JPH0253900B2 - - Google Patents

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JPH0253900B2
JPH0253900B2 JP3115484A JP3115484A JPH0253900B2 JP H0253900 B2 JPH0253900 B2 JP H0253900B2 JP 3115484 A JP3115484 A JP 3115484A JP 3115484 A JP3115484 A JP 3115484A JP H0253900 B2 JPH0253900 B2 JP H0253900B2
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JP
Japan
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magnetic
switch
switch body
magnetic flux
state
Prior art date
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JP3115484A
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Japanese (ja)
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JPS60176328A (en
Inventor
Juichi Tomibe
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NIPPON AUTOMATION SYSTEM KK
Original Assignee
NIPPON AUTOMATION SYSTEM KK
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Publication date
Application filed by NIPPON AUTOMATION SYSTEM KK filed Critical NIPPON AUTOMATION SYSTEM KK
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  • Electronic Switches (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、磁力の作用によつてスイツチ状態を
切り換える磁気スイツチの内、スイツチ状態を自
己保持する自己保持型磁気スイツチ体を利用した
磁気近接スイツチ装置に関するもので、さらに詳
言すれば、透磁体の接近によつてスイツチ状態を
切り換えると共に、この透磁体が離反してもその
切り換わつたスイツチ状態を自己保持すべく機能
する磁気近接スイツチ装置を簡単な構造で提供す
ることを目的とするものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a magnetic proximity switch device that utilizes a self-holding magnetic switch body that self-holds a switch state among magnetic switches that change the switch state by the action of magnetic force, and further relates to Specifically, the present invention provides a magnetic proximity switch device with a simple structure that switches the switch state by the approach of a magnetically permeable body and functions to self-maintain the switched state even if the magnetically permeable body separates. The purpose is to

リードスイツチとか磁電変換素子とかを利用し
た多くの磁気近接スイツチが、種々の機能別に製
造されかつ使用されているが、従来、透磁体の接
近によつてスイツチ状態を切り換えると共に、こ
の透磁体が離反してもその切り換わつたスイツチ
状態を自己保持すべく機能する磁気近接スイツチ
装置を得ようとすると、極めて複雑でかつ高価な
ものとなつてしまつていた。
Many magnetic proximity switches that utilize reed switches or magneto-electric transducers are manufactured and used for various functions, but conventionally, the switch state is changed by the approach of a magnetically permeable body, and when the magnetically permeable body separates. However, if an attempt was made to obtain a magnetic proximity switch device that functions to self-maintain the switched state, it would be extremely complicated and expensive.

例えば、上記した機能を発揮する磁気近接スイ
ツチ装置としては、オン信号用の磁気スイツチ体
と、オフ信号用の磁気スイツチ体とを設け、この
両磁気スイツチ体をフリツプフロツプ回路に接続
したものが考えられるが、このようなものは、高
価な磁気スイツチ体を二つも必要とするばかりで
なく、フリツプフロツプ回路を必要とし、また各
磁気スイツチ体に作用する磁力が他方の磁気スイ
ツチに作用することによる誤動作を防止すべく、
両磁気スイツチ体間は、相互に磁気の干渉がない
ように、完全に磁気的に遮蔽する必要があり、こ
のために磁気遮蔽用の鉄板等を設ける必要がある
等、装置全体の構造が複雑となると共に、価格の
高いものとなり、さらに小型化を充分に達成する
ことのできないものとなつていた。
For example, a magnetic proximity switch device that performs the above functions may include a magnetic switch body for ON signals and a magnetic switch body for OFF signals, and these magnetic switch bodies are connected to a flip-flop circuit. However, such a device not only requires two expensive magnetic switch bodies, but also requires a flip-flop circuit, and is prone to malfunctions due to the magnetic force acting on each magnetic switch body acting on the other magnetic switch body. In order to prevent
It is necessary to completely magnetically shield the space between both magnetic switch bodies to prevent mutual magnetic interference, and for this reason, it is necessary to provide a magnetic shielding iron plate, etc., making the overall structure of the device complicated. At the same time, it has become expensive, and furthermore, it has become impossible to achieve sufficient miniaturization.

