JPH0234413B2 - - Google Patents

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JPH0234413B2
JPH0234413B2 JP58160090A JP16009083A JPH0234413B2 JP H0234413 B2 JPH0234413 B2 JP H0234413B2 JP 58160090 A JP58160090 A JP 58160090A JP 16009083 A JP16009083 A JP 16009083A JP H0234413 B2 JPH0234413 B2 JP H0234413B2
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JP
Japan
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ion beam
circuit
voltage
feedback
delay
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Ryuzo Aihara
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Jeol Ltd
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Nihon Denshi KK
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J27/00Ion beam tubes
    • H01J27/02Ion sources; Ion guns
    • H01J27/26Ion sources; Ion guns using surface ionisation, e.g. field effect ion sources, thermionic ion sources

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • Other Investigation Or Analysis Of Materials By Electrical Means (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)
  • Electron Tubes For Measurement (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、イオンビームの安定化を図つた
EHD型フイールドイオンビーム発生装置に関す
る。
[Detailed Description of the Invention] The present invention aims to stabilize an ion beam.
Regarding EHD type field ion beam generator.

EHD(Electro Hydro Dynamics)型フイール
ドイオン源(以下EHD型イオン源)に使用され
るエミツタは先端部が0.5μmφ程度に電界研磨さ
れたタングステン線をニードルとして液体金属
(例えばガリウム等)で濡らしたもので、このエ
ミツタとエクストラクタの間に数KVの直流電圧
を印加すると、エミツタを形成するタングステン
ニードル先端部に形成される強電界よつて、該液
体金属はニードル先端部まで引き出される。該ニ
ードル先端部の液体金属は強電界によつてテーラ
ーの円錐(Taylor Cone)と称される円錐突起
を形成する。この円錐突起の先端部には電界が集
中し、ニードル先端部の液体金属は電界蒸発し、
例えばガリウムイオンとなつて引き出される。
The emitter used in an EHD (Electro Hydro Dynamics) type field ion source (hereinafter referred to as an EHD type ion source) is a tungsten wire needle whose tip is electropolished to a diameter of approximately 0.5 μm and is wetted with a liquid metal (such as gallium). When a DC voltage of several kilovolts is applied between this emitter and the extractor, the liquid metal is drawn out to the needle tip by a strong electric field formed at the tip of the tungsten needle that forms the emitter. The liquid metal at the tip of the needle forms a conical protrusion called a Taylor Cone due to the strong electric field. An electric field concentrates at the tip of this conical protrusion, and the liquid metal at the tip of the needle evaporates due to the electric field.
For example, it is extracted as gallium ions.

