JPH0247127B2 - DAIOODOGENSUIKI - Google Patents
DAIOODOGENSUIKIInfo
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- JPH0247127B2 JPH0247127B2 JP12098784A JP12098784A JPH0247127B2 JP H0247127 B2 JPH0247127 B2 JP H0247127B2 JP 12098784 A JP12098784 A JP 12098784A JP 12098784 A JP12098784 A JP 12098784A JP H0247127 B2 JPH0247127 B2 JP H0247127B2
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- diodes
- attenuator
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G1/00—Details of arrangements for controlling amplification
- H03G1/0005—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal
- H03G1/0035—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal using continuously variable impedance elements
- H03G1/0052—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal using continuously variable impedance elements using diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H11/00—Networks using active elements
- H03H11/02—Multiple-port networks
- H03H11/24—Frequency-independent attenuators
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明はダイオード減衰器に関し、特にπ型定
インピーダンスダイオード可変減衰器に関するも
のである。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a diode attenuator, and more particularly to a π-type constant impedance diode variable attenuator.
従来技術
かゝるダイオード減衰器の具体例が第１図に示
されており、制御用の直流バイアス印加点３と基
準電位点（アース）との間に、ダイオードD1と
D2との直列回路及びダイオードD3とD4との直列
回路が夫々挿入されている。そして、入力端子１
からバイパスコンデンサC1を介してRF（高周波）
信号が、ダイオードD1とD2と直列接続点に印加
され、ダイオードD3とD4の直列接続点からバイ
パスコンデンサC2を介して出力端子２へRF信号
が導出される。Prior Art A specific example of such a diode attenuator is shown in FIG. 1, in which a diode D1 and
A series circuit with D 2 and a series circuit with diodes D 3 and D 4 are inserted, respectively. And input terminal 1
RF (high frequency) through bypass capacitor C1 from
A signal is applied to the series connection of diodes D 1 and D 2 and an RF signal is derived from the series connection of diodes D 3 and D 4 via bypass capacitor C 2 to output terminal 2.
尚、抵抗R1，R2は各ダイオードの動作電流を
定めるものである。 Note that the resistors R 1 and R 2 determine the operating current of each diode.
かゝるπ型ダイオード減衰器では、端子３の印
加電圧を一定にすると定インピーダンス特性が保
たれることは知られているが、ダイオードは温度
によりその特性が大巾に変化するために、広い温
度範囲に亘つて定インピーダンス特性を維持する
ことは困難である。 It is known that such a π-type diode attenuator maintains constant impedance characteristics when the voltage applied to terminal 3 is kept constant; however, since the characteristics of diodes vary widely depending on temperature, Maintaining constant impedance characteristics over a temperature range is difficult.
発明の目的
本発明は、直流バイアス印加端子へ供給するバ
イアス電圧として減衰器を構成するダイオードと
同特性を有するダイオードの電圧降下を基準とし
た定電圧値を用いることにより、温度的に安定し
た定インピーダンス特性を有するダイオード減衰
器を提供することを目的としている。Purpose of the Invention The present invention provides a temperature-stable constant voltage by using a constant voltage value based on the voltage drop of a diode having the same characteristics as the diode constituting the attenuator as the bias voltage supplied to the DC bias application terminal. The object is to provide a diode attenuator with impedance characteristics.
発明の構成
本発明によるダイオード減衰器は、直流バイア
ス印加点と基準電位点との間に２個のダイオード
による直列回路を２組設け、これら直列回路の各
直列接続点を信号の入出力とするπ型定インピー
ダンスダイオード減衰器を対象とし、その特徴と
するところは、ダイオードと同特性のダイオード
を帰還部に有する演算増幅器（以下オペアンプと
称す）の入力に所定制御電圧を印加し、このオペ
アンプ出力を交流阻止機能を有するチヨーク回路
を介して前記直流バイアス印加点へ導出してなる
ことにある。Structure of the Invention The diode attenuator according to the present invention includes two sets of series circuits of two diodes between a DC bias application point and a reference potential point, and each series connection point of these series circuits serves as an input/output of a signal. The target is a π-type constant impedance diode attenuator, and its characteristics are that a predetermined control voltage is applied to the input of an operational amplifier (hereinafter referred to as an operational amplifier) that has a diode with the same characteristics as the diode in its feedback section, and the output of this operational amplifier is is led out to the DC bias application point via a choke circuit having an AC blocking function.
