JPH0241024A - Signal converter - Google Patents
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- JPH0241024A JPH0241024A JP63190556A JP19055688A JPH0241024A JP H0241024 A JPH0241024 A JP H0241024A JP 63190556 A JP63190556 A JP 63190556A JP 19055688 A JP19055688 A JP 19055688A JP H0241024 A JPH0241024 A JP H0241024A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
(概要)
信号変換装置に係り、特に差動入力段と、この差動入力
段にトーテムポール形式で接続される2つの出力トラン
ジスタとを有しエミッタ・カップリング・ロジック(E
CL)の出力信号をトランジスタ・トランジスタ・ロジ
ック(TTL)の信号に変換する信号変換装置に関し、
消費電力を増加させることなく、信号変換の速度を増大
させることができるようにすることを目的とし、
信号入力側トランジスタと基準電源入力側トランジスタ
とで形成される差動入力段と、この差動入力段にトーテ
ムポール形式で接続される2つのトランジスタとを有し
エミッタ・カップリング・ロジック(ECL)の出力信
号をトランジスタ・トランジスタ・ロジック(TTL)
の信号に変換する信号変換装置において、出力信号がロ
ーレベルからハイレベルになるとき動作してオン状態と
なるダーリントンオフバッファ回路と、上記差動入力段
の信号入力側トランジスタおよび基準電源入力側トラン
ジスタのコレクタをクランプする回路と、このクランプ
回路にバイアス電圧を印加するバイアス回路とからなる
ように構成する。[Detailed Description of the Invention] (Summary) It relates to a signal conversion device, and in particular includes an emitter-coupled logic circuit having a differential input stage and two output transistors connected to the differential input stage in a totem pole format. (E
Regarding a signal conversion device that converts an output signal of a transistor-transistor-logic (TTL) signal into a transistor-transistor-logic (TTL) signal, the purpose is to increase the speed of signal conversion without increasing power consumption. Emitter-coupled logic (ECL) has a differential input stage formed by a signal input side transistor and a reference power supply input side transistor, and two transistors connected to this differential input stage in a totem pole format. Transistor-transistor logic (TTL)
A signal conversion device that converts the signal into a signal includes a Darlington off buffer circuit that operates and turns on when the output signal changes from a low level to a high level, a signal input side transistor of the differential input stage, and a reference power input side transistor. The circuit is configured to include a circuit that clamps the collector of the circuit, and a bias circuit that applies a bias voltage to the clamp circuit.
本発明は、信号変換装置に係り、特に差動入力段と、こ
の差動入力段にトーテムポール形式で接続される2つの
出力トランジスタとを有しエミッタ・カップリング・ロ
ジック(ECL)の出力信号をトランジスタ・トランジ
スタ・ロジック(TTL)の信号に変換する信号変換装
置に関する。 電子計算機等にあって、論理回路の構成
は入力にマルチエミッタトランジスタのエミッタを用い
て論理を構成し、コレクタ出力を増幅回路のベースに接
続したトランジスタ・トランジスタ・ロジック(TTL
)を採用する場合が多い。The present invention relates to a signal conversion device, and more particularly, to a signal conversion device that has a differential input stage and two output transistors connected to the differential input stage in a totem-pole manner, and converts the output signal of an emitter-coupled logic (ECL). The present invention relates to a signal conversion device that converts a signal into a transistor-transistor logic (TTL) signal. In electronic computers, etc., logic circuits are constructed using transistor-transistor logic (TTL), which uses the emitter of a multi-emitter transistor as an input to form the logic, and connects the collector output to the base of an amplifier circuit.
) is often adopted.
また、近年スーパコンピュータや超大型計算機等におい
て高速性を要求される分野においては、エミッタ結合の
トランジスタで論理を構成した高速作動可能なエミッタ
・カップリング・ロジック(ECL)を採用することが
ある。Furthermore, in recent years, in fields where high speed is required, such as in supercomputers and ultra-large computers, emitter-coupled logic (ECL), which is configured with emitter-coupled transistors and is capable of high-speed operation, is sometimes employed.