ところで、この様なエミツタを使用したEHD
型イオン源においては、イオンビームの安定性を
高めるために帰還回路が設けられている。第1図
この種の従来装置の電気的構成を示す接続図で、
図において、1はイオンビームが放射されるエミ
ツタで、E1は加熱用電源である。ここでは、E1
としては直流を用いているが、交流電源を用いる
場合もある。2はエクストラクタ(Extactor)、
3はカソードで、エクストラクタ2及びカソード
3には、イオンビームを通すための小孔が穿設さ
れている。4はエミツタ1から放射されるイオン
ビーム量を検出するためのイオンビーム検出用ア
パーチヤ、5はアパーチヤ4の検出電流を電圧に
変換する電流−電圧変換回路である。この変換回
路5は、演算増幅器U1と抵抗R1とで構成されて
いる。6はイオンビーム電流を設定するための設
定回路で、マイナス入力端子で変換回路5の出力
を受ける差動増幅器U2と、この差動増幅器U2
プラス入力端子に設定電圧を与える可変電圧源
E2とで構成されている。7は設定回路6の出力
及び直流電源8の出力を受ける制御部で、設定回
路6の出力が零になるように、直流電源8の電圧
をコントロールして高周波発振器9に与え、高周
波発振器9の出力振幅を制御するものである。高
周波発振器9の出力は、高周波トランスT、なら
びに交流伝送用キヤパシタC1及びC2を介して整
流回路10に供給されている。整流回路10はダ
イオードブリツジでなり、ブリツジの両端には平
滑用キヤパシタC3及びダミー抵抗R2が接続され
ている。又、整流回路10のプラス側出力端は、
加速電源E3及びエミツタ1に接続され、マイナ
ス側出力端はエクストラクタ2に接続されてい
る。又、設定回路6と制御部7との間は抵抗R4
で接続され、抵抗R4の制御部側はキヤパシタC4
抵抗5を介して接地されている。
By the way, EHD using emitsuta like this
In the type ion source, a feedback circuit is provided to improve the stability of the ion beam. Figure 1 is a connection diagram showing the electrical configuration of this type of conventional device.
In the figure, 1 is an emitter from which the ion beam is emitted, and E 1 is a heating power source. Here, E 1
Although direct current is used for this purpose, alternating current power may also be used. 2 is an extractor (Extactor),
3 is a cathode, and the extractor 2 and cathode 3 are provided with small holes through which the ion beam passes. Reference numeral 4 represents an ion beam detection aperture for detecting the amount of ion beam emitted from the emitter 1, and reference numeral 5 represents a current-voltage conversion circuit that converts the detection current of the aperture 4 into a voltage. This conversion circuit 5 is composed of an operational amplifier U1 and a resistor R1 . 6 is a setting circuit for setting the ion beam current, which includes a differential amplifier U 2 that receives the output of the conversion circuit 5 at its negative input terminal, and a variable voltage source that applies a setting voltage to the positive input terminal of this differential amplifier U 2 .
It consists of E 2 . A control unit 7 receives the output of the setting circuit 6 and the output of the DC power supply 8, and controls the voltage of the DC power supply 8 and applies it to the high frequency oscillator 9 so that the output of the setting circuit 6 becomes zero. It controls the output amplitude. The output of the high frequency oscillator 9 is supplied to a rectifier circuit 10 via a high frequency transformer T and AC transmission capacitors C 1 and C 2 . The rectifier circuit 10 is composed of a diode bridge, and a smoothing capacitor C3 and a dummy resistor R2 are connected to both ends of the bridge. Moreover, the positive output terminal of the rectifier circuit 10 is
It is connected to the acceleration power source E 3 and the emitter 1, and its negative output end is connected to the extractor 2. Also, a resistor R 4 is connected between the setting circuit 6 and the control section 7.
The control side of resistor R 4 is connected to capacitor C 4 ,
Grounded through resistor 5 .

この様な構成の従来のEHD型イオン源の動作
を次に説明する。加熱用電源E1で熱せられたエ
ミツタ1からは、イオンが放出され、加速電源
E3の働きにより加速されてカソード3側に向か
う。このため、イオンビーム量に応じた電流がア
パーチヤ4から変換回路5に流れ、ここで、電圧
信号に変換され、設定回路6に入力される。設定
回路6中の差動増幅器U2には、基準値としての
設定電圧E2が与えられているので、設定回路6
からはその偏差電圧を増幅した信号が制御部7に
出力され、これを受けた制御部7は、直流電源8
の出力電圧をコントロールして高周波発振器9に
送る。高周波発振器9は、電圧制御部7の出力に
応じた振の出力電圧をキヤパシタC1及びC2を介
して、整流回路10に供給し、整流回路10はそ
れを直流電圧に変換し、エミツタ1とエクストラ
クタ2間に加える。従つて、エクストラクタ2の
電位は、加速電源E3の正電位に対して、上記直
流分だけレベルの低い電位(引き出し電圧)に保
持され、上記直流電圧を変えることにより、イオ
ンビーム電流を制御できるようになつている。第
1図の装置の場合、変換回路5の出力電圧が可変
電源E2の設定電圧と等しくなるように、変換回
路5、設定回路6、制御部7、発振器9及び整流
回路10等でなる負帰還回路が動作し、イオンビ
ーム電流を一定に保つている。
The operation of the conventional EHD type ion source having such a configuration will be explained next. Ions are emitted from the emitter 1 heated by the heating power source E 1 , and the accelerating power source
It is accelerated by the action of E 3 and moves towards the cathode 3 side. Therefore, a current corresponding to the amount of ion beam flows from the aperture 4 to the conversion circuit 5, where it is converted into a voltage signal and input to the setting circuit 6. Since the differential amplifier U 2 in the setting circuit 6 is given the setting voltage E 2 as a reference value, the setting circuit 6
A signal obtained by amplifying the deviation voltage is outputted to the control unit 7, and the control unit 7 that receives this signal outputs the signal from the DC power supply 8.
The output voltage is controlled and sent to the high frequency oscillator 9. The high-frequency oscillator 9 supplies an output voltage corresponding to the output of the voltage control section 7 to a rectifier circuit 10 via capacitors C 1 and C 2 , and the rectifier circuit 10 converts it into a DC voltage. and add between extractor 2. Therefore, the potential of the extractor 2 is held at a potential (extraction voltage) that is lower than the positive potential of the accelerating power source E 3 by the above DC voltage, and the ion beam current is controlled by changing the above DC voltage. I'm starting to be able to do it. In the case of the device shown in FIG. 1, a negative voltage composed of the converter circuit 5, setting circuit 6, control section 7, oscillator 9, rectifier circuit 10 , etc. is set so that the output voltage of the converter circuit 5 is equal to the set voltage of the variable power source E2. A feedback circuit operates to keep the ion beam current constant.

