JPH0260203A - 電気磁気装置 - Google Patents
電気磁気装置Info
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- JPH0260203A JPH0260203A JP21100688A JP21100688A JPH0260203A JP H0260203 A JPH0260203 A JP H0260203A JP 21100688 A JP21100688 A JP 21100688A JP 21100688 A JP21100688 A JP 21100688A JP H0260203 A JPH0260203 A JP H0260203A
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- Japan
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- magnetic field
- static magnetic
- superconducting material
- yig
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Links
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Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は高周波回路に使用するイツトリウム。
鉄、ガーネット(以下、YIGと記述する)共振回路や
YIGフィルタに用いて育効な電気磁気装置である。
YIGフィルタに用いて育効な電気磁気装置である。
従来の技術
静磁界の強さにより共振周波数を変えることのできる電
気磁気装置としてYIGの結晶球を用いたものがあり高
周波回路のフィルタ回路や発振器の共振回路に利用され
ている。以下図面を参照しながら、上述した電気磁気回
路について説明する。
気磁気装置としてYIGの結晶球を用いたものがあり高
周波回路のフィルタ回路や発振器の共振回路に利用され
ている。以下図面を参照しながら、上述した電気磁気回
路について説明する。
第2図はYIGのフィルタの構成図である。第2図にお
いて第1のコイル20と第2のコイル21は互いの軸が
直交しており、その中心にY[Gの結晶球22を置いた
ものに静磁界23を両コイルの軸に直交するように加え
ている。静磁界23が加わっていない場合コイル21か
らマイクロ波を投入してもこれと直交するコイル20に
は出力があられれない、ところが静磁界23を加えると
コイル21によるマイクロ波磁界が、静磁界23によっ
て生じたYIGの結晶球22の磁気モーメントを回転さ
せ、この回転している磁気モーメントがコイル20にマ
イクロ波を誘導する。このコイル20に誘導されるマイ
クロ波は周波数がYIGの結晶球22の自然共振周波数
と一致した時最大となる。このようにしてYIGの結晶
球22の共振特性を利用して帯域通過フィルタを構成す
ることができる。YIGの結晶球22の共振周波数は静
磁界23の大きさに比例するので静磁界23の大きさを
変えることで上記帯域通過フィルタの通過帯域の周波数
を変えることができる。コイル20を取りさりコイル2
1だけにすれば共振器となり負性抵抗と接続すると発振
器となる。第3図にFETを用いた上記発振回路の例を
示す。フィルタの場合と同様に静磁界の大きさを変える
ことにより周波数を可変することができる。
いて第1のコイル20と第2のコイル21は互いの軸が
直交しており、その中心にY[Gの結晶球22を置いた
ものに静磁界23を両コイルの軸に直交するように加え
ている。静磁界23が加わっていない場合コイル21か
らマイクロ波を投入してもこれと直交するコイル20に
は出力があられれない、ところが静磁界23を加えると
コイル21によるマイクロ波磁界が、静磁界23によっ
て生じたYIGの結晶球22の磁気モーメントを回転さ
せ、この回転している磁気モーメントがコイル20にマ
イクロ波を誘導する。このコイル20に誘導されるマイ
クロ波は周波数がYIGの結晶球22の自然共振周波数
と一致した時最大となる。このようにしてYIGの結晶
球22の共振特性を利用して帯域通過フィルタを構成す
ることができる。YIGの結晶球22の共振周波数は静
磁界23の大きさに比例するので静磁界23の大きさを
変えることで上記帯域通過フィルタの通過帯域の周波数
を変えることができる。コイル20を取りさりコイル2
1だけにすれば共振器となり負性抵抗と接続すると発振
器となる。第3図にFETを用いた上記発振回路の例を
示す。フィルタの場合と同様に静磁界の大きさを変える
ことにより周波数を可変することができる。
発明が解決しようとする課題
しかしながら上記のような構成では外部から磁界をうけ
ると共振周波数の変動を受けやすくフィルタの共振周波
数や発振器の発振周波数の変動を受けやすいという問題
点を有していた6本発明は上記問題に鑑み、外部からの
磁界によって共振周波数の影響を受けない電気磁気装置
を提供するものである。
ると共振周波数の変動を受けやすくフィルタの共振周波
数や発振器の発振周波数の変動を受けやすいという問題
点を有していた6本発明は上記問題に鑑み、外部からの
磁界によって共振周波数の影響を受けない電気磁気装置
を提供するものである。
課題を解決するための手段
上記課題を解決するために本発明の電気磁気装置はYI