ところで、このようなTTLで作動する装置と、ECL
で作動する装置のとを結合してECLで作動する装置の
信号をTTLで作動する装置に伝送するような場合があ
る。このような場合にはECLで使用している装置の信
号と、TTLを使用している装置の信号とではその電圧
レベル等の仕様が異なる(例えばECLでは−1,8v
〜−0,8V 、 TTLテはOv〜3v)。コノタメ
、コレラの装置の間に信号変換装置を挿入してECLの
信号をTTLの信号に変換する必要がある。By the way, such devices that operate with TTL and ECL
In some cases, a signal from an ECL-operated device is transmitted to a TTL-operated device by combining the ECL-operated device and the TTL-operated device. In such a case, the voltage level and other specifications of the signal of the device using ECL and the signal of the device using TTL are different (for example, -1.8v for ECL).
~-0,8V, TTL voltage is Ov~3v). It is necessary to insert a signal converter between the Konotame and cholera equipment to convert the ECL signal to a TTL signal.
従来上述したような信号変換装置として第3図に示すも
のがある。同図においてISOは負電源(VEE)に接
続した電流源Ql、Q2はECL回路の出力を受ける差
動段を構成する第1及び第2のトランジスタで、第1の
トランジスタQ1のベースに基準電圧(VREF)が、
また第2のトランジスタQ2のベースには入力信号が入
力される。また同図において、R1,R2は上記の第1
及び第2のトランジスタのコレクタを夫々正電源(VC
C)に接続する第1及び第2の抵抗器、更に、Q3.Q
4はこの正電源からの第3の抵抗R3を介してトーテム
ポール型に接続して接地(GND)L/た第3及び第4
のトランジスタで、第3のトラジスタQ3のベースは上
記第1の抵抗器R1のトランジスタ側に、また、第4の
トランジスタQ4のベースは上記第2の抵抗器R2のト
ランジスタ側に接続し、第3のトランジスタQ3と第4
のトランジスタQ4の接続個所を出力端子としている。As a conventional signal conversion device as described above, there is one shown in FIG. In the figure, ISO is a current source Ql connected to the negative power supply (VEE), Q2 is the first and second transistors forming a differential stage that receives the output of the ECL circuit, and a reference voltage is applied to the base of the first transistor Q1. (VREF) is
Further, an input signal is input to the base of the second transistor Q2. In addition, in the same figure, R1 and R2 are the first
and the collectors of the second transistor are connected to the positive power supply (VC
Q3.C) and first and second resistors connected to Q3. Q
4 are the third and fourth terminals connected to the ground (GND) in a totem pole manner via the third resistor R3 from this positive power supply.
The base of the third transistor Q3 is connected to the transistor side of the first resistor R1, the base of the fourth transistor Q4 is connected to the transistor side of the second resistor R2, and the base of the third transistor Q3 is connected to the transistor side of the second resistor R2. transistor Q3 and the fourth
The connection point of transistor Q4 is used as an output terminal.
そして、R4は第4のトランジスタQ4のベースを接地
している第4の抵抗器である。Further, R4 is a fourth resistor that grounds the base of the fourth transistor Q4.
そしてこの信号変換装置によれば、入力端子にECLの
ロウレベル信号が入力した時には、基準電圧との関係で
第1のトランジスタQ1に電流が流れ第1の抵抗器R1
の電圧が下がり、第3のトランジスタQ3がオフ状態と
なる。このとき第2のトランジスタQ2には電流は流れ
ないから、第4のトランジスタQ4のベースは第2の抵
抗器R2および第4の抵抗器R4によりバイアスされ、
トランジスタQ4はオン状態となり出力端子にはTTL
のロウレベルの信号が出力される。According to this signal conversion device, when the ECL low level signal is input to the input terminal, a current flows through the first transistor Q1 in relation to the reference voltage, and the current flows through the first resistor R1.
voltage decreases, and the third transistor Q3 turns off. At this time, since no current flows through the second transistor Q2, the base of the fourth transistor Q4 is biased by the second resistor R2 and the fourth resistor R4.
Transistor Q4 is in the on state and the output terminal is TTL
A low level signal is output.
