JPH0229081A - Image pickup device - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は動画カメラ、静止画カメラ（シャッタカメラ）
等の撮像装置、特に、高解像度を有する撮像装置に関す
る。[Detailed Description of the Invention] (Industrial Application Field) The present invention is applicable to video cameras, still image cameras (shutter cameras)
The present invention relates to an imaging device such as, in particular, an imaging device having high resolution.
（従来の技術）
被写体の光学像を撮像装置により撮像して得た映像信号
は、編集、トリミング、その他の画像信号処理が容易で
あるとともに、既記緑信号を消去できる可逆性を有する
記録部材を使用して記録再生が容易に行えるという特徴
を有しているが、映像信号の発生のために従来から一般
的に使用されて来ている撮像装置は、撮像レンズによっ
て撮像素子における光電変換部に結像された被写体の光
学像を、撮像素子の光電変換部で被写体の光学像に対応
する電気的な画像情報に変換し、その電気的な画像情報
を時間軸上で直列的な映像信号として出力させうるよう
な構成形態のものであり、撮像装置の構成に当っては前
記した撮像素子として従来から各種の撮像管や各種の固
体撮像素子が使用されていることは周知のとおりである
。(Prior art) A video signal obtained by capturing an optical image of a subject with an imaging device is easily edited, trimmed, and other image signal processing, and is also a recording member that has reversibility that can erase the recorded green signal. However, the imaging devices that have been commonly used to generate video signals use an imaging lens to convert the photoelectric conversion section of the imaging device into The optical image of the object formed on the image sensor is converted into electrical image information corresponding to the optical image of the object by the photoelectric conversion section of the image sensor, and the electrical image information is converted into a serial video signal on the time axis. It is well known that various image pickup tubes and various solid-state image pickup devices have been used as the above-mentioned image pickup devices in the configuration of imaging devices. .
（発明が解決しようとする問題点）
さて、近年になって高画質・高解像度の再生画像に対す
る要望が高まるのに応じて、テレビジョン方式について
も、いわゆるＥＤＴＶ、ＨＤＴＶなどの新しい諸方式が
提案されて来ていることも周知のとおりである。(Problem to be solved by the invention) In response to the increasing demand for high-quality and high-resolution reproduced images in recent years, new television systems such as so-called EDTV and HDTV have been proposed. As is well known, this has been the case.
ところで、高画質・高解像度の再生画像が得られるよう
にするためには、高画質・高解像度の再生画像を再生さ
せうるような映像信号を発生させることのできる撮像装
置が必要とされるが、撮像素子として撮像管が使用され
ている撮像装置においては、撮像管における電子ビーム
径の微小化に限界があるために、電子ビーム径の微小化
による高解像度化が望めないこと、及び、撮像管のター
ゲット容量はターゲット面積と対応して増大するもので
あるために、ターゲット面積の増大による高解像度化も
実現することができないこと、また、例えば動画の撮像
装置の場合には高解像度化に伴って映像信号の周波数帯
域が数十Ｍ Ｈｚ〜数百ＭＨｚ以上にもなるためにＳ／
Ｎの点で問題になる、等の理由によって、撮像装置によ
り高画質・高解像度の再生画像を再生させうるような映
像信号を発生させることは困難である。By the way, in order to obtain high-quality and high-resolution reproduced images, an imaging device that can generate a video signal that can reproduce high-quality and high-resolution reproduced images is required. In an imaging device that uses an image pickup tube as an image pickup element, there is a limit to miniaturization of the electron beam diameter in the image pickup tube, so high resolution cannot be expected by miniaturization of the electron beam diameter, and Since the target capacity of the tube increases in proportion to the target area, it is impossible to achieve higher resolution by increasing the target area. As a result, the frequency band of the video signal increases from several tens of MHz to several hundred MHz or more, so S/
It is difficult to generate a video signal that allows an imaging device to reproduce a high-quality, high-resolution reproduced image for reasons such as problems with respect to N.
前記の点を具体的に説明すると次のとおりである。すな
わち、撮像素子として撮像管が使用されている撮像装置
により高画質・高解像度の再生画像を再生させうるよう
な映像信号を発生させるのには、撮像管における電子ビ
ーム径を微小化したり、ターゲットとして大面積のもの
を使用したりすることが考えられるが、撮像管の電子銃
の性能。The above point will be specifically explained as follows. In other words, in order to generate a video signal that can reproduce high-quality, high-resolution images using an image pickup device that uses an image pickup tube as an image sensor, it is necessary to miniaturize the electron beam diameter in the image pickup tube and to It is conceivable to use a large area one as an image pickup tube, but the performance of the electron gun of the image pickup tube.
及び集束系の構造などにより撮像管の電子ビーム径の微
小化には限界があるために電子ビーム径の微小化による
高解像度化には限界があり、また、撮像イメージサイズ
の大きな撮像レンズを使用した上で、ターゲットの面積
の増大によって高解像度を得ようとした場合には、ター
ゲット面積の増大による撮像管のターゲット容量の増大
による撮像管の出力信号における高域信号成分の低下に
よって、撮像管出力信号のＳ／Ｎの低下が著るしくなる
ことにより、撮像管を使用した撮像装置によっては高画
質・高解像度の再生画像を再生させうるような映像信号
を良好に発生させることはできないのである。There is a limit to the miniaturization of the electron beam diameter of the image pickup tube due to the structure of the focusing system, etc., so there is a limit to increasing the resolution by miniaturizing the electron beam diameter, and the use of an imaging lens with a large image size. Then, if you try to obtain high resolution by increasing the target area, the increase in the target area will increase the target capacity of the image pickup tube, and the high-frequency signal component of the output signal of the image pickup tube will decrease. As the S/N ratio of the output signal becomes significant, some imaging devices using an image pickup tube may not be able to generate good video signals that can reproduce high-quality, high-resolution images. be.
また、撮像素子として固体撮像素子を使用した撮像装置
により高画質・高解像度の再生画像を再生させるのには
、画素数の多い固体撮像素子を使用することが必要とさ
れるが、画素数の多い固体撮像索子はそれを駆動するた
めのクロックの周波数が高くなる（例えば、動画カメラ
の場合における固体撮像素子の駆動のためのクロックの
周波数は数百Ｍ Ｉ−Ｉ ｚとなる）とともに、駆動の
対象にされている回路の静電容量値は画素数の増大によ
って大きくなっているために、そのような固体撮像装置
は、固体撮像素子のクロックの周波数の限界が２０ Ｍ
Ｈｚといわれている現状からすると実用的なものとし
て構成できないと考えられる。In addition, in order to reproduce high-quality, high-resolution images using an imaging device that uses a solid-state image sensor as an image sensor, it is necessary to use a solid-state image sensor with a large number of pixels; The frequency of the clock for driving the solid-state imaging device becomes high (for example, in the case of a video camera, the frequency of the clock for driving the solid-state imaging device is several hundreds of M I-I z), and Since the capacitance value of the circuit being driven is increasing as the number of pixels increases, such solid-state imaging devices have a clock frequency limit of 20M.
Considering the current state of the frequency, which is said to be Hz, it is considered that it cannot be constructed as a practical device.
このように、従来の撮像装置はそれの構成のために不可
欠な撮像素子の存在によって、高画質・高解像度の再生
画像を実生させうるような映像信号を良好に発生きせる
ことはできなかったのであり、それの改善策が求められ
た。As described above, conventional imaging devices have been unable to successfully generate video signals that can produce high-quality, high-resolution reproduced images due to the presence of an essential image sensor for their configuration. There was a need for improvement measures.
（問題点を解決するための手段）
本発明は、２つの透明電極の間に少なくとも光導電層部
材と誘電体ミラーと光変調材層部材とを備えて構成され
た光−光変換素子に対して、撮像レンズによって被写体
の光学像を結像させる手段と、前記した光−光変換素子
から単波長光を用いて被写体の光学像と対応する光学像
情報を読出す手段と、前記の光−光変換素子から読出さ
れた光学情報を、少なくとも光導電層部材と電荷蓄積層
部材とを備えて構成されている光−電荷変換素子に入射
させる手段とを備えた撮像装置及び２つの透明電極の間
に少なくとも光導電層部材と誘電体ミラーと光変調材層
部材とを備えて構成された光−光変換素子に対して、撮
像レンズによって被写体の光学像を結像させる手段と、
前記した光−光変換素子から単波長光を用いて被写体の
光学像と対応する光学像情報を読出す手段と、少なくと
も光導電層部材と電荷蓄積層部材とを備えて構成されて
いる光−電荷変換素子と、前記の光−電荷変換素子して
前記の光−光変換素子から読出された光学情報とともに
、フォログラム形成用の参照光をも入射させる手段とを
備えた撮像装置を提供するものである。(Means for Solving the Problems) The present invention relates to a light-to-light conversion element comprising at least a photoconductive layer member, a dielectric mirror, and a light modulating material layer member between two transparent electrodes. means for forming an optical image of the subject using an imaging lens; means for reading optical image information corresponding to the optical image of the subject from the light-to-light conversion element using single wavelength light; An imaging device comprising means for making optical information read from the photoconversion element incident on a light-to-charge conversion element comprising at least a photoconductive layer member and a charge storage layer member, and two transparent electrodes. means for forming an optical image of a subject with an imaging lens on a light-to-light conversion element configured to include at least a photoconductive layer member, a dielectric mirror, and a light modulating material layer member;
A light device comprising: a means for reading an optical image of a subject and corresponding optical image information from the above-mentioned light-to-light conversion element using single wavelength light; and at least a photoconductive layer member and a charge storage layer member. Provided is an imaging device comprising a charge conversion element and a means for inputting a reference light for forming a hologram together with the optical information read from the light-to-light conversion element. It is.
