JPH0242669B2 - - Google Patents
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- JPH0242669B2 JPH0242669B2 JP56094884A JP9488481A JPH0242669B2 JP H0242669 B2 JPH0242669 B2 JP H0242669B2 JP 56094884 A JP56094884 A JP 56094884A JP 9488481 A JP9488481 A JP 9488481A JP H0242669 B2 JPH0242669 B2 JP H0242669B2
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Description
本発明は、インクジエツトヘツド、詳しくは、
所謂、インクジエツト記録方式に用いる記録用イ
ンク小滴を発生する為のインクジエツトヘツドに
関する。 インクジエツト記録方式に適用されるインクジ
エツトヘツドは、一般に、微細なインク吐出口
(オリフイス)、インク通路及びこのインク通路の
1部に設けられるインク吐出圧発生部を具えてい
る。 従来、この様なインクジエツトヘツドを作成す
る方法として、例えば、ガラスや金属の板に切削
やエツチング等により、微細な溝を形成した後、
この溝を形成した板を他の適当な板と接合してイ
ンク通路の形成を行なう方法が知られていた。 しかし、斯かる従来法によつて作成されるヘツ
ドでは、切削加工されるインク通路内壁面の荒れ
が大き過ぎたり、エツチング等の差からインク通
路に歪が生じたりして、精度の良いインク通路が
得難く、製作後のインクジエツトヘツドのインク
吐出特性にバラツキが出易い。又、切削加工の際
に、板の欠けや割れが生じ易く、製造歩留りが悪
いと言う欠点もある。そして、エツチング加工を
行なう場合は、製造工程が多く、製造コストの上
昇をまねくと言う不利がある。更に、上記した従
来法に共通する欠点としては、インク通路溝を形
成した溝付板と、インクに作用するエネルギーを
発生する圧電素子、発熱素子等の駆動素子が設け
られた蓋板との貼合せの際に夫々の位置合せを精
度良く行うことが困難であつて量産性に欠ける点
が挙げられる。 従つて、これ等の欠点が解決される構成を有す
るインクジエツトヘツドの開発が熱望されてい
る。 本発明は、上記欠点に鑑み成されたもので、精
密であり、しかも、信頼性の高いインクジエツト
ヘツドを提供することを目的とする。 又、インク通路が精度良く且つ、設計に忠実に
微細加工された構成を有するインクジエツトヘツ
ドを提供することも本発明の目的である。 更に、簡略な方法により歩留り良く製造するこ
とができ、しかも、使用耐久性に優れたインクジ
エツトヘツドを提供することも本発明の他の目的
である。 そして、この様な目的を達成した本発明のイン
クジエツトヘツドは、基板と該基板上に配された
インク吐出エネルギー発生素子と該発生素子上に
設けられた無機絶縁材料の薄膜と該薄膜上に金属
薄膜を介して設けられた感光性樹脂の硬化膜を用
いて形成されるインク通路と該インク通路に連通
するインク吐出口とを有することを特徴とするも
のである。 以下、図面を用いた実施例に就いて本発明を詳
細に説明する。 先ず、第1図乃至第8図に示した作成工程に従
つて、本発明の実施例を説明する。 第1図の工程では、ガラス、セラミツク、プラ
スチツク、或は金属等の基板1上に発熱素子やピ
エゾ素子等のインク吐出圧発生素子(インク吐出
エネルギー発生素子)2を所望の個数配置し、更
に必要に応じて耐インク性、電気絶縁性を付与す
る目的で、SiO2、Ta2O5、ガラス等の無機絶縁材
料の薄膜3を被覆する。尚、インク吐出圧発生素
子2には、図示されていないが、信号入力用電極
が接続してある。 第2図の工程では、上記インク吐出圧発生素子