また、入力端子にECLのハイレベルの信号が入力した
時には、基準電圧との関係で第2のトランジスタQ2に
電流が流れ、第2の抵抗器R2の電圧が下がり、第4の
トランジスタQ4がオフ状態となる。このとき第1のト
ランジスタQ1には電流は流れないから第1の抵抗器R
1の電圧は上り、第3のトランジスタQ3はオン状態と
なり出力端子にはTTLのハイレベルの信号が出力され
る。Furthermore, when a high level ECL signal is input to the input terminal, current flows through the second transistor Q2 in relation to the reference voltage, the voltage across the second resistor R2 decreases, and the fourth transistor Q4 turns off. state. At this time, since no current flows through the first transistor Q1, the first resistor R
1 rises, the third transistor Q3 turns on, and a TTL high-level signal is output to the output terminal.
このような信号変換装置により、ECLの信号をTTL
の信号に変換することができる。With such a signal converter, ECL signals can be converted to TTL.
signal.
(発明が解決しようとする課題)
ところで、上述した従来の信号変換装置にあっては、信
号の変換速度を高速とするのには限界があるという問題
がある。(Problems to be Solved by the Invention) However, in the conventional signal conversion device described above, there is a problem that there is a limit to increasing the signal conversion speed.
第4のトランジスタQ4がオン状態のとき、第4のトラ
ンジスタQ4は完全飽和状態となっているため飽和状態
からの回復時間が必要であるため第4のトランジスタQ
4のターンオフ時間が長くなってしまうためである。When the fourth transistor Q4 is in the on state, the fourth transistor Q4 is in a fully saturated state and requires time to recover from the saturated state.
This is because the turn-off time of No. 4 becomes longer.
また、このとき第3のトランジスタQ3をオフ状態にす
るために第3のトランジスタQ3のベース電位を第4の
トランジスタQ4のコレクタエミッタ間の飽和電圧以下
にする必要があるが、ここで第3のトランジスタQ3の
ベース電位は第1の抵抗によってプルアップされている
から、高速化を図るためには第1の抵抗R1の値を小さ
なものとすればよいが、上記のように第3のトランジス
タQ3をオフ状態に保持するためには、この抵抗R1に
流す電流を大きなものにして、抵抗R1による電圧降下
を保障しなければならず、消費電力の増加を招くものと
なる。Also, at this time, in order to turn off the third transistor Q3, the base potential of the third transistor Q3 needs to be lower than the saturation voltage between the collector and emitter of the fourth transistor Q4. Since the base potential of the transistor Q3 is pulled up by the first resistor, the value of the first resistor R1 may be made small in order to increase the speed. In order to keep the resistor R1 in an off state, it is necessary to increase the current flowing through the resistor R1 to ensure a voltage drop across the resistor R1, which results in an increase in power consumption.
そこで本発明は、消費電力を増加させることなく、信号
変換の速度を増大させることができる信号変換装置を提
供することを目的とする。Therefore, an object of the present invention is to provide a signal conversion device that can increase the speed of signal conversion without increasing power consumption.
(課題を解決するための手段)
本発明にあって、上記の課題を解決するための手段は、
第1図に示すように、基準電源入力側トランジスタQ1
と信号入力側トランジスタQ2とで形成した差動入力段
1と、この差動入力段1にトーテムポール形式で接続さ
れる2つのトランジスタQ3.Q4とで形成される出力
段2とを有しエミッタ・カップリング・ロジック(EC
L)の出力信号をトランジスタ・トランジスタ・ロジッ
ク(TTL)の信号に変換する信号変換装置において、
出力信号がローレベルからハイレベルになるとき動作し
てオン状態となるダーリントンオフバッファ回路3と、
上記差動入力段1の基準電源入力側トランジスタQ1と
信号入力側トランジスタQ2のコレクタをクランプする
第1のクランプ回路4と、この第1のクランプ回路4に
バイアス電圧を印加するバイアス回路5と、前記トーテ
ムポール形式で接続される2つのトランジスタの内、出
力信号がハイレベルからローレベルに変化するとき動作
するトランジスタQ4のベースコレクタ間をクランプす
る第2のクランプ回路6とから構成したことである。(Means for solving the problems) In the present invention, the means for solving the above problems are as follows:
As shown in FIG. 1, the reference power input side transistor Q1
and a signal input side transistor Q2, and two transistors Q3 . output stage 2 formed by Q4 and an emitter coupling logic (EC
In a signal conversion device that converts an output signal of L) into a transistor-transistor-logic (TTL) signal,
a Darlington off buffer circuit 3 that operates and turns on when the output signal changes from low level to high level;
a first clamp circuit 4 that clamps the collectors of the reference power input transistor Q1 and the signal input transistor Q2 of the differential input stage 1; a bias circuit 5 that applies a bias voltage to the first clamp circuit 4; The second clamp circuit 6 clamps the base-collector of the transistor Q4, which operates when the output signal changes from a high level to a low level, of the two transistors connected in a totem pole manner. .