（実施例）
以下、添付図面を参照して本発明の撮像装置の具体的な
内容について詳細に説明する。第１図乃至第３図は本発
明の撮像装置の実施例の概略構成を示すブロック図であ
り、また、第４図は本発明の撮像装置の構成中で使用さ
れる光−光変換素子の構成原理を説明するための側断面
図、第５図は本発明の撮像装置の構成中で使用される光
−電荷変換素子の構成原理を説明するための側断面図で
ある。(Example) Hereinafter, specific contents of the imaging device of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. 1 to 3 are block diagrams showing a schematic configuration of an embodiment of the imaging device of the present invention, and FIG. 4 is a block diagram of a light-to-light conversion element used in the configuration of the imaging device of the present invention. FIG. 5 is a side sectional view for explaining the construction principle of a light-to-charge conversion element used in the construction of the imaging device of the present invention.
第１図において０は被写体、１は撮像レンズ、２は撮像
装置がシャッタカメラとして構成された場合に設けられ
る光学的なシャッタ、ＰＰＣＥは光−光変換素子、４は
ハーフプリズム、５は光−光変換素子ＰＰＣＥからの光
学像情報を単波長光の光学情報して読出す際に用いられ
る読出し光の光源であり、この光源５としてはレーザ光
源、その他任意の光源が使用できる。In FIG. 1, 0 is a subject, 1 is an imaging lens, 2 is an optical shutter provided when the imaging device is configured as a shutter camera, PPCE is a light-to-light conversion element, 4 is a half prism, and 5 is an optical shutter. It is a light source of readout light used when reading out optical image information from the light conversion element PPCE as optical information of single wavelength light, and a laser light source or any other arbitrary light source can be used as this light source 5.
また、６，９はレンズ、７は偏光板（前記した光源が所
要の単波長光を出射できる光源の場合には偏光板７は不
要である）、８は検光子、ＰＣＣＥは光−電荷変換素子
である。Also, 6 and 9 are lenses, 7 is a polarizing plate (if the light source described above can emit the required single wavelength light, the polarizing plate 7 is not necessary), 8 is an analyzer, and PCCE is a light-to-charge converter. It is element.
第１図示の撮像装置において、被写体０の光学像は撮像
レンズ１によって光−光変換素子ＰＰＣＥに結像される
。撮像装置がシャッタカメラとして構成されている場合
には、光学的なシャッタ２が開いた状態で被写体Ｏの光
学像が撮像レンズ１によって光−光変換素子ＰＰＣＥに
結像されることはいうまでもない。In the imaging device shown in FIG. 1, an optical image of a subject 0 is formed by an imaging lens 1 on a light-to-light conversion element PPCE. When the imaging device is configured as a shutter camera, it goes without saying that an optical image of the subject O is formed on the light-to-light conversion element PPCE by the imaging lens 1 with the optical shutter 2 open. do not have.
光−光変換素子ＰＰＣ：Ｅとしては、例えば液晶型光変
調器、光伝導電性ポッケルス効果素子、マイクロチャン
ネル型光変調器などのような空間変調素子、あるいはフ
ォトクロミック材を用いて構成された素子などが使用で
きる。なお、光−光変換素子ＰＰＣＥとしては、記憶機
能を備えているものでも、あるいは記憶機能を有しない
ものでも、目的に応じて選択使用できる。The light-light conversion element PPC:E may be a spatial modulation element such as a liquid crystal optical modulator, a photoconductive Pockels effect element, a microchannel optical modulator, or an element constructed using a photochromic material. etc. can be used. Note that the light-to-light conversion element PPCE can be selectively used depending on the purpose, whether it has a memory function or one without a memory function.
第４図は光−光変換素子ＰＰＣＥとして使用できる光−
光変換素子ＰＰＣＥの構成原理を示す側断面図であり、
第４図に示されている光−光変換素子ＰＰＣＥにおいて
、 Ｅｔａ、Ｅｔ２は透明電極、ＰＣＬは光導電層部材
であり、また、ＤＭＬは誘電体ミラー（書込み光と消去
光とを透過させ、読は書込み光、Ｌｒは読出し光、Ｌ’
ｓは消去光、Ｖｂは電源、ＳＷは切換スイッチである。Figure 4 shows the light that can be used as a light-light conversion element PPCE.
It is a side cross-sectional view showing the configuration principle of the light conversion element PPCE,
In the light-to-light conversion element PPCE shown in FIG. 4, Eta and Et2 are transparent electrodes, PCL is a photoconductive layer member, and DML is a dielectric mirror (transmits writing light and erasing light, Reading is writing light, Lr is reading light, L'
s is an erasing light, Vb is a power supply, and SW is a changeover switch.
前記の切換スイッチＳＷは光−光変換素子ＰＰＣＥに対
して書込み光Ｌｗを入射させる際と読出し光を入射させ
る際には、それの可動接点Ｖが固定接点ｗｒ側に切換え
られ、また、光−光変換素子ＰＰＣＥに対して書込み光
Ｌｗを入射させる際と読出し光を入射させる際には、そ
れの可動接点Ｖが固定接点ｅ側に切換えられる。The changeover switch SW switches its movable contact V to the fixed contact wr side when making the write light Lw and read light enter the light-to-light conversion element PPCE, and When the writing light Lw and the reading light are made incident on the light conversion element PPCE, the movable contact V thereof is switched to the fixed contact e side.
光−光変換素子ＰＰＣＥにおける透明電極Ｅｔｌ。Transparent electrode Etl in the light-light conversion element PPCE.
Ｅｔ２に対して電源ｖｂの電圧がスイッチＳＷの可動接
点Ｖと固定接点ｗｒとを介して与えられている状態にお
いて、被写体の光学像と対応している書込み光Ｌｗが、
光−光変換素子ＰＰＣＥの透明電極Ｅｔｌを透過して光
導電層部材ＰＣＬに入射すると、光導電層部材ＰＣＬは
それに入射された被写体の光学像に対応して電気抵抗値
が変化する。In a state where the voltage of the power supply Vb is applied to Et2 via the movable contact V and the fixed contact wr of the switch SW, the writing light Lw corresponding to the optical image of the subject is
When the light passes through the transparent electrode Etl of the light-to-light conversion element PPCE and enters the photoconductive layer member PCL, the electrical resistance value of the photoconductive layer member PCL changes in accordance with the optical image of the subject incident thereon.
それで、前記した光導電層部材ＰＣＬにおける誘電体ミ
ラーＤＭＬとの境界の部分には、被写体の光学像と対応
している電荷像が生じる。この電荷像は光−光変換素子
ＰＰＣＥにおける透明電極Ｅ ｔｌ、 Ｅ ｔＺ間をス
イッチＳＷの可動接点Ｖと固定接点ｅとを介して同電位
にした状態において、光−光変換素子ＰＰＣＥの透明電
極Ｅｔ２側から消去光Ｌｅを入射させることにより消去
できる。Therefore, a charge image corresponding to the optical image of the object is generated at the boundary between the photoconductive layer member PCL and the dielectric mirror DML. This charge image is generated when the transparent electrodes Etl and EtZ of the light-to-light conversion element PPCE are brought to the same potential through the movable contact V and the fixed contact e of the switch SW. Erasing can be performed by inputting erasing light Le from the Et2 side.
すなわち、消去モード時に光−光変換素子ＰＰＣＥの透
明電極Ｅｔ２側から入射された消去光Ｔ、 ｅが光変調
材層部材ＰＭＬと誘電体ミラー（書込み光と消去光とを
透過させ、読出し光を反射させるような波長選択特性を
有する誘電体ミラー）ＤＭＬとを透過して光導電層部材
ＰＣＬに入射すると、光導電層部材ＰＣＬは前記の消去
光Ｌｅによって電気抵抗値が低下して、光導電層部材Ｐ
ＣＬにおける誘電体ミラーＤＭＬとの境界の部分の電荷
像が消去されるのである。That is, in the erasing mode, the erasing lights T and e incident from the transparent electrode Et2 side of the light-to-light conversion element PPCE are transmitted to the light modulating material layer member PML and the dielectric mirror (which transmits the writing light and the erasing light and transmits the reading light). When the photoconductive layer member PCL is transmitted through a dielectric mirror (having a wavelength selective characteristic that allows reflection) and is incident on the photoconductive layer member PCL, the electrical resistance value of the photoconductive layer member PCL is decreased by the above-mentioned erasing light Le, and the photoconductive layer member PCL becomes photoconductive. Layer member P
The charge image at the boundary between CL and dielectric mirror DML is erased.
また、前記した光導電層部材ＰＣＬにおける誘電体ミラ
ーＤＭＬとの境界の部分に生じている被写体の光学像と
対応している電荷像は、スイッチＳＷの可動接点Ｖと固
定接点ＷＲとを介して光−光変換素子ＰＰＣＥにおける
透明電極Ｅ ｔｌ、 Ｅ ｔ２に対して電源ｖｂの電圧
が与えられている状態において、光−光変換素子ＰＰＣ
Ｅの透明電極Ｅｔ２から読出し光Ｌｒを入射させること
により、光−光変換素子ＰＰＣＥの透明電極Ｅｔ２側か
ら光学像として読出すことができる。Further, the charge image corresponding to the optical image of the object generated at the boundary between the photoconductive layer member PCL and the dielectric mirror DML is transmitted through the movable contact V and the fixed contact WR of the switch SW. In a state where the voltage of the power supply vb is applied to the transparent electrodes Etl and Et2 in the light-to-light conversion element PPCE, the light-to-light conversion element PPC
By inputting the readout light Lr from the transparent electrode Et2 of E, it is possible to read out an optical image from the transparent electrode Et2 side of the light-to-light conversion element PPCE.