2を有する基板表面に金属薄膜4として蒸着、ス
パツタ、化学メツキ等により、Cu、Ni、Cr、
Ti、Ta等の薄膜を形成する。この場合の金属薄
膜4の厚さとしては、0.1μ〜5μが適当である。 第3図の工程では、第2図示の工程を経て得ら
られた基板1の金属薄膜4表面を浄化すると共に
乾燥させた後、金属薄膜4の表面に、80℃〜105
℃程度に加温されたドライフイルムフオトレジス
ト5(膜厚、約25μ〜100μ)を0.5〜0.4f/分の速
度、1〜3Kg/cm2の加圧条件下でラミネートす
る。このとき、ドライフイルムフオトレジスト5
は自己接着性を示して金属薄膜4に融着して固定
され、以後、相当の外圧が加わつた場合にも基板
1から剥離することはない。続いて、第3図に示
す様に、基板面に設けたドライフイルムフオトレ
ジスト5上に所定のパターンを有するフオトマス
ク6を重ね合せた後、このフオトマスク6の上部
から露光を行う。このとき、インク吐出圧発生素
子2の設置位置と上記パターンの位置合せを周知
の手法で行つておく必要がある。 第4図は、上記露光済みのドライフイルムフオ
トレジスト5の未露光部分を所定の有機溶剤から
成る現像液にて溶解除去した工程を示す説明図で
ある。 次に、基板1に残されたドライフイルムフオト
レジスト3の露光された部分5pの耐インク性向
上のため、熱硬化処理(例えば150℃〜250℃で30
分〜6時間、加熱)又は、紫外線照射(例えば50
〜200mw/cm2又はそれ以上の紫外線強度で)を
行い、充分に重合硬化反応を進める。 上記熱硬化と紫外線による硬化の両方を兼用す
るのも効果的である。 第5図は、上記の分布の重合を終えた硬化した
ドライフイルムレジスト5pでインク通路となる
溝9の形成された基板1に天井を構成する平板8
を接着するか単に圧着して固定したところを示す
図である。 第5図に示す工程に於て、天井を構成するため
の具体的方法としては、 (1) ガラス、セラミツクス、金属、プラスチツク
等の平板8にエポキシ系接着剤を厚さ3〜4μ
にスピンナーコートした後、予備加熱して接着
剤7を所謂、Bステージ化させ、これを硬化し
たフオトレジスト膜5p上に貼り合せて前記接
着剤を本硬化させる。或は、 (2) アクリル系樹脂、ABS樹脂、ポリエチレン
等の熱可塑性樹脂の平板8に硬化したフオトレ
ジスト膜5p上に、直接、熱融着させる方法が
ある。 ところで、上記金属薄膜4が後に使用するイン
クと反応する恐れがある場合には、その悪影響を
最小限にするため、第5図示の工程以前に溝9内
の金属薄膜4をエツチング等によつて除去してお
くのが望ましい。又、この除去工程を省くため
に、インクとの反応性の小さい金属例えば金、白
金等の貴金属を溝9内の金属薄膜4に被覆する
か、又はSiO2、Ta2O5、Si3N4等の無機酸化膜を
耐蝕膜として蒸着、スパツタ、CVD等の方法に
よつて溝9内の金属薄膜4上に2〜5μの厚さで
形成しても良い。因に、叙上の工程に於て、金属
薄膜4が1μ厚のCu膜である場合(…実施例1)、
1μ厚のTa膜である場合(…実施例2)、0.5μのNi
膜である場合(…実施例3)、2μ厚のCr膜である
場合(…実施例4)、1.5μのTi膜である場合(…
実施例5)、そして、比較の為、1μ厚のSiO2薄膜
3上に直接、ドライフイルムフオトレジスト膜5
pを設けた場合(…比較例)の各々に就いて、フ
オトレジスト硬化膜5pの基板1からの剥離強度
(試験A)と、基板1に形成したフオトレジスト
硬化膜5p(1mm×1mm)を50℃の水中に1時間
浸漬したときの基板1面に於ける残存率(試験
B)を測定した処、下表に記載したとおりの結果
であつた。
所謂、インクジエツト記録方式に用いる記録用イ
ンク小滴を発生する為のインクジエツトヘツドに
関する。 インクジエツト記録方式に適用されるインクジ
エツトヘツドは、一般に、微細なインク吐出口
