JPH02296157A - 交流損失測定装置 - Google Patents
交流損失測定装置Info
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- JPH02296157A JPH02296157A JP11786289A JP11786289A JPH02296157A JP H02296157 A JPH02296157 A JP H02296157A JP 11786289 A JP11786289 A JP 11786289A JP 11786289 A JP11786289 A JP 11786289A JP H02296157 A JPH02296157 A JP H02296157A
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- Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野]
この発明は、超電導体に加えられる交流磁界によって生
ずる交流の111失を測定する装置に関する。
ずる交流の111失を測定する装置に関する。
(従来の技術)
超電導体には、直流的には無損失で電流を流ゼるが、交
流的には超電導体に対する通電電流が無い状態でも交7
Afff界が加わっていれば定常的なJtJ失が生しる
。この交流を1失には、一般に履歴)15失と結合損失
が含まれる。
流的には超電導体に対する通電電流が無い状態でも交7
Afff界が加わっていれば定常的なJtJ失が生しる
。この交流を1失には、一般に履歴)15失と結合損失
が含まれる。
膣歴損失は超電導体内部の磁束密度と外部磁界の密度の
不一致による磁性体のようなヒステリシス現象に起因し
、超電導体の臨界電流密度、フィラメント径、及び外部
!■界の強さに依存する。その電力損失Wは磁界の変動
速度に依存するが、lサイクル当りのエネルギ損失Tは
磁界のピーク値によって決まり変IJj速度には依存し
ない。
不一致による磁性体のようなヒステリシス現象に起因し
、超電導体の臨界電流密度、フィラメント径、及び外部
!■界の強さに依存する。その電力損失Wは磁界の変動
速度に依存するが、lサイクル当りのエネルギ損失Tは
磁界のピーク値によって決まり変IJj速度には依存し
ない。
結合損失は多芯超電導線が一般に超電導体を定電導金属
中に埋め込んだ構造となっていることに起因するiff
失であり、超電導線の断面方向に交流磁界を加えると超
電導線の表面に結合電流が流れ、ジュール発熱によって
tJl失となる。結合11失は変動磁界の振幅の2乗に
比例し、電力損失は磁界変動率の2乗に比例する。
中に埋め込んだ構造となっていることに起因するiff
失であり、超電導線の断面方向に交流磁界を加えると超
電導線の表面に結合電流が流れ、ジュール発熱によって
tJl失となる。結合11失は変動磁界の振幅の2乗に
比例し、電力損失は磁界変動率の2乗に比例する。
交流11失を測定する場合、試料の長手方向に対して垂
直な磁界、即ち横磁界を加えて測定するのが通例であり
、磁界の強さとしては大振幅磁界を加える場合、直流バ
イアス!n界士小振幅磁界を加える場合がある。
直な磁界、即ち横磁界を加えて測定するのが通例であり
、磁界の強さとしては大振幅磁界を加える場合、直流バ
イアス!n界士小振幅磁界を加える場合がある。
履歴ti失の測定には一般に0.旧11z程度の低周波
磁界を使う。通常はこれを便宜上直流と称する。
磁界を使う。通常はこれを便宜上直流と称する。
結合Ill失の測定では、その時定数がImsのオーダ
の時にはN[2−前後のパルス磁界(台形波状の磁界)
を加え、μSのオーダでは数10)1z以上の交流磁界
等が用いられる。交流を1失は交流磁界だけでも生じ、
輸送電流の存在には強く依存しないので実験上の簡便さ
から通電電流なしで測定されることが多い。
の時にはN[2−前後のパルス磁界(台形波状の磁界)
を加え、μSのオーダでは数10)1z以上の交流磁界