すなわち、読出しモードにおいて光−光変換素子ＰＰＣ
Ｅの透明電極Ｅｔ２側から入射された読出し光Ｌｒは、
光変調材層部材ＰＭＬを透過して誘電体ミラー（書込み
光と消去光とを透過させ、読出し光を反射させるような
波長選択特性を有する誘電体ミラー）ＤＭＬに達し、そ
こで反射されて再び光変調材層部材ＰＭＬを透過して光
−光変換素子ＰＰＣＥの透明電極Ｅｔ２側から出射する
が、前記のようにして光変調材層部材ＰＭＬ内を往復し
た後に光−光変換素子ＰＰＣＥの透明電極Ｅｔ２側から
出射した読出し光は、既述のように光導電層部材ＰＣＬ
における誘電体ミラーＤＭＬとの境界の部分に生じてい
る被写体の光学像と対応している電荷像による電界によ
って偏光面が変化されているから、その出射光を検光子
に通過させることにより、検光子の出射光は被写体の光
学像と同じ光量変化を示す光学像となる。That is, in the read mode, the light-to-light conversion element PPC
The readout light Lr incident from the transparent electrode Et2 side of E is
The light passes through the light modulating material layer member PML and reaches the dielectric mirror DML (a dielectric mirror having a wavelength selection characteristic that transmits the writing light and erasing light and reflects the read light), where it is reflected and the light is emitted again. The light passes through the modulating material layer member PML and exits from the transparent electrode Et2 side of the light-to-light conversion element PPCE, but after reciprocating within the light-modulating material layer member PML as described above, it passes through the transparent electrode of the light-to-light conversion element PPCE. The readout light emitted from the Et2 side is transmitted to the photoconductive layer member PCL as described above.
Since the plane of polarization is changed by the electric field caused by the charge image corresponding to the optical image of the object generated at the boundary with the dielectric mirror DML, the output light can be detected by passing it through the analyzer. The output light of the photons becomes an optical image that shows the same change in light amount as the optical image of the subject.
そして、前記した読出し光として単波長光を使用するこ
とにより、充分に高い解像度を有する再生像が得られる
のである。By using single wavelength light as the readout light described above, a reproduced image with sufficiently high resolution can be obtained.
それで第１図示の撮像装置において、撮像レンズ１によ
り光−光変換素子ＰＰＣＥの透明電極Ｅｔｌ側に入射し
た被写体Ｏの光学像による書込み光Ｌｗは、光−光変換
素子ＰＰＣＥにおける光導電層部材ＰＣＬと誘電体ミラ
ーＤＭＬとの境界の部分に電荷像に変換され、また、そ
の電荷像は読出し光として単波長光が使用された場合に
は、被写体の光学像と情報内容の対応している単波長光
情報として光−光変換素子ＰＰＣＥから出射される。Therefore, in the imaging device shown in the first diagram, the writing light Lw based on the optical image of the object O that is incident on the transparent electrode Etl side of the light-to-light conversion element PPCE through the imaging lens 1 is transmitted to the photoconductive layer member PCL in the light-to-light conversion element PPCE. The charge image is converted into a charge image at the boundary between the light and the dielectric mirror DML, and when a single wavelength light is used as the readout light, the charge image is converted into a single charge image corresponding to the optical image of the object and the information content. It is emitted from the light-to-light conversion element PPCE as wavelength light information.
第１図示の例において、前記の単波長光の読出し光Ｌｒ
は、光源５→レンズ６→偏光子７→ハーフプリズム４→
光−光変換素子ＰＰＣＥの透明電極Ｅｔ２の光路によっ
て光−光変換素子ＰＰＣＥに入射している。In the example shown in the first diagram, the single wavelength light readout light Lr
is light source 5 → lens 6 → polarizer 7 → half prism 4 →
The light enters the light-to-light conversion element PPCE through the optical path of the transparent electrode Et2 of the light-to-light conversion element PPCE.
そして、光−光変換素子ＰＰＣＥから出射された前記の
だ被写体の光学像と情報内容の対応している単波長光情
報は、ハーフプリズム４→検光子８→レンズ９（縮少光
学系として構成されていてもよい）→の光路を介して光
−電荷変換素子ＰＣＣＣＥに結像され、光−電荷変換素
子ＰＣＣＥに記録される。Then, the single wavelength optical information whose information content corresponds to the optical image of the object emitted from the light-to-light conversion element PPCE is converted into half prism 4 → analyzer 8 → lens 9 (configured as a reduction optical system). The image is formed on the photo-charge conversion element PCCCE through the optical path of → and recorded on the photo-charge conversion element PCCE.
第５図は光−電荷変換素子ＰＣＣＥの１例構成を示して
いる側断面図であり、この第５図に示す光−電荷変換素
子ＰＣＣＥは、透明電極Ｅｔと光導電層部材ＰＣＬと、
電荷蓄積層部材ＣＭＬと、電極Ｅとの積層構造のもので
ある。そして前記した電荷蓄積層部材ＣＭＬとしては、
それに与えられた電荷像を長時間にわたって保持しつる
ように充分に高い絶縁抵抗値を有する材料１例えばシリ
コシン樹脂、あるいはポリエステル等の材料が用いられ
てよい。FIG. 5 is a side sectional view showing an example configuration of the photo-charge conversion element PCCE, and the photo-charge conversion element PCCE shown in FIG. 5 includes a transparent electrode Et, a photoconductive layer member PCL,
It has a laminated structure of a charge storage layer member CML and an electrode E. As the charge storage layer member CML described above,
A material 1 having a sufficiently high insulation resistance value to retain and sustain the charge image applied thereto for a long period of time may be used, for example, a material such as silicosine resin or polyester.
第５図において、光−電荷変換素子ＰＣＣＥにおける透
明電極Ｅしと電極Ｅとの間には電源Ｖｃが接続されてい
るから、透明電極Ｅｔ側に記録光Ｌｃが入射して光導電
層部材ＰＣＬの電気抵抗値が前記した記録光Ｌｃの光量
の分布と対応している態様で変化すると、前記した記録
光Ｌｃにおけるの光量の分布と対応している態様で変化
している光導電層部材ＰＣＬの電気抵抗値の変化パター
ンと対応しているような電荷像が光導電層部材ＰＣＬと
電荷蓄積層部材ＣＭＬとの境界に生じる。In FIG. 5, since the power supply Vc is connected between the transparent electrodes E and the electrodes E in the photo-charge conversion element PCCE, the recording light Lc is incident on the transparent electrode Et side and the photoconductive layer member PCL is When the electrical resistance value of the photoconductive layer member PCL changes in a manner corresponding to the distribution of the light amount of the recording light Lc described above, the photoconductive layer member PCL changes in a manner corresponding to the distribution of the light amount of the recording light Lc described above. A charge image corresponding to the change pattern of the electrical resistance value is generated at the boundary between the photoconductive layer member PCL and the charge storage layer member CML.
また、電荷像の消去は、透明電極Ｅｔと電極Ｅとを同電
位にして透明電極Ｅｔ側から消去光を入射すればよい。Further, the charge image can be erased by setting the transparent electrode Et and the electrode E to the same potential and injecting erasing light from the transparent electrode Et side.
前記した光−電荷変換素子ＰＣＣＥは図示されていない
駆動機構により所定の移動態様で移動できるようになさ
れていてもよい、すなわち、撮像装置がシャッタカメラ
としての動作モードで動作している場合には、光学的な
シャッタ２が所定の時間巾にわたり開放されてから閉じ
た後に、光−電荷変換素子ＰＣＣＥが一駒分（−枚の画
像分）だけ移送されるようになされ、また、撮像装置が
動画カメラとしての動作モードで動作している場合には
、所定の時間巾にわたり静止して各−枚の画像の記録が
行われた後に、光−電荷変換素子ＰＣＣＥを一駒分（−
枚の画像分）だけ急速に移送させるような間欠的な送り
が行われるようになされてもよいのであり、前記した光
−電荷変換素子ＰＣＣＦの間欠移送機構としては、映画
の撮影機で周知の移送機構と同様な機構が採用されても
よい。The above-mentioned light-charge conversion element PCCE may be configured to be able to move in a predetermined movement manner by a drive mechanism (not shown), that is, when the imaging device is operating in an operation mode as a shutter camera. , after the optical shutter 2 is opened for a predetermined period of time and then closed, the photo-charge conversion element PCCE is moved by one frame (-one image), and the imaging device is When operating in the operating mode as a video camera, after recording each - frame of images while standing still for a predetermined time span, the photo-charge conversion element PCCE is
It is also possible to perform intermittent feeding to rapidly transfer the photo-charge conversion element PCCF by the number of images), and the intermittent feeding mechanism for the photo-charge conversion element PCCF described above is similar to the well-known method used in movie shooting machines. A mechanism similar to the transport mechanism may be employed.
また、第１図中に示されている光−電荷変換素子ＰＣＣ
Ｅはテープ状のもの、ディスク状、シート状、その他ど
のような構成形態のものであっても構わない。In addition, the photo-charge conversion element PCC shown in FIG.