本発明は、上記した従来例における欠点および
不満点を解消すべく創案されたもので、自己保持
型の磁気スイツチと、この磁気スイツチに反対方
向の一定の磁力を作用させる二つの永久磁石とを
設け、この二つの永久磁石の内の何れか一方の磁
力の前記スイツチ体への作用を、透磁体により遮
断し、もつて前記スイツチ体にスイツチ切り換え
動作をさせるべく構成したものである。
The present invention was devised to eliminate the drawbacks and dissatisfied points of the conventional example described above, and includes a self-holding magnetic switch and two permanent magnets that apply constant magnetic force in opposite directions to the magnetic switch. The magnetic force of either of the two permanent magnets is blocked from acting on the switch body by a magnetically permeable body, thereby causing the switch body to perform a switching operation.

以下、本発明の実施例を、図面を参照しながら
説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

本発明による磁気近接スイツチ装置1は、一つ
の自己保持型磁気スイツチ体2と、このスイツチ
体2の一方の側面に、透磁性材料製の第1の駆動
板7が出入りする第1の間隙5を開けて、一方の
磁極(例えばN極)で対向位置した第1の永久磁
石3と、前記スイツチ体2の他方の側面に、透磁
性材料製の第2の駆動板8が出入りする第2の間
隙6を開けて、前記第1の永久磁石3と同じ磁極
(例えばN極)で対向位置した第2の永久磁石4
とから成り、前記スイツチ体2にスイツチ切り換
え動作を起こさせるだけの磁力を前記両永久磁石
3,4に与えて構成されている。
The magnetic proximity switch device 1 according to the present invention includes one self-holding magnetic switch body 2 and a first gap 5 on one side of the switch body 2 through which a first drive plate 7 made of a magnetically permeable material enters and exits. The first permanent magnet 3 is located facing each other with one magnetic pole (for example, N pole), and the second drive plate 8 made of a magnetically permeable material moves in and out of the other side of the switch body 2. A second permanent magnet 4 is located opposite to the first permanent magnet 3 with the same magnetic pole (for example, N pole) with a gap 6 therebetween.
The permanent magnets 3 and 4 are provided with a magnetic force sufficient to cause the switch body 2 to perform a switching operation.

自己保持型磁気スイツチ体2は、その構造およ
び構成部材が限定されるものではなく、一定値以
上でかつ一定方向の磁力が作用した際に、そのス
イツチ状態を切り換え、この磁力の作用がなくな
つても、前記の切り換わつたスイツチ状態を自己
保持し、反対に一定値以下でかつ一定方向の磁力
が作用した際に、反対のスイツチ状態に切り換わ
り、この磁力がなくなつても、この切り換わつた
スイツチ状態を自己保持すべく機能するものであ
る。
The self-holding magnetic switch body 2 is not limited in its structure and constituent members, and when a magnetic force of a certain value or more and in a certain direction acts, the self-holding magnetic switch body 2 switches its switch state and the magnetic force stops acting. However, when the above-mentioned switched state is self-maintained, and when a magnetic force below a certain value and in a certain direction is applied, it switches to the opposite switch state, and even if this magnetic force disappears, this switch state remains the same. It functions to self-maintain the switched state of the switch.

このスイツチ体2の一例としては、第3図に示
す如き構造のものがある。
An example of this switch body 2 is one having a structure as shown in FIG.

この第3図において、9はホール素子等の磁電
変換素子で、この磁電変換素子9には、例えば
10Vの直流電源10が直列に接続されており、し
たがつて端子A・B間には、この磁電変換素子9
に作用した磁束の向きおよび磁束密度B〔G〕に
対応した出力が取り出される。
In this FIG. 3, 9 is a magnetoelectric conversion element such as a Hall element, and this magnetoelectric conversion element 9 includes, for example,
A 10V DC power supply 10 is connected in series, so this magnetoelectric conversion element 9 is connected between terminals A and B.
An output corresponding to the direction of the magnetic flux acting on the magnetic flux and the magnetic flux density B[G] is extracted.

この磁電変換素子9の出力は抵抗を経てオペレ
ーシヨンアンプ12の一方の入力端子に入力さ
れ、このオペレーシヨンアンプ12の他方の入力
端子には、抵抗を介して直流電源11が接続され
ている。
The output of this magnetoelectric conversion element 9 is inputted to one input terminal of an operational amplifier 12 via a resistor, and the other input terminal of this operational amplifier 12 is connected to a DC power supply 11 via a resistor.

