JPH0254963B2 - - Google Patents
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- JPH0254963B2 JPH0254963B2 JP59072413A JP7241384A JPH0254963B2 JP H0254963 B2 JPH0254963 B2 JP H0254963B2 JP 59072413 A JP59072413 A JP 59072413A JP 7241384 A JP7241384 A JP 7241384A JP H0254963 B2 JPH0254963 B2 JP H0254963B2
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Description
【発明の詳細な説明】
(A) 発明の技術分野
本発明は、トランジスタ回路、特に増幅段回路
の出力端にもうけたエミツタホロア・トランジス
タ（またはダイオードが直列に接続されたエミツ
タホロア・トランジスタ）の内部抵抗を変化させ
ることによつて次段回路に接続される際の周波数
特性を変化させるようにしたトランジスタ回路に
関するものである。[Detailed Description of the Invention] (A) Technical Field of the Invention The present invention relates to an internal resistance of a transistor circuit, particularly an emitter follower transistor (or an emitter follower transistor with a diode connected in series) provided at the output end of an amplification stage circuit. This invention relates to a transistor circuit whose frequency characteristics when connected to a next-stage circuit are changed by changing .
(B) 技術の背景と問題点
従来から増幅段回路を有するトランジスタ回路
における帯域幅を決定する手段として、第１図に
示す如く、LSIにて構成される増幅器１の例えば
出力端にフイルタ２を外付けする構成がとられて
いる。この場合、増幅器１自体の周波数特性は、
上記フイルタ２で与えられる周波数特性よりも一
段と優れたもの、すなわち周波数帯域が広いもの
としておき、上記フイルタ２によつて所望の周波
数特性を決定させるようにされる。このために、
即ち増幅器１自体の周波数動性が必要以上のもの
に選ばれていることのために、非所望な発振を生
じたり帰還ループでの誤動作などが発生し易い難
点があつた。またフイルタ２を外付けするために
実装スペースなどの問題点が存在した。(B) Background and problems of the technology Conventionally, as a means of determining the bandwidth of a transistor circuit having an amplification stage circuit, a filter 2 is installed at the output end of an amplifier 1 formed of an LSI, as shown in FIG. It is configured to be externally attached. In this case, the frequency characteristics of the amplifier 1 itself are
The frequency characteristic is set to be much better than the frequency characteristic provided by the filter 2, that is, the frequency band is wide, and the desired frequency characteristic is determined by the filter 2. For this,
That is, because the frequency dynamics of the amplifier 1 itself is selected to be higher than necessary, there is a problem in that undesired oscillations or malfunctions in the feedback loop are likely to occur. Furthermore, since the filter 2 is attached externally, there are problems such as mounting space.
(C) 発明の目的と構成
本発明は上記の点を解決することを目的として
おり増幅回路段における周波数特性を所望なもの
に設定できるようにしたトランジスタ回路を提供
することを目的としている。そのため、本発明の
トランジスタ回路は、増幅段回路出力を次段回路
に接続してなるトランジスタ回路において、上記
増幅段回路の出力端に、エミツタホロア・トラン
ジスタ、またはダイオードが直列に接続されたエ
ミツタホロア・トランジスタをもうけると共に、
当該エミツタホロア・トランジスタの出力を上記
次段回路に接続するよう構成し、かつ上記エミツ
タホロア・トランジスタまたはダイオードが直列
に接続されたエミツタホロア・トランジスタに流
れるエミツタ電流の電流レベルを可変にすること
により、周波数帯域を変化させるようにしたこと
を特徴としている。以下図面を参照しつつ説明す
る。(C) Object and Structure of the Invention The present invention aims to solve the above-mentioned problems and provides a transistor circuit in which the frequency characteristics in the amplifier circuit stage can be set to a desired value. Therefore, in the transistor circuit of the present invention, an emitter follower transistor or an emitter follower transistor in which a diode is connected in series to the output end of the amplifier stage circuit is provided. Along with making a
By configuring the output of the emitter follower transistor to be connected to the next stage circuit, and by varying the current level of the emitter current flowing through the emitter follower transistor or the emitter follower transistor in which the diodes are connected in series, the frequency band can be adjusted. It is characterized by changing the This will be explained below with reference to the drawings.
(D) 発明の実施例
第２図および第３図は本発明に原理を説明する
説明図、第４図および第５図は夫々本発明の一実
施例を示す。(D) Embodiment of the Invention FIGS. 2 and 3 are explanatory diagrams for explaining the principle of the present invention, and FIGS. 4 and 5 each show an embodiment of the present invention.
