JPH0238576A - Treating device - Google Patents
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Links
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 47
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 27
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000010439 graphite Substances 0.000 abstract description 4
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 abstract description 3
- 238000011282 treatment Methods 0.000 abstract description 3
- ZZUFCTLCJUWOSV-UHFFFAOYSA-N furosemide Chemical compound C1=C(Cl)C(S(=O)(=O)N)=CC(C(O)=O)=C1NCC1=CC=CO1 ZZUFCTLCJUWOSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000008246 gaseous mixture Substances 0.000 abstract 1
- 230000003245 working effect Effects 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 54
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 3
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は、処理装置に関する。[Detailed description of the invention] [Purpose of the invention] (Industrial application field) The present invention relates to a processing device.
（従来の技術）
一般に、半導体集積回路等を製造するに際には、例えば
、薄膜形成工程、エッチング工程、アラシンク工程等が
ある。これら各工程における処理は、通常以下の通り行
なわれている。(Prior Art) Generally, when manufacturing a semiconductor integrated circuit or the like, there are, for example, a thin film forming process, an etching process, an alignment process, etc. The treatments in each of these steps are usually performed as follows.
被処理体例えば半導体ウェハを処理室内の所定の位置に
設置する。この後、各処理に対応する処理ガスを、処理
室内に供給する。そして、供給された処理ガスを用いて
、半導体ウェハへの所定の処理を実行する。An object to be processed, such as a semiconductor wafer, is placed at a predetermined position within the processing chamber. Thereafter, processing gases corresponding to each process are supplied into the processing chamber. Then, using the supplied processing gas, a predetermined process is performed on the semiconductor wafer.
上記のような処理に際し、ウェハへの処理の均一性を向
上させるために、半導体ウェハに対して均一的な処理ガ
スの供給が要望されている。ここで、この要望に対処し
た一例として、特公昭６２３４８３４号公報には、処理
室内の処理ガス供給位置から半導体ウェハ設置付近まで
、円筒状のガイ１〜を設け、このガイドにより処理ガス
を半導体つ工に対して均一に供給するようにしたものが
開示されている。During the above-described processing, there is a demand for uniform supply of processing gas to the semiconductor wafer in order to improve the uniformity of the processing on the wafer. As an example of meeting this demand, Japanese Patent Publication No. 6234834 discloses that a cylindrical guide 1 is provided from the processing gas supply position in the processing chamber to the vicinity of the semiconductor wafer installation, and this guide allows the processing gas to be connected to the semiconductor. Disclosed is a device which is designed to uniformly supply the material to the workers.
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、上記公報に記載されているように、処理
室内に処理ガスを案内する円筒状のカイトを設けると以
下のような問題点がある。(Problems to be Solved by the Invention) However, as described in the above publication, when a cylindrical kite for guiding the processing gas is provided in the processing chamber, the following problems arise.
処理ガスは、ガス供給装置から被処理体付近にガイドに
より案内される。この時、処理ガスは、被処理体の被処
理面積に対応するように案内される。しかし、被処理体
は、種類によって夫々大きさが異なる場合かある。例え
は半導体ウェハは、４インチ〜８インチと、ウェハ面積
が異なり、当然被処理面積が異なる。このような被処理
面積の異なったウェハを同一ガイドによる処理装置で行
なっても、特定の被処理面積を持つウェハには有効であ
るが、それ以外の被処理面積のウェハには、処理ガスを
均一的に供給できず、ウェハの各位置における均一な処
理を行なうことが出来なかった。The processing gas is guided from the gas supply device to the vicinity of the object to be processed by a guide. At this time, the processing gas is guided so as to correspond to the processing area of the object to be processed. However, the objects to be processed may have different sizes depending on the type. For example, semiconductor wafers have different wafer areas, ranging from 4 inches to 8 inches, and naturally have different areas to be processed. Even if wafers with different processing areas are processed using a processing device using the same guide, it is effective for wafers with a specific processing area, but it is difficult to apply processing gas to wafers with other processing areas. It was not possible to supply uniformly, and it was not possible to perform uniform processing at each position on the wafer.
