

本実施例では、複数の超伝導磁気検知素子41a、42
a、43aの各々におけるサンプリングの周期およびタ
イミングを互いに同期させることで検出感度を大きくす
る。
In this embodiment, a plurality of superconducting magnetic sensing elements 41a, 42
Detection sensitivity is increased by synchronizing the sampling period and timing of each of a and 43a.

そして、個々の超伝導磁気検知素子41a、42a、4
3aの各々において検出されたアナログ量の電流値は、
A/Dコンバータ5を経て2値化された後に信号処理装
置6に人力される。
Then, the individual superconducting magnetic sensing elements 41a, 42a, 4
The current value of the analog quantity detected in each of 3a is
After being binarized through the A/D converter 5, it is manually input to the signal processing device 6.

信号処理装置6は、あらかじめ設定されているプログラ
ムにより、試料台2の変位による走査位置および個々の
超伝導磁気検知素子41a、42a、43aにおいて検
出された磁束の強弱の分布状態などに基づいて所定の解
析動作を行い、被検査物3の内部における目的の図示し
ない配線構造における電位や電流の変化を三次元的に把
握して出力装置7に送出し、当該出力装置7に可視画像
として表示する。
The signal processing device 6 uses a preset program to determine a predetermined value based on the scanning position caused by the displacement of the sample stage 2 and the distribution state of the strength and weakness of the magnetic flux detected in the individual superconducting magnetic sensing elements 41a, 42a, and 43a. The analysis operation is performed to three-dimensionally understand the changes in potential and current in the target wiring structure (not shown) inside the object to be inspected 3, and send it to the output device 7, and display it as a visible image on the output device 7. .

そして、作業者はこの出力装置7に表示された画像によ
り、被検査物3の内部の配線構造などにおける通電の有
無や電位の変化などを観察し、たとえば被検査物3の内
部の図示しない配線構造における断線の有無や、当該被
検査物3の動作状態の可否などを調べる。
The operator then uses the image displayed on the output device 7 to observe the presence or absence of electricity and changes in potential in the wiring structure inside the object 3 to be inspected. The presence or absence of wire breakage in the structure and the operating state of the object to be inspected 3 are checked.

このように、本実施例によれば、被検査物3から発生す
る磁気を媒介として当該被検査物3の内部における配線
構造などでの電気信号の状態を知ることができるので、
目的の配線構造なとを露出させるために被検査物3の一
部を破断することなく、非接触かつ非破壊的に被検査物
3の内部における電気信号の観測を行うことができる。
In this way, according to this embodiment, the state of the electric signal in the wiring structure inside the object to be inspected 3 can be known through the magnetism generated from the object to be inspected 3.
Electric signals inside the object to be inspected 3 can be observed in a non-contact and non-destructive manner without breaking a part of the object to be inspected 3 to expose the intended wiring structure.

また、検査に先立って、被検査物3の一部を破断させる
などの煩雑な作業が不要となり、検査の所要時間が短縮
される。
Furthermore, it is not necessary to perform complicated work such as breaking a part of the object 3 to be inspected prior to the inspection, and the time required for the inspection is shortened.

さらに、被検査物3を破壊することなく検査を行うこと
ができるので、半導体集積回路装置などの被検査物3の
製造工程の一部に本実施例の検査装置を組み込む、いわ
ゆるインラインでの検査が可能となり、半導体集積回路
装置などの製造工程における生産性が向上する。
Furthermore, since the inspection can be performed without destroying the inspected object 3, the inspection apparatus of this embodiment is incorporated into a part of the manufacturing process of the inspected object 3 such as a semiconductor integrated circuit device, so-called in-line inspection. This makes it possible to improve productivity in the manufacturing process of semiconductor integrated circuit devices and the like.

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
Although the invention made by the present inventor has been specifically explained above based on Examples, it goes without saying that the present invention is not limited to the Examples and can be modified in various ways without departing from the gist thereof. Nor.

たとえば、上記の実施例中においては、被検査旬の一方
の側面にのみ磁気レンズを配置しているが、これに限ら
ず、被検査物を取り囲む位置に複数の磁気レンズを配置
してもよい。
For example, in the above embodiment, the magnetic lens is placed only on one side of the object to be inspected, but the invention is not limited to this, and a plurality of magnetic lenses may be placed at positions surrounding the object to be inspected. .

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本願において開示される発明のうち、代表的なものによ
って得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりで
5ある。
Among the inventions disclosed in this application, the effects obtained by typical ones are briefly explained below.