本発明によれば、ダーリントンオフバッファ回路3は出
力信号がローレベルからハイレベルになるとき動作して
オン状態となる出力端子に接続された容量性の負荷を急
速に充電するため出力信号の立ち上り特性を向上させる
。また、第1のクランプ回路4は、差動入力段1の基準
電源入力側トランジスタQ1と信号入力側トランジスタ
Q2のコレクタをクランプするから抵抗R1の値を小さ
くしても抵抗R1に流す電流を増加させることがないか
ら消費電力を増加させえることなく、高速に作動させる
ことができる。また第2のクランプ回路6はトーテムポ
ール形式で接続されるトランジスタの内の一方のトラン
ジスタQ4のベース電流をコレクタ側にバイパスするこ
とによりトランジスタQ4のベース電流を低減させる結
果トランジスタQ4の蓄積時間は短くなり、このトラン
ジスタQ4のターンオフ時間を短くする。According to the present invention, the Darlington off-buffer circuit 3 operates when the output signal changes from low level to high level, and rapidly charges the capacitive load connected to the output terminal that is turned on. Improve characteristics. In addition, since the first clamp circuit 4 clamps the collectors of the reference power input side transistor Q1 and the signal input side transistor Q2 of the differential input stage 1, the current flowing through the resistor R1 increases even if the value of the resistor R1 is decreased. Since there is no power consumption, it is possible to operate at high speed without increasing power consumption. In addition, the second clamp circuit 6 reduces the base current of the transistor Q4 by bypassing the base current of the transistor Q4, one of the transistors connected in a totem pole format, to the collector side.As a result, the storage time of the transistor Q4 is shortened. This shortens the turn-off time of transistor Q4.
以下本発明に係る信号変換装置の実施例を図面に基づい
て説明する。Embodiments of the signal conversion device according to the present invention will be described below with reference to the drawings.
第2図は本発明に係る信号変換装置の実施例を示すもの
である。同図においてISOは負電源(VEE)に接続
した電流源、Ql、Q2はこの電流源をECL回路の出
力を受ける差動段を構成する第1及び第2のトランジス
タで、第1のトランジスタQ1のベースに基準電圧(V
REF)が入力され、基準電源入力側トランジスタとさ
れ、また、第2のトランジスタQ2のベースには入力信
号が入力され信号入力側トランジスタとされる。FIG. 2 shows an embodiment of a signal conversion device according to the present invention. In the figure, ISO is a current source connected to a negative power supply (VEE), Ql and Q2 are first and second transistors forming a differential stage that receives the output of the ECL circuit, and the first transistor Q1 A reference voltage (V
REF) is inputted thereto, and serves as a transistor on the reference power input side, and an input signal is inputted to the base of the second transistor Q2, making it serve as a transistor on the signal input side.
そして、この差動入力設工にはクランプ回路が設けられ
ている。このクランプ回路は3つのトランジスタQ5.
Q6.QIOと2つの抵抗R4゜R6とから構成され、
バイアス回路によりバイアス電圧が与えられている。こ
こでバイアス回路は、ベースコレクタ結合されダイオー
ドとして作動する3つのトランジスタQ7.Q8.Q9
と、1つの抵抗R5とから構成されている。なお、トラ
ンジスタQ7〜Q9がダイオードとして作動する場合の
順方向電圧VDFは、トランジスタのペースエミッタ間
順方向電圧VBEに等しい。A clamp circuit is provided in this differential input installation. This clamp circuit consists of three transistors Q5.
Q6. Consisting of QIO and two resistors R4 and R6,
A bias voltage is applied by a bias circuit. The bias circuit here consists of three base-collector coupled transistors Q7. Q8. Q9
and one resistor R5. Note that the forward voltage VDF when the transistors Q7 to Q9 operate as diodes is equal to the pace-emitter forward voltage VBE of the transistors.