等が用いられる。交流を1失は交流磁界だけでも生じ、
輸送電流の存在には強く依存しないので実験上の簡便さ
から通電電流なしで測定されることが多い。
ところで、か−る交流11失の測定方法として熱的イ1
1す定法がある。この方法では、超電導線材の試料をバ
イアスマグネットの冷却系と切り離した容器に収容し、
この容器内の液体ヘリウムが発生した交流N1失により
蒸発するためその/&量の減少量又はガス流量を測定す
る、あるいは液面の変化を直接測定することが行なわれ
る。この方法はta失が直接熱量の形で得られるが、熱
的な現象の測定であるから、木質的に高精度の測定は行
なえない。
1す定法がある。この方法では、超電導線材の試料をバ
イアスマグネットの冷却系と切り離した容器に収容し、
この容器内の液体ヘリウムが発生した交流N1失により
蒸発するためその/&量の減少量又はガス流量を測定す
る、あるいは液面の変化を直接測定することが行なわれ
る。この方法はta失が直接熱量の形で得られるが、熱
的な現象の測定であるから、木質的に高精度の測定は行
なえない。
別の交流ti失測測定方法して電気的測定方法がある。
この方法は比較的高精度な測定が可能であり、この場合
履歴10失等種々の電磁的1員失は全て石化tU失に練
り込んで考えることができる。従って、交流tn失を測
定するにはζd化損失φM d Hを測定すればよい、
磁化MはM = k H1磁束密度BはIJ : M
+ Hであり、磁性体ではkが非常に太きくB−Mとな
るから、φBd)(を測定すればよいが、超電導体では
kが小さくB−HとなりφMdH−φ(B−H)dHで
あるから、ピンクアップコイルと打消し用コイルの2つ
のサーチコイルが必要である。
履歴10失等種々の電磁的1員失は全て石化tU失に練
り込んで考えることができる。従って、交流tn失を測
定するにはζd化損失φM d Hを測定すればよい、
磁化MはM = k H1磁束密度BはIJ : M
+ Hであり、磁性体ではkが非常に太きくB−Mとな
るから、φBd)(を測定すればよいが、超電導体では
kが小さくB−HとなりφMdH−φ(B−H)dHで
あるから、ピンクアップコイルと打消し用コイルの2つ
のサーチコイルが必要である。
このような測定原理を用いて8!電導体の交流を1失を
測定する方法として第4図に示す電気測定装置が従来用
いられている。この測定装置では、試料X、ピックアン
プコイル6′、打消し用コイル5′を同心状に巻き、こ
れに直流電a10′からの直流によるバイアスコイル3
′により垂直磁界をバイアス磁界として加えて測定する
。バイアス磁界のキャンセルは不完全であることが多く
、打消しコイルに可変抵抗5a’を並列に入れて分圧し
て補正される。ピンクアップコイル6′と打消し用コイ
ル5′の出力電圧を差動増幅器7′で増幅し、その差電
圧に比例した出力電圧をA/D変換器8′でA/D変換
してディジタルデータとし、これをマイクロコンピュー
タ9′で処理する。アナログデータレコーダ10′はコ
ンピュータで処理されるデータが万一消滅したりした場
合に備えてアナログデータのま\保存するために設けら
れている。
測定する方法として第4図に示す電気測定装置が従来用
いられている。この測定装置では、試料X、ピックアン
プコイル6′、打消し用コイル5′を同心状に巻き、こ
れに直流電a10′からの直流によるバイアスコイル3
′により垂直磁界をバイアス磁界として加えて測定する
。バイアス磁界のキャンセルは不完全であることが多く
、打消しコイルに可変抵抗5a’を並列に入れて分圧し
て補正される。ピンクアップコイル6′と打消し用コイ
ル5′の出力電圧を差動増幅器7′で増幅し、その差電
圧に比例した出力電圧をA/D変換器8′でA/D変換
してディジタルデータとし、これをマイクロコンピュー
タ9′で処理する。アナログデータレコーダ10′はコ
ンピュータで処理されるデータが万一消滅したりした場
合に備えてアナログデータのま\保存するために設けら
れている。
[発明が解決しようとする課!J!]