すなわち、本発明の検査装置は、基板上に同心円状に配
置された複数の超伝導磁気検知素子と該超伝導磁気検知
素子のサンプリング出力を保持する電子回路とからなり
焦点に位置する被測定物における磁気的変化を検知する
磁気レンズと、この磁気レンズからアナログ信号として
出力される前記サンプリング出力をディジタル信号に変
換するアナログ−ディジタル変換手段と、前記ディジタ
ル信号を分析する信号処理手段と、前記ディジタル信号
の分析結果を可視化して出力する出力手段とからなり、
前記被測定物に対して前記焦点を走査することにより、
当該被測定物の内部における電気信号および当該電気信
号の経路の状態を3次元的に観察するので、被検査物の
目的の観察部位が磁気的に透明な物質で隠蔽されている
場合には、たとえば、目的の観察部位を外部に露出させ
るなどのために被検査物の一部を破壊する必要がなく、
被検査物の内部における電気信号および電気信号の経路
の観測を非接触かつ非破壊に行うことができる。
That is, the inspection apparatus of the present invention includes a plurality of superconducting magnetic sensing elements concentrically arranged on a substrate and an electronic circuit that holds sampling outputs of the superconducting magnetic sensing elements, and the inspection apparatus is configured to detect an object to be measured located at a focal point. a magnetic lens for detecting a magnetic change in the magnetic lens; an analog-to-digital conversion means for converting the sampling output output as an analog signal from the magnetic lens into a digital signal; a signal processing means for analyzing the digital signal; It consists of an output means that visualizes and outputs the signal analysis results,
By scanning the focal point with respect to the object to be measured,
Since the state of the electrical signal and the path of the electrical signal inside the object to be measured is observed three-dimensionally, if the target observation area of the object to be inspected is hidden by a magnetically transparent material, For example, there is no need to destroy a part of the object to be inspected in order to expose the target observation area to the outside.
Electrical signals and electrical signal paths inside the object to be inspected can be observed in a non-contact and non-destructive manner.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の一実施例である検査装置の要部を示す
ブロック図、 第2図はその一部をさらに詳細に示す説明図である。 1・・・磁気シールド室、2・・・試料台、3・・・被
検査物、4・・・磁気レンズ、41〜43・・・基板、
41a〜43a・・・超伝導磁気検知素子、5・・・A
/Dコンノく一部、6・・・信号処理装置、7・・・出
力装置。 代理人 弁理士 小 川 勝 男、− 第2 41〜43:基板 41a〜43a:超伝導磁気検知素子
FIG. 1 is a block diagram showing the main parts of an inspection device that is an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is an explanatory diagram showing a part thereof in more detail. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Magnetic shield room, 2... Sample stage, 3... Test object, 4... Magnetic lens, 41-43... Substrate,
41a to 43a... superconducting magnetic sensing element, 5...A
/D controller part, 6...signal processing device, 7...output device. Agent: Patent Attorney Katsuo Ogawa, - 2nd 41-43: Substrates 41a-43a: Superconducting magnetic sensing element

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、基板上に同心円状に配置された複数の超伝導磁気検
知素子と該超伝導磁気検知素子のサンプリング出力を保
持する電子回路とからなり焦点に位置する被測定物にお
ける磁気的変化を検知する磁気レンズと、この磁気レン
ズからアナログ信号として出力される前記サンプリング
出力をディジタル信号に変換するアナログ−ディジタル
変換手段と、前記ディジタル信号を分析する信号処理手
段と、前記ディジタル信号の分析結果を可視化して出力
する出力手段とからなり、前記被測定物に対して前記焦
点を走査することにより、当該被測定物の内部における
電気信号および当該電気信号の経路の状態を3次元的に
観察するようにしたことを特徴とする検査装置。 2、前記被測定物の焦点位置において観察される電気信
号の時間的な変化を観測することを特徴とする請求項1
記載の検査装置。 3、前記被測定物が半導体集積回路装置であり、該半導
体集積回路装置の内部における電気信号を非接触かつ非
破壊で観察することを特徴とする請求項1または2記載
の検査装置。
[Claims] 1. An object to be measured located at a focal point, consisting of a plurality of superconducting magnetic sensing elements arranged concentrically on a substrate and an electronic circuit that holds sampling outputs of the superconducting magnetic sensing elements. a magnetic lens for detecting magnetic changes; an analog-to-digital conversion means for converting the sampling output output from the magnetic lens as an analog signal into a digital signal; a signal processing means for analyzing the digital signal; and a signal processing means for analyzing the digital signal. and an output means for visualizing and outputting the analysis results of the object to be measured, and by scanning the focal point with respect to the object to be measured, the state of the electric signal inside the object to be measured and the path of the electric signal can be visualized in three dimensions. 1. An inspection device characterized in that it is designed to perform a specific observation. 2. Claim 1, characterized in that temporal changes in the electrical signal observed at the focal position of the object to be measured are observed.
Inspection equipment as described. 3. The inspection apparatus according to claim 1 or 2, wherein the object to be measured is a semiconductor integrated circuit device, and the electrical signal inside the semiconductor integrated circuit device is observed in a non-contact and non-destructive manner.
JP63238749A 1988-09-26 1988-09-26 Inspection device Pending JPH0287542A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5489509A (en) * 1989-04-28 1996-02-06 Fujitsu, Ltd. Mask, mask producing method and pattern forming method using mask

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