E may be in the form of a tape, disk, sheet, or any other configuration.
前記した第１図に示す実施例の撮像装置には、信号処理
機能を付加したり、光電変換機能を付加したりしてもよ
いのであり、例えば、第１図中の光−光変換素子ＰＰＣ
Ｅから出射した単波長光情報をハーフプリズム４に後続
する別のハーフプリズムを介して信号処理装置に与えて
、その信号処理装置において、それに入射された光学像
情報に基づいて編集、トリミング、光増幅などの各種の
信号処理を行わせるようにしてもよい（信号処理装置と
しては制御性の空間変調素子、可逆性の並列メモリ、制
御性の並列機能素子、制御性の機能結合素子などを用い
て構成されたものが使用されてもよく、また、前記した
信号処理装置で光並列信号処理が行われるようになされ
てもよい）。The imaging device of the embodiment shown in FIG. 1 described above may be added with a signal processing function or a photoelectric conversion function. For example, the light-to-light conversion element PPC in FIG.
The single-wavelength light information emitted from E is given to a signal processing device via another half prism following the half prism 4, and the signal processing device edits, trims, and performs optical processing based on the optical image information incident thereon. Various signal processing such as amplification may be performed (the signal processing device may include a controllable spatial modulation element, a reversible parallel memory, a controllable parallel functional element, a controllable functional coupling element, etc.). (In addition, the signal processing device described above may perform optical parallel signal processing.)
次に、第２図に示されている撮像装置は、光−光変換素
子ＰＰＣＥから出射した単波長光情報をハーフプリズム
４に後続する光路中に設けた別のハーフプリズム１４に
よって反射させた光情報をレンズ１５によって光電変換
器１６（光電変換器１６としては、所要に応じて２次元
センサ、１次元センサ、フォトダイオード等が選択使用
できる）に与えて、光電変換器１６から所定の信号形態
の電気信号が出力されるように構成した場合の構成例で
あり、この第２図において１０は読出し光の光源として
用いられているレーザ光源、１１は消去光の光源として
用いられているレーザ光源、１２はビームスプリッタ、
１３は光量調節用の波長板、１４はハーフミラ−１５は
レンズ、１６は光電変換器である。Next, the image pickup device shown in FIG. The information is given to the photoelectric converter 16 (a two-dimensional sensor, one-dimensional sensor, photodiode, etc. can be selectively used as the photoelectric converter 16 as required) through the lens 15, and the photoelectric converter 16 converts the information into a predetermined signal format. This is an example of a configuration in which the electrical signal is output. In FIG. 2, 10 is a laser light source used as a light source for reading light, and 11 is a laser light source used as a light source for erasing light. , 12 is a beam splitter,
13 is a wavelength plate for adjusting the amount of light, 14 is a half mirror, 15 is a lens, and 16 is a photoelectric converter.
前記した第２図示の撮像装置ではハーフプリズム１４で
反射した光学像情報を直接にモニタスクリーンに光投影
して、光−電荷変換素子ＰＣＣＥに記録されるべき光学
像をモニタできるようにしてもよいのである。In the imaging device shown in the second figure, the optical image information reflected by the half prism 14 may be directly projected onto a monitor screen so that the optical image to be recorded on the photo-charge conversion element PCCE can be monitored. It is.
第３図に示されている撮像装置は光−電荷変換素子ＰＣ
ＣＥにおける光学像情報の記録再生がフォログラフィー
法で行われるようにした場合の本発明の他の実施例のブ
ロック図であり、第３図において０は被写体、１は撮像
レンズ、２は撮像装置がシャッタカメラとして構成され
た場合に設けられる光学的なシャッタ、ＰＰＣＥは光−
光変換素子であり、第３図において１８はレンズ、ＰＣ
ＣＥは光−電荷変換素子である。The imaging device shown in Fig. 3 is a photo-charge conversion element PC.
FIG. 3 is a block diagram of another embodiment of the present invention in which recording and reproduction of optical image information in CE is performed by the holography method, and in FIG. 3, 0 is a subject, 1 is an imaging lens, and 2 is an imaging device. The optical shutter, PPCE, provided when configured as a shutter camera is a light-
It is a light conversion element, and in Fig. 3, 18 is a lens and a PC.
CE is a photo-charge conversion element.
第３図示の撮像装置において、被写体○の光学像は撮像
レンズ１によって光−光変換素子ＰＰＣＥに結像される
が、撮像装置がシャッタカメラとして構成されている場
合には、光学的なシャッタ２が開いた状態で被写体０の
光学像が撮像レンズ１によって光−光変換素子ＰＰＣＥ
に結像されることはいうまでもない。In the imaging device shown in FIG. 3, an optical image of the subject ○ is formed on the light-to-light conversion element PPCE by the imaging lens 1. However, when the imaging device is configured as a shutter camera, the optical shutter 2 When the camera is opened, an optical image of the subject 0 is transferred to the light-light conversion element PPCE by the imaging lens 1.
Needless to say, it is imaged in
１９は前記した光−光変換素子ＰＰＣＥに対して読出し
光として使用される光と、光−電荷変換素子ＰＣＣＥに
対するフォログラムの撮影時と光−電荷変換素子ＰＣＣ
Ｅからの波面再生時とに共用される可干渉光を出射させ
る光源であり１例えば半導体レーザが使用される。Reference numeral 19 indicates light used as readout light for the above-mentioned light-to-light conversion element PPCE, light for photographing a hologram for the light-to-charge conversion element PCCE, and light for the light-to-charge conversion element PCC.
It is a light source that emits coherent light that is shared during wavefront reproduction from E, and is a light source, for example, a semiconductor laser.
光−光変換素子ＰＰＣＥからの光学像の読出しと、フォ
ログラムの撮影用とに兼用される光は、光源１９から光
＠１９→ハーフミラー２０→凹レンズ２２→光−光変換
素子ＰＰＣＥの経路で光−光変換素子ＰＰＣＥに供給さ
れる。それにより、光−光変換素子ＰＰＣＥには被写体
の光学像に対応した光学像が現われ、また、その光学像
はフォログラフィ法における信号波としてレンズ１９に
与えられることにより、前記のレンズ１８によって光−
電荷変換素子ＰＣＣＥに結像する。光−電荷変換素子Ｐ
ＣＣＥには前記した光源１９から出射された可干渉光が
、光ｇ１９→ハーフミラー２０→凹レンズ２１→光−電
荷変換素子ＰＣＣＥに供給されているから、光−電荷変
換素子ＰＣＣＥには前記した光−光変換素子ＰＰＣＥの
出力側に現われた被写体の光学像に対応したフォログラ
ムが形成記録される。The light that is used both for reading out the optical image and photographing the hologram from the light-to-light conversion element PPCE is transmitted from the light source 19 through the path of light@19 → half mirror 20 → concave lens 22 → light-to-light conversion element PPCE. - supplied to the photoconversion element PPCE; As a result, an optical image corresponding to the optical image of the subject appears on the light-to-light conversion element PPCE, and the optical image is applied to the lens 19 as a signal wave in the holography method, so that it is converted into an optical image by the lens 18. −
An image is formed on the charge conversion element PCCE. Light-charge conversion element P
Since the coherent light emitted from the light source 19 described above is supplied to the CCE from the light g19 → the half mirror 20 → the concave lens 21 → the light-charge conversion element PCCE, the above-mentioned light is supplied to the light-charge conversion element PCCE. - A hologram corresponding to the optical image of the object appearing on the output side of the light conversion element PPCE is formed and recorded.
このように、第３図示の撮像装置によれば被写体Ｏの光
学像はフォログラムとして光−電荷変換素子ＰＣＣＥに
記録される。In this way, according to the imaging device shown in the third diagram, the optical image of the subject O is recorded as a hologram on the photo-charge conversion element PCCE.
