JPH0282416A - Keyboard switch - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、コンピュータ、タイプライタ、ワードプロセ
ッサ等に利用されているキーボードスイッチに係わり、
特にキーボードスイッチを構成する各キースイッチに薄
膜ダイオードを配設してＮキーロールオーバー機能を持
たせたキーボードスイッチに関するものである。[Detailed Description of the Invention] [Field of Industrial Application] The present invention relates to a keyboard switch used in computers, typewriters, word processors, etc.
In particular, the present invention relates to a keyboard switch in which each key switch constituting the keyboard switch is provided with a thin film diode to provide an N-key rollover function.
（従来の技術〕
第５図に示すように、キーマトリクス構造のキーボード
スイッチは、複数本のドライブ線ＤＯ，Ｄｌ−・・と複
数本のセンス線ｓｏ、ｓｔ、・・・によってマトリクス
を構成し、画線の交点付近に各々キースイッチＡ、Ｂ、
Ｃ，Ｄ、−・・を設けた構成になっている。そして、１
−ライブ線ＤＯ１Ｄ ｌ 、−・・をスキャンし、その
時のセンスＩｓｏ。(Prior Art) As shown in Fig. 5, a keyboard switch with a key matrix structure has a matrix composed of a plurality of drive lines DO, Dl-, etc. and a plurality of sense lines SO, st,... , key switches A, B, near the intersection of the drawing lines, respectively.
The configuration includes C, D, . . . . And 1
- Scan the live lines DO1D l, -... and find the sense Iso at that time.
Ｓ ｔ 、 −・・のレベル変化を検出することによっ
て各キースイッチの０Ｎ−ＯＦＦを判定するようになっ
ている。By detecting level changes of S t , -..., it is determined whether each key switch is ON or OFF.
前述したキーボードスイッチにおいてキースイッチＡ、
Ｃ，Ｄを同時に押下した場合、ドライブ線Ｄ１とセンス
線ｓｏによってキースイッチＢをチエツクすると、第５
図中に矢印で示すようにキースイッチＡ、Ｃ，Ｄには電
流のまわり込みが発生ずるので、キースイッチＢは開放
されているにもかかわらず押下されているとみなされて
しまう。In the keyboard switch described above, key switch A,
When C and D are pressed at the same time, when key switch B is checked by drive line D1 and sense line so, the fifth
As indicated by the arrows in the figure, current flows around the key switches A, C, and D, so that the key switch B is considered to be pressed even though it is open.
そこて、従来のキーボードスイッチにおいては、第６図
に示すように、各キースイッチＡ。Therefore, in the conventional keyboard switch, as shown in FIG. 6, each key switch A.
Ｂ、Ｃ，Ｄ、・・・に個別て独立したダイオードを各々
直列に挿入し、電流のまわり込みを防止していた。（こ
の機能をＮキーロールオーバー機能という。）
〔発明か解決しようとする課題〕
Ｎキーロールオーバー機能を付加するために従来のキー
ホードスイッチに使用されていたダイオードは個別で独
立したダイオードてあった。そのため従来は次のような
問題点があった。Individual diodes were inserted in series with B, C, D, . . . to prevent current from flowing around. (This function is called the N-key rollover function.) [Problem to be solved by the invention] In order to add the N-key rollover function, the diodes used in conventional key fob switches are individual and independent diodes. Ta. Therefore, conventional methods have had the following problems.
（１）キーボードスイッチを構成する各キースイッチが
メカニカルスイッチである場合には、該メカニカルスイ
ッチの一部を構成するプリントサーキットボード（ＰＣ
Ｂと略称する。）上にダイオードを取付けることになり
、ＰＣＢが厚くなって薄形キーボードスイッチには適さ
なくなる。(1) If each key switch that makes up the keyboard switch is a mechanical switch, the printed circuit board (PC) that makes up a part of the mechanical switch
It is abbreviated as B. ), which makes the PCB thicker and unsuitable for thin keyboard switches.
