JPH0245658U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0245658U JPH0245658U JP12430288U JP12430288U JPH0245658U JP H0245658 U JPH0245658 U JP H0245658U JP 12430288 U JP12430288 U JP 12430288U JP 12430288 U JP12430288 U JP 12430288U JP H0245658 U JPH0245658 U JP H0245658U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- base type
- type phototransistor
- floating base
- light receiving
- emitter electrode
- Prior art date
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- Pending
Links
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
Description
第1図は本考案の第1の実施例におけるフロー
テイングベース型ホトトランジスタの受光部分を
示す構成図、第2図は従来のフローテイングベー
ス型ホトトランジスタの受光部分を示す構成図、
第3図は本考案の第2の実施例におけるフローテ
イングベース型ホトトランジスタの受光部分を示
す構成図である。 11,21,31:ベース受光部、12,22
,32:エミツタ電極、13,23,33:遮光
用またはコレクタ電極用アルミ、14,24,3
4:エミツタ取り出し用アルミ。
テイングベース型ホトトランジスタの受光部分を
示す構成図、第2図は従来のフローテイングベー
ス型ホトトランジスタの受光部分を示す構成図、
第3図は本考案の第2の実施例におけるフローテ
イングベース型ホトトランジスタの受光部分を示
す構成図である。 11,21,31:ベース受光部、12,22
,32:エミツタ電極、13,23,33:遮光
用またはコレクタ電極用アルミ、14,24,3
4:エミツタ取り出し用アルミ。
Claims (1)
- フローテイングベース型ホトトランジスタによ
り構成したイメージセンサにおいて、該フローテ
イングベース型ホトトランジスタのエミツタ電極
をベース受光部の外側に配置することを特徴とす
るイメージセンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12430288U JPH0245658U (ja) | 1988-09-22 | 1988-09-22 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12430288U JPH0245658U (ja) | 1988-09-22 | 1988-09-22 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0245658U true JPH0245658U (ja) | 1990-03-29 |
Family
ID=31373919
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12430288U Pending JPH0245658U (ja) | 1988-09-22 | 1988-09-22 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0245658U (ja) |
-
1988
- 1988-09-22 JP JP12430288U patent/JPH0245658U/ja active Pending