この発明は上記点に対処してなされたもので、被処理面
積の異なった被処理体に対しても、夫々の被処理体に対
応する如く処理ガスを均一的に供給でき、このことによ
り、被処理体への処理の均一性を向上することができる
処理装置を提供するものである。This invention has been made in response to the above-mentioned problems, and it is possible to uniformly supply processing gas to objects having different processing areas so as to correspond to each object. The present invention provides a processing apparatus that can improve the uniformity of processing on objects to be processed.
（課題を解決するための手段）
この発明は、処理室に供給した処理ガスを用いて被処理
体の処理を行なう装置において、上記被処理体の形状大
きさに応じた上記処理ガスの供給を行なうようにしたこ
とを特徴とする。(Means for Solving the Problem) The present invention provides an apparatus for processing an object to be processed using a processing gas supplied to a processing chamber, in which the processing gas is supplied in accordance with the shape and size of the object to be processed. It is characterized by what it does.
（作用効果）
被処理体の形状大きさに応じた処理ガスの供給を行なう
ようにしたことにより、被処理面積の異なった被処理体
に対しても、夫々に対応する如く処理ガスを均一的に供
給でき、このことにより、被処理体への処理の均一性を
向」ニすることができる効果を得るものである。(Effect) By supplying the processing gas according to the shape and size of the object to be processed, it is possible to uniformly supply the processing gas to the objects with different processing areas. This has the effect of improving the uniformity of the treatment on the object to be treated.
（実 施 例）
次に、本発明装置を半導体製造工程の枚葉処理による薄
膜形成工程で、高融点金属のＭ膜形成を行なうメタルＣ
ＶＤ装置に適用した一実施例につき図面を参照して説明
する。(Example) Next, the apparatus of the present invention was used to form a metal C film of a high melting point metal in a thin film forming process using single wafer processing in a semiconductor manufacturing process.
An embodiment applied to a VD device will be described with reference to the drawings.
上記ＣＶＤ装置は、第１図に示すように、処理室として
例えば冷却水等で壁面を冷却可能で気密な円筒状Ａｆｆ
ｉ （アルミニウム）製反応チャンバ（１）が、電気的
に接地して設けられている。この反応チャンバ（Ｄ上方
に、被処理体例えば半導体ウェハ（２）を設置する設置
板（３）が設けられている。この設置板（３）は、後ト
こ説明する加熱光により急加熱可能で、かつ、プラズマ
発生用として電気良導体の材質例えばグラファイト製で
構成されている。又、超微細技術に対応して、グラファ
イト製の設置板（３）には、電気抵抗例えば数Ωｃｍ〜
数１００Ωｃｍの材質例えばシリコンカーバイトがコー
ティングされていて、グラファイトからの塵等の発生が
防止されている。さらに、設置板（３）の上方には、設
置板（３）の外周縁部に接して支持する導電性例えばＡ
Ｑ製で円筒状の支持体０）が、上記反応チャンバ■とリ
ング状絶縁部材０を介して設けられている。そして、上
記支持体（イ）は、プラズマ励起周波数例えば１３．５
６ＭＨｚのＲＦ電源（へ）に電気的に接続され、上記支
持体（イ）に接続された設置板（３）が、プラズマ発生
電極となる。一方反応チャンバ（υは接地電位に設定さ
れている。As shown in FIG. 1, the CVD apparatus has an airtight cylindrical processing chamber whose wall surface can be cooled with, for example, cooling water.
A (aluminum) reaction chamber (1) is provided which is electrically grounded. An installation plate (3) on which an object to be processed, such as a semiconductor wafer (2), is placed is provided above the reaction chamber (D).This installation plate (3) can be rapidly heated by heating light, which will be explained later. In addition, it is made of a material with good electrical conductivity, such as graphite, for plasma generation.In addition, in response to ultra-fine technology, the graphite installation plate (3) has an electrical resistance of, for example, several Ωcm to
It is coated with a material such as silicon carbide with a thickness of several hundred Ωcm to prevent dust from being generated from graphite. Further, above the installation plate (3), a conductive material such as A
A cylindrical support body 0) made of Q is provided through the ring-shaped insulating member 0 and the reaction chamber (2). The support (a) has a plasma excitation frequency of, for example, 13.5.