実施例
以下に、第２図を参照しつつ本発明の実施例を
説明する。Embodiment Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
第２図において第１図と同等部分は同一符号に
より示されており、直流バイアス印加点３へのバ
イアス電圧発生回路が、帰還部に２個のダイオー
ドD5，D6の直列回路を有するオペアンプ４と、
このオペアンプ出力V0をバイアス印加点３へ導
出するRFチヨーク回路５とからなる。 In Fig. 2, parts equivalent to those in Fig. 1 are indicated by the same symbols, and the bias voltage generation circuit to the DC bias application point 3 is an operational amplifier having a series circuit of two diodes D 5 and D 6 in the feedback section. 4 and
It consists of an RF circuit 5 which derives this operational amplifier output V 0 to a bias application point 3.
このオペアンプ４の正相入力はアースされ、逆
相入力には抵抗R3を介して直流制御電圧−VIが
印加されている。そして、ダイオードD5，D6は、
減衰器を構成するダイオードD1〜D4の特性と同
一特性を有する素子とされている。 The positive phase input of this operational amplifier 4 is grounded, and the DC control voltage -V I is applied to the negative phase input via a resistor R3 . And the diodes D 5 and D 6 are
The element has the same characteristics as the diodes D1 to D4 constituting the attenuator.
RFチヨーク回路５は、バイパスコンデンサC3
とチヨークコイルL1とからなる。 The RF circuit 5 has a bypass capacitor C 3
and a chiyoke coil L1 .
かゝる構成において、オペアンプ４の出力電圧
V0は、
V0＝VD5＋VD6＝2VD5 ……(1)
となる。こゝに、VD5，VD6はダイオードD5，D6
の順方向電圧降下を示し、共にVD5であるとす
る。また、
V1＝R3・ID5 ……(2)
が成立する。ID5はダイオードD5，D6を流れる電
流である。 In such a configuration, the output voltage of the operational amplifier 4
V 0 is as follows: V 0 =V D5 +V D6 =2V D5 (1). Here, V D5 and V D6 are diodes D 5 and D 6
Assume that the forward voltage drop is V D5 . Also, V 1 = R 3 · I D5 ...(2) holds true. I D5 is the current flowing through the diodes D 5 and D 6 .
一方、ダイオードの整流特性は、その温度特性
に注目して考えると次式となる。 On the other hand, the rectification characteristics of a diode are expressed by the following equation, focusing on its temperature characteristics.
ID＝Ae(q/KT)(VD-〓B) ……(3)
(3)式を変形すると、
VD＝（KT／ｑ）log（ID／Ａ）＋φB ……(4)
となる。こゝに、Ａは定数、ｑは電子電荷量、Ｋ
はボルツマン定数、Ｔは絶対温度、φBはビルテ
イングポテンシヤルである。 I D = Ae (q/KT)(VD- 〓 B) ……(3) Transforming equation (3), V D = (KT/q)log(I D /A) + φ B ……(4) becomes. Here, A is a constant, q is the amount of electron charge, and K
is the Boltzmann constant, T is the absolute temperature, and φ B is the building potential.
従つて、ダイオードのRT抵抗値Ｒは、
Ｒ＝∂V／∂I＝１／｛ｑ／KT）Ae(q/KT)(VD-〓B)｝
＝（KT／ｑ）（１／ID）……(5)
で表わされる。 Therefore, the RT resistance value R of the diode is R=∂V/∂I=1/{q/KT)Ae (q/KT)(VD- 〓 B) }
It is expressed as = (KT/q) (1/I D )...(5).
いま、π型ダイオード可変減衰器にあつては、
ダイオードD1，D2（D3，D4）の抵抗値の積がRF
特性インピーダンスの２乗に略等しいときに定イ
ンピーダンス特性が保たれることが知られてい
る。そこで、(5)式及び(3)式を用いてダイオード
D1，D2のインピーダンス積RD1・RD2を求めると
次式となる。 Now, regarding the π-type diode variable attenuator,
The product of the resistance values of diodes D 1 and D 2 (D 3 , D 4 ) is RF
It is known that constant impedance characteristics are maintained when the impedance is approximately equal to the square of the characteristic impedance. Therefore, using equations (5) and (3), the diode
The impedance product R D1 and R D2 of D 1 and D 2 is determined by the following formula.