クランプ回路は3つの抵抗R1,R2,R7に適当な値
を選ぶと、トランジスタQ5がオン状態のとき、ソノエ
ミッタ電位は、VD F (Qs ) 十VD F (
Qa ) +VDF (Q7)−VBE (Q6)−V
DF (Qs) =VBEとナル。また、トランジスタ
QIOがオン状態の時VDF (Q9)−VBE(QI
O)=(IV トナル。In the clamp circuit, by selecting appropriate values for the three resistors R1, R2, and R7, when the transistor Q5 is in the on state, the sonoemitter potential is VDF (Qs) + VDF (
Qa) +VDF (Q7)-VBE (Q6)-V
DF (Qs) = VBE and null. Also, when transistor QIO is on, VDF (Q9) - VBE (QI
O) = (IV Tonal.
また、同図において、R1,R2は上記の第1及び第2
のトランジスQl、Q2のコレクタを夫々正電源(VC
C)に接続する第1及び第2の抵抗器、更に、Q3.Q
4はこの正電源からの第3の抵抗R3を介してトーテム
ポール型に接続して接地(GND)L/た第3及び第4
のトランジスタで、第3のトラジスタQ3のベースは上
記第1の抵抗器R1のトランジスタ側にダーリントンオ
フバッファ回路を介して接続されまた、また、第4のト
ランジスタQ4のベースは上記第2の抵抗器R2のトラ
ンジスタ側にアクティブプルダウン回路を介して接続さ
れている。上記のダーリントンオフバッファ回路は1つ
のトランジスタQllと1つの抵抗R8及び逆バイアス
防止トランジスタQ12により構成されている。In addition, in the same figure, R1 and R2 are the first and second
The collectors of transistors Ql and Q2 are connected to the positive power supply (VC
Q3.C) and first and second resistors connected to Q3. Q
4 are the third and fourth terminals connected to the ground (GND) in a totem pole manner via the third resistor R3 from this positive power supply.
The base of the third transistor Q3 is connected to the transistor side of the first resistor R1 via a Darlington off-buffer circuit, and the base of the fourth transistor Q4 is connected to the transistor side of the first resistor R1. It is connected to the transistor side of R2 via an active pull-down circuit. The above Darlington off-buffer circuit is composed of one transistor Qll, one resistor R8, and a reverse bias prevention transistor Q12.
また、上記のアクティブプルダウン回路は1つのトラン
ジスタQ14と2つの抵抗R9,RIOで形成されてい
る。そして上記のダーリントンオフバッファ回路は出力
信号がローレベルからハイレベルに変化するとき作動し
てオン状態となり、出力端子に接続された素子の容量性
の負荷を、第3の抵抗R3を介して急速に充電し出力信
号の立ち上りを良好にする。また、アクティブプルダウ
ン回路は出力トランジスタQ4のベース電位の立ち上り
を高速化してターンオン時間を短縮するものである。Further, the above active pull-down circuit is formed of one transistor Q14 and two resistors R9 and RIO. The above Darlington off-buffer circuit is activated and turns on when the output signal changes from low level to high level, and quickly removes the capacitive load of the element connected to the output terminal via the third resistor R3. to improve the rise of the output signal. Further, the active pull-down circuit speeds up the rise of the base potential of the output transistor Q4 and shortens the turn-on time.