この第3図のスイツチ体2において、直流電源
11の電圧値、およびオペレーシヨンアンプ12
の他方の入力端子に接続された抵抗とフイードバ
ツク抵抗の値を適当に設定することによつて、こ
のオペレーシヨンアンプ12に一定幅の不感帯を
設け、もつてスイツチ体2にヒステリシス特性を
与えることができるのである。
In the switch body 2 of FIG. 3, the voltage value of the DC power supply 11 and the operation amplifier 12 are
By appropriately setting the values of the resistor connected to the other input terminal of the switch and the feedback resistor, it is possible to provide the operational amplifier 12 with a dead band of a certain width, thereby giving the switch body 2 hysteresis characteristics. It can be done.

また第4図に示したスイツチ体2は、そのスイ
ツチ動作にヒステリシス特性を持つているホール
素子等の磁電変換素子9に、この磁電変換素子9
に常時一定の磁力を作用させるバイアス磁石13
を組付けた構成となつている。
Further, the switch body 2 shown in FIG.
Bias magnet 13 that always applies a constant magnetic force to
It has a configuration in which it is assembled with.

この第3図および第4図に示したスイツチ体2
の例は、何れも無接点型の磁電変換素子9を利用
して構成されたものであるが、リードスイツチ等
の有接点型のスイツチ体を利用して達成したもの
であつても良いことは云うまでもない。
The switch body 2 shown in FIGS. 3 and 4
Although the above examples are all constructed using a non-contact type magnetoelectric transducer 9, it is also possible to achieve this using a contact type switch body such as a reed switch. Needless to say.

このように、スイツチ体2は自己保持型なので
あるが、このスイツチ体2の自己保持機能を簡単
に説明すると、スイツチ体2は、第2図に示す如
く、磁束密度BON以上の磁束が作用することによ
つて、そのスイツチ状態をオン状態に切り換え、
作用する磁束密度が磁束密度BOFF以下となると、
そのスイツチ状態をオフ状態に切り換えるヒステ
リシススイツチ特性を有しており、かつ磁束密度
BONよりも小さいが磁束密度BOFFよりも大きい磁
束密度BOの磁界内に配置されており、このため
例えば、磁束密度BON以上の磁束密度の磁束が作
用してオン状態に切り換わつてから、この磁束の
作用がなくなつても、磁束密度BOFF以上の磁束密
度BOが作用しているので、スイツチとしてはオ
ン状態のままとなり、スイツチ状態を自己保持
し、反対に、作用する磁束密度が磁束密度BOFF
下となつた場合も同様にしてスイツチ状態の自己
保持機能を発揮するのである。
In this way, the switch body 2 is a self-holding type. To briefly explain the self-holding function of the switch body 2, as shown in Fig. 2, the switch body 2 is operated by a magnetic flux having a magnetic flux density of B ON or higher. The switch state is switched to the on state by
When the acting magnetic flux density becomes less than the magnetic flux density B OFF ,
It has a hysteresis switch characteristic that switches the switch state to the OFF state, and the magnetic flux density
It is placed in a magnetic field with a magnetic flux density B O that is smaller than B ON but larger than the magnetic flux density B OFF , so that, for example, a magnetic flux with a magnetic flux density greater than or equal to the magnetic flux density B ON acts on it and switches it to the on state. After that, even if the effect of this magnetic flux disappears, the magnetic flux density B O which is higher than the magnetic flux density B OFF is still acting, so the switch will remain in the on state, self-maintaining the switch state, and conversely, the switch will remain in the on state. Even when the magnetic flux density becomes less than the magnetic flux density B OFF , the self-holding function of the switch state is exerted in the same way.

このような自己保持機能を持つたスイツチ体2
に対して、第1の永久磁石3は、スイツチ体2に
磁束密度BONよりも大きい磁束密度B1の磁束を
作用させることのできる磁力に設定されており、
また第2の永久磁石4は、スイツチ体2に作用す
る磁束密度を、磁束密度BOFF以下の磁束密度B2
にすることができる磁力に設定されており、さら
に両永久磁石3,4の磁力は反対方向に作用して
いるのである。
Switch body 2 with such a self-holding function
On the other hand, the first permanent magnet 3 is set to have a magnetic force that can cause a magnetic flux with a magnetic flux density B1 larger than the magnetic flux density B ON to act on the switch body 2,
Further, the second permanent magnet 4 reduces the magnetic flux density acting on the switch body 2 to a magnetic flux density B2 which is lower than the magnetic flux density B OFF .
Furthermore, the magnetic forces of both permanent magnets 3 and 4 act in opposite directions.