前記した光−電荷変換素子ＰＣＣＥは図示されていない
駆動機構によって所定の移動態様で移動されるようにな
されてもよい。その場合に、第３図示の撮像装置がシャ
ッタカメラとしての動作モードで動作している場合には
、光学的なシャッタ２が所定の時間巾にわたり開放され
てから閉じた後に、光−電荷変換素子ＰＣＣＥが一駒分
（−枚の画像分）だけ移送されるようになされ、また、
撮像装置が動画カメラとしての動作モードで動作してい
る場合には、所定の時間巾にわたり静止して各−枚の画
像の記録が行われた後に、光−電荷変換素子ＰＣＣＥを
一駒分（−枚の画像分）だけ急速に移送させるような間
欠的な送りが行われるようになされる。なお、前記した
光−電荷変換素子ＰＣＣＥの間欠移送機構としては、映
画の撮影機で周知の移送機構と同様な機構が採用されて
もよし′１ａ
なお、前記した第１図乃至第３図示の実施例の撮像装置
によって光−電荷変換素子ＰＣＣＥに電荷像として記録
された情報は、光−電荷変換素子ＰＣＣＨにおける透明
電極Ｅｔと電極Ｅとを同電位の状態にし、光−電荷変換
素子ＰＣＣＥにおける透明電極Ｅｔ側に針状電極、多針
電極などを接近させて、電荷像として記録されている情
報を静電的に読出すようにしたり、あるいは、光−電荷
変換素子ＰＣＣＥにおける透明電極Ｅｔと電極Ｅとを同
電位の状態にし、光−電荷変換素子ＰＣＣＥにおける透
明電極Ｅｔ側に透明電極と光変調材層部材と誘電体ミラ
ーとの積層構造された状態の情報読出し用ヘッドにおけ
る誘電体ミラー側を接近させて、前記の情報読出し用ヘ
ッドにおける透明電極側から読出し光を入射させ、前記
した情報読出し用ヘッドに入射された光が透明電極→光
変調材層部材→と誘電体ミラー→光変調材層部材→透明
電極の経路によって再び前記の情報読出し用ヘッドにお
ける透明電極から出射した光を検光子に与えて、光−電
荷変換素子ＰＣＣＥにおける電荷像の電荷量のパターン
と対応している光量パターンを有する光学像として再生
したり、前記のようにして得た光学像を光電変換して電
気信号に変換したりすることにより高精細度を有する情
報として読出すことができる。The above-described photo-charge conversion element PCCE may be moved in a predetermined movement manner by a drive mechanism (not shown). In that case, when the imaging device shown in the third figure is operating in the shutter camera operation mode, after the optical shutter 2 is opened for a predetermined period of time and then closed, the light-to-charge conversion element The PCCE is transferred by one frame (-images), and
When the imaging device is operating in the operating mode as a video camera, after each image is recorded while standing still for a predetermined period of time, the photo-charge conversion element PCCE is Intermittent feeding is performed such that the image is rapidly transferred by - images. Note that as the intermittent transfer mechanism of the photo-charge conversion element PCCE described above, a mechanism similar to the well-known transfer mechanism used in movie shooting machines may be adopted. The information recorded as a charge image on the photo-charge conversion element PCCE by the imaging device of the example is stored in the photo-charge conversion element PCCE by bringing the transparent electrode Et and the electrode E in the photo-charge conversion element PCCH into the same potential state. A needle electrode, a multi-needle electrode, etc. may be brought close to the transparent electrode Et side to electrostatically read out information recorded as a charge image, or the transparent electrode Et in the photo-charge conversion element PCCE may be read out electrostatically. The dielectric mirror in the information reading head has a laminated structure of the transparent electrode, the light modulating material layer member, and the dielectric mirror on the transparent electrode Et side of the photo-charge conversion element PCCE, with the electrode E at the same potential. The sides are brought close to each other, and the readout light is incident from the transparent electrode side of the information readout head, and the light incident on the information readout head is transmitted through the transparent electrode → light modulating material layer member → and dielectric mirror → light. The light emitted from the transparent electrode in the information reading head is applied to the analyzer again through the path from the modulating material layer member to the transparent electrode, and the pattern corresponds to the charge amount pattern of the charge image in the photo-charge conversion element PCCE. The information can be read out as high-definition information by reproducing it as an optical image having a light amount pattern, or by photoelectrically converting the optical image obtained as described above into an electrical signal.
また、本発明の撮像装置をカラー画像の撮像装置として
構成する場合には、各実施例における光−光変換素子Ｐ
ＰＣＥにおける透明電極Ｅｔｌの前面に、周知構成の光
学的色分解縞状フィルタを配置すればよい。In addition, when the imaging device of the present invention is configured as a color image imaging device, the light-light conversion element P in each embodiment is
An optical color separation striped filter having a known configuration may be placed in front of the transparent electrode Etl in the PCE.
（発明の効果）
以上、詳細に説明したところから明らかなように本発明
の撮像装置は、２つの透明電極の間に少なくとも光導電
層部材と誘電体ミラーと光変調材層部材とを備えて構成
された光−光変換素子に対して、撮像レンズによって被
写体の光学像を結像させる手段と、前記した光−光変換
素子から単波長光を用いて被写体の光学像と対応する光
学像情報を読出す手段と、前記の光−光変換素子から読
出された光学情報を、少なくとも光導電層部材と電荷蓄
積層部材とを備えて構成されている光−電荷変換素子に
入射させる手段とを備えた撮像装置及び２つの透明電極
の間に少なくとも光７Ｒ重層部材と誘電体ミラーと光変
調材層部材とを備えて構成された光−光変換素子に対し
て、撮像レンズによって被写体の光学像を結像させる手
段と、前記した光−光変換素子から単波長光を用いて被
写体の光学像と対応する光学像情報を読出す手段と、少
なくとも光導電層部材と電荷蓄積層部材とを備えて構成
されている光−電荷変換素子と、前記の光−電荷変換素
子して前記の光−光変換素子から読出された光学情報と
ともに、フォログラム形成用の参照光をも入射させる手
段とを備えた撮像装置であるから、この本発明の撮像装
置では光−光変換素子ＰＰＣＥの光導電層部材ＰＣＬと
誘電体ミラーＤＭＬとの境界の部分に生じさせた被写体
の光学像と対応している電荷像を単波長光の読出し光を
読出すことにより、充分に高い解像度を有する再生像を
得て、それを光−電荷変換素子ＰＣＣＥに記録できるの
であり、また、光−光変換素子ＰＰＣＥから出射した単
波長光情報を光電変換器（所要に応じて２次元センサ、
１次元センサ、フォトダイオード等が選択使用できる）
に与えて。(Effects of the Invention) As is clear from the above detailed explanation, the imaging device of the present invention includes at least a photoconductive layer member, a dielectric mirror, and a light modulating material layer member between two transparent electrodes. means for forming an optical image of a subject using an imaging lens on the constructed light-to-light conversion element; and optical image information corresponding to the optical image of the subject using single wavelength light from the light-to-light conversion element. and means for causing the optical information read from the light-to-light conversion element to enter a light-to-charge conversion element comprising at least a photoconductive layer member and a charge storage layer member. An optical image of a subject is captured by an imaging lens to a light-to-light conversion element that includes at least an optical 7R multilayer member, a dielectric mirror, and a light modulating material layer member between two transparent electrodes. a means for forming an image of the object, a means for reading an optical image of the object and corresponding optical image information from the light-to-light conversion element using single wavelength light, and at least a photoconductive layer member and a charge storage layer member. a light-to-charge conversion element configured with a light-to-charge conversion element; and means for causing a reference light for forming a hologram to enter the light-to-charge conversion element along with optical information read from the light-to-light conversion element. Therefore, in the imaging device of the present invention, the electric charge corresponding to the optical image of the subject generated at the boundary between the photoconductive layer member PCL of the light-to-light conversion element PPCE and the dielectric mirror DML. By reading out the image with single-wavelength light, a reproduced image with sufficiently high resolution can be obtained and recorded in the light-to-charge conversion element PCCE. The single-wavelength optical information is transferred to a photoelectric converter (two-dimensional sensor, if necessary).
(One-dimensional sensor, photodiode, etc. can be used selectively)
Give it to.
光電変換器から所定の信号形態の電気信号が出力される
ようにしてもよく、さらに、光−電荷変換素子ＰＣＣＥ
における光学像情報の記録再生がフォログラフィー法で
行われるようにしてもよく。The photoelectric converter may output an electric signal in a predetermined signal form, and further, the photoelectric converter PCCE
The optical image information may be recorded and reproduced using a holography method.
さらにまた、光−電荷変換素子ＰＣＣＨに電荷像として
記録された情報は、光−電荷変換素子ＰＣＣＥにおける
透明電極Ｅｔと電極Ｅとを同電位の状態にし、光−電荷
変換素子ＰＣＣＥにおける透明電極Ｅｔ側に針状電極、
多針電極などを接近させて、電荷像として記録されてい
る情報を静電的に読出すようにしたり、あるいは、光−
電荷変換素子ＰＣＣＥにおける透明電極Ｅｔと電極Ｅと
を同電位の状態にし、光−電荷変換素子ＰＣＣＥにおけ
る透明電極Ｅｔ側に透明電極と光変調材層部材と誘電体
ミラーとの積層構造された状態の情報読出し用ヘッドに
おける誘電体ミラー側を接近させて、前記の情報読出し
用ヘッドにおける透明電極側から読出し光を入射させ、
前記した情報読出し用ヘッドに入射された光が透明電極
→光変調材層部材→と誘電体ミラー→光変調材層部材→
透明電極の経路によって再び前記の情報読出し用ヘッド
における透明電極から出射した光を検光子に与えて、光
−電荷変換素子ＰＣＣＥにおける電荷像の電荷量のパタ
ーンと対応している光景パターンを有する光学像として
再生したり、前記のようにして得た光学像を洸電変換し
て電気信号に変換したりすることにより高精細度を有す
る情報として読出すことができるのであって１本発明に
よれば既述した従来の欠点を良好に解決できる高解像度
の再生像を撮像できる撮像装置を提供することができる
。Furthermore, the information recorded in the photo-charge conversion element PCCH as a charge image is transmitted by bringing the transparent electrode Et and the electrode E in the photo-charge conversion element PCCE into the same potential state, and the transparent electrode Et in the photo-charge conversion element PCCE Needle electrode on the side,
By bringing multi-needle electrodes close together, information recorded as a charge image can be read out electrostatically, or by optical
The transparent electrode Et and the electrode E in the charge conversion element PCCE are brought into a state of the same potential, and a laminated structure of the transparent electrode, the light modulating material layer member, and the dielectric mirror is formed on the transparent electrode Et side of the photo-charge conversion element PCCE. The dielectric mirror side of the information reading head is brought close to each other, and reading light is incident from the transparent electrode side of the information reading head,
The light incident on the information reading head described above passes through the transparent electrode → light modulating material layer member → and dielectric mirror → light modulating material layer member →
The light emitted from the transparent electrode in the information reading head is applied to the analyzer again through the path of the transparent electrode, and the optical system has a sight pattern corresponding to the charge amount pattern of the charge image in the light-to-charge conversion element PCCE. According to the present invention, it is possible to read out high-definition information by reproducing it as an image or by converting the optical image obtained as described above into an electric signal. For example, it is possible to provide an imaging device capable of capturing a high-resolution reproduced image, which can satisfactorily solve the above-mentioned conventional drawbacks.
