JPH02304562A - Blank for photomask - Google Patents
Blank for photomaskInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はフォトマスクを形成する際に用いるブランク
スの構造に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to the structure of blanks used in forming photomasks.
近年、半導体集積回路は益々高集積化するとともに、レ
クチルの微細化および要求品質が厳しくなってきており
、フォトマスクのポジドライプロセスが必要不可欠なも
のとなっている。In recent years, as semiconductor integrated circuits have become more and more highly integrated, reticle miniaturization and quality requirements have become stricter, and a positive dry process for photomasks has become indispensable.
第２図は従来のフォトマスク用ブランクスを示した図で
ある。マスク基板であるガラス基板上１に遮光性金属薄
１ｆｇ２（例えばクロムもしくはモリブデンシリサイド
）がスパッタ形成され、その上に電子線ポジレジスト３
（例えばＥＢＲ−９）が塗布されている。FIG. 2 is a diagram showing a conventional photomask blank. A light-shielding metal thin film 1fg2 (for example, chromium or molybdenum silicide) is sputter-formed on a glass substrate 1, which is a mask substrate, and an electron beam positive resist 3 is applied thereon.
(for example, EBR-9).
そして、露光、現像、ボストベーク、ウェットあるいは
ドライエツチング等のプロセスを経てフォトマスクの形
成を行っていた。A photomask is then formed through processes such as exposure, development, post-baking, wet or dry etching.
上記従来のフォトマスク用ブランクスを用いて、ポジド
ライエツチングプロセスによるフォトマスクを形成する
ことは可能ではあったが、市販されている電子線ポジレ
ジストの中で十分な耐ドライエツチング性を有したもの
はなく、微細化かつ高精度なフォトマスクの形成は難し
いという問題点があった。Although it was possible to form a photomask using the above-mentioned conventional photomask blanks by a positive dry etching process, this photomask had sufficient dry etching resistance among the commercially available electron beam positive resists. However, there was a problem in that it was difficult to form a fine and highly accurate photomask.
この発明はポジドライエツチングプロセスによるフォト
マスク形成に用いるブランクスに係るものであり、マス
ク基板上に異種の金属薄膜を多層に形成したことを特徴
とするものである。The present invention relates to a blank used for forming a photomask by a positive dry etching process, and is characterized in that thin films of different metals are formed in multiple layers on a mask substrate.
この発明に係るフォトマスク用ブランクスは。 The photomask blanks according to the present invention are as follows.
マスク基板上に異種の金属薄膜を多層にスパッタ形成し
ている。したがって、このフォトマスク用ブランクスに
よりフォトマスクを作成する際、上層の金属薄膜をレジ
ストの代わりとして利用して下層の金属薄膜をドライエ
ツチングできるので、ポジエツチングドライプロセスが
容易となり、微細パターン形成が可能となる。Multilayer metal thin films of different types are formed by sputtering on a mask substrate. Therefore, when creating a photomask using this photomask blank, the upper metal thin film can be used in place of a resist to dry-etch the lower metal thin film, which facilitates the positive etching dry process and enables the formation of fine patterns. becomes.
以下、この発明の一実施例を図面について説明する。第
１図は本発明に係るフォトマスク用ブランクスの一実施
例を示す断面図である。An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of a photomask blank according to the present invention.
マスク基板であるガラス基板１上にまず一層目として遮
光性金属薄膜２ａ（例えばクロム約８００人）をスパッ
タ形成し、次に二層目として異種の遮光性金属薄膜２ｂ
（例えばモリブデントリサイド約４００人）をスパッタ
形成し、さらにその上に電子線ポジレジスト（例えばＥ
ＢＲ−９５５００人）を塗布している。First, a light-shielding metal thin film 2a (for example, about 800 chrome) is sputtered as a first layer on a glass substrate 1, which is a mask substrate, and then a different kind of light-shielding metal thin film 2b is formed as a second layer.
(for example, about 400 molybdenum trisides) is sputter-formed, and then an electron beam positive resist (for example, E
BR-95,500 people).
次に、このブランクスを用いたフォトマスク形成方法に
ついて説明する。まず、電子ビームにより電子線ポジレ
ジスト３上にパターンを露光し、現像、ボストベークを
行う（パターン形成）、そしてＣＦ４系ガスで上層の遮
光性金属薄！（モリブデンシリサイド１）２ｂについて
ドライエツチングを行い、その後、電子線ポジレジスト
３をはく離する０次に、ＣＣ１，系ガスで下層の遮光性
金属薄膜（クロム膜） ２ａをドライエツチングし、残
りの上層遮光性金属薄膜２ｂを全面除去する。Next, a method of forming a photomask using this blank will be explained. First, a pattern is exposed on the electron beam positive resist 3 using an electron beam, and then developed and post-baked (pattern formation). (Molybdenum silicide 1) 2b is dry-etched, and then the electron beam positive resist 3 is removed.Next, the lower layer light-shielding metal thin film (chromium film) 2a is dry-etched using CC1 and a system gas, and the remaining upper layer is dry-etched. The light-shielding metal thin film 2b is completely removed.