(オリフイス)、インク通路及びこのインク通路の
1部に設けられるインク吐出圧発生部を具えてい
る。 従来、この様なインクジエツトヘツドを作成す
る方法として、例えば、ガラスや金属の板に切削
やエツチング等により、微細な溝を形成した後、
この溝を形成した板を他の適当な板と接合してイ
ンク通路の形成を行なう方法が知られていた。 しかし、斯かる従来法によつて作成されるヘツ
ドでは、切削加工されるインク通路内壁面の荒れ
が大き過ぎたり、エツチング等の差からインク通
路に歪が生じたりして、精度の良いインク通路が
得難く、製作後のインクジエツトヘツドのインク
吐出特性にバラツキが出易い。又、切削加工の際
に、板の欠けや割れが生じ易く、製造歩留りが悪
いと言う欠点もある。そして、エツチング加工を
行なう場合は、製造工程が多く、製造コストの上
昇をまねくと言う不利がある。更に、上記した従
来法に共通する欠点としては、インク通路溝を形
成した溝付板と、インクに作用するエネルギーを
発生する圧電素子、発熱素子等の駆動素子が設け
られた蓋板との貼合せの際に夫々の位置合せを精
度良く行うことが困難であつて量産性に欠ける点
が挙げられる。 従つて、これ等の欠点が解決される構成を有す
るインクジエツトヘツドの開発が熱望されてい
る。 本発明は、上記欠点に鑑み成されたもので、精
密であり、しかも、信頼性の高いインクジエツト
ヘツドを提供することを目的とする。 又、インク通路が精度良く且つ、設計に忠実に
微細加工された構成を有するインクジエツトヘツ
ドを提供することも本発明の目的である。 更に、簡略な方法により歩留り良く製造するこ
とができ、しかも、使用耐久性に優れたインクジ
エツトヘツドを提供することも本発明の他の目的
である。 そして、この様な目的を達成した本発明のイン
クジエツトヘツドは、基板と該基板上に配された
インク吐出エネルギー発生素子と該発生素子上に
設けられた無機絶縁材料の薄膜と該薄膜上に金属
薄膜を介して設けられた感光性樹脂の硬化膜を用
いて形成されるインク通路と該インク通路に連通
するインク吐出口とを有することを特徴とするも
のである。 以下、図面を用いた実施例に就いて本発明を詳
細に説明する。 先ず、第1図乃至第8図に示した作成工程に従
つて、本発明の実施例を説明する。 第1図の工程では、ガラス、セラミツク、プラ
スチツク、或は金属等の基板1上に発熱素子やピ
エゾ素子等のインク吐出圧発生素子(インク吐出
エネルギー発生素子)2を所望の個数配置し、更
に必要に応じて耐インク性、電気絶縁性を付与す
る目的で、SiO2、Ta2O5、ガラス等の無機絶縁材
料の薄膜3を被覆する。尚、インク吐出圧発生素
子2には、図示されていないが、信号入力用電極
が接続してある。 第2図の工程では、上記インク吐出圧発生素子
2を有する基板表面に金属薄膜4として蒸着、ス
パツタ、化学メツキ等により、Cu、Ni、Cr、
Ti、Ta等の薄膜を形成する。この場合の金属薄
膜4の厚さとしては、0.1μ〜5μが適当である。 第3図の工程では、第2図示の工程を経て得ら
られた基板1の金属薄膜4表面を浄化すると共に
乾燥させた後、金属薄膜4の表面に、80℃〜105
℃程度に加温されたドライフイルムフオトレジス
ト5(膜厚、約25μ〜100μ)を0.5〜0.4f/分の速
度、1〜3Kg/cm2の加圧条件下でラミネートす
る。このとき、ドライフイルムフオトレジスト5
は自己接着性を示して金属薄膜4に融着して固定
され、以後、相当の外圧が加わつた場合にも基板
1から剥離することはない。続いて、第3図に示
す様に、基板面に設けたドライフイルムフオトレ
ジスト5上に所定のパターンを有するフオトマス
ク6を重ね合せた後、このフオトマスク6の上部
から露光を行う。このとき、インク吐出圧発生素
子2の設置位置と上記パターンの位置合せを周知
の手法で行つておく必要がある。 第4図は、上記露光済みのドライフイルムフオ