（２）一般にキーボードスイッチにはキースイッチが１
００個程６ついており、ダイオードも同数だけ付ける必
要があるので、アセンブリが容易でなかった。(2) Generally, a keyboard switch has one key switch.
It was not easy to assemble because there were about 600 diodes and the same number of diodes had to be attached.
（３）キーホードスイッチを構成する各キースイッチが
メンブレンスイッチである場合、メンブレンスイッチは
薄いので接点が設けられたフレキシブルプリント基板に
は厚さの大きなダイオードを接点ごとに個々に取付ける
ことはできない。そのため、別基板を用意して、そこに
個別のグイオートを設け、前記フレキシブルプリント基
板上の各接点と配線で接続していた。しかし、このよう
な構成によれば、別基板との接続のためにフレキシブル
プリント基板上の配線の引き回しが複雑になり、別基板
とメンブレンスイッチを一体にして構成したキーボード
スイッチ全体の厚みが太きくなってしまうという問題か
あった。(3) When each key switch that makes up the keychain switch is a membrane switch, the membrane switch is thin, so thick diodes cannot be individually attached to each contact on the flexible printed circuit board on which the contacts are provided. Therefore, a separate board is prepared, individual guides are provided thereon, and each contact point on the flexible printed board is connected by wiring. However, with this configuration, wiring on the flexible printed circuit board becomes complicated for connection to a separate board, and the overall thickness of the keyboard switch, which is constructed by integrating a separate board and a membrane switch, becomes thicker. There was a problem with it becoming.
（課題を解決するための手段〕
前述の課題を解決するため、本発明のキーボードスイッ
チは、キーボードスイッチを構成する各キースイッチの
少なくとも一方の接点が薄膜ダイオードで形成されてい
ることを特徴としている。(Means for Solving the Problems) In order to solve the above-mentioned problems, the keyboard switch of the present invention is characterized in that at least one contact point of each key switch constituting the keyboard switch is formed of a thin film diode. .
または、キーボードスイッチを構成する各キースイッチ
の少なくとも一方の接点に、薄膜ダイオードを直列に接
続するようにしてもよい。Alternatively, a thin film diode may be connected in series to at least one contact point of each key switch constituting the keyboard switch.
また、節述のようなキーボードスイッチにおいて、前記
キースイッチをメンブレンスイッチとしてもよいし、あ
るいはその接点の少くとも一方がプリントサーキットボ
ード上に設けられているメカニカルスイッチをキースイ
ッチとして用いてもよい。Furthermore, in the keyboard switch as described above, the key switch may be a membrane switch, or a mechanical switch in which at least one of its contacts is provided on a printed circuit board may be used as the key switch.
キーボードスイッチにＮキーロールオーバー機能を付加
するために薄膜ダイオードを利用すれば、多数のキース
イッチのそれぞれにダイオードを容易に配設することが
でき、キーボードスイッチの厚さを増すこともない。If a thin film diode is used to add an N-key rollover function to a keyboard switch, a diode can be easily installed in each of a large number of key switches without increasing the thickness of the keyboard switch.
（実施例〕 本発明の実施例を第１図〜第４図によって説明する。(Example〕 Embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 4.