しかしながら、上記従来の電気測定装置では、加えられ
るバイアス磁界の周波数はせいぜい数取程度の比較的遅
い周波数下での測定であり、バイアスコイル中の振幅磁
界が0.5T程度に限られている。これは超電導パルス
コイルの作製が困難であり、Cuコイルで代用していた
ためである。従って発電機用導体に印加される蚤(1界
条件下等でのもっと大きい周波数、大きい振動磁界では
交流1員失の測定をすることができなかった。また、そ
の4(す定精度はせいぜい10−”(T)程度であり、
種々のノイズが作用するバイアスコイルのパルス磁界条
イ′1下ではあまり高精度な測定は困難であった。
るバイアス磁界の周波数はせいぜい数取程度の比較的遅
い周波数下での測定であり、バイアスコイル中の振幅磁
界が0.5T程度に限られている。これは超電導パルス
コイルの作製が困難であり、Cuコイルで代用していた
ためである。従って発電機用導体に印加される蚤(1界
条件下等でのもっと大きい周波数、大きい振動磁界では
交流1員失の測定をすることができなかった。また、そ
の4(す定精度はせいぜい10−”(T)程度であり、
種々のノイズが作用するバイアスコイルのパルス磁界条
イ′1下ではあまり高精度な測定は困難であった。
この発明は、上記のような従来の交流1員失測定装置の
種々の欠点を解消し、従来よりも高い商用周波数、強い
磁界中で高い測定精度の得られる交流IE1失測定装置
を提供することを目的とする。
種々の欠点を解消し、従来よりも高い商用周波数、強い
磁界中で高い測定精度の得られる交流IE1失測定装置
を提供することを目的とする。
そこでこの発明では上記課題を解決するための手段とし
て、超t!x体を収容するためのクライオスタットと、
その内部に永久電流によりバイアス磁界を印加するバイ
アスコイルと、交II界を印加するためのパルスコイル
と、交′&損失を測定しようとする試料コイルと同心状
に設けたピンクアップコイルと、バイアス磁界をキャン
セルする打消しコイルと、前記各コイルへの電源供給、
検出信号処理をするための電気制御回路とを備え、前記
電気回路はバイアスコイルへ電源供給する直流電源と、
パルス電流をパルスコイルへ供給するパルス71>z
W源と、ピックアップコイル、打消しコイルからの交流
を4失信号を検出する交流を1失信号検出器と、直流電
源回路に接続された永久電流スイッチ及びこのスイッチ
に電源を供給する永久電流スイ・ツチ用電源とから成り
、前記バイアスコイル及びパルスコイルがこれを構成す
る線材のフィラメント径をサブミクロン化したCuN
lマトリクス多芯線から成る交流tll失測定装置の構
成を採用したのである。
て、超t!x体を収容するためのクライオスタットと、
その内部に永久電流によりバイアス磁界を印加するバイ
アスコイルと、交II界を印加するためのパルスコイル
と、交′&損失を測定しようとする試料コイルと同心状
に設けたピンクアップコイルと、バイアス磁界をキャン
セルする打消しコイルと、前記各コイルへの電源供給、
検出信号処理をするための電気制御回路とを備え、前記
電気回路はバイアスコイルへ電源供給する直流電源と、
パルス電流をパルスコイルへ供給するパルス71>z
W源と、ピックアップコイル、打消しコイルからの交流
を4失信号を検出する交流を1失信号検出器と、直流電
源回路に接続された永久電流スイッチ及びこのスイッチ
に電源を供給する永久電流スイ・ツチ用電源とから成り
、前記バイアスコイル及びパルスコイルがこれを構成す
る線材のフィラメント径をサブミクロン化したCuN
lマトリクス多芯線から成る交流tll失測定装置の構
成を採用したのである。
(作用〕
上記のように構成したこの発明では、バイアスコイルに
直流電源からの電流による永久電流が永久電流スイッチ
及び永久電流スイッチ用電源を介して与えられる。この
永久電流によるバイアスコイルのバイアス磁界はパルス
コイルに印加されるパルス電流による交流磁界と重畳さ
れる。バイアスコイル、パルスコイルのいずれも線材の
フィラメント径をサブミクロン化したCuNiマトリク
ス多芯線から形成されているから、振動周波数が507
60)1z〜100ル程度の従来加えることのできなか
った磁界を印加することができる。
直流電源からの電流による永久電流が永久電流スイッチ
及び永久電流スイッチ用電源を介して与えられる。この
永久電流によるバイアスコイルのバイアス磁界はパルス
コイルに印加されるパルス電流による交流磁界と重畳さ
れる。バイアスコイル、パルスコイルのいずれも線材の
フィラメント径をサブミクロン化したCuNiマトリク
ス多芯線から形成されているから、振動周波数が507
60)1z〜100ル程度の従来加えることのできなか
った磁界を印加することができる。