トレジスト5の未露光部分を所定の有機溶剤から
成る現像液にて溶解除去した工程を示す説明図で
ある。 次に、基板1に残されたドライフイルムフオト
レジスト3の露光された部分5pの耐インク性向
上のため、熱硬化処理(例えば150℃〜250℃で30
分〜6時間、加熱)又は、紫外線照射(例えば50
〜200mw/cm2又はそれ以上の紫外線強度で)を
行い、充分に重合硬化反応を進める。 上記熱硬化と紫外線による硬化の両方を兼用す
るのも効果的である。 第5図は、上記の分布の重合を終えた硬化した
ドライフイルムレジスト5pでインク通路となる
溝9の形成された基板1に天井を構成する平板8
を接着するか単に圧着して固定したところを示す
図である。 第5図に示す工程に於て、天井を構成するため
の具体的方法としては、 (1) ガラス、セラミツクス、金属、プラスチツク
等の平板8にエポキシ系接着剤を厚さ3〜4μ
にスピンナーコートした後、予備加熱して接着
剤7を所謂、Bステージ化させ、これを硬化し
たフオトレジスト膜5p上に貼り合せて前記接
着剤を本硬化させる。或は、 (2) アクリル系樹脂、ABS樹脂、ポリエチレン
等の熱可塑性樹脂の平板8に硬化したフオトレ
ジスト膜5p上に、直接、熱融着させる方法が
ある。 ところで、上記金属薄膜4が後に使用するイン
クと反応する恐れがある場合には、その悪影響を
最小限にするため、第5図示の工程以前に溝9内
の金属薄膜4をエツチング等によつて除去してお
くのが望ましい。又、この除去工程を省くため
に、インクとの反応性の小さい金属例えば金、白
金等の貴金属を溝9内の金属薄膜4に被覆する
か、又はSiO2、Ta2O5、Si3N4等の無機酸化膜を
耐蝕膜として蒸着、スパツタ、CVD等の方法に
よつて溝9内の金属薄膜4上に2〜5μの厚さで
形成しても良い。因に、叙上の工程に於て、金属
薄膜4が1μ厚のCu膜である場合(…実施例1)、
1μ厚のTa膜である場合(…実施例2)、0.5μのNi
膜である場合(…実施例3)、2μ厚のCr膜である
場合(…実施例4)、1.5μのTi膜である場合(…
実施例5)、そして、比較の為、1μ厚のSiO2薄膜
3上に直接、ドライフイルムフオトレジスト膜5
pを設けた場合(…比較例)の各々に就いて、フ
オトレジスト硬化膜5pの基板1からの剥離強度
(試験A)と、基板1に形成したフオトレジスト
硬化膜5p(1mm×1mm)を50℃の水中に1時間
浸漬したときの基板1面に於ける残存率(試験
B)を測定した処、下表に記載したとおりの結果
であつた。
【表】
ここで、第5図示の工程終了後のヘツド外観を
第6図に、模式的斜視図で示す。 第6図中、9−1はインク供給室、9−2はイ
ンク細流路、10はインク供給室9−1に不図示
のインク供給管を連結させる為の貫通孔を示して
いる。 以上のとおり、溝を形成した基板と平板との接
合が完了した後、第6図のC.C′線に沿つて切断す
る。これは、インク細流路9−2に於て、インク
吐出圧発生素子2とインク吐出口9−3との間隔
を最適化する為に行うものであり、ここで切断す
る領域は適宜、決定される。この切断に際して
は、半導体工業で通常、採用されているダイシン
グ法が採用される。 第7図は第6図のZ,Z′線切断面図である。そ
して、切断面を研磨して平滑化し、貫通孔10に
インク供給管11を取り付けてインクジエツトヘ
ツドが完成する。(第8図) 叙上の図示実施例に於ては、溝作成用の感光性
組成物(フオトレジスト)としてドライフイルム
タイプ、つまり固体のものを利用したが、本発明
では、これのみに限るものではなく、液状の感光
性組成物も勿論、利用することができる。 そして、基板上へのこの感光性組成物塗膜の形
成方法として、液体の場合にはレリーフ画像の製
作時に用いられるスキージによる方法、すなわち
所望の感光性組成物膜厚と同じ高さの壁を基板の
周囲におき、スキージによつて余分の組成物を除
去する方法である。この場合感光性組成物の粘度