Gの結晶球と1個以上のコイルを囲む2重に超電導で囲
み、内側の超電導質に穴から静磁界をかけるという構成
を備えたものである。
Gの結晶球と1個以上のコイルを囲む2重に超電導で囲
み、内側の超電導質に穴から静磁界をかけるという構成
を備えたものである。
作用
本発明は上記した構成により外部からの磁気による共振
周波数の変動を防ぐとともに、静磁界発生回路からの静
磁界をむだなくY(Gの結晶球に与えることができるた
め高い共振周波数が実現できる。
周波数の変動を防ぐとともに、静磁界発生回路からの静
磁界をむだなくY(Gの結晶球に与えることができるた
め高い共振周波数が実現できる。
実施例
以下本発明の一実施例の電気磁気装置について図面を参
照しながら説明する。第1図は本発明の電気磁気装置の
構造を示すものである。第1図において11はYIGの
結晶球、12はコイル状の導体、15.16は超電導物
質で構成されるシールドケース、14は磁性体、17は
可変電源、110は負性抵抗、10は出力端子である。
照しながら説明する。第1図は本発明の電気磁気装置の
構造を示すものである。第1図において11はYIGの
結晶球、12はコイル状の導体、15.16は超電導物
質で構成されるシールドケース、14は磁性体、17は
可変電源、110は負性抵抗、10は出力端子である。
外部が電気磁気装置に加わった場合、YIGの結晶球1
1は超電導物質で構成されるシールドケース15.16
により磁気シールドされるためYIGの結晶球1工に加
わる磁界は、磁性体14.コイル18.を源17から構
成される静磁界発生装置から磁性体14の両端13及び
19を通して加えられる静磁界のみである。
1は超電導物質で構成されるシールドケース15.16
により磁気シールドされるためYIGの結晶球1工に加
わる磁界は、磁性体14.コイル18.を源17から構
成される静磁界発生装置から磁性体14の両端13及び
19を通して加えられる静磁界のみである。
またシールドケース15は磁性体14の両端13.19
からの静磁界がむだなくYIGの結晶球を通ることにな
る。静磁界の強さと共振周波数は比例するのでより高い
周波数で共振が可能となり、より高い周波数で発振が可
能である。超電導物質で構成されるシールドケース、1
5と16の間に冷却用のガスを注入しておけば、シール
ドケース15,16は必ずしも常温で超電導物質でなく
てもよい。また負性抵抗110が冷却ガス中にあるため
負性抵抗から発生される雑音が小さく発振出力は高いC
/Nレベルが確保される。尚、負性抵抗としてはGaA
sFETやガンダイオードなどの半導体が用いられる。
からの静磁界がむだなくYIGの結晶球を通ることにな
る。静磁界の強さと共振周波数は比例するのでより高い
周波数で共振が可能となり、より高い周波数で発振が可
能である。超電導物質で構成されるシールドケース、1
5と16の間に冷却用のガスを注入しておけば、シール
ドケース15,16は必ずしも常温で超電導物質でなく
てもよい。また負性抵抗110が冷却ガス中にあるため
負性抵抗から発生される雑音が小さく発振出力は高いC
/Nレベルが確保される。尚、負性抵抗としてはGaA
sFETやガンダイオードなどの半導体が用いられる。
実施例では発振器としたが、たとえば、共振器の替りに
フィルタ、負性抵抗の代りに増幅器としても高い周波数
で雑音指数の低い増幅器を構成することができる。
フィルタ、負性抵抗の代りに増幅器としても高い周波数
で雑音指数の低い増幅器を構成することができる。
発明の効果
以上のように本発明はYIGの結晶球と1個以上のコイ
ルを2重に囲み、内側の超電導物質の穴から静磁界を加
えることにより外部磁界の影響がなく高い共振周波数が
可能となった。また2個の超電導物質の間に冷却ガスを
入れその中に半導体装置くことにより雑音レベルの低い
回路が実現できる。
ルを2重に囲み、内側の超電導物質の穴から静磁界を加
えることにより外部磁界の影響がなく高い共振周波数が
可能となった。また2個の超電導物質の間に冷却ガスを
入れその中に半導体装置くことにより雑音レベルの低い
回路が実現できる。
第1図は本発明の第1の実施例における電気磁気回路の
構成図、第2図は従来の電気磁気回路の構成図、第3図
は従来の電気磁気回路を用いた発振回路の回路図である
。 10・・・・・・出力端子、11・・・・・・YIGの
結晶球、12..18・・・・・・コイル、14・・・
・・・磁性体、15゜16・・・・・・超電導物質、1
7・・・・・・電源、110・・・・・・負性抵抗。
構成図、第2図は従来の電気磁気回路の構成図、第3図
は従来の電気磁気回路を用いた発振回路の回路図である
。 10・・・・・・出力端子、11・・・・・・YIGの
結晶球、12..18・・・・・・コイル、14・・・
・・・磁性体、15゜16・・・・・・超電導物質、1
7・・・・・・電源、110・・・・・・負性抵抗。
Claims (2)
- (1)1つ以上のコイルと、前記コイルの中心部と近傍
との少なくとも一方にイットリウム,鉄,ガーネットか
らなる結晶球と、前記コイルとイットリウム,鉄,ガー
ネットからなる結晶球とを格納する超電導物質で被覆さ
れた第1のシールド手段と前記第1のシールド手段に形
成された穴からイットリウム,鉄,ガーネットからなる
結晶球に静磁界を印加する静磁界印加手段と前記第1の
シールド手段と静磁界印加手段とを格納する超電導物質
で被覆された第2のシールド手段とを具備することを特
徴とする電気磁気装置。 - (2)第1のシールド手段と第2のシールド手段に冷却