第１図乃至第３図は本発明の撮像装置の実施例の概略構
成を示すブロック図であり、また、第４図は本発明の撮
像装置の構成中で使用される光−光変換素子の構成原理
を説明するための側断面図、第５図は本発明の撮像装置
の構成中で使用される光−電荷変換素子の構成原理を説
明するための側断面図である。
０・・・被写体、１・・・撮像レンズ、２・・・撮像装
置がシャッタカメラとして構成された場合に設けられる
光学的なシャッタ、ＰＰＣＥ・・・光−光変換素子、４
．１４・・・ハーフプリズム、５・・・光−光変換素子
ＰＰＣＥからの光学像情報を単波長光の光学情報して読
出す際に用いられる読出し光の光源、６゜９．１５．１
８・・・レンズ、７・・・偏光板、８・・・検光子、Ｐ
ＣＣＥ・・・光−電荷変換素子、Ｅｔ、Ｅｔｌ。
Ｅｔ２・・・透明電極、ＰＣＬ・・・光導電層部材、Ｄ
ＭＬ・・・誘電体ミラー、ＰＭＬ・・・光変調材層部材
、Ｌｗ・・・書込み光、Ｌｒ・・・読出し光、Ｌｅ・・
・消去光、Ｖｂ・・・電源、ＳＷ・・切換スんチ、ＣＭ
Ｌ・・・電荷蓄積層部材、１６・・・光電変換器井住（
光電変換器１６としては、所要に応じて２次元センサ、
１次元センサ、フォトダイオード）、１０・・・読出し
光の光源として用いられているレーザ光源、１１・・・
消去光の光源として用いられているレーザ光源、１２・
・・ビームスプリッタ、１３・・・光量調節用の波長板
。
１９・・・光源１９．２０・・・ハーフミラ−，２１，
２２→凹レンズ、
囚
〇−
手続補正書（自発）
昭和６３年ユ月ル１ 日
特許庁長官 小 川 邦 夫 殿
２、発明の名称
撮像装置
３、補正をする者
事件との関係 特 許 出願人
任 所 神奈川県横浜市神奈用区守屋町３丁目１２番地
名称（４３２） 日本ビクター株式会社４、代理人
ファクシミリ０３ （４７２） ２２５７番５、補正命
令の日付 （自発）
昭和 年 月 日（発送日 昭和 年 月 日）６、補
正の対象
（１）明細書の特許請求の範囲の欄
（１）明細書の発明の詳細な説明の欄
７、補正の内容
（１）特許請求の範囲を別紙のように補正する。
（２）明細書第７頁第８行「換素子して」を次のように
補正する。
「換素子に対して」
（３）明細書第１０頁第３行「書込み光Ｌｗ・・・ ・
・読出し光」を次のように補正する。
「消去光ＬｅＪ
（４）明細書第１１頁第１５行ｒ Ｗ ＲＪを次のよう
に補正する。
ｗｒＪ
（５）明細書第１３頁第１７行「前記のだ」を次のよう
に補正する。
「前記の」
（６）明細書第１４頁第１９行「るの光景」を「る光景
」に補正する。
（７）明細書第２３頁第９行「素子して」を次のように
補正する。
「素子に対して」
（８）明細書第２３頁第１６行「し光を読出す」を次の
ように補正する。
「し光で読出す」
「特許請求の範囲
１．２つの透明電極の間に少なくとも光導電層部材と誘
電体ミラーと光変調材層部材とを備えて構成された光−
光変換素子に対して、撮像レンズによって被写体の光学
像を結像させる手段と、前記した光−光変換素子から単
波長光を用いて被写体の光学像と対応する光学像情報を
読出す手段と、前記の光−光変換素子から読出された光
学情報を、少なくとも光導電層部材と電荷蓄積層部材と
を備えて構成されている光−電荷変換素子に入射させる
手段とを備えた撮像装置
２．２つの透明電極の間に少なくとも光導電層部材と誘
電体ミラーと光変調材層部材とを備えて構成された光−
光変換素子に対して、撮像レンズによって被写体の光学
像を結像させる手段と、前記した光−光変換素子から単
波長光を用いて被写体の光学像と対応する光学像情報を
読出す手段と、少なくとも光導電層部材と電荷蓄積層部
材とを備えて構成されている光−電荷変換素子と、前記
の光−電荷変換素子４して前記の光−光変換素子から読
出された光学情報とともに、フォログラム形成用の参照
光をも入射させる手段とを備えた撮像装置」
手続補正書（１劃
１、事件の表示
昭和６３年特許願第１３９４３号
２、発明の名称
撮像装置
３、補正をする者
事件との関係 特 許 出願人
使 所 神奈川県横浜市神奈用区守屋町３丁目１２番地
名称（４３２） 日本ビクター株式会社４、代理人
ファクシミリ０３ （４７２） ２２５７番５、補正命
令の日付（自発）
Ｂ、補正の対象
（１）明細書の特許請求の範囲の欄
７、補正の内容
（１）特許請求の範囲を別紙のように補正する。
（２）明細書第６頁第１１行乃至第９頁第２行［導電層
部材と誘電体ミラーと光変調材・・・ ・・・ケルス効
果素子、マ」を次のように補正する。
「導電層部材と光変調材層部材とを備えて構成された光
−光変換素子に対して、撮像レンズによって被写体の光
学像を結像させる手段と、前記した光−光変換素子から
光を用いて被写体の光学像と対応する光学像情報を読出
す手段と、前記の光−光変換素子から読出された光学情
報を、少なくとも光導電層部材と電荷蓄積層部材とを備
えて構成されている光−電荷変換素子に入射させる手段
とを備えた撮像装置及び２つの透明電極の間に少なくと
も光導電層部材と光変調材層部材とを備えて構成された
光−光変換素子に対して、撮像レンズによって被写体の
光学像を結像させる手段と、前記した光−光変換素子か
ら光を用いて被写体の光学像と対応する光学像情報を読
出す手段と、少なくとも光導電層部材と電荷蓄積層部材
とを備えて構成されている光−電荷変換素子と、前記の
光−電荷変換素子に対して前記の光−光変換素子から読
出された光学情報とともに、フォログラム形成用の参照
光をも入射させる手段とを備えた撮像装置を提供するも
のである。
（実施例）
以下、添付図面を参照して本発明の撮像装置の具体的な
内容について詳細に説明する。第１図乃至第３図は本発
明の撮像装置の実施例の概略構成を示すブロック図であ
り、また、第４図は本発明の撮像装置の構成中で使用さ
れる光−光変換素子の構成原理を説明するための側断面
図、第５図は本発明の撮像装置の構成中で使用される光
−電荷変換素子の構成原理を説明するための側断面図で
ある。
第１＠においてＯは被写体、１は撮像レンズ、２は撮像
装置がシャッタカメラとして構成された場合に設けられ
る光学的なシャッタ、ＰＰＣＥは光−光変換素子、４は
ビームスプリッタ、５は光−光変換素子ＰＰＣＥからの
光学像情報を単波長光の光学情報して読出す際に用いら
れる読出し光の光源であり、この光源５としてはレーザ
光源。
その他任意の光源（電磁放射線の発生源）が使用できる
。なお、電磁放射線は広義の光、すなわち、電磁波とよ
ばれる放射線の全スペクトル領域（γ線、Ｘ線等の領域
からラジオ波の長波までを含む領域）の放射線を意味し
ていることは周知のとおりである。
また、６，９はレンズ、７は偏光板（前記した光源が所
要の単波長光を出射できる光源の場合には偏光板７は不
要である）、８は検光子、ｐｃｃＥは光−電荷変換素子
である。
第１図示の撮像装置において、被写体○の光学像は撮像
レンズ１によって光−光変換素子ＰＰＣＥに結像される
。撮像装置がシャッタカメラとして構成されている場合
には、光学的なシャッタ２が開いた状態で被写体０の光
学像が撮像レンズ１によって光−光変換素子ＰＰＣＥに
結像されることはいうまでもない。
光−光変換素子ＰＰＣＥとしては、例えば液晶型光変調
器、光伝導性ポッケルス効果素子、マ」（３）明細書第
１３頁第１２行乃至第１４頁第２行「光Ｌｒは、光源５
→レンズ６・・・ ・・・ＰＣＣＥに記録される。」を
次のように補正する。
「光Ｌｒは、光源５→レンズ６→偏光子７→ビームスプ
リツタ４→光−光変換素子ＰＰＣＥの透明電極Ｅｔ２の
光路によって光−光変換素子ＰＰＣＥに入射している。
そして、光−光変換素子ＰＰＣＥから出射された前記の
被写体の光学像と情報内容の対応している単波長光情報
は、ビームスプリッタ４→検光子８→レンズ９（縮少光
学系として構成されていてもよい）→の光路を介して光
−電荷変換素子ＰＣＣＣＥに結像され、光−電荷変換素
子ＰＣＣＥに記録される。
これまでの実施例の説明においては、撮像装置に使用さ
れている光−光変換素子ＰＰＣＥが、書込み光と消去光
とを透過させるとともに、読出し光を反射させつるよう
な波長選択特性を有する誘電体ミラーを備えているもの
である、とされていたが１本発明の実施に当って使用さ
れるべき光−光変換素子ＰＰＣＥとしては、読出し光に
対して射できるようなものの場合には、誘電体ミラーを
備えていない構成形態の光−光変換素子ＰＰＣＥが用い
られてもよいことは勿論である。
また、実施例の説明においては光−光変換素子ＰＰＣＥ
から単波長光情報が読出されるものとされているが、光
−光変換素子ＰＰＣＥから単波長情報でない光情報が読
出されるように実施されてもよいことはいうまでもない
、」
（４）明細書第１６頁第１０行乃至第１７行第１４行ｒ
報をハーフプリズム４に後続す・・・ ・・・１６は光
電変換器である。」を次のように補正する。
［報をビームスプリッタ４に後続する別のビームスプリ
ッタを介して信号処理装置に与えて、その信号処理装置
において、それに入射された光学像情報に基づいて編集
、トリミング、光増幅などの各種の信号処理を行わせる
ようにしてもよい（信号処理装置としては制御性の空間
変調素子、可逆性の並列メモリ、制御性の並列機能素子
、制御性の機能結合素子などを用いて構成されたものが
使用されてもよく、また前記した信号処理装置で光並列
信号処理が行われるようになされてもよい）。
次に、第２図に示されている撮像装置は、光−光変換素
子ＰＰＣＥから出射した単波長光情報をビームスプリッ
タ４に後続する光路中に設けた別のビームスプリッタ１
４によって反射させた光情報をレンズ１５によって光電
変換器１６（光電変換器１６としては、所要に応じて２
次元センサ、１次元センサ、フォトダイオード等が選択
使用できる）に与えて、光電変換器１６から所定の信号
形態の電気信号が出力されるように構成した場合の構成