は100cp〜300cpが適当である。又、基板の周囲
におく壁の高さは感光性組成物の溶剤分の蒸発の
減量を見込んで決定する必要がある。 他方、固体の場合は、感光性組成物シートを基
板上に加熱圧着して貼着する。 尚、本発明に於ては、その取扱い上、及び厚さ
の制御が容易且つ精確にできる点で、固体のフイ
ルムタイプのものを利用する方が有利ではある。
このような固体のものとしては、例えば、デユポ
ン社パーマネントフオトポリマーコーテイング
RISTON、ソルダーマスク730S、同740S、同
730FR、同740FR、同SM1等の商品名で市販され
ている感光性樹脂がある。この他、本発明に於て
使用される感光性組成物としては、感光性樹脂、
フオトレジスト等の通常のフオトリソグラフイー
の分野において使用されている感光性組成物の多
くのものが挙げられる。これ等の感光性組成物と
しては、例えば、ジアゾレジン、P−ジアゾキノ
ン、更には例えばビニルモノマーと重合開始剤を
使用する光重合型フオトポリマー、ポリビニルシ
ンナメート等と増感剤を使用する二量化型フオト
ポリマー、オルソナフトキノンジアジドとボラツ
クタイプのフエノール樹脂との混合物、ポリビニ
ルアルコールとジアゾ樹脂の混合物、4−グリシ
ジルエチレンオキシドとベンゾフエノンやグリシ
ジカルコンとを共重合させたポリエーテル型フオ
トポリマー、N,N−ジメチルメタクリルアミド
と例えばアクリルアミドベンゾフエノンとの共重
合体、不飽和ポリエステル系感光性樹脂〔例えば
APR(旭化成)、テビスタ(帝人)、ゾンネ(関西
ペイント)等〕、不飽和ウレタンオリゴマー系感
光性樹脂、二官能アクリルモノマーに光重合開始
剤とポリマーとを混合した感光性組成物、重クロ
ム酸系フオトレジスト、非クロム系水溶性フオト
レジスト、ポリケイ皮酸ビニル系フオトレジス
ト、環化ゴム−アジド系フオトレジスト、等が挙
げられる。 以上に詳しく説明した本発明の結果としては、
次のとおり、種々、列挙することができる。 1 ヘツド製作の主要工程が、所謂、印字技術に
困る為、所望のパターンでヘツド細密部の形成
が極めて簡単に行なえる。しかも、同構成のヘ
ツドを多数、同時加工することもできる。 2 製造工程数が比較的少ないので、生産性が良
好である。 3 主要構成部材の位置合せを容易にして確実に
為すことができ、寸法精度の高いヘツドが歩留
り良く得られる。 4 高密度マルチアレイインクジエツトヘツドが
簡略な方法で得られる。 5 インク通路を構成する溝壁の厚さの調整が極
めて容易であり、感光性(樹脂)組成物層の厚
さに応じて所望の寸法(例えば、溝深さ)のイ
ンク通路を形成することができる。 6 連続、且つ大量生産が可能である。 7 エツチング液(フツ化水素酸等の強酸類)を
使用する必要がないので、安全衛生の面でも優
れている。 8 接着剤をほとんど使用することがないので、
接着剤が流動して溝が塞がれたり、インク吐出
圧発生素子に付着して、機能低下を引き起こす
ことがない。 更には、接着剤を使用することなく構成部材
間の結合力を高めたために、 9 構成部材の剥離や変形又は位置ズレが生ぜ
ず、得られたインクジエツトヘツドの耐久性が
極めて良好である。
第6図に、模式的斜視図で示す。 第6図中、9−1はインク供給室、9−2はイ
ンク細流路、10はインク供給室9−1に不図示
のインク供給管を連結させる為の貫通孔を示して
いる。 以上のとおり、溝を形成した基板と平板との接
合が完了した後、第6図のC.C′線に沿つて切断す
る。これは、インク細流路9−2に於て、インク
吐出圧発生素子2とインク吐出口9−3との間隔
を最適化する為に行うものであり、ここで切断す
る領域は適宜、決定される。この切断に際して
は、半導体工業で通常、採用されているダイシン
グ法が採用される。 第7図は第6図のZ,Z′線切断面図である。そ
して、切断面を研磨して平滑化し、貫通孔10に