ガスと冷却液のうち少なくとも一方が充填されているこ
とを特徴とする請求項(1)記載の電気磁気装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21100688A JPH0260203A (ja) | 1988-08-25 | 1988-08-25 | 電気磁気装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21100688A JPH0260203A (ja) | 1988-08-25 | 1988-08-25 | 電気磁気装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0260203A true JPH0260203A (ja) | 1990-02-28 |
Family
ID=16598769
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21100688A Pending JPH0260203A (ja) | 1988-08-25 | 1988-08-25 | 電気磁気装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0260203A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0487418A (ja) * | 1990-07-30 | 1992-03-19 | Omron Corp | 近接スイッチ |
EP0738021A2 (en) * | 1995-04-11 | 1996-10-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd | Wireless communication filter operating at low temperature |
EP0744827A1 (en) * | 1995-05-25 | 1996-11-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd | High frequency system including a superconductive device |
US6178339B1 (en) | 1995-04-11 | 2001-01-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Wireless communication filter operating at low temperature |
JPWO2005019507A1 (ja) * | 2003-08-26 | 2007-11-01 | 株式会社アドバンテスト | 磁性ガーネット単結晶及びyigデバイス |
-
1988
- 1988-08-25 JP JP21100688A patent/JPH0260203A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0487418A (ja) * | 1990-07-30 | 1992-03-19 | Omron Corp | 近接スイッチ |
EP0738021A2 (en) * | 1995-04-11 | 1996-10-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd | Wireless communication filter operating at low temperature |
EP0738021A3 (en) * | 1995-04-11 | 1998-03-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd | Wireless communication filter operating at low temperature |
US6178339B1 (en) | 1995-04-11 | 2001-01-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Wireless communication filter operating at low temperature |
EP0744827A1 (en) * | 1995-05-25 | 1996-11-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd | High frequency system including a superconductive device |
US5757243A (en) * | 1995-05-25 | 1998-05-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High frequency system including a superconductive device and temperature controlling apparatus |
JPWO2005019507A1 (ja) * | 2003-08-26 | 2007-11-01 | 株式会社アドバンテスト | 磁性ガーネット単結晶及びyigデバイス |
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