RD1・RD2＝（KT／ｑ）2・（１／ID1・ID2）≒（KT
／ｑ）2〔１／｛A2e（ｑ／KT）（VO−2φB）｝〕
……(6)
ところで、(1)，(4)式より、
VO＝2VD＝２｛（KT／ｑ）log（ID5／Ａ）＋φB｝…
…(7)
であるから、(6)式は
RD1・RD2≒（KT／ｑ）2〔１／｛A2e2log（ID5／Ａ
）｝〕＝（KT／q2）（１／ID5 2）……(8)
となり、RD1・RD2は略一定となつて常温付近で
の温度変化として30℃とすると、(8)式の変化は20
％程度となつて、従来の第１図の端子３の電圧を
一定とした場合に比し、格段の改善が可能となる
のである。 R D1・R D2 = (KT/q) 2・(1/I D1・I D2 )≒(KT
/q) 2 [1/{A 2 e(q/KT) (VO−2φB)}]
...(6) By the way, from equations (1) and (4), V O = 2V D = 2 {(KT/q)log(I D5 /A) + φ B }...
…(7), so equation (6) is R D1・R D2 ≒ (KT/q) 2 [1/{A 2 e 2 log(ID5/A
)}] = (KT/q 2 ) (1/I D5 2 )...(8), and assuming that R D1 and R D2 are approximately constant and the temperature change around room temperature is 30°C, (8) The change in the formula is 20
%, which makes it possible to make a significant improvement over the conventional case where the voltage at terminal 3 in FIG. 1 is constant.
尚、第２図ではRFチヨーク回路５として、コ
ンデンサC3とチヨークコイルL1とを用いた例を
示しているが、ボルテージフオロワ回路とRCチ
ヨーク回路とを用いて構成しても良いとは勿論で
ある。 Although FIG. 2 shows an example in which the RF circuit 5 uses a capacitor C3 and a circuit coil L1 , it is of course possible to use a voltage follower circuit and an RC circuit. It is.
発明の効果
叙上の如く、本発明によれば、定インピーダン
ス性を広い温度範囲に亘つて保つことが可能とな
る。Effects of the Invention As described above, according to the present invention, it is possible to maintain constant impedance over a wide temperature range.
第１図は従来のダイオード減衰器の回路図、第
２図は本発明の実施例の回路図である。
主要部分の符号の説明、１，２……入出力端
子、３……直流バイアス印加端子、４……オペア
ンプ、５……RFチヨーク回路。
FIG. 1 is a circuit diagram of a conventional diode attenuator, and FIG. 2 is a circuit diagram of an embodiment of the present invention. Explanation of the symbols of the main parts, 1, 2... Input/output terminal, 3... DC bias application terminal, 4... Operational amplifier, 5... RF chain circuit.
Claims (1)
個のダイオードによる直列回路を２組設け、これ
ら直列回路の各直列接続点を信号の入出力とする
π型定インピーダンスダイオード減衰器であつ
て、前記直流バイアス印加点へのバイアス印加回
路は、前記ダイオードと同特性を有するダイオー
ドを帰還部に有し入力に所定制御電圧が印加され
た演算増幅手段を含み、この演算増幅手段の出力
電圧を前記直流バイアス印加点へ供給するように
したことを特徴とするダイオード減衰器。1 Between the DC bias application point and the reference potential point 2
A π-type constant impedance diode attenuator is provided with two sets of series circuits each consisting of diodes, and each series connection point of these series circuits is used as an input/output for a signal, and the bias application circuit to the DC bias application point is connected to the It is characterized by comprising operational amplifying means having a diode having the same characteristics as the diode in the feedback section and having a predetermined control voltage applied to its input, and supplying the output voltage of the operational amplifying means to the DC bias application point. diode attenuator.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12098784A JPH0247127B2 (en) | 1984-06-13 | 1984-06-13 | DAIOODOGENSUIKI |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12098784A JPH0247127B2 (en) | 1984-06-13 | 1984-06-13 | DAIOODOGENSUIKI |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60264114A JPS60264114A (en) | 1985-12-27 |
| JPH0247127B2 true JPH0247127B2 (en) | 1990-10-18 |
Family
ID=14799975
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12098784A Expired - Lifetime JPH0247127B2 (en) | 1984-06-13 | 1984-06-13 | DAIOODOGENSUIKI |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0247127B2 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2617655B1 (en) * | 1987-06-30 | 1994-05-20 | Telecommunicat Radioelect Teleph | VARIABLE MITIGATION DEVICE FOR INSERTION BETWEEN A TRANSMITTER CIRCUIT AND A CHARGE CIRCUIT |
| JP2010062745A (en) * | 2008-09-02 | 2010-03-18 | Hochiki Corp | Automatic gain control circuit |
-
1984
- 1984-06-13 JP JP12098784A patent/JPH0247127B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60264114A (en) | 1985-12-27 |
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