第１図は第１実施例の分解斜視図、第２図は同実施例の
要部拡大断面図である。この実施例では、キーボードス
イッチを構成するキースイッチにメンブレンスイッチを
用いている。メンブレンスイッチは、第１図に示すよう
に、ポリエステル等のプラスチック材料よりなる上側フ
ィルム１と下側フィルム２を絶縁性のスペーサ３を間に
して一体としたものである。そして下側フィルム２の上
面に形成された一方の接点５と、上側フィルｂ１の下面
に形成された他方の接点４とは、スペーサ３に形成され
た孔６を介して対向している。上側フィルム１の上方に
は、キーボードスイッチに設けられた各キーのキーステ
ム７が各接点４．５に対応してそれぞれ配設されており
、前記接点４．５はキーステム７の下端に押圧されて互
いに接触するようになっている。FIG. 1 is an exploded perspective view of a first embodiment, and FIG. 2 is an enlarged sectional view of a main part of the same embodiment. In this embodiment, a membrane switch is used as a key switch constituting a keyboard switch. As shown in FIG. 1, the membrane switch is constructed by integrating an upper film 1 and a lower film 2 made of a plastic material such as polyester with an insulating spacer 3 in between. One contact 5 formed on the upper surface of the lower film 2 and the other contact 4 formed on the lower surface of the upper film b1 face each other via a hole 6 formed in the spacer 3. Above the upper film 1, a key stem 7 of each key provided on the keyboard switch is arranged corresponding to each contact 4.5, and the contact 4.5 is pressed against the lower end of the key stem 7. are coming into contact with each other.
本実施例においては、キースイッチであるメンブレンス
イッチの一方の接点５が、有機ＰＮ接合型である薄膜ダ
イオード１５にようて構成されている。即ち第２図に示
すように、下側フィルム２の上面に形成されたアルミ配
線８の上には、Ｎｉ層９及びＡｕ層（ｐｔ層でもよい。In this embodiment, one contact 5 of a membrane switch, which is a key switch, is configured as a thin film diode 15 of an organic PN junction type. That is, as shown in FIG. 2, on the aluminum wiring 8 formed on the upper surface of the lower film 2, there is a Ni layer 9 and an Au layer (a PT layer may also be used).
）１０より成る電極１１が設けられている。この電極１
１は、例えばポリピロールより成るｐ型層１２によって
覆われており、該ｐ型層１２は例えばポリチオフェンよ
り成るｎ型層１３に覆われている。そして、ｎ型層１３
の上面にはＩ ｎ、 Ａ１１．、黒鉛等より成る電極１
４が設けられている。) 10 is provided. This electrode 1
1 is covered with a p-type layer 12 made of polypyrrole, for example, and the p-type layer 12 is covered with an n-type layer 13 made of polythiophene, for example. And n-type layer 13
I n, A11. , electrode 1 made of graphite, etc.
4 are provided.
次に、本実施例における薄膜ダイオード１５の製造方法
について説明する。Next, a method for manufacturing the thin film diode 15 in this example will be explained.
■ポリエステルより成るメンブレンスイッチの下側フィ
ルム２にフォトリソ工程でアルミ配ｆｉ８を形成する。(2) An aluminum filament 8 is formed on the lower film 2 of the membrane switch made of polyester using a photolithography process.
■電極１１が形成される部分以外の領域をレジストで被
覆する。(2) Cover the area other than the area where the electrode 11 is to be formed with a resist.
■レジストで被覆されていないアルミ配線８上にＮｉ層
９とＡｕ層１０をメツキによって形成し、電極１１とす
る。(2) A Ni layer 9 and an Au layer 10 are formed by plating on the aluminum wiring 8 not covered with resist to form an electrode 11.
■ｐ型層の形成
第４図に示すように、電解槽２０内のアセトニトリル溶
媒に、０．１モルのピロールと支持電解質である０、１
モルのＥｔ４ＮＰＦｓ（テトラエチルアンモニウムへキ
サフルオロフォスフエイト）を溶かす。この溶液に、作
用極となる航記下側フィルム２と、対向電極としてのｐ
ｔ板２１を入れ、下側フィルム２が（−）、ｐｔ板２１
か（＋）となるように両者を電源２２につないで電解重
合を行ない、下側フィルム２の電極１１にポリピロール
の層を形成する。電圧は例えば１．ＯＶ 、１ｃ、電荷
量は例えば０．５ｃ／ｃｒｎ”とする。なお、図中２３
は電圧計２４に接続された参照電極である。■ Formation of p-type layer As shown in FIG. 4, 0.1 mol of pyrrole and supporting electrolyte 0,1
Dissolve moles of Et4NPFs (tetraethylammonium hexafluorophosphate). In this solution, the bottom film 2 as a working electrode and the p as a counter electrode are added.