The installation plate (3), which is electrically connected to a 6 MHz RF power source (A) and connected to the support (A), becomes a plasma generation electrode. Meanwhile, the reaction chamber (υ) is set to ground potential.
そして、上記設置板（３）近傍には、例えば半導体ウェ
ハ■の外縁を用いて設置板（３）に半導体ウェハ■を固
定する如く、例えばエアシリンダ等の昇降機構■を備え
た保持体（８）が設けられている。また、設置板■の上
方には石英ガラス製の窓０を通して設置板■に設けられ
たウェハ■を例えば３００’Ｃ〜１０００℃に加熱可能
なＩＲシリンダｉｎｆｒａｒｅｄ ｒａｙｌａｍｐ）（
１０）が設けられている。そして、設置板■近辺の反応
チャンバ■上壁には、排気例えば２ケ所の排気口（１１
）が設けられ、この排気口（１１）Ｌこは、反応チャン
バω内を所望の圧力に減圧及び反応ガス等を排出可能な
真空ポンプ（１２）例えばターボ分子ポンプ等が接続さ
れている。In the vicinity of the installation plate (3), a holder (8) equipped with an elevating mechanism (2) such as an air cylinder, etc., is provided, for example, to fix the semiconductor wafer (2) to the installation plate (3) using the outer edge of the semiconductor wafer (3). ) is provided. Additionally, above the installation plate (2), there is an IR cylinder infrared raylamp (IR cylinder infrared raylamp) that can heat the wafer (2) placed on the installation plate (2) to, for example, 300'C to 1000C through a quartz glass window (0).
10) is provided. There are two exhaust ports (11
), and this exhaust port (11) is connected to a vacuum pump (12) such as a turbo-molecular pump capable of reducing the pressure inside the reaction chamber ω to a desired pressure and discharging the reaction gas and the like.
また、反応チャンバ（Ｄの下方には、膜成長用ガスやキ
ャリアガスやエツチングガス等を流出する多数の微少な
流出口をもつ円環状のガス導入口（１３）が２系統独立
して設けられている。これらガス導入口（１３）は流量
制御機構（１４）例えばマス・フロー・コントローラ等
を介してガス供給源に接続されている。また、設置板■
とガス導入口（１３）の間には、ガスの流れを制御する
ための例えばステッピングモータ等の直線移動による移
動機構（１５）を備えた円板状制御板（１６）が設けら
れている。In addition, below the reaction chamber (D), two systems of annular gas inlet ports (13) each having a large number of minute outlet ports through which film growth gas, carrier gas, etching gas, etc. flow out are provided. These gas inlets (13) are connected to a gas supply source via a flow rate control mechanism (14) such as a mass flow controller.
A disk-shaped control plate (16) equipped with a linear movement mechanism (15) such as a stepping motor for controlling the flow of gas is provided between the gas inlet and the gas inlet (13).
そして、反応チャンバ（１）下方には、ガス導入口（１
３）からチャンバ■内に供給された処理ガスを、ウェハ
■を設置する設置板（３）方向に案内するガイド管（１
７）が設けられている。このガイド管（１７）の構成は
、上記円板状制御板（１６）の移動軌跡と所定の間隔を
設けて囲むようしこ、円筒状の第］のガイド管（１，７
ａ）が、反応チャンバ（１）シこ固定されている。A gas inlet (1) is located below the reaction chamber (1).
A guide pipe (1) guides the processing gas supplied into the chamber (3) from the chamber (3) toward the installation plate (3) where the wafer (2) is placed
7) is provided. The configuration of this guide tube (17) is such that it surrounds the movement trajectory of the disc-shaped control plate (16) and a predetermined interval, and a cylindrical guide tube (1, 7).
a) The reaction chamber (1) is fixed.
この第１のカイ１〜管（１，７ａ）は、例えばＡＱ製で
直径１７５ｍｍ、高さ６３．５ｍｍである。さらに、上
記第１のカイ［−管（１，７ａ）の外側壁に周接して、
円筒状の第２のカイト管（１７ｂ）が設けられている。The first pipe 1 to pipe (1, 7a) is made of AQ, for example, and has a diameter of 175 mm and a height of 63.5 mm. Furthermore, surrounding the outer wall of the first chi[-pipe (1, 7a),
A cylindrical second kite tube (17b) is provided.