例であり、この第２図において１０は読出し光の光源と
して用いられているレーザ光源、１１は消去光の光源と
して用いられているレーザ光源、１２はビームスプリッ
タ、１３は光学的にバイアスを設定するための波長板、
１４はビームスプリッタ、１５はレンズ、１６は光電変
換器である、」
（５）明細書第１９頁第９行「レンズ１９に」を次のよ
うに補正する。
「レンズ１８」
（６）明細書第２１頁第１５行乃至第２３頁第２０行「
調材層部材→と誘電体ミラー→光変・・・ ・・・所要
に応じて２次元センサ、１次元センサ、」を次のように
補正する。
「調材層部材→誘電体ミラー→光変調材層部材→透明電
極の経路によって再び前記の情報読出し用ヘッドにおけ
る透明電極から出射した光を検光子に与えて、光−電荷
変換素子Ｐ ＣＣＥにおける電荷像の電荷量のパターン
と対応している光量パターンを有する光学像として再生
したり、前記のようにして得た光学像を光電変換して電
気信号に変換したりすることにより高精細度を有する情
報として読出すことができる。
また、本発明の撮像装置をカラー画像の撮像装置として
構成する場合には、各実施例における光−光変換素子Ｐ
ＰＣＥにおける透明電極Ｅｔｌの前面に、周知構成の光
学的色分解縞状フィルタを配置すればよい。
（発明の効果）
以上、詳細に説明したところから明らかなように本発明
の撮像装置は、２つの透明電極の間に少なくとも光導電
層部材と光変調材層部材とを備えて構成された光−光変
換素子に対して、撮像レンズによって被写体の光学像を
結像させる手段と。
前記した光−光変換素子から光を用いて被写体の光学像
と対応する光学像情報を読出す手段と、前記の光−光変
換素子から読出された光学情報を、少なくとも光導電層
部材と電荷蓄積層部材とを備えて構成されている光−電
荷変換素子に入射させる手段とを備えた撮像装置及び２
つの透明電極の間に少なくとも光導電層部材と光変調材
層部材とを備えて構成された光−光変換素子に対して、
撮像レンズによって被写体の光学像を結像させる手段と
、前記した光−光変換素子から光を用いて被写体の光学
像と対応する光学像情報を読出す手段と、少なくとも光
導電層部材と電荷蓄積層部材とを備えて構成されている
光−電荷変換素子と、前記の光−電荷変換素子に対して
前記の光−光変換素子から読出された光学情報とともに
、フオログラム形成用の参照光をも入射させる手段とを
備えた撮像装置であるから、この本発明の撮像装置では
光−光変換素子ＰＰＣＥにおける光導電層部材ＰＣＬの
境界の部分に生じさせた被写体の光学像と対応している
電荷像を読出し光で読出すことにより７充分に高い解像
度を有する再生像を得て、それを光−電荷変換素子ＰＣ
ＣＥに記録できるのであり、また光−光変換素子ＰＰＣ
Ｅから出射した光情報を光電変換器（所要に応じて２次
元センサ、１次元センサ、」
（７）明細書第２５頁第１行ｒ層部材→と誘電体ミラー
」を次のように補正する。
ｒ層部材→誘電体ミラー」
（８）明細書第２６頁第１８行［１３・・・光量調節用
の波長板」を次のように補正する。
「１３・・・光学的なバイアスを設定するための波長板
」
［特許請求の範囲
１．２つの透明電極の間に少なくとも光導電層部材考〜
光変調材層部材とを備えて構成された光−光変換素子に
対して、撮像レンズによって被写体の光学像を結像させ
る手段と、前記した光−光変換素子か星光−を用いて被
写体の光学像と対応する光学像情報を読出す手段と、前
記の光−光変換素子から読出された光学情報を、少なく
とも光導電層部材と電荷蓄積層部材とを備えて構成され
ている光−電荷変換素子に入射させる手段とを備えた撮
像装置
２．２つの透明電極の間に少なくとも光導電層部材＆、
１変調材層部材とを備えて構成された光−光変換素子に
対して、撮像レンズによって被写体の光学像を結像させ
る手段と、前記した光−光変換素子か方、光−を用いて
被写体の光学像と対応する光学像情報を読出す手段と、
少なくとも光導電層部材と電荷蓄積層部材とを備えて構
成されている光−電荷変換素子と、前記の光−電荷変換
素子１して前記の光−光変換素子から読出された光学情
報とともに。
フォログラム形成用の参照光1 to 3 are block diagrams showing a schematic configuration of an embodiment of the imaging device of the present invention, and FIG. 4 is a block diagram of a light-to-light conversion element used in the configuration of the imaging device of the present invention. FIG. 5 is a side sectional view for explaining the construction principle of a light-to-charge conversion element used in the construction of the imaging device of the present invention. 0... Subject, 1... Imaging lens, 2... Optical shutter provided when the imaging device is configured as a shutter camera, PPCE... Light-light conversion element, 4
．． 14...Half prism, 5...Light source of readout light used when reading optical image information from the light-to-light conversion element PPCE as optical information of single wavelength light, 6゜9.15.1
8... Lens, 7... Polarizing plate, 8... Analyzer, P
CCE...photo-charge conversion element, Et, Etl. Et2...Transparent electrode, PCL...Photoconductive layer member, D
ML...dielectric mirror, PML...light modulating material layer member, Lw...writing light, Lr...reading light, Le...
・Erasing light, Vb...power supply, SW...switch switch, CM
L...Charge storage layer member, 16...Photoelectric converter Izumi (
As the photoelectric converter 16, a two-dimensional sensor,
one-dimensional sensor, photodiode), 10... laser light source used as a light source of readout light, 11...
Laser light source used as a light source for erasing light, 12.
... Beam splitter, 13... Wave plate for adjusting light amount. 19...Light source 19.20...Half mirror, 21,
22 → Concave lens, prisoner 〇- Procedural amendment (voluntary) July 1, 1988 Director General of the Patent Office Kunio Ogawa 2. Name of the invention Imaging device 3. Relationship with the person making the amendment Patent Applicant Address: 3-12 Moriya-cho, Kanayō-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture Name (432) Victor Company of Japan Co., Ltd. 4, Agent Facsimile 03 (472) 2257-5 Date of amendment order (self-motivated) Showa year, month, day (shipment date) 6, Subject of amendment (1) Claims column of the specification (1) Detailed explanation of the invention column 7 of the specification, Contents of amendment (1) Claims should be submitted Correct it as follows. (2) The phrase ``transfer element'' on page 7, line 8 of the specification shall be amended as follows. "For the conversion element" (3) Page 10, line 3 of the specification "Writing light Lw...