トランジスタ回路における入力インピーダンス
は、一般に、抵抗R1と静電容量C1との並列回路
によつて等価される。そして、高周波領域におい
ては上記静電容量C1が周波数特性に大きい影響
を与える形となり、上記並列回路は静電容易C1
のみのものとみなすことが可能となる。 The input impedance in a transistor circuit is generally equalized by a parallel circuit of a resistor R1 and a capacitor C1 . In the high frequency range, the capacitance C 1 has a large influence on the frequency characteristics, and the parallel circuit has a large effect on the electrostatic capacitance C 1
It becomes possible to regard it as a property only.
このために、エミツタホロア・トランジスタに
対して次段回路を接続した第２図図示の構成の等
価回路は第３図図示の如きものとみなすことがで
きる。なお図において、３は増幅回路段、４はエ
ミツタホロア・トランジスタ、５は次段回路の入
力段トランジスタ、Zeは出力端側をみたインピ
ーダンス、Ｚは次段入力インピーダンス、ieはエ
ミツタ電流を表わしている。またC1は入力段ト
ランジスタ５を高周波領域で等価したものを表わ
している。 For this reason, an equivalent circuit of the configuration shown in FIG. 2, in which the next stage circuit is connected to the emitter follower transistor, can be considered as the one shown in FIG. 3. In the figure, 3 is the amplifier circuit stage, 4 is the emitter follower transistor, 5 is the input stage transistor of the next stage circuit, Ze is the impedance looking at the output end side, Z is the next stage input impedance, and ie is the emitter current. . Further, C 1 represents the equivalent of the input stage transistor 5 in the high frequency region.
このため、第３図図示等価回路から、静電容量
C1の端子電圧v1は、
v1＝１／１＋sC1rev0
となり、周波数特性で3dB低下する周波数fcは
fc＝１／2πC1re〔Hz〕
で与えられる。そしてトランジスタ４の内部抵抗
reはエミツタ電流ieをmA単位で与えると、
re≒26／ie〔mA〕〔Ω〕
で表わされる。これらのことから、トランジスタ
４の内部抵抗reをieの可変により設定することに
よつて、第１図図示のフイルタ２を用いることな
く、周波数特性を所望のものに設定することが可
能となる。 Therefore, from the equivalent circuit shown in Figure 3, the capacitance
The terminal voltage v 1 of C 1 is v 1 =1/1+sC 1 rev 0 , and the frequency fc at which the frequency characteristic decreases by 3 dB is given by fc = 1/2πC 1 re [Hz]. and the internal resistance of transistor 4
When the emitter current ie is given in mA, re is expressed as re≒26/ie [mA] [Ω]. For these reasons, by setting the internal resistance re of the transistor 4 by varying ie, it is possible to set the frequency characteristics to a desired value without using the filter 2 shown in FIG.
第４図は本発明の一実施例を示し、図中の符号
３，４，５は第２図に対応し、Ｒは可変抵抗、
６，７はエミツタ電流設定用トランジスタ、４−
０エミツタホロア・トランジスタ、４−１，４−
２は夫々ダイオード、R1，R2は夫々抵抗を表わ
している。 FIG. 4 shows an embodiment of the present invention, where symbols 3, 4, and 5 correspond to FIG. 2, R is a variable resistor,
6 and 7 are emitter current setting transistors, 4-
0-emitter follower transistor, 4-1, 4-
2 represents a diode, and R 1 and R 2 represent a resistor.
可変抵抗Ｒの値を変化せしめることによつて、
図示電圧Veが変化し、トランジスタ６を流れる
電流i1は
i1＝Ve／R1
となり、トランジスタ７を流れる電流ieも
ie＝Ve／R2
で与えられるものとなる。そして、エミツタホロ
ア・トランジスタ４−０を含む内部抵抗re′は、
re′≒｛１＋（ダイオードの個数）｝
×26／ie〔mA〕〔Ω〕
で与えられるものとなり、可変抵抗Ｒの値を可変
することによつて、ieが変化し、内部抵抗re′を
変化させることにより周波数帯域を変化させるこ
とが可能となる。 By changing the value of variable resistor R,
As the illustrated voltage Ve changes, the current i 1 flowing through the transistor 6 becomes i 1 =Ve/R 1 , and the current ie flowing through the transistor 7 also becomes given by ie=Ve/R 2 . Then, the internal resistance re′ including the emitter follower transistor 4-0 is given by re′≒{1+(number of diodes)} ×26/ie [mA] [Ω], and the value of the variable resistor R can be varied. By doing this, ie changes, and by changing the internal resistance re', it becomes possible to change the frequency band.
第５図は本発明の他の実施例を示している。図
中の符号３，４，４−０，４−１，４−２，５，
６，７，Ｒは第４図に対応し、８はトランジスタ
を表わしている。 FIG. 5 shows another embodiment of the invention. Codes 3, 4, 4-0, 4-1, 4-2, 5 in the diagram
6, 7, and R correspond to FIG. 4, and 8 represents a transistor.