更に本実施例においては出力トランジスタQ4のコレク
タと上述した第2の抵抗R2との間にクランプトランジ
スタQ13を設けるようにしている。このクランプトラ
ンジスタQ13は、ペースコレクタ結合をしておりダイ
オードとして作動するものである。このクランプトラン
ジスタQ13は出力トランジスタQ4がオン状態となっ
たときにトランジスタQ4の過剰ベース電流をコレクタ
側にバイパスして、出力トランジスタQ4を極めて浅い
飽和状態にまで過剰蓄積キャリアをなくして蓄積時間を
極めて短くし、高速化を図るものである。また、このク
ランプトランジスタQ13は出力トランジスタQ4のベ
ース電流をオーバードライブし、出力トランジスタQ4
のターンオン時間を短縮する。即ち出力トランジスタQ
4がオフ状態であるとき、ダーリントンオフバッファ回
路はオフ状態でありトランジスタQllは深く逆バイア
スがかかっている。そして出力トランジスタQ4がオン
状態となり、ダーリントンオフバッファ回路がオフ状態
に移行する場合、出力トランジスタQ4のベース電位の
立ち上りに比較して出力電圧の立ち下がりは十分に遅く
、このためクランプトランジスタQ13は逆バイアス状
態を維持する。従って、第2の抵抗R2と第7の抵抗R
7とを通じて、出力トランジスタQ4はオーバードライ
ブされ、ターンオン時間を短縮する。そして出力電圧が
所定のレベルまで低下するとクランプトランジスタQ1
3は導通してクランプ動作に移行する。Furthermore, in this embodiment, a clamp transistor Q13 is provided between the collector of the output transistor Q4 and the above-mentioned second resistor R2. This clamp transistor Q13 is pace-collector coupled and operates as a diode. This clamp transistor Q13 bypasses the excess base current of the transistor Q4 to the collector side when the output transistor Q4 is turned on, and eliminates excess accumulated carriers to bring the output transistor Q4 into an extremely shallow saturation state, thereby minimizing the accumulation time. The purpose is to shorten the length and speed up the process. Additionally, this clamp transistor Q13 overdrives the base current of the output transistor Q4, and
reduce turn-on time. That is, the output transistor Q
When Q4 is off, the Darlington off buffer circuit is off and transistor Qll is deeply reverse biased. When the output transistor Q4 turns on and the Darlington off-buffer circuit turns off, the fall of the output voltage is sufficiently slow compared to the rise of the base potential of the output transistor Q4, and therefore the clamp transistor Q13 is Maintain bias state. Therefore, the second resistor R2 and the seventh resistor R
7, output transistor Q4 is overdriven to reduce turn-on time. Then, when the output voltage drops to a predetermined level, the clamp transistor Q1
3 becomes conductive and shifts to clamping operation.
更に、上述した逆バイアス防止トランジスタQ12は、
トランジスタQllがオン状態からオフ状態に移行する
ときのベースエミッタ間の逆バイアスを防止刷ると共に
、トランジスタQ3のベースに逆バイアス電圧をかけ、
トランジスタQ3のベース蓄積キャリアをトランジスタ
Q12のベース側および抵抗R8側へ流し出しターンオ
フ時間を短くする。これは抵抗R1の電圧降下によりト
ランジスタQ3のベース電位の立ち下がりが遅いため、
トランジスタQ12によりトランジスタQllのベース
エミッタ間が深く逆バイアスされるのを防止するもので
ある。また、トランジスタQ5はトランジスタQllの
ベース電位をクランプするためにあるが、電流はトラン
ジスタQ5及びトランジスタQ6を通じてトランジスタ
Q1に流れるため、抵抗R1に流す電流を減少すること
ができ、これとトランジスタQ5のクランプにより抵抗
R1の抵抗値を小さくし、トランジスタQllのベース
の立ち上りを高速にすることができる。Furthermore, the above-mentioned reverse bias prevention transistor Q12 is
Preventing reverse bias between the base and emitter when the transistor Qll transitions from the on state to the off state, and applying a reverse bias voltage to the base of the transistor Q3,
Carriers accumulated in the base of transistor Q3 are flowed out to the base side of transistor Q12 and to the side of resistor R8 to shorten the turn-off time. This is because the base potential of transistor Q3 falls slowly due to the voltage drop across resistor R1.
This prevents the transistor Q12 from being deeply reverse biased between the base and emitter of the transistor Qll. Furthermore, the transistor Q5 is provided to clamp the base potential of the transistor Qll, but since the current flows to the transistor Q1 through the transistor Q5 and the transistor Q6, the current flowing to the resistor R1 can be reduced, and this and the clamping of the transistor Q5 Accordingly, the resistance value of the resistor R1 can be reduced, and the rise of the base of the transistor Qll can be made faster.