なお、両永久磁石3,4の磁力の絶対値を等し
くし、B1+B2=BOなる関係に設定するのが好都
合である。
Note that it is convenient to set the absolute values of the magnetic forces of both permanent magnets 3 and 4 to be equal, and to set the relationship B1+B2= BO .

図示実施例の場合、全く同じ磁力の二つの永久
磁石を、同じ磁極をスイツチ体2に向けた姿勢で
相互に反対向きとなるように配置されており、こ
れによつて両間隙5,6に駆動板7,8が侵入位
置しない状態において、スイツチ体2に作用する
磁力の磁束密度は、磁束密度BOとなるようにし
ているのである。
In the illustrated embodiment, two permanent magnets with exactly the same magnetic force are arranged so that the same magnetic poles are directed toward the switch body 2 and are oriented in opposite directions. When the drive plates 7 and 8 are not in the inserted position, the magnetic flux density of the magnetic force acting on the switch body 2 is set to be the magnetic flux density B O.

本発明によるスイツチ装置1は、上記の如き構
造となつているので、そのスイツチ切り換え動作
は以下の如くして行われる。
Since the switch device 1 according to the present invention has the above-described structure, the switch switching operation is performed as follows.

すなわち、今、スイツチ体2がオフ状態にある
と仮定して、この状態から第2の駆動板8が前進
(第1図において上昇)して第2の間隙6内に侵
入位置すると、この第2の間隙6内に侵入した第
2の駆動板8のために、第2の永久磁石4からの
スイツチ体2に対する磁束の作用が遮断されるの
で、スイツチ体2には第1の永久磁石3からの磁
束だけが作用することになり、これによつてスイ
ツチ体2に作用する磁束密度は、磁束密度BON
上の磁束密度B1となるので、スイツチ体2はそ
のスイツチ状態をオフ状態からオン状態に切り換
える。
That is, assuming that the switch body 2 is now in the OFF state, when the second drive plate 8 moves forward (raises in FIG. 1) from this state and enters the second gap 6, this second Because the second drive plate 8 has entered the gap 6 between the two, the action of the magnetic flux from the second permanent magnet 4 on the switch body 2 is blocked. As a result, the magnetic flux density acting on the switch body 2 becomes a magnetic flux density B1 which is greater than the magnetic flux density B ON , so the switch body 2 changes its switch state from the OFF state to the ON state. Switch to state.

この状態から、第2の駆動板8が第2の間隙6
内から離脱して、第2の永久磁石4の磁束がスイ
ツチ体2に作用するようになつても、この第2の
永久磁石4の磁束は、第1の永久磁石3の磁束を
打ち消すだけに作用することになり、このためス
イツチ体2に作用する磁束密度は、磁束密度BO
となり、スイツチ状態を自己保持、すなわちスイ
ツチ状態をオン状態に自己保持する。
From this state, the second drive plate 8 moves to the second gap 6.
Even if the magnetic flux of the second permanent magnet 4 comes to act on the switch body 2 by separating from the inside, the magnetic flux of the second permanent magnet 4 only cancels out the magnetic flux of the first permanent magnet 3. Therefore, the magnetic flux density acting on the switch body 2 is the magnetic flux density B O
Therefore, the switch state is self-maintained, that is, the switch state is self-maintained in the on state.

これとは反対に、第1の間隙5に第1の駆動板
7が侵入位置すると、スイツチ体2のスイツチ状
態はオフ状態となり、この第1の間隙5から第1
の駆動板7が離脱しても、このスイツチ状態、す
なわちオフ状態を自己保持する。
On the contrary, when the first drive plate 7 enters the first gap 5, the switch state of the switch body 2 becomes the OFF state, and the first drive plate 7 enters the first gap 5.
Even if the drive plate 7 is detached, this switch state, ie, the off state, is maintained by itself.