この様に構成された帰還回路においては、該回
路の発振を防止するためにR4,R5,C4等から構
成される遅れ要素を設けている。しかし乍ら、前
記帰還回路は、すべての要素の時定数が一定であ
る場合は、一度定数を決定すると回路は安定する
が、EHD型イオン源の様にテーラーコーンが生
成される過渡時には、エミツタ1とエクストラク
タ2の間の引き出し電圧とイオンビーム電流の関
係は非直線の関係にある。つまり、第2図aに示
す様に、引き出し電圧を時間(t)の経過と共に
徐々に上昇させると、テーラーコーンは第2図b
に示す様に、ある引き出し電圧で急峻な立上りで
形成される。一方、テーラーコーンが形成される
と、形成された瞬時にはイオンビーム電流は第2
図cに示す様に急峻な立上りをし、その後一旦減
少し再び増加する現象を呈する。この現象は
EHD型イオン源の特有の現象で、引き出し電界
のない状態では、該ニードル先端部の根元の方へ
液体金属が移動し、引き出し電界が印加されると
液体金属がニードル先端部に移動、滞留してテー
ラーコーンが形成される。これにより、イオンビ
ーム電流はある値まで上昇するが、ニードル表面
を液体金属が移送されるフロー抵抗のためニード
ル先端部に滞留する液体金属の量が少くなる。従
つて、イオンビーム電流は一時的に減少するが、
やがてニードル先端部に形成されるテーラーコー
ンは平衡してイオンビーム電流も平衡する。この
過程の時間は引き出し電圧の立上り速度には依存
せず、ある一定の時間ΔTを有している。この様
な過渡特性をもつEHD型イオン源を第1図に示
す帰還回路で制御すると、正帰還領域ΔT′がある
ため、テーラーコーンが形成される臨界引き出し
電圧に近い低エミツシヨン電流(例えば2μA以
下)では、第2図dに示す様にイオンビーム電流
は間欠的になり発振状態を呈し不安定となる欠点
があつた。
In the feedback circuit configured in this manner, a delay element composed of R 4 , R 5 , C 4 , etc. is provided to prevent oscillation of the circuit. However, when the time constants of all elements are constant, the circuit becomes stable once the constants are determined, but in the case of a transient state where a Taylor cone is generated as in an EHD type ion source, the emitter The relationship between the extraction voltage between the extractor 1 and the extractor 2 and the ion beam current is non-linear. In other words, as shown in Figure 2a, if the extraction voltage is gradually increased over time (t), the Taylor cone will change as shown in Figure 2b.
As shown in , it is formed with a steep rise at a certain extraction voltage. On the other hand, when a Taylor cone is formed, the ion beam current is at the second level at the moment of formation.
As shown in Figure c, it rises steeply, then decreases once and then increases again. This phenomenon is
This is a unique phenomenon of the EHD type ion source; in the absence of an extraction electric field, liquid metal moves toward the root of the needle tip, and when an extraction electric field is applied, the liquid metal moves to the needle tip and stays there. A Taylor cone is formed. As a result, the ion beam current increases to a certain value, but the amount of liquid metal that remains at the tip of the needle decreases due to the flow resistance of the liquid metal being transferred on the needle surface. Therefore, although the ion beam current decreases temporarily,
Eventually, the Taylor cone formed at the tip of the needle becomes balanced, and the ion beam current also becomes balanced. The time for this process does not depend on the rising speed of the extraction voltage and has a certain constant time ΔT. When an EHD type ion source with such transient characteristics is controlled by the feedback circuit shown in Figure 1, there is a positive feedback region ΔT', so the emission current is low (for example, 2 μA or less) close to the critical extraction voltage at which a Taylor cone is formed. ) had the disadvantage that the ion beam current became intermittent, exhibited an oscillating state, and became unstable, as shown in FIG. 2d.