この第２のガイ１−管（１，７ｂ）は、例えば昼型で
直径１．７７ｍｍ、高さ６３．５ｍｍである。 そして
、第２のガイド管（１７ｂ）は、」−配設置板（３）と
の間隔を、所望に応して設定可能なようになっている。This second guy 1-tube (1, 7b) is, for example, daytime type and has a diameter of 1.77 mm and a height of 63.5 mm. The distance between the second guide tube (17b) and the installation plate (3) can be set as desired.
即ち、第２のガイド管（１７ｂ） ｋ、反応チャンバ（
わ内に固定されている第１のガイド管（１，７ａ）の外
側壁に沿って上下方向に移動して、所望する位置に設定
可能となっている。That is, the second guide tube (17b) k, the reaction chamber (
It can be set at a desired position by moving vertically along the outer wall of the first guide tube (1, 7a) fixed inside the cage.
この移動動作は、所望に応じて自動的に行っても良く、
又オペレータがマニュアル操作してもよい。This moving operation may be performed automatically as desired.
Alternatively, the operator may perform manual operation.
マニュアルの場合、オペレータが第２のガイＩく管（１
７ｂ）を設定した位置で、夫々のガイド管（１７ａ）（
］、７ｂ）を締め付ける如く、 図示しないネジ等で固
定する。又、移動を自動的に行なう場合は、第２のガイ
１（管（１７ｂ）に、エアシリンダ等の駆動機構を係合
することにより行なっても良い。In the manual case, the operator inserts the second guide tube (1
7b) at the set position, each guide tube (17a) (
], 7b), and fix with screws (not shown). Further, when the movement is to be carried out automatically, it may be carried out by engaging the second guy 1 (pipe (17b)) with a drive mechanism such as an air cylinder.
そして、反応チャンバ（１）の−側面には自動開閉例え
ば昇降機構により開閉可能なゲートバルブ（１８）を介
して、半導体ウェハ（２）を反応チャンバ（υ内に搬入
及び搬出するため、伸縮回転自在にウェハ■を保持搬送
するハンドアーム（１９）と、ウェハ■を例えば２５枚
程度所定の間隔を設けて積載収納したカセッｈ（２０）
を載置して昇降可能な載置台（２１）を内蔵した気密な
搬送予備室（２２）が配設しである。On the side of the reaction chamber (1), a gate valve (18) that can be automatically opened and closed, for example, by an elevating mechanism, is used to transport the semiconductor wafer (2) into and out of the reaction chamber (υ). A hand arm (19) that freely holds and transports wafers ■, and a cassette h (20) that stores and stores, for example, about 25 wafers at predetermined intervals.
An airtight pre-transport chamber (22) is provided with a built-in mounting table (21) that can be moved up and down.
また、」二記構成の膜形成を行なうＣＶＤ装置は制御部
（２３）でＣＶＤ処理動作制御される。Furthermore, the CVD processing operation of the CVD apparatus for forming the film having the configuration described in "2" is controlled by a control section (23).
次に、上述したＣＶＤ装置による半導体ウェハ■への成
膜方法を第２図に示すフロー図に従って説明する。Next, a method of forming a film on a semiconductor wafer (1) using the above-mentioned CVD apparatus will be explained with reference to the flowchart shown in FIG.
予備室（２２）の図示しない開閉口よりロボッＩ〜ハン
ト又は人手により、例えば被処理半導体ウェハ■が２５
枚程度収納されたカセッ１〜（２０）を、昇降可能な載
置台（２１）上に載置する（Ａ）。この時、ゲー１−バ
ルブ（１８）を閉じた状態で、処理室である反応チャン
バ（１）内は既に、真空ポンプ（１２）の働きで所望の
低圧状態となる様に減圧操作されている。そして、カセ
ッｈ（２０）をセラ１−シた後、搬送予備室（２２）の
図示しない開閉口は気密となる如く自動的に閉しられ、
図示しない真空ポンプで反応チャンバ（１）と同程度に
減圧される（Ｂ）。次に、ゲートバルブ（１８）が開か
れ（Ｃ）、所望の低圧状態を保持した状態で載置台（２
１）の高さを調整することにより、半導体ウェハ■を伸
縮自在なハンドアーム（１９）で、カセノｈ（２０）か
ら所望の１枚を取り出し、反応チャンバ（１）内に搬入
する（Ｄ）。この時、保持体（８）は昇降機構■により
下降し、ウェハ（２）を被処理面を下向きに保持体（８
）上に設置する。そして、昇降機構（１７）で保持体（
８）を上昇し、ウェハ（２）の周縁部を設置板（３）と
保持体（８）で挟持し固定設定する（Ｅ）。For example, semiconductor wafers to be processed (25) are placed through an opening/closing opening (not shown) in the preliminary chamber (22) by robot I~hunt or by hand.