このようにして印加された磁界下でピンクアンプコイル
により交流用失測定が行なわれる。従って、交′/Ai
jl失測定において極めて高精度な10−’(T)程度
の測定が可能となり、交/AIU失の正しい測定が可能
となる。永久電流によるバイアス磁界下での測定では、
直流コイル内での急激な電流の変動が瞬時に吸収され、
従って安定した測定が可能である。
により交流用失測定が行なわれる。従って、交′/Ai
jl失測定において極めて高精度な10−’(T)程度
の測定が可能となり、交/AIU失の正しい測定が可能
となる。永久電流によるバイアス磁界下での測定では、
直流コイル内での急激な電流の変動が瞬時に吸収され、
従って安定した測定が可能である。
以下この発明の実施例について添付図を参照して説明す
る。
る。
第1図はこの発明による交流tM失劃側装置の全体概略
図を示す、1は交mtl失を測定しようとする超電導体
の試料Xを収容するためのクライオスタットであり、そ
の中には液体ヘリウム等の冷却剤2が含まれている。ま
た、このクライオスタット1内には永久電流によりバイ
アス磁界を印加するためのバイアスコイル3、交流磁界
を印加するだめのパルスコイル4とが設けられている。
図を示す、1は交mtl失を測定しようとする超電導体
の試料Xを収容するためのクライオスタットであり、そ
の中には液体ヘリウム等の冷却剤2が含まれている。ま
た、このクライオスタット1内には永久電流によりバイ
アス磁界を印加するためのバイアスコイル3、交流磁界
を印加するだめのパルスコイル4とが設けられている。
さらにその中心部には第2図の部分拡大図に示すように
、EI4Xと同心状にその外側にピックアップコイル5
、内側に打消しコイル6が設けられている。
、EI4Xと同心状にその外側にピックアップコイル5
、内側に打消しコイル6が設けられている。
上記各コイルに対しては、電源供給、検出信号処理をす
るための電気料?:tI fiil路が設けられている
。
るための電気料?:tI fiil路が設けられている
。
この電気制御回路は、第1図、第3図に示すように、直
流電源10、永久電流スイッチ用電源11、永久電流ス
イッチ12、パルス電1ffX13、交流ti失倍信号
検出器14を備え°ζいる。
流電源10、永久電流スイッチ用電源11、永久電流ス
イッチ12、パルス電1ffX13、交流ti失倍信号
検出器14を備え°ζいる。
直fi?1iallOはバイアスコイル3に対して直流
電源を供給し、この直流電源回路に接続された永久電流
スイッチ12のON、OFFによってバイアスコイル3
中の電流を永久?lとして保存することができる。この
永久電流スイッチ12は、永久電流スイッチ用電源11
からの電流によってスイッチの抵抗を介して加熱し、部
分的に超電導状態を遮断することによってバイアスコイ
ル3中の電流が永久電流モードとして流れる。この場合
、直流コイル内で振動磁界が発生すると直流コイルの発
生する磁界とカップリングが生し、直流コイル内で急激
な電流の変動が生じるが、永久電流モードではこの変動
を瞬時のうちに吸収して定常状態に戻すことができる。
電源を供給し、この直流電源回路に接続された永久電流
スイッチ12のON、OFFによってバイアスコイル3
中の電流を永久?lとして保存することができる。この
永久電流スイッチ12は、永久電流スイッチ用電源11
からの電流によってスイッチの抵抗を介して加熱し、部
分的に超電導状態を遮断することによってバイアスコイ
ル3中の電流が永久電流モードとして流れる。この場合
、直流コイル内で振動磁界が発生すると直流コイルの発
生する磁界とカップリングが生し、直流コイル内で急激
な電流の変動が生じるが、永久電流モードではこの変動
を瞬時のうちに吸収して定常状態に戻すことができる。
パルス電源13からのパルス電流によってパルスコイル
4を介して交流磁界が印加される。この交流磁界はバイ
アスコイル3によって印加されるバイアス磁界に加算さ
れる。なお、第3図に示すように、パルス電a13には
電源本体131の他にクエンチ検出器132が設けられ
ている。このクエンチ検出1iS132は、パルス電源
13からのパルス電流の流れが、何らかの原因でクライ
オスタット1中のパルスコイルの超電導状態がくずれ常
電導状態になったときにパルスコイルが故障しないよう
にクエンチの状態を検出し、所定以上の電力を4失がパ
ルスコイルに発生ずるとパルス電流を遮断してパルスコ
イルを保護するために設けられている。
4を介して交流磁界が印加される。この交流磁界はバイ
アスコイル3によって印加されるバイアス磁界に加算さ
れる。なお、第3図に示すように、パルス電a13には
電源本体131の他にクエンチ検出器132が設けられ