Insert the T plate 21, the lower film 2 is (-), and the PT plate 21
Both are connected to a power source 22 so that the polarity is positive (+), and electrolytic polymerization is performed to form a layer of polypyrrole on the electrode 11 of the lower film 2. For example, the voltage is 1. OV, 1c, and the amount of charge is, for example, 0.5c/crn. Note that 23 in the figure
is a reference electrode connected to the voltmeter 24.
■洗浄
ｐ型層１２を形成した下側フィルム２をアセトニトリル
とニトロメタンでよく洗浄する。(2) Cleaning The lower film 2 on which the p-type layer 12 has been formed is thoroughly washed with acetonitrile and nitromethane.
■ドーピング 支持電解質である０、１モルのＭａ４ＮＰＦ。■Doping 0.1 mol Ma4NPF as supporting electrolyte.
（テトラメチルアンモニウムへキサフルオロフォスフエ
イト）を含むアセトニトリル溶液中に前記下側フィルム
２を入れる。下側フィルム２を電源の（＋）極、対極を
（−）極につないで約１．４Ｖで１分間ドーピングを行
ない、ｐ型層１２内にＰ Ｆ ｓ−を注入する。The lower film 2 is placed in an acetonitrile solution containing (tetramethylammonium hexafluorophosphate). The lower film 2 is connected to the (+) terminal and the counter electrode to the (-) terminal of a power source, and doping is performed at about 1.4 V for 1 minute to inject P F s- into the p-type layer 12 .
■ｎ型層の形成
溶媒ニトロメタンに、０．１モルのチオフェンと、０．
１モルのＥｔ４ＮＢＦ、（テトラエチルアンモニウムテ
トラフルオロボレート）を溶かす。■N-type layer formation solvent nitromethane contains 0.1 mole of thiophene and 0.1 mole of thiophene.
Dissolve 1 mole of Et4NBF, (tetraethylammonium tetrafluoroborate).
そして、この溶液中で第４図とほぼ同様の構成によって
電解重合を行ない、前記ｐ型層１２の上にｎ型層１３で
あるポリチオフェンの層を形成する。なお、本工程では
、下側フィルム２の電極１１には工程■よりも高い（＋
）１．８Ｖｄｃの電圧を加える。Then, electrolytic polymerization is carried out in this solution using a configuration substantially similar to that shown in FIG. 4 to form a layer of polythiophene, which is an n-type layer 13, on the p-type layer 12. In addition, in this step, the electrode 11 of the lower film 2 has a higher (+)
) Apply a voltage of 1.8Vdc.
■洗浄（前記工程■と同じ。）
■ドーピング
前記工程■と同条件で、ｐ型層１２．ｎ型層１３を形成
した下側フィルム２にＯｖから−２，０Ｖの電圧を５分
間与え、支持電解質中のカチオンをｎ型層１３内にドー
プする。■Cleaning (same as the above step (■)) ■Doping Under the same conditions as the above step (2), p-type layer 12. A voltage from Ov to -2.0 V is applied for 5 minutes to the lower film 2 on which the n-type layer 13 is formed, and the n-type layer 13 is doped with cations in the supporting electrolyte.
［相］下側フィルム２を真空乾燥する。[Phase] Vacuum dry the lower film 2.
■ｎ型層１３の上に電極１４を形成する。電極材料とし
てはＡ１１．Ｉｎ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｎｉ、黒鉛等を用いる
ことができる。またＩ Ｔ Ｏ膜やステンレスによって
ＴＬ極を構成してもよい。また電極１４を厚膜で構成す
る場合にはスクリーン印刷等の印刷法を用いることがで
き、薄膜の場合には蒸着法やスパッタリング法を用いる
ことかできる。(2) An electrode 14 is formed on the n-type layer 13. The electrode material is A11. In, Au, Pt, Ni, graphite, etc. can be used. Further, the TL pole may be made of an ITO film or stainless steel. Further, when the electrode 14 is formed of a thick film, a printing method such as screen printing can be used, and when the electrode 14 is formed of a thin film, a vapor deposition method or a sputtering method can be used.