本発明は以上の点に鑑みなされたもので、イオ
ンビーム電流が一定となるようにエミツタとエク
ストラクタ間の電位を制御する帰還回路が設けら
れたEHD型フイールドイオンビーム発生装置に
おいて、イオンビーム放射開始時に前帰還回路の
応答を任意時間遅らせる遅れ回路と、該時間経過
後、該遅れ回路を前記帰還回路から切り離す手段
を設けたことを特徴としている。
The present invention was devised in view of the above points, and is used to emit ion beams in an EHD type field ion beam generator equipped with a feedback circuit that controls the potential between the emitter and the extractor so that the ion beam current is constant. The present invention is characterized in that it includes a delay circuit that delays the response of the pre-feedback circuit for an arbitrary period of time at the start, and a means for disconnecting the delay circuit from the feedback circuit after the elapse of the time period.

以下本発明の一実施例を添付図面に基づき詳述
する。
An embodiment of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings.

第3図は本発明の一実施例の電気的構成を示す
接続図である。図において、第1図と同一部分に
は同一番号を付してその説明は省略する。本実施
例に示すイオンビーム発生装置は、第1図の装置
の帰還回路に、第3図に示す設定回路6のフイー
ドバツク抵抗R3にリレー11、可変抵抗R6、及
びキヤパシタC5を直列に接続した回路を並列に
接続し、更にキヤパシタC5にリレー12を並列
に接続している。ここで、抵抗R6、キヤパシタ
C5、リレー11、及びリレー12はイオンビー
ム初期放射開始時、該開始時における引出電圧に
対するイオンビーム電流が非直線的に変化する時
間より可成大きい時間前記帰還回路の応答を遅ら
せる遅れ回路であり、リレー11は抵抗R6及び
キヤパシタC5からなる遅れ回路を該時間経過後、
帰還回路より切り離すためのスイツチの役目をし
ている。
FIG. 3 is a connection diagram showing the electrical configuration of one embodiment of the present invention. In the figure, the same parts as in FIG. 1 are given the same numbers and their explanations will be omitted. The ion beam generator shown in this embodiment has a relay 11, a variable resistor R6, and a capacitor C5 connected in series to the feedback resistor R3 of the setting circuit 6 shown in FIG. 3 in the feedback circuit of the device shown in FIG. The connected circuits are connected in parallel, and the relay 12 is further connected in parallel to the capacitor C5 . Here, resistor R 6 , capacitor
C 5 , relay 11, and relay 12 are delay circuits that delay the response of the feedback circuit at the start of initial radiation of the ion beam for a time considerably longer than the time during which the ion beam current changes non-linearly with respect to the extraction voltage at the start. Yes, relay 11 connects the delay circuit consisting of resistor R 6 and capacitor C 5 after the specified time has elapsed.
It serves as a switch to disconnect from the feedback circuit.

以上の様に構成された装置で、例えば抵抗R6
の抵抗値をフイードバツク抵抗R3の抵抗値の略
10分の1に設定し、キヤパシタC5は充分大きい
容量にする。そして、先ずリレー11をオン状
態、リレー12をオフ状態としてイオンビームの
放射を開始する。この状態では、直列に接続され
たフイードバツク抵抗R3に並列に接続されたこ
とになり、この状態を数秒間持続させる。次に、
リレー11をオフ状態リレー12をオン状態にす
る。これにより、設定回路6のフイードバツク抵
抗はR3のみとなり、R6とC5で形成される遅れ回
路は帰還回路より切り離される。これらの、動作
をイオンビーム初期放射と同時に一連の動作さ
せ、又、R6及びC5をフイードバツク抵抗R3に対
して適当な値に設定すれば、前記テーラーコーン
生成時のエミツシヨンの非直線領域時間の遅れ
ΔTと遅れ回路で形成される帰還回路の応答時間
の遅れΔtの関係は Δt≫ΔT となる。
In a device configured as above, for example, resistor R 6
Feedback resistance R stands for the resistance value of 3 .
Set it to 1/10, and make capacitor C5 sufficiently large. First, the relay 11 is turned on and the relay 12 is turned off to start emitting the ion beam. In this state, it is connected in parallel to the feedback resistor R3 connected in series, and this state is maintained for several seconds. next,
The relay 11 is turned off and the relay 12 is turned on. As a result, the feedback resistance of the setting circuit 6 is only R3 , and the delay circuit formed by R6 and C5 is separated from the feedback circuit. By performing a series of these operations simultaneously with the initial ion beam emission, and by setting R 6 and C 5 to appropriate values for the feedback resistance R 3 , the non-linear region of the emission when the Taylor cone is generated can be The relationship between the time delay ΔT and the response time delay Δt of the feedback circuit formed by the delay circuit is Δt≫ΔT.