従来のブランクスを用いたフォトマスク形成においては
電子線ポジレジスト３が十分な耐ドライエツチング性を
有していながった。したがって、レジストの薄膜化およ
び断面形状がシャープに仕上げられなかった。In conventional photomask formation using blanks, the electron beam positive resist 3 did not have sufficient dry etching resistance. Therefore, it was not possible to make the resist thin and the cross-sectional shape sharp.
しかし、以上のようにして形成されたフすｉ−マスク用
ブランクスを用いると、レジストのｒＩＪＩｉ化および
断面形状をシャープに仕上げることができる。However, by using the frame I-mask blank formed as described above, it is possible to make the resist rIJIi and to have a sharp cross-sectional shape.
なお、上記実施例では一層目をクロム膜、二層目をモリ
ブデンシリサイド膜としたが、その逆であっても同様の
効果が実現する。In the above embodiment, the first layer is a chromium film and the second layer is a molybdenum silicide film, but the same effect can be achieved even if the film is reversed.
また、上記実施例では二層目の薄膜を一層目の薄膜のエ
ツチング後に除去を行ったが、除去を行わなくても同様
の効果が実現する。Further, in the above embodiment, the second layer thin film was removed after etching the first layer thin film, but the same effect can be achieved even if the second layer thin film is not removed.
さらに、上記実施例では、クロム膜、モリブデンシリサ
イド膜の組み合せを用いたが、他の金属薄膜で反応性ガ
スが異なるものであればいずれの組み合せにおいても同
様の効果が実現する。Further, in the above embodiment, a combination of a chromium film and a molybdenum silicide film was used, but the same effect can be achieved with any combination of other metal thin films with different reactive gases.
さらにまた、上記実施例では二層膜を用いたが、二層膜
以上を用いても同様の効果が実現し得る。Furthermore, although a two-layer film was used in the above embodiment, the same effect can be achieved by using a two-layer film or more.
以上のようにこの発明に係るフォトマスク用ブランクス
は、マスク基板上に、異種の金属薄膜を多層に形成して
いる。したがって、このブランクスを用いてフすトマス
クを形成する際に、反応性ガスが異なることを応用して
、上層の金属薄膜をレジストとして代用できる。その結
果、ポジドライエツチングプロセスが容易となり、かつ
、高精度な微細パターン形成に有利となる。As described above, the photomask blank according to the present invention has multiple layers of different metal thin films formed on a mask substrate. Therefore, when forming a foot mask using this blank, the upper metal thin film can be used as a resist by taking advantage of the fact that the reactive gases are different. As a result, the positive dry etching process becomes easy and is advantageous for forming fine patterns with high precision.
第１図はこの発明の一実施例によるフォトマスク用ブラ
ンクスを示す側面断面図、第２図は従来の７オ！・マス
ク用ブランクスを示す側面断面図である。
図中、１はマスク基板（ガラス基板）、２ａは１層目の
遮光性金属薄膜、２ｂは２層目の遮光性金属薄膜、３は
電子線ポジレジストである。
なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。FIG. 1 is a side sectional view showing a photomask blank according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a sectional view of a conventional 7-o! - It is a side sectional view showing mask blanks. In the figure, 1 is a mask substrate (glass substrate), 2a is a first-layer light-shielding metal thin film, 2b is a second-layer light-shielding metal thin film, and 3 is an electron beam positive resist. Note that the same reference numerals in the figures indicate the same or equivalent parts.
Claims (1)
の金属薄膜を有するフォトマスク用フラックス。A photomask flux having a mask substrate and a multilayer metal thin film of different types formed on the mask substrate.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1127110A JPH02304562A (en) | 1989-05-19 | 1989-05-19 | Blank for photomask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1127110A JPH02304562A (en) | 1989-05-19 | 1989-05-19 | Blank for photomask |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02304562A true JPH02304562A (en) | 1990-12-18 |
Family
ID=14951855
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1127110A Pending JPH02304562A (en) | 1989-05-19 | 1989-05-19 | Blank for photomask |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02304562A (en) |
-
1989
- 1989-05-19 JP JP1127110A patent/JPH02304562A/en active Pending
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