次に、本実施例のｐ型層１２．ｎ型層１３．支持電解質
、溶媒として利用できる物質をそれぞれ以下に列記する
。Next, the p-type layer 12 of this embodiment. n-type layer 13. Substances that can be used as supporting electrolytes and solvents are listed below.
（イ）ｐ型層
ポリピロール、ポリフラン、ポリセレノフェン、ポリテ
ルロフェン、ポリ−Ｎ−メチルピロール、ボッ−Ｎ−ア
ルキルピロール、ポリアニリン、ポリパラフェニレン、
ポリチアジル、ポリナフチレン、ポリアントラセン等の
電解酸化重合可能な導電性高分子。(a) p-type layer polypyrrole, polyfuran, polyselenophene, polytellurophene, poly-N-methylpyrrole, bo-N-alkylpyrrole, polyaniline, polyparaphenylene,
Conductive polymers that can be electrolytically oxidized and polymerized such as polythiazyl, polynaphthylene, and polyanthracene.
（ロ）ｎ型層
ポリチオフェン、ポリ−３−アルキルチオフェン、ポリ
−１，２−ジチェニルエテン。(b) N-type layer polythiophene, poly-3-alkylthiophene, poly-1,2-dithenylethene.
（ハ）支持電解質
過塩素酸テトラメチルアンモニウム、過塩素酸テトラエ
チルアンモニウム、過塩素酸テトラブチルアンモニウム
、過塩素酸リチウム、テトラフルオロ硼酸テトラメチル
アンモニウム、テトラフルオロ硼酸テトラエチルアンモ
ニウム、テトラフルオロ硼酸テトラブチルアンモニウム
、テトラフルオロ硼酸リチウム、ヘキサフルオロヒ素酸
テトラメチルアンモニウム、ヘキサフルオロヒ素酸テト
ラエチルアンモニウム、ヘキサフルオロヒ素酸テトラブ
チルアンモニウム、ヘキサフルオロ燐酸テトラメチルア
ンモニウム、ヘキサフルオロ燐酸テトラブチルアンモニ
ウム、ヘキサフルオロ燐酸ナトリウム、硫酸、硫酸水素
テトラメチルアンモニウム、硫酸水素テトラエチルアン
モニウム、硫酸水素テトラブチルアンモニウム、トリフ
ルオロ酢酸ナトリウム、ρ−トルエンスルホン酸テトラ
メチルアンモニウム、ｐ−トルエンスルホン酸テトラブ
チルアンモニウム。(c) Supporting electrolyte tetramethylammonium perchlorate, tetraethylammonium perchlorate, tetrabutylammonium perchlorate, lithium perchlorate, tetramethylammonium tetrafluoroborate, tetraethylammonium tetrafluoroborate, tetrabutylammonium tetrafluoroborate, Lithium tetrafluoroborate, tetramethylammonium hexafluoroarsenate, tetraethylammonium hexafluoroarsenate, tetrabutylammonium hexafluoroarsenate, tetramethylammonium hexafluorophosphate, tetrabutylammonium hexafluorophosphate, sodium hexafluorophosphate, sulfuric acid, sulfuric acid Tetramethylammonium hydrogen, tetraethylammonium hydrogensulfate, tetrabutylammonium hydrogensulfate, sodium trifluoroacetate, tetramethylammonium p-toluenesulfonate, tetrabutylammonium p-toluenesulfonate.
（ニ）溶媒
アセトニトリル、ベンゾニトリル、ニトロヘンゼン、炭
酸プロピレン、塩化メチレン、テトラヒドロフラン、ジ
メチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、水。(d) Solvents acetonitrile, benzonitrile, nitrohenzene, propylene carbonate, methylene chloride, tetrahydrofuran, dimethylformamide, dimethyl sulfoxide, water.