従って、本実施例によれば、前述した回路を設けるよう
にしたから、信号変換装置の信号変換の速度を高速にす
ることができる。尚上記の実施例においては信号変換装
置にクランプ回路、バイアス部、ダーリントンオフバッ
ファ回路の化アクティブプルダウン回路、クランプトラ
ンジスタ等の手段を設けるようにしたが、これらの手段
は必ずしも設ける必要はなく、クランプ回路とバイアス
部とダーリントンオフバッファ回路とを設けるだけでも
信号変換の速度は向上する。Therefore, according to this embodiment, since the above-described circuit is provided, the signal conversion speed of the signal conversion device can be increased. In the above embodiment, the signal conversion device is provided with means such as a clamp circuit, a bias section, a Darlington off-buffer circuit, an active pull-down circuit, a clamp transistor, etc., but it is not necessary to provide these means. The speed of signal conversion can be improved simply by providing a circuit, a bias section, and a Darlington off-buffer circuit.
(発明の効果)
以上説明したように、本発明によれば信号変換装置にク
ランプ回路、バイアス部、ダーリントンオフバッファ回
路を設けるようにしたので、出力トランジスタのターン
オン及びターンオフの時間を短縮することができ、EC
L−TTL間の信号の変換の速度を高速に刷ることがで
きるという効果を奏する。(Effects of the Invention) As explained above, according to the present invention, since the signal conversion device is provided with a clamp circuit, a bias section, and a Darlington off buffer circuit, the turn-on and turn-off times of the output transistor can be shortened. Yes, EC
This has the effect of increasing the conversion speed of L-TTL signals.
第1図は本発明の原理図、第2図本発明に係る信号変換
装置の実施例を示す回路図、第3図は従来の信号変換装
置を示す回路図である。
1・・・差動入力段
2・・・出力段
3・・・ダーリントンオフバッファ回路4・・・クラン
プ回路
5・・・バイアス回路
木発明/I&、理の
第1図FIG. 1 is a principle diagram of the present invention, FIG. 2 is a circuit diagram showing an embodiment of a signal converting device according to the present invention, and FIG. 3 is a circuit diagram showing a conventional signal converting device. 1... Differential input stage 2... Output stage 3... Darlington off-buffer circuit 4... Clamp circuit 5... Bias circuit tree Invention/I &, Figure 1 of theory
Claims (1)
とで形成される差動入力段と、この差動入力段にトーテ
ムポール形式で接続される2つのトランジスタとを有し
エミッタ・カップリング・ロジック(ECL)の出力信
号をトランジスタ・トランジスタ・ロジック(TTL)
の信号に変換する信号変換装置において、 出力信号がローレベルからハイレベルになるとき動作し
てオン状態となるダーリントンオフバッファ回路(3)
と、 上記差動入力段の信号入力側トランジスタおよび基準電
源入力側トランジスタのコレクタをクランプする第1の
クランプ回路(4)と、 この第1のクランプ回路(4)にバイアス電圧を印加す
るバイアス回路(5)と前記トーテムポール形式で接続
される2つのトランジスタの内、出力信号がハイレベル
からローレベルに変化するとき動作するトランジスタの
ベースコレクタ間をクランプする第2のクランプ回路(
6)とを有することを特徴とする信号変換装置。[Claims] A differential input stage formed by a signal input side transistor and a reference power supply input side transistor, and two transistors connected to this differential input stage in a totem pole format, and an emitter cup. The output signal of ring logic (ECL) is converted to transistor transistor logic (TTL).
In a signal conversion device that converts signals into
a first clamp circuit (4) that clamps the collectors of the signal input side transistor and reference power input side transistor of the differential input stage; and a bias circuit that applies a bias voltage to the first clamp circuit (4). (5) and a second clamp circuit that clamps between the base and collector of the transistor that operates when the output signal changes from high level to low level among the two transistors connected in the totem pole format (
6) A signal conversion device comprising:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63190556A JPH0241024A (en) | 1988-08-01 | 1988-08-01 | Signal converter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63190556A JPH0241024A (en) | 1988-08-01 | 1988-08-01 | Signal converter |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0241024A true JPH0241024A (en) | 1990-02-09 |
Family
ID=16260038
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63190556A Pending JPH0241024A (en) | 1988-08-01 | 1988-08-01 | Signal converter |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0241024A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04282915A (en) * | 1991-03-12 | 1992-10-08 | Nec Corp | Level conversion circuit |
-
1988
- 1988-08-01 JP JP63190556A patent/JPH0241024A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04282915A (en) * | 1991-03-12 | 1992-10-08 | Nec Corp | Level conversion circuit |
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