このように、本発明によるスイツチ装置は、一
つの自己保持型磁気スイツチ体2と、二つの永久
磁石3,4とから構成されており、他の構成部材
としての付属回路を全く必要としないので、構成
部品点数が極めて少なく、これによつて安価に製
造することができると共に、構造が極めて簡単で
あるので、容易に製造することができる。
As described above, the switch device according to the present invention is composed of one self-holding magnetic switch body 2 and two permanent magnets 3 and 4, and does not require any additional circuitry as other components. Since the number of component parts is extremely small, it can be manufactured at low cost, and the structure is extremely simple, so it can be manufactured easily.

また、一つのスイツチ体2を挟んで、二つの永
久磁石3,4を、スイツチ体2との間に間隙5,
6を開けて配置しただけであるので、全体を極め
てコンパクトに製作することができる。
In addition, two permanent magnets 3 and 4 are placed with one switch body 2 in between, with a gap 5 between them and the switch body 2.
6 is simply opened and arranged, the whole can be manufactured extremely compactly.

さらに、前記した如く、極めて簡単な構造であ
り、かつ充分に小型に製造することができるもの
であるから、その取扱いおよび保守・管理が容易
である。
Furthermore, as described above, it has an extremely simple structure and can be manufactured in a sufficiently small size, making it easy to handle, maintain, and manage.

以上の説明から明らかな如く、本発明による磁
気近接スイツチ装置は、その構成が極めて簡単で
あるので、極めて安価にかつ簡単に製作すること
ができ、また充分に小型に製作することができる
ので、取扱および保守・管理が容易であり、さら
に一方の永久磁石からの磁力の作用を、駆動板に
よる磁気遮蔽機能を利用してスイツチ切り換え動
作するので、常に安定したスイツチ動作を得るこ
とができる等多くの優れた効果を発揮するもので
ある。
As is clear from the above description, the magnetic proximity switch device according to the present invention has an extremely simple configuration, so it can be manufactured extremely inexpensively and easily, and it can be manufactured sufficiently small. It is easy to handle, maintain, and manage, and since the magnetic force from one permanent magnet is switched using the magnetic shielding function of the drive plate, stable switch operation can always be obtained. It exhibits excellent effects.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は、本発明装置の基本的な構成を示す配
置構造図である。第2図は、スイツチ体の動作の
説明に供する動作線図である。第3図および第4
図は、スイツチ体の異なる実施例を示す構成図で
ある。 符号の説明、1;スイツチ装置、2;スイツチ
体、3,4;永久磁石、5,6;間隙、7,8;
駆動板、9;磁電変換素子、13;バイアス磁
石。
FIG. 1 is a layout diagram showing the basic configuration of the device of the present invention. FIG. 2 is an operation diagram for explaining the operation of the switch body. Figures 3 and 4
The figures are configuration diagrams showing different embodiments of the switch body. Explanation of symbols, 1; Switch device, 2; Switch body, 3, 4; Permanent magnet, 5, 6; Gap, 7, 8;
Drive plate, 9; magnetoelectric conversion element, 13; bias magnet.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 自己保持型磁気スイツチ体と、該自己保持型
磁気スイツチ体の一方の側面に、透磁性材料製の
駆動板が出入りする第1の間隙を開けて、一方の
磁極で対向位置した第1の永久磁石と、前記スイ
ツチ体の他方の側面に、透磁性材料製の駆動板が
出入りする第2の間隙を開けて、前記第1の永久
磁石と同じ磁極で対向位置した第2の永久磁石と
から成り、前記スイツチ体にスイツチ切り換え動
作を起こさせるだけの磁力を前記両永久磁石に与
えた磁気近接スイツチ装置。
1. A self-holding magnetic switch body, and a first gap located on one side of the self-holding magnetic switch body, through which a drive plate made of a magnetically permeable material enters and exits, and facing the first magnetic switch body with one magnetic pole. a second permanent magnet located opposite to the first permanent magnet with the same magnetic pole, with a second gap formed on the other side of the switch body through which a drive plate made of a magnetically permeable material enters and exits; A magnetic proximity switch device comprising: applying magnetic force to both permanent magnets to cause the switch body to perform a switching operation.
JP3115484A 1984-02-21 1984-02-21 Magnetic proximity switch device Granted JPS60176328A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3115484A JPS60176328A (en) 1984-02-21 1984-02-21 Magnetic proximity switch device

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Publication Number Publication Date
JPS60176328A JPS60176328A (en) 1985-09-10
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