以上説明した一実施例によれば、キーボードスイッチを
構成する多数のメンブレンスイッチにおいて５各メンブ
レンスイツチにそれぞれＴ４膜ダイオード１５を一連の
工程でまとめて形成することができた。従って、薄形と
いう特徴を損うことなく、メンブレンスイッチよりなる
キーボードスイッチに低コストでＮキーロールオーバー
機能を付与することができた。また、本実施例でキース
、インチとし・て採用したメンブレンスイッチにおいて
は、接点が形成される上下のフィルムは一般にポリエス
テルのような絶縁性のある合成樹脂材料て構成されてい
る。このような合成樹脂材料は殻に熱に弱いので、薄膜
ダイオードの形成はなるべく低温て行なうのか好ましい
。一般的に、無機材料より成る薄膜タイオートの形成は
高温下で行なわなければならないか、本実施例では低温
で製膜てきる打機材料を用いたので、メンブレンスイッ
チのフィルムを傷めることなく薄膜ダイオードを形成す
ることかできた。According to the embodiment described above, in a large number of membrane switches constituting a keyboard switch, the T4 film diode 15 could be formed in each of the five membrane switches in a series of steps. Therefore, it was possible to provide an N-key rollover function to a keyboard switch made of a membrane switch at low cost without sacrificing its thin feature. Further, in the membrane switch adopted as a Keith inch in this embodiment, the upper and lower films on which the contacts are formed are generally made of an insulating synthetic resin material such as polyester. Since the shell of such synthetic resin material is sensitive to heat, it is preferable to form the thin film diode at as low a temperature as possible. Generally, thin film tie-outs made of inorganic materials must be formed at high temperatures, but in this example we used a punching material that can be formed into films at low temperatures, so it is possible to form thin films without damaging the film of the membrane switch. I was able to form a diode.
なお、本実施例では、薄膜ダイオード１５をメンブレン
スイッチの下側フィルム２に設けたか、上側フィルム１
の接点４を薄膜ダイオードとしてもよい。さらに、上下
の両接点を共に薄膜タイオートて構成すれば、一方の薄
膜ダイオードが破壊してもＮキーロールオーバー機能に
支障が生じることはない。In this embodiment, the thin film diode 15 is provided on the lower film 2 of the membrane switch, or the thin film diode 15 is provided on the upper film 1 of the membrane switch.
The contact 4 may be a thin film diode. Furthermore, if both the upper and lower contacts are configured with thin film diodes, even if one of the thin film diodes breaks, the N-key rollover function will not be affected.
次に、第２実施例を第３図によって説明する。Next, a second embodiment will be explained with reference to FIG.
同図において、第１実施例と同様の構成部分には、第１
国と同符号を付して説明を省略する。本実施例は、キー
スイッチとしてメンブレンスイッチを用いたキーボード
スイッチに関する乙のである。第３図に示すように、メ
ンブレンスイッチの下側フィルム２に設けられた一方の
各接点３０の隣邦には、それぞれ薄膜タイオート２５か
設けられている。各薄膜ダイオード２５は下側フィルム
２のアルミ配線８に導通しており、また各薄膜タイオー
ト２５の電極２６は導体２７を介して１）「２各接点３
０に接続されている。即ち、本実ｈ’１例においては、
メンブレンスイッチの一方の接点３０とアルミ配線８と
の間に薄膜ダイオード２５が直列に接続されている。従
って接点４．３０を閉しる際に薄膜ダイオード２５には
直接押圧力かかからないので、前記第１実施例に比べて
耐久性がより向上しており、壊れにくくなっている。な
お、本実施例における薄１１Ｑダイオード２５の構成、
製法、材質等は前記第１実施例と同しである。In the figure, the same components as the first embodiment include the first
The same symbol as the country will be given and the explanation will be omitted. This embodiment relates to a keyboard switch using a membrane switch as a key switch. As shown in FIG. 3, a thin film tie 25 is provided adjacent to one contact 30 provided on the lower film 2 of the membrane switch. Each thin film diode 25 is electrically connected to the aluminum wiring 8 of the lower film 2, and the electrode 26 of each thin film tie 25 is connected via a conductor 27 to each contact point 3 of each thin film diode 25.