インク供給管11を取り付けてインクジエツトヘ
ツドが完成する。(第8図) 叙上の図示実施例に於ては、溝作成用の感光性
組成物(フオトレジスト)としてドライフイルム
タイプ、つまり固体のものを利用したが、本発明
では、これのみに限るものではなく、液状の感光
性組成物も勿論、利用することができる。 そして、基板上へのこの感光性組成物塗膜の形
成方法として、液体の場合にはレリーフ画像の製
作時に用いられるスキージによる方法、すなわち
所望の感光性組成物膜厚と同じ高さの壁を基板の
周囲におき、スキージによつて余分の組成物を除
去する方法である。この場合感光性組成物の粘度
は100cp〜300cpが適当である。又、基板の周囲
におく壁の高さは感光性組成物の溶剤分の蒸発の
減量を見込んで決定する必要がある。 他方、固体の場合は、感光性組成物シートを基
板上に加熱圧着して貼着する。 尚、本発明に於ては、その取扱い上、及び厚さ
の制御が容易且つ精確にできる点で、固体のフイ
ルムタイプのものを利用する方が有利ではある。
このような固体のものとしては、例えば、デユポ
ン社パーマネントフオトポリマーコーテイング
RISTON、ソルダーマスク730S、同740S、同
730FR、同740FR、同SM1等の商品名で市販され
ている感光性樹脂がある。この他、本発明に於て
使用される感光性組成物としては、感光性樹脂、
フオトレジスト等の通常のフオトリソグラフイー
の分野において使用されている感光性組成物の多
くのものが挙げられる。これ等の感光性組成物と
しては、例えば、ジアゾレジン、P−ジアゾキノ
ン、更には例えばビニルモノマーと重合開始剤を
使用する光重合型フオトポリマー、ポリビニルシ
ンナメート等と増感剤を使用する二量化型フオト
ポリマー、オルソナフトキノンジアジドとボラツ
クタイプのフエノール樹脂との混合物、ポリビニ
ルアルコールとジアゾ樹脂の混合物、4−グリシ
ジルエチレンオキシドとベンゾフエノンやグリシ
ジカルコンとを共重合させたポリエーテル型フオ
トポリマー、N,N−ジメチルメタクリルアミド
と例えばアクリルアミドベンゾフエノンとの共重
合体、不飽和ポリエステル系感光性樹脂〔例えば
APR(旭化成)、テビスタ(帝人)、ゾンネ(関西
ペイント)等〕、不飽和ウレタンオリゴマー系感
光性樹脂、二官能アクリルモノマーに光重合開始
剤とポリマーとを混合した感光性組成物、重クロ
ム酸系フオトレジスト、非クロム系水溶性フオト
レジスト、ポリケイ皮酸ビニル系フオトレジス
ト、環化ゴム−アジド系フオトレジスト、等が挙
げられる。 以上に詳しく説明した本発明の結果としては、
次のとおり、種々、列挙することができる。 1 ヘツド製作の主要工程が、所謂、印字技術に
困る為、所望のパターンでヘツド細密部の形成
が極めて簡単に行なえる。しかも、同構成のヘ
ツドを多数、同時加工することもできる。 2 製造工程数が比較的少ないので、生産性が良
好である。 3 主要構成部材の位置合せを容易にして確実に
為すことができ、寸法精度の高いヘツドが歩留
り良く得られる。 4 高密度マルチアレイインクジエツトヘツドが
簡略な方法で得られる。 5 インク通路を構成する溝壁の厚さの調整が極
めて容易であり、感光性(樹脂)組成物層の厚
さに応じて所望の寸法(例えば、溝深さ)のイ
ンク通路を形成することができる。 6 連続、且つ大量生産が可能である。 7 エツチング液(フツ化水素酸等の強酸類)を
使用する必要がないので、安全衛生の面でも優
れている。 8 接着剤をほとんど使用することがないので、
接着剤が流動して溝が塞がれたり、インク吐出
圧発生素子に付着して、機能低下を引き起こす
ことがない。 更には、接着剤を使用することなく構成部材
間の結合力を高めたために、 9 構成部材の剥離や変形又は位置ズレが生ぜ
ず、得られたインクジエツトヘツドの耐久性が
極めて良好である。
第1図乃至第8図は、本発明の製造工程の説明