即ち、テーラーコーンが生成され、イオンビー
ム電流が発生するときのΔTの間は負帰還ループ
の応答をΔtだけ遅らせてΔT間に発生する正帰還
領域が無視できる様な時間ΔT≪Δtを有する遅れ
回路を付加すればテーラーコーン生成時のイオン
ビームの発振を抑制することができる。そのた
め、従来装置のように低いイオンビーム電流で起
動させても所謂発振状態を呈することはない。
又、R4,C4,R5で形成される遅れ回路は定常状
態(イオンビーム放射中)の帰還回路を精度よく
安定に動作させるためであり、イオンビーム初期
放射時は勿論イオンビーム放射中も常に安定した
イオンビーム電流が得られる。従つて、このイオ
ンビーム発生装置をマイクロフオーカスイオンビ
ーム装置に用いれば安定したイオンプローブを得
るとができる。
That is, during the ΔT period when the Taylor cone is generated and the ion beam current is generated, the response of the negative feedback loop is delayed by Δt, and the delay has a time ΔT≪Δt such that the positive feedback region that occurs during the ΔT period can be ignored. By adding a circuit, it is possible to suppress ion beam oscillation when a Taylor cone is generated. Therefore, even if the device is started with a low ion beam current like the conventional device, it does not exhibit a so-called oscillation state.
Furthermore, the delay circuit formed by R 4 , C 4 , and R 5 is used to operate the feedback circuit accurately and stably in a steady state (during ion beam emission), and is used not only during initial ion beam emission but also during ion beam emission. Also, a stable ion beam current can always be obtained. Therefore, if this ion beam generator is used in a micro-focus ion beam device, a stable ion probe can be obtained.

以上詳細に説明したように、イオンビーム初期
放射時に帰還回路の応答を任意時間遅らせる遅れ
回路と、該時間経過後、該遅れ回路を記帰還回路
から切り離す手段を設けた本発明によれば、安定
したEHD型フイードイオンビーム発生装置を提
供する。
As described in detail above, according to the present invention, which includes a delay circuit that delays the response of the feedback circuit for an arbitrary period of time during the initial emission of the ion beam, and a means for separating the delay circuit from the feedback circuit after the elapse of the time period, stable We provide an EHD type feed ion beam generator.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は従来装置の電気的構成を示す接続図、
第2図a,b,c,dは従来装置を説明するため
の図、第3図は本発明の一実施例装置の電気的構
成を示す接続図である。 1:エミツタ、2:エクストラクタ、:カソー
ド、4:アパーチヤ、5:電流−電圧変換回路、
6:設定回路、7:制御部、8:直流電源、9:
高周波発振器、10:整流回路、11,12:リ
レー。
Figure 1 is a connection diagram showing the electrical configuration of a conventional device;
FIGS. 2a, b, c, and d are diagrams for explaining a conventional device, and FIG. 3 is a connection diagram showing the electrical configuration of an embodiment of the device of the present invention. 1: emitter, 2: extractor, : cathode, 4: aperture, 5: current-voltage conversion circuit,
6: Setting circuit, 7: Control unit, 8: DC power supply, 9:
High frequency oscillator, 10: Rectifier circuit, 11, 12: Relay.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 イオンビーム電流が一定となるようにエミツ
タとエクストラクタ間の電位を制御する帰還回路
が設けられたEHD型フイールドイオンビーム発
生装置において、イオンビーム放射開始時に前記
帰還回路の応答を任意時間遅らせる遅れ回路と、
該時間経過後、該遅れ回路を前記帰還回路から切
り離す手段を設けたことを特徴とするEHD型フ
イールドイオンビーム発生装置。
1 In an EHD type field ion beam generator equipped with a feedback circuit that controls the potential between the emitter and extractor so that the ion beam current is constant, a delay that delays the response of the feedback circuit for an arbitrary period of time at the start of ion beam emission. circuit and
An EHD type field ion beam generator, comprising means for separating the delay circuit from the feedback circuit after the elapse of the time period.
JP58160090A 1983-08-31 1983-08-31 Field-emission type ion beam generator device Granted JPS6050842A (en)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS579455A (en) * 1980-06-18 1982-01-18 Manboshi Eisei Zairiyou Kk Method and apparatus for mixing medical fluid to be added into ringer's vessel

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