Connected to 0. That is, in the real example h'1,
A thin film diode 25 is connected in series between one contact 30 of the membrane switch and the aluminum wiring 8. Therefore, when the contact 4.30 is closed, no pressing force is directly applied to the thin film diode 25, so the durability is improved compared to the first embodiment, and the thin film diode 25 is less likely to break. Note that the configuration of the thin 11Q diode 25 in this example,
The manufacturing method, materials, etc. are the same as those of the first embodiment.
以上説明した芥実施例ては、キーホードスイ・ｌチのキ
ースイッチとしてメンブレンスイッチを用いたが、少な
くとも一方の接点がプリントサーキットボード上に設け
られているメカニカルスイッチをキースイッチとしても
よい。この場合には、例えばプリントサーキットボード
上に薄膜ダイオードを形成して固定接点とし、可動接点
をこの薄膜ダイオードに接触させる構成としてもよいし
、第３図に示した第２実施例のように、固定接点に薄膜
ダイオードを直列に接続する構成としてもよい。In the above-described embodiment, a membrane switch is used as the key switch of the keyboard switch, but a mechanical switch having at least one contact provided on a printed circuit board may be used as the key switch. In this case, for example, a thin film diode may be formed on the printed circuit board to serve as a fixed contact, and a movable contact may be brought into contact with this thin film diode, or as in the second embodiment shown in FIG. A structure may be adopted in which a thin film diode is connected in series to the fixed contact.
また、メカニカルスイッチの接点が構成されているプリ
ントサーキットポートの回路パターン途中に薄膜ダイオ
ードを設けるようにしてもよい。Further, a thin film diode may be provided in the middle of the circuit pattern of the printed circuit port where the contacts of the mechanical switch are configured.
（発明の効果）
本発明によれば、キーボードスイッチを構成するキース
イッチの少なくとも一方の接点を薄膜ダイオードで構成
したので、キーボードスイッチのすべてのキースイッチ
にローコストでＮキーロールオーバー機能を付与するこ
とができる。(Effects of the Invention) According to the present invention, since at least one contact point of the key switch constituting the keyboard switch is configured with a thin film diode, it is possible to provide an N-key rollover function to all the key switches of the keyboard switch at low cost. Can be done.
また、キースイッチの少なくとも一方の接点に対して薄
膜ダイオードを直列に接続すれば、薄膜ダイオード自体
を接点とする場合に比へて耐久性か向トする。Furthermore, if a thin film diode is connected in series to at least one contact of the key switch, the durability will be improved compared to the case where the thin film diode itself is used as the contact.
また、このような構成をメカニカルスイッチに応用すれ
ば、独立したダイオードを取付けていたため従来原型で
あったメカニカルスイッチ式のキーボードスイッチを薄
くすることがてきる。Furthermore, if such a configuration is applied to a mechanical switch, it is possible to make the conventional mechanical switch type keyboard switch, which is the original model, thinner because an independent diode is attached.
また、このような構成をメンブレンスイッチに応用すれ
ば、薄型であるというメンブレンスイッチの特長を保持
したままて、メンブレンスイッチ式のキーボードスイッ
チにＮキーロールオーバー機能を付与することができる
。Further, if such a configuration is applied to a membrane switch, it is possible to provide an N-key rollover function to a membrane switch type keyboard switch while maintaining the thin feature of the membrane switch.