The cassettes 1-(20) containing about 100 cassettes are placed on a mounting table (21) which can be raised and lowered (A). At this time, with the gate valve (18) closed, the pressure inside the reaction chamber (1), which is a processing chamber, has already been reduced to a desired low pressure state by the action of the vacuum pump (12). . After loading the cassette h (20), the opening/closing opening (not shown) of the transportation preliminary chamber (22) is automatically closed to be airtight.
The pressure is reduced to the same level as the reaction chamber (1) using a vacuum pump (not shown) (B). Next, the gate valve (18) is opened (C), and the mounting table (2) is maintained at the desired low pressure state.
By adjusting the height of 1), a desired semiconductor wafer (2) is taken out from the case (20) using the extendable hand arm (19) and carried into the reaction chamber (1) (D) . At this time, the holder (8) is lowered by the lifting mechanism (■), and the wafer (2) is held with the surface to be processed facing downward on the holder (8).
) to be installed on top. Then, the holding body (
8), and the peripheral edge of the wafer (2) is held and fixed between the installation plate (3) and the holder (8) (E).
この半導体ウェハ（２）を設置板■への設定が終了する
と、ハンドアーム（１９）を搬送予備室（２２）内に収
納し、ゲートバルブ（１８）を閉じる（Ｆ）。When the setting of the semiconductor wafer (2) on the installation plate (2) is completed, the hand arm (19) is stored in the transfer preliminary chamber (22) and the gate valve (18) is closed (F).
次に半導体ウェハ■被処理面への処理を開始する。Next, processing of the semiconductor wafer's surface to be processed is started.
この処理は、半導体ウェハ■の被処理面に化学的気相成
長法により金属薄膜を形成するものである（Ｇ）。In this process, a metal thin film is formed on the processed surface of the semiconductor wafer (1) by chemical vapor deposition (G).
まず、反応チャンバ（１）内を所望の低圧状態例えば１
００−２００ｍｍＴｏｒｒに保つ如く真空ポンプ（］２
）で排気制御しながら、ＩＲシリンダ１０）から力１１
熱光である赤外光を耐熱性のグラフアイＩ−製の設置板
（３）に周縁が支持されたウェハ（２）の裏面に照射す
る。このことにより、この設置板（３）に設置されてい
る半導体ウェハ（２）が急加熱される。First, the interior of the reaction chamber (1) is brought to a desired low pressure state, for example, 1
Vacuum pump to maintain 00-200mmTorr (]2
) while controlling the exhaust with IR cylinder 10).
Infrared light, which is thermal light, is irradiated onto the back surface of a wafer (2) whose peripheral edge is supported by a heat-resistant installation plate (3) made of Grapheye I-. As a result, the semiconductor wafer (2) placed on this installation plate (3) is rapidly heated.
この時、半導体ウェハ■の被処理面の温度をＪＲクラン
プ９）で例えば４０〜５３０℃程度となる如くウェハ■
から放射される赤外線をパイロメーターを用いて制御す
るか、高感度熱電対を用いてウェハ■の温度を直接検知
して制御する。そして、ガス導入口（１３）を開いて、
流量制御機構（］４）で反応カスを構成する膜成長用ガ
ス例えばＩＩＦ、とキャリアガス例えば＋＋２及びＡｒ
を流出する。この反応チャンバ（１）内に供給された処
理ガスを、まず円板状制御板（１６）で撹拌する。そし
て、この撹拌された処理ガスは、ガイド管（１７）のフ
ート作用により、設置板■に設けたウェハ■方向に案内
される。この処理ガスの案内において、ウェハ■の被処
理面に均一に処理ガスを供給するように、予め、ガイド
管（１７）端部の位置を調整しておく。即ち、ガイド管
（１７）端部とウェハ■の被処理面との間隔を設定して
おく。この設定は、当該処理ウェハ■の被処理面積に対
応して、第２のガイド管（１７ｂ）を上下方向に昇降移
動して行なう。例えば第３図（Ａ）のような被処理面積
の小さいウェハ■の場合、被処理面と第２のガイド管（
１７ｂ）との間隔を短かくする。At this time, the temperature of the surface to be processed of the semiconductor wafer (2) is adjusted to about 40 to 530°C using a JR clamp 9).