ている。このクエンチ検出1iS132は、パルス電源
13からのパルス電流の流れが、何らかの原因でクライ
オスタット1中のパルスコイルの超電導状態がくずれ常
電導状態になったときにパルスコイルが故障しないよう
にクエンチの状態を検出し、所定以上の電力を4失がパ
ルスコイルに発生ずるとパルス電流を遮断してパルスコ
イルを保護するために設けられている。
交流損失信号検出器14では従来と同様に、ピックアッ
プコイル5の検出信号に対する、バイアス磁界をキャン
セルするための打消しコイル6からの出力との差信号増
幅器141を増幅し、これを積分器142で積分して交
1tJi失を求める。
プコイル5の検出信号に対する、バイアス磁界をキャン
セルするための打消しコイル6からの出力との差信号増
幅器141を増幅し、これを積分器142で積分して交
1tJi失を求める。
この実施例で用いられた前記バイアスコイル3、パルス
コイル4の諸元は次の通りである。
コイル4の諸元は次の通りである。
バイアスコイル3:内径100噛、外径150閤、高さ
250(社)、均一度0゜5%以 内(φ30) 線材0.5μmフィラメントCu N1マトリクス多芯線 パルスコイル4 ;内径30−1外径85−5高さ10
0m、均一度1%以内 (φ30) 線材0.4μ譜フイラメントCu Niマトリクス多芯線 この実施例の交流測定装置は、上述したように永久電流
モードでバイアス磁界を印加するから、直流コイルに振
動磁界が発生してもその変動を瞬時に吸収して安定した
状態に戻すように作用する。
250(社)、均一度0゜5%以 内(φ30) 線材0.5μmフィラメントCu N1マトリクス多芯線 パルスコイル4 ;内径30−1外径85−5高さ10
0m、均一度1%以内 (φ30) 線材0.4μ譜フイラメントCu Niマトリクス多芯線 この実施例の交流測定装置は、上述したように永久電流
モードでバイアス磁界を印加するから、直流コイルに振
動磁界が発生してもその変動を瞬時に吸収して安定した
状態に戻すように作用する。
バイアスコイル、パルスコイルはサブミクロン化したC
uNiマトリクス多芯線を使用したから、50/60H
z〜100Hzの交流機器用の周波数及び発電機用導体
の4(T)の磁界強さ、IOT/Sの振動磁界でも安定
した振動磁界を発生させる。
uNiマトリクス多芯線を使用したから、50/60H
z〜100Hzの交流機器用の周波数及び発電機用導体
の4(T)の磁界強さ、IOT/Sの振動磁界でも安定
した振動磁界を発生させる。
以上詳細に説明したように、この発明ではバイアスコイ
ル、パルスコイルのフィラメント径をサブミクロン化し
たから、50/60)!z〜1oollzクラスまでの
周波数で、かつ磁界強さ4T中10T/Sの厳しい磁界
条件下で、測定精度を従来の10−”(T)から1O−
3(T)の高精度を実現することができる。
ル、パルスコイルのフィラメント径をサブミクロン化し
たから、50/60)!z〜1oollzクラスまでの
周波数で、かつ磁界強さ4T中10T/Sの厳しい磁界
条件下で、測定精度を従来の10−”(T)から1O−
3(T)の高精度を実現することができる。
従って、現実の磁界条件を達成することができるため交
流損失の正しい測定が可能となり、導体設計、製作のデ
ータをフィードバックできるなど種々の利点がある。
流損失の正しい測定が可能となり、導体設計、製作のデ
ータをフィードバックできるなど種々の利点がある。
第1図はこの発明による交流IM失測測定装置全体概略
図、第2図はピンクアップコイル、打消しコイルの部分
拡大図、第3図は電気料?D回路の全体概略ブロック図
、第4図は従来例の交流11失測定2置の電気回路図で
ある。 1・・・・・・クライオスタット、 3・・・・・・バイアスコイル、4・・・・・・パルス
コイル、5・・・・・・ピンクアップコイル、 6・・・・・・打消しコイル、 X・・・・・・試料、
10・・・・・・直流電源、 11・・・・・・永久電流スイッチ川電源、12・・・
・・・永久電流スイッチ、 13・・・・・・パルス電源、 14・・・・・・交流損失信号検出器。 第1図
図、第2図はピンクアップコイル、打消しコイルの部分
拡大図、第3図は電気料?D回路の全体概略ブロック図
、第4図は従来例の交流11失測定2置の電気回路図で
ある。 1・・・・・・クライオスタット、 3・・・・・・バイアスコイル、4・・・・・・パルス
コイル、5・・・・・・ピンクアップコイル、 6・・・・・・打消しコイル、 X・・・・・・試料、
10・・・・・・直流電源、 11・・・・・・永久電流スイッチ川電源、12・・・
・・・永久電流スイッチ、 13・・・・・・パルス電源、 14・・・・・・交流損失信号検出器。 第1図