第１図は本発明の第１実施例を示す分解斜視図、第２図
は第１図のＡ−Ａ切断線における拡大断面図、第３図は
本発明の第２実施例を示す分解斜視図、第４図は面記各
実施例における薄膜ダイオードの製造工程の一部を示す
模式図、第５図はキーボードスイッチのマトリクス構造
と電流のまわり込みを説明するための回路図、第６図は
各キースイッチにダイオードを挿入したキーボードスイ
ッチの回路図である。
５．３０・・・一方の接点、
１５．２５・・・薄口Ｑダイオード。
ＩＩ 因
特許出願人 双葉電子工業株式会社
代理人・弁理士 西 村 教 光第
図
未
図
弔
図
第
図
第６図Fig. 1 is an exploded perspective view showing a first embodiment of the present invention, Fig. 2 is an enlarged sectional view taken along the line A-A in Fig. 1, and Fig. 3 is an exploded perspective view showing a second embodiment of the invention. Figure 4 is a schematic diagram showing a part of the manufacturing process of the thin film diode in each of the embodiments described above, Figure 5 is a circuit diagram for explaining the matrix structure of the keyboard switch and current circulation, and Figure 6 is a circuit diagram of a keyboard switch in which a diode is inserted into each key switch. 5.30...One contact, 15.25...Thin Q diode. II Cause Patent Applicant Futaba Electronics Co., Ltd. Agent/Patent Attorney Norihiro Nishimura
Claims (4)
少なくとも一方の接点が薄膜ダイオードで形成されてい
ることを特徴とするキーボードスイッチ。(1) A keyboard switch characterized in that at least one contact point of each key switch constituting the keyboard switch is formed of a thin film diode.
少なくとも一方の接点に薄膜ダイオードが直列に接続さ
れたことを特徴とするキーボードスイッチ。(2) A keyboard switch characterized in that a thin film diode is connected in series to at least one contact point of each key switch constituting the keyboard switch.
ド上に設けられているメカニカルスイッチを前記キース
イッチとした請求項１又は請求項２記載のキーボードス
イッチ。(3) The keyboard switch according to claim 1 or 2, wherein the key switch is a mechanical switch having at least one contact provided on a printed circuit board.
請求項１又は請求項２記載のキーボードスイッチ。(4) The keyboard switch according to claim 1 or 2, wherein the key switch is a membrane switch.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63232550A JPH0282416A (en) | 1988-09-19 | 1988-09-19 | Keyboard switch |
| KR1019890013443A KR920009649B1 (en) | 1988-09-19 | 1989-09-19 | Key board switch |
| US07/730,395 US5177330A (en) | 1988-09-19 | 1991-07-16 | Key board switch |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63232550A JPH0282416A (en) | 1988-09-19 | 1988-09-19 | Keyboard switch |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0282416A true JPH0282416A (en) | 1990-03-23 |
Family
ID=16941082
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63232550A Pending JPH0282416A (en) | 1988-09-19 | 1988-09-19 | Keyboard switch |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0282416A (en) |
| KR (1) | KR920009649B1 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101278955B1 (en) * | 2006-04-21 | 2013-06-26 | 레이저 (아시아-퍼시픽) 피티이 엘티디 | Anti-ghosting keyboard |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5998420A (en) * | 1982-11-26 | 1984-06-06 | 東芝テック株式会社 | Keyboard switch |
| JPS59175517A (en) * | 1983-03-25 | 1984-10-04 | 東芝テック株式会社 | Membrane keyboard switch |
| JPS62180918A (en) * | 1986-02-04 | 1987-08-08 | アルプス電気株式会社 | Push-button switch |
-
1988
- 1988-09-19 JP JP63232550A patent/JPH0282416A/en active Pending
-
1989
- 1989-09-19 KR KR1019890013443A patent/KR920009649B1/en not_active IP Right Cessation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5998420A (en) * | 1982-11-26 | 1984-06-06 | 東芝テック株式会社 | Keyboard switch |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR900005514A (en) | 1990-04-14 |
| KR920009649B1 (en) | 1992-10-22 |
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