Control the infrared rays emitted from the wafer using a pyrometer, or directly detect and control the temperature of the wafer using a highly sensitive thermocouple. Then open the gas inlet (13) and
A film growth gas such as IIF, which constitutes the reaction residue, and a carrier gas such as ++2 and Ar are controlled by the flow rate control mechanism (4).
leak out. The processing gas supplied into the reaction chamber (1) is first stirred by a disc-shaped control plate (16). This stirred processing gas is guided toward the wafer (2) provided on the installation plate (2) by the foot action of the guide tube (17). In guiding the processing gas, the position of the end of the guide tube (17) is adjusted in advance so that the processing gas is uniformly supplied to the processing surface of the wafer (1). That is, the distance between the end of the guide tube (17) and the surface to be processed of the wafer (2) is set. This setting is performed by moving the second guide tube (17b) up and down in the vertical direction in accordance with the area to be processed of the processing wafer (2). For example, in the case of a wafer (2) with a small processing area as shown in Fig. 3(A), the processing surface and the second guide tube (
17b).
すると、処理ガスは矢印（２４）のように、設置したウ
ェハ■の被処理面近辺までガイド管（１７）により均一
に案内される。即ち、処理ガスでは、ウェハ■近辺まで
は、ガイド管（１７）により規制され、他の処理室空間
への処理ガスの拡散が防止される。Then, the processing gas is uniformly guided by the guide tube (17) to the vicinity of the processing surface of the installed wafer (2) as shown by the arrow (24). That is, the processing gas is regulated by the guide tube (17) up to the vicinity of the wafer (1), and diffusion of the processing gas to other processing chamber spaces is prevented.
このことにより、被処理面の各位置において、均一的な
成膜処理が行なえる。又、第３図（Ｂ）のように被処理
面積の大きいウェハ■の場合、第２のガイド管（１７ｂ
）を移動して、被処理面と第２のガイド管（１７ｂ）と
の間隔を比較的長く設定する。すると、処理ガスは、矢
印（２５）のようにガイ１−管（１７）の設定位置まで
は規制を受けて案内され、その後、排気方向に沿っであ
る程度反応チャンバ（１）内に拡散される。すると、ウ
ェハ（２）の被処理面の各位置において、処理ガスが均
一的に供給され、正確な成膜処理が行なえる。This allows uniform film formation to be performed at each position on the surface to be processed. In addition, in the case of a wafer (2) with a large area to be processed as shown in FIG. 3(B), the second guide tube (17b
) to set a relatively long distance between the surface to be treated and the second guide tube (17b). Then, the processing gas is regulated and guided to the set position of the guy 1-pipe (17) as shown by the arrow (25), and then diffused to some extent into the reaction chamber (1) along the exhaust direction. . Then, the processing gas is uniformly supplied to each position on the processing surface of the wafer (2), and accurate film formation processing can be performed.
上記のように化学的な気相成長を行なうと、半導体ウェ
ハ■の被処理面等に形成されたホール等に金属例えばＷ
（タングステン）の膜を選択的に堆積することができる
。When chemical vapor phase growth is performed as described above, metal such as W
(Tungsten) film can be selectively deposited.