Claims (1)
- (1)超電導体を収容するためのクライオスタットと、
その内部に永久電流によりバイアス磁界を印加するバイ
アスコイルと、交流磁界を印加するためのパルスコイル
と、交流損失を測定しようとする試料コイルと同心状に
設けたピックアップコイルと、バイアス磁界をキャンセ
ルする打消しコイルと、前記各コイルへの電源供給、検
出信号処理をするための電気制御回路とを備え、前記電
気回路はバイアスコイルへ電源供給する直流電源と、パ
ルス電流をパルスコイルへ供給するパルス電流電源と、
ピックアップコイル、打消しコイルからの交流損失信号
を検出する交流損失信号検出器と、直流電源回路に接続
された永久電流スイッチ及びこのスイッチに電源を供給
する永久電流スイッチ用電源とから成り、前記バイアス
コイル及びパルスコイルがこれを構成する線材のフィラ
メント径をサブミクロン化したCuNiマトリクス多芯
線から成る交流損失測定装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11786289A JP2695002B2 (ja) | 1989-05-10 | 1989-05-10 | 交流損失測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11786289A JP2695002B2 (ja) | 1989-05-10 | 1989-05-10 | 交流損失測定装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02296157A true JPH02296157A (ja) | 1990-12-06 |
JP2695002B2 JP2695002B2 (ja) | 1997-12-24 |
Family
ID=14722135
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11786289A Expired - Lifetime JP2695002B2 (ja) | 1989-05-10 | 1989-05-10 | 交流損失測定装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2695002B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1996009516A1 (de) * | 1994-09-22 | 1996-03-28 | Micro-Epsilon Messtechnik Gmbh & Co. Kg | Sensoranordnung und verfahren zur messwerterfassung mit der sensoranordnung |
KR100552642B1 (ko) * | 2004-05-17 | 2006-02-20 | 한국전기연구원 | 초전도체의 통전 교류 손실 측정 장치 |
CN116735980A (zh) * | 2023-08-14 | 2023-09-12 | 西安图为电气技术有限公司 | 一种采用双脉冲测试电感偏置感量的方法及装置 |
-
1989
- 1989-05-10 JP JP11786289A patent/JP2695002B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1996009516A1 (de) * | 1994-09-22 | 1996-03-28 | Micro-Epsilon Messtechnik Gmbh & Co. Kg | Sensoranordnung und verfahren zur messwerterfassung mit der sensoranordnung |
KR100552642B1 (ko) * | 2004-05-17 | 2006-02-20 | 한국전기연구원 | 초전도체의 통전 교류 손실 측정 장치 |
CN116735980A (zh) * | 2023-08-14 | 2023-09-12 | 西安图为电气技术有限公司 | 一种采用双脉冲测试电感偏置感量的方法及装置 |
CN116735980B (zh) * | 2023-08-14 | 2023-10-24 | 西安图为电气技术有限公司 | 一种采用双脉冲测试电感偏置感量的方法及装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2695002B2 (ja) | 1997-12-24 |
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