図示の場合、トランジスタ６と７とのエミツタ
の抵抗値を等しいものとすると、夫々のトランジ
スタに流れるエミツタ電流は等しい値i1となる。
一方トランジスタ８を流れる電流をie′に選んだ
とすると、上述の内部抵抗re′を決定する電流ie
は
ie＝i1＋ie′
で与えられることとなり、可変抵抗Ｒの値や図示
電圧V2の値を選ぶことによつて、所望の周波数
特性を得ることが可能となる。 In the illustrated case, if the resistance values of the emitters of transistors 6 and 7 are made equal, the emitter currents flowing through each transistor have the same value i1 .
On the other hand, if the current flowing through transistor 8 is chosen as ie', the current ie that determines the internal resistance re' mentioned above is
is given by ie=i 1 +ie', and by selecting the value of variable resistor R and the value of indicated voltage V 2 , it is possible to obtain desired frequency characteristics.
(E) 発明の効果
以上説明した如く、本発明によればいわば増幅
回路段内部において所望の周波数特性を決定せし
めており、フイルタを外付けする場合の難点を解
決することが可能となる。(E) Effects of the Invention As explained above, according to the present invention, a desired frequency characteristic is determined inside the amplifier circuit stage, so to speak, and it is possible to solve the difficulties when attaching a filter externally.
第１図は従来の回路例、第２図および第３図は
本発明の原理を説明する説明図、第４図および第
５図は夫々本発明の一実施例を示す。
図中、３は増幅回路段、４はエミツタホロア・
トランジスタ（又はダイオードが直列に接続され
たエミツタホロア・トランジスタ）、５は次段回
路の入力段トランジスタ、６，７，８は夫々トラ
ンジスタ、Ｒは可変抵抗を表わしている。
FIG. 1 shows an example of a conventional circuit, FIGS. 2 and 3 are explanatory diagrams explaining the principle of the present invention, and FIGS. 4 and 5 each show an embodiment of the present invention. In the figure, 3 is the amplifier circuit stage, 4 is the emitter follower
A transistor (or an emitter follower transistor in which a diode is connected in series), 5 is an input stage transistor of the next stage circuit, 6, 7, and 8 are transistors, respectively, and R represents a variable resistor.
Claims (1)
ランジスタ回路において、上記増幅段回路の出力
端に、エミツタホロア・トランジスタ、またはダ
イオードが直列に接続されたエミツタホロア・ト
ランジスタをもうけると共に、当該エミツタホロ
ア・トランジスタの出力を上記次段回路に接続す
るよう構成し、かつ上記エミツタホロア・トラン
ジスタまたはダイオードが直列に接続されたエミ
ツタホロア・トランジスタに流れるエミツタ電流
の電流レベルを可変にすることにより、周波数帯
域を変化させるようにしたことを特徴とするトラ
ンジスタ回路。1. In a transistor circuit in which an output of an amplification stage circuit is connected to a next stage circuit, an emitter follower transistor or an emitter follower transistor in which a diode is connected in series is provided at the output end of the amplification stage circuit, and the emitter follower transistor is connected to the output terminal of the amplification stage circuit. The output of the circuit is configured to be connected to the next stage circuit, and the frequency band is changed by varying the current level of the emitter current flowing through the emitter follower transistor or the emitter follower transistor in which the diode is connected in series. A transistor circuit characterized by:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59072413A JPS60214610A (en) | 1984-04-11 | 1984-04-11 | Transistor circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59072413A JPS60214610A (en) | 1984-04-11 | 1984-04-11 | Transistor circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60214610A JPS60214610A (en) | 1985-10-26 |
| JPH0254963B2 true JPH0254963B2 (en) | 1990-11-26 |
Family
ID=13488567
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59072413A Granted JPS60214610A (en) | 1984-04-11 | 1984-04-11 | Transistor circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60214610A (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4703285A (en) * | 1986-04-23 | 1987-10-27 | Tektronix, Inc. | Wideband amplifier with active high-frequency compensation |
| JPH0817295B2 (en) * | 1987-04-27 | 1996-02-21 | 株式会社日立製作所 | Level shift circuit |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS537161A (en) * | 1976-07-09 | 1978-01-23 | Mitsubishi Electric Corp | High-pressure-resisting integrated circuit |
-
1984
- 1984-04-11 JP JP59072413A patent/JPS60214610A/en active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS537161A (en) * | 1976-07-09 | 1978-01-23 | Mitsubishi Electric Corp | High-pressure-resisting integrated circuit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60214610A (en) | 1985-10-26 |
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