そして、所望の膜形成が終了すると、反応ガスの流出が
止められ、昇降機構■で保持体（８）がウェハ■を支持
した状態で降下し、グー１〜バルブ（１８）が開かれ（
Ｈ）、伸縮回転自在なハンドアーム（１９）により半導
体ウェハ■を反応チャンバ（１）より搬出する（Ｉ）と
ともにゲートバルブ（１８）を閉じて、（、■）処理が
完了する。この処理が完了後、カセッ１〜（２０）内に
未処理ウェハが無いか確認しくＫ）、末娘環ウェハがあ
る場合再び上記のエツチング処理および化学的気相成長
処理を実行し、未処理ウェハがない場合、終了する。When the desired film formation is completed, the outflow of the reaction gas is stopped, the holder (8) is lowered by the elevating mechanism (2) while supporting the wafer (2), and the valves (18) are opened (
H), The semiconductor wafer (1) is carried out from the reaction chamber (1) by the extendable and rotatable hand arm (19) (I), and the gate valve (18) is closed (, (2)) The process is completed. After this process is completed, check whether there are any unprocessed wafers in cassettes 1 to 20 (K). If there is a youngest ring wafer, perform the above etching process and chemical vapor deposition process again, and remove any unprocessed wafers. If there are no wafers, exit.
又、上記成膜処理を実行する前に、半導体ウェハ■に形
成された自然酸化膜をプラズマエツチングすると、より
正確な成膜処理が行なえる。Moreover, if the natural oxide film formed on the semiconductor wafer (1) is plasma etched before performing the above-mentioned film-forming process, more accurate film-forming process can be performed.
このエツチング処理は、反応チャンバ（］、）内を所望
の低圧状態例えば数十〜数百ｍｍＴｏｒ’ｒに保つよう
に真空ポンプ（１２）で排気制御しながら、ガス導入口
（１３）を開いて、流量制御機構（１４）で流量を調節
しながら処理ガスを均一的に拡散して上記ウェハ■上に
供給する。そして、タラファイト製の設置板（３）に接
続されている導電性の支持体（イ）とチャンバ０）壁面
にＲＦ電源（６）から電力例えば４００〔Ｗ〕 を印加
する。すると、上記導電体の支持体（イ）に接続してい
るタラファイト製設置板（３）に電力が印加され、反応
チャンバ（１）が接地電極のため、上記設置板（３）と
の間に放電がおこり、半導体ウェハ■上に供給された処
理ガスがプラズマ化され、このプラズマ化されたガスに
より上記ウェハ■上に形成された自然酸化膜を例えば１
００人／ｍｉｎ程度でエツチングする。この時、上記電
力の印加により、支持体（イ）が高温となるため、図示
しない冷却機構により支持体に）を例えば２０°Ｃ程度
に冷却制御しておく。This etching process is carried out by opening the gas inlet (13) while controlling the evacuation using a vacuum pump (12) to maintain the desired low pressure inside the reaction chamber (2000) at a desired low pressure, for example, several tens to several hundred mm Tor'r. The processing gas is uniformly diffused and supplied onto the wafer (2) while adjusting the flow rate using a flow rate control mechanism (14). Then, a power of, for example, 400 [W] is applied from the RF power source (6) to the conductive support (a) connected to the installation plate (3) made of taraphite and the wall surface of the chamber 0). Then, electric power is applied to the Taraphite installation plate (3) connected to the conductor support (A), and since the reaction chamber (1) is the ground electrode, there is a gap between the reaction chamber (1) and the installation plate (3). An electric discharge occurs, and the processing gas supplied onto the semiconductor wafer (2) is turned into plasma, and this plasma-turned gas destroys the natural oxide film formed on the wafer (1), for example.
Etching is performed at a rate of approximately 0.00 people/min. At this time, since the support (a) becomes high in temperature due to the application of the above-mentioned electric power, the support (a) is controlled to be cooled to, for example, about 20° C. by a cooling mechanism (not shown).
」二記実施例では、被処理体上に薄膜を形成するＣＶＤ
装置に適用した例について説明したが、これに限定する
ものではなく、処理室に供給した処理ガスをガイド管で
案内し、この案内した処理ガスを用いて被処理体に所定
の処理を行なう装置になら何れにも適用でき、例えば各
種成膜装置、エツチング装置、アッシング装置等に適用
して良いことは言うまでもない。” In the second embodiment, CVD is used to form a thin film on the object to be processed.
Although we have described an example in which the application is applied to an apparatus, the present invention is not limited to this, and the present invention is not limited to this. Needless to say, the present invention can be applied to any device, such as various film forming devices, etching devices, ashing devices, etc.