図である。 図に於て、1は基板、2はインク吐出圧発生素
子、4は金属薄膜、5はドライフイルムフオトレ
ジスト、5pはフオトレジスト硬化膜、8は天
板、9は溝である。
図である。 図に於て、1は基板、2はインク吐出圧発生素
子、4は金属薄膜、5はドライフイルムフオトレ
ジスト、5pはフオトレジスト硬化膜、8は天
板、9は溝である。
Claims (1)
- 1 基板と該基板上に配されたインク吐出エネル
ギー発生素子と該発生素子上に設けられた無機絶
縁材料の薄膜と該薄膜上に金属薄膜を介して設け
られた感光性樹脂の硬化膜を用いて形成されるイ
ンク通路と該インク通路に連通するインク吐出口
とを有することを特徴とするインクジエツトヘツ
ド。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9488481A JPS57208258A (en) | 1981-06-18 | 1981-06-18 | Ink jet head |
US06/385,092 US4437100A (en) | 1981-06-18 | 1982-06-04 | Ink-jet head and method for production thereof |
GB08216959A GB2104451B (en) | 1981-06-18 | 1982-06-11 | Ink jet head |
DE19823222874 DE3222874A1 (de) | 1981-06-18 | 1982-06-18 | Farbstrahlkopf und verfahren zu dessen herstellung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9488481A JPS57208258A (en) | 1981-06-18 | 1981-06-18 | Ink jet head |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS57208258A JPS57208258A (en) | 1982-12-21 |
JPH0242669B2 true JPH0242669B2 (ja) | 1990-09-25 |
Family
ID=14122466
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9488481A Granted JPS57208258A (en) | 1981-06-18 | 1981-06-18 | Ink jet head |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS57208258A (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5787956A (en) * | 1980-11-21 | 1982-06-01 | Fujitsu Ltd | Ink jet heat and manufacture thereof |
-
1981
- 1981-06-18 JP JP9488481A patent/JPS57208258A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5787956A (en) * | 1980-11-21 | 1982-06-01 | Fujitsu Ltd | Ink jet heat and manufacture thereof |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS57208258A (en) | 1982-12-21 |
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