又、」二記実施例では被処理体として半導体ウェハに適
用した例について説明したが、これに限定するものでは
なく、ＴＶ画面等に用いられる液晶表示装置（ＬＣＤ）
等でも何れでも良い。又、ＬＣＤ基板を用いる場合、上
記ガイド管の形状をＬＣＤ基板の形状に対応する如く方
形状とすると効果的である。即ち被処理体形状に対応す
る如く、ガイド管形状を構成すれば良い。In addition, in the second embodiment, an example was explained in which the object to be processed was a semiconductor wafer, but the invention is not limited to this, and liquid crystal display devices (LCDs) used in TV screens, etc.
etc. or anything is fine. Further, when an LCD board is used, it is effective to make the guide tube have a rectangular shape so as to correspond to the shape of the LCD board. That is, the shape of the guide tube may be configured to correspond to the shape of the object to be processed.
さらに、上記実施例では、処理ガスの案内をするガイド
場を二重とし、一方を移動可能なものについて説明した
が、これに限定するものでなく、被処理体とカイ１〜管
の間隔を設定できるようなものなら何れでも良く、例え
ば１つの筒状のガイド管を移動可能なようにしても良い
。Further, in the above embodiment, the guide field for guiding the processing gas is double, and one of the guide fields is movable. However, the present invention is not limited to this. Any guide tube may be used as long as it can be set; for example, one cylindrical guide tube may be made movable.
以上説明したようにこの実施例によれば、ガイ１〜管と
被処理体の間隔を所望する間隔に設定する手段を具備し
たことにより、被処理面積の異なった被処理体に対して
も、夫々に対応する如く処理ガスを均一的に供給でき、
このことにより、被処理体への処理の均一性を向上する
ことができる。As explained above, according to this embodiment, by providing a means for setting the distance between the guy 1 to the pipe and the object to be processed to a desired distance, it is possible to treat objects to be processed having different areas to be processed. Processing gas can be uniformly supplied to each area,
This makes it possible to improve the uniformity of processing on the object to be processed.
第１図は本発明装置の一実施例を説明するためのＣＶＤ
装置の説明図、第２図は第１図装置の処理動作を示すフ
ロー図、第３図は、第１図装置のガイド管の設定位置を
示す図である。
１ 反応チャンバ ２・半導体ウェハ３ 設置板
１３ カス導入口１６ 円板状制御板
１７・・ガイド骨節１のガイド管
１．７ｂ・
第２のガイド管FIG. 1 is a CVD for explaining one embodiment of the device of the present invention.
FIG. 2 is a flowchart showing the processing operation of the device shown in FIG. 1, and FIG. 3 is a diagram showing the setting position of the guide tube of the device shown in FIG. 1. 1 Reaction chamber 2/Semiconductor wafer 3 Installation plate
13 Waste inlet 16 Disc-shaped control plate
17...Guide tube 1.7b of guide phalanx 1/Second guide tube
Claims (1)
なう装置において、上記被処理体の形状大きさに応じた
上記処理ガスの供給を行なうようにしたことを特徴とす
る処理装置。A processing apparatus for processing a processing object using a processing gas supplied to a processing chamber, characterized in that the processing gas is supplied in accordance with the shape and size of the processing object.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18868088A JP2641910B2 (en) | 1988-07-27 | 1988-07-27 | Processing equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18868088A JP2641910B2 (en) | 1988-07-27 | 1988-07-27 | Processing equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0238576A true JPH0238576A (en) | 1990-02-07 |
| JP2641910B2 JP2641910B2 (en) | 1997-08-20 |
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| JP (1) | JP2641910B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116259563A (en) * | 2022-12-25 | 2023-06-13 | 北京屹唐半导体科技股份有限公司 | Reaction chamber and wafer etching device |
-
1988
- 1988-07-27 JP JP18868088A patent/JP2641910B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116259563A (en) * | 2022-12-25 | 2023-06-13 | 北京屹唐半导体科技股份有限公司 | Reaction chamber and wafer etching device |
| CN116259563B (en) * | 2022-12-25 | 2024-01-23 | 北京屹唐半导体科技股份有限公司 | Reaction chamber and wafer etching device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2641910B2 (en) | 1997-08-20 |
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