・Correct the readout light as follows. "Erase light LeJ (4) Correct the 15th line r W RJ on page 11 of the specification as follows. wrJ (5) Correct ``Sainoda'' on page 13, line 17 of the specification as follows. . "Said" (6) "Runo Sight" in line 19 of page 14 of the specification is amended to "Ru Sight". (7) "Element" on page 23, line 9 of the specification is corrected as follows. "For the element" (8) "Read out light" on page 23, line 16 of the specification is corrected as follows. "Reading with light""Claim 1. A light-reading device comprising at least a photoconductive layer member, a dielectric mirror, and a light modulating material layer member between two transparent electrodes."
means for forming an optical image of a subject with an imaging lens on the light conversion element; and means for reading optical image information corresponding to the optical image of the subject from the light-to-light conversion element using single wavelength light; , means for causing optical information read from the light-to-light conversion element to enter the light-to-charge conversion element, which includes at least a photoconductive layer member and a charge storage layer member. .A light device comprising at least a photoconductive layer member, a dielectric mirror, and a light modulating material layer member between two transparent electrodes.
means for forming an optical image of a subject with an imaging lens on the light conversion element; and means for reading optical image information corresponding to the optical image of the subject from the light-to-light conversion element using single wavelength light; , a light-to-charge conversion element comprising at least a photoconductive layer member and a charge storage layer member, and optical information read out from the light-to-light conversion element by the light-to-charge conversion element 4; , a means for also injecting a reference light for forming a hologram.'' Procedural amendment (Part 1, Part 1, Display of the case, Patent Application No. 13943 of 1988, Part 2, Title of the invention, Imaging device 3, Make amendments) Relationship with the patent case Patent applicant envoy 3-12 Moriya-cho, Kanayō-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture Name (432) Victor Company of Japan 4, agent facsimile 03 (472) 2257-5, date of amendment order ( (Voluntary) B. Subject of amendment (1) Scope of claims column 7 of the specification, contents of amendment (1) The scope of claims is amended as shown in the attached sheet. (2) Line 11 of page 6 of the specification to page 9, line 2 [conductive layer member, dielectric mirror, and light modulating material... Kells effect element, ma] should be corrected as follows. a means for forming an optical image of a subject using an imaging lens, and an optical image corresponding to the optical image of the subject using light from the light-to-light converting element; means for reading information; and means for causing the optical information read from the light-to-light conversion element to enter a light-to-charge conversion element comprising at least a photoconductive layer member and a charge storage layer member; An optical image of a subject is formed by an imaging lens on an imaging device equipped with a light-to-light conversion element including at least a photoconductive layer member and a light modulating material layer member between two transparent electrodes. means for reading optical image information corresponding to the optical image of the subject using light from the light-to-light conversion element, and at least a photoconductive layer member and a charge storage layer member. An imaging device comprising: a light-to-charge conversion element; and means for causing reference light for forming a hologram to enter the light-to-charge conversion element together with optical information read from the light-to-light conversion element; (Embodiments) Hereinafter, specific contents of the imaging device of the present invention will be explained in detail with reference to the accompanying drawings. Figs. 1 to 3 show embodiments of the imaging device of the present invention. FIG. 4 is a side sectional view for explaining the construction principle of a light-to-light conversion element used in the configuration of the imaging device of the present invention, and FIG. FIG. 2 is a side cross-sectional view for explaining the principle of construction of a light-to-charge conversion element used in the construction of the imaging device of the invention. In the first @, O is the object, 1 is the imaging lens, 2 is the optical shutter provided when the imaging device is configured as a shutter camera, PPCE is the light-to-light conversion element, 4 is the beam splitter, and 5 is the light- It is a light source of readout light used when reading out optical image information from the light conversion element PPCE as optical information of single wavelength light, and this light source 5 is a laser light source. Any other light source (source of electromagnetic radiation) can be used. It is well known that electromagnetic radiation refers to light in a broad sense, that is, radiation in the entire spectral range of radiation called electromagnetic waves (including the range from gamma rays, X-rays, etc. to long waves of radio waves). That's right. Further, 6 and 9 are lenses, 7 is a polarizing plate (if the light source described above is a light source that can emit the required single wavelength light, the polarizing plate 7 is not necessary), 8 is an analyzer, and pccE is a light-to-charge converter. It is element. In the imaging device shown in FIG. 1, an optical image of the subject ○ is formed by the imaging lens 1 on the light-to-light conversion element PPCE. When the imaging device is configured as a shutter camera, it goes without saying that an optical image of the subject 0 is formed on the light-to-light conversion element PPCE by the imaging lens 1 with the optical shutter 2 open. do not have. Examples of the light-to-light conversion element PPCE include a liquid crystal optical modulator, a photoconductive Pockels effect element, and a photoconductive Pockels effect element.
→Lens 6... Recorded in PCCE. ” is corrected as follows. "The light Lr enters the light-light conversion element PPCE through the optical path of the light source 5 → lens 6 → polarizer 7 → beam splitter 4 → transparent electrode Et2 of the light-light conversion element PPCE. The single-wavelength optical information whose information content corresponds to the optical image of the object emitted from the conversion element PPCE is transmitted from the beam splitter 4 to the analyzer 8 to the lens 9 (which may be configured as a reduction optical system). The image is formed on the light-to-charge conversion element PCCCE through the optical path of →, and is recorded in the light-to-charge conversion element PCCE. It has been said that the PPCE is equipped with a dielectric mirror having a wavelength selective characteristic that transmits the writing light and the erasing light and reflects the reading light. As the light-to-light conversion element PPCE to be used, if it is capable of emitting readout light, a light-to-light conversion element PPCE having a configuration that does not include a dielectric mirror may be used. Of course, in the description of the embodiments, the light-light conversion element PPCE
Although it is assumed that single-wavelength optical information is read out from the light-to-light conversion element PPCE, it goes without saying that it may be implemented so that optical information other than single-wavelength information is read out from the light-to-light conversion element PPCE. )Page 16, line 10 to line 17, line 14 r of the specification
The information is transmitted to the half prism 4...16 is a photoelectric converter. ” is corrected as follows. [The information is given to a signal processing device via another beam splitter following the beam splitter 4, and the signal processing device processes various signals such as editing, trimming, and optical amplification based on the optical image information incident thereon. The signal processing device may be configured using a controllable spatial modulation element, a reversible parallel memory, a controllable parallel functional element, a controllable functional coupling element, etc. (The signal processing device described above may perform optical parallel signal processing.) Next, the imaging device shown in FIG.
4, the optical information reflected by the lens 15 is transmitted to the photoelectric converter 16 (the photoelectric converter 16 is converted to
This is an example of a configuration in which the photoelectric converter 16 is configured to output an electrical signal in a predetermined signal format from the photoelectric converter 16 (a dimensional sensor, one-dimensional sensor, photodiode, etc. can be selectively used). 10 is a laser light source used as a readout light source, 11 is a laser light source used as an erase light source, 12 is a beam splitter, 13 is a wavelength plate for optically setting bias,
14 is a beam splitter, 15 is a lens, and 16 is a photoelectric converter.'' (5) "To the lens 19" on page 19, line 9 of the specification is corrected as follows. "Lens 18" (6) Specification page 21, line 15 to page 23, line 20 "
Adjustment layer member → and dielectric mirror → light change... Two-dimensional sensor, one-dimensional sensor, as required, are corrected as follows. The light emitted from the transparent electrode in the information reading head is applied to the analyzer again through the path of the conditioning layer member → dielectric mirror → light modulating material layer member → transparent electrode, and High definition can be achieved by reproducing an optical image with a light intensity pattern that corresponds to the charge amount pattern of the charge image, or by photoelectrically converting the optical image obtained as described above into an electrical signal. In addition, when the imaging device of the present invention is configured as a color image imaging device, the light-to-light conversion element P in each embodiment
An optical color separation striped filter having a known configuration may be placed in front of the transparent electrode Etl in the PCE. (Effects of the Invention) As is clear from the above detailed explanation, the imaging device of the present invention has an optical system that includes at least a photoconductive layer member and a light modulating material layer member between two transparent electrodes. - means for forming an optical image of a subject on the light conversion element using an imaging lens; means for reading optical image information corresponding to an optical image of a subject using light from the light-to-light conversion element; 2. An imaging device comprising: means for causing light to enter a light-to-charge conversion element configured with a storage layer member; and 2.
For a light-light conversion element configured with at least a photoconductive layer member and a light modulating material layer member between two transparent electrodes,
means for forming an optical image of a subject by an imaging lens; means for reading optical image information corresponding to the optical image of the subject using light from the light-to-light conversion element; and at least a photoconductive layer member and charge storage. a light-to-charge conversion element comprising a layer member; and a reference light for forming a fluorogram along with optical information read from the light-to-light conversion element to the light-to-charge conversion element. Since the imaging device of the present invention is equipped with a means for making the light incident, the charge corresponding to the optical image of the subject generated at the boundary portion of the photoconductive layer member PCL in the light-to-light conversion element PPCE is By reading out the image with a reading light, a reproduced image with sufficiently high resolution is obtained, and it is transferred to the photo-charge conversion element PC.
It can record on CE, and it can also record on light-light conversion element PPC.
The optical information emitted from E is corrected by a photoelectric converter (two-dimensional sensor, one-dimensional sensor as required, (7) Specification, page 25, line 1 r-layer member → and dielectric mirror) as follows. R-layer member → dielectric mirror" (8) Correct "13...wavelength plate for light amount adjustment" on page 26, line 18 of the specification as follows. "13...optical bias [Claim 1. At least a photoconductive layer member between two transparent electrodes]
A means for forming an optical image of the subject using an imaging lens, and a means for forming an optical image of the subject using the above-mentioned light-light converting element or starlight, on the light-to-light conversion element configured with a light modulating material layer member. A means for reading out optical image information corresponding to an optical image; and a photo-charge device comprising at least a photoconductive layer member and a charge storage layer member, and a means for reading out optical image information corresponding to an optical image; 2. An imaging device comprising a means for inputting light to a conversion element. At least a photoconductive layer member &, between two transparent electrodes.
1. A means for forming an optical image of a subject using an imaging lens, and a means for forming an optical image of a subject using a light-to-light conversion element configured with a modulating material layer member; means for reading optical image information corresponding to an optical image of a subject;
A photo-charge conversion element comprising at least a photoconductive layer member and a charge storage layer member, together with optical information read from the photo-charge conversion element 1 and the light-charge conversion element. Reference light for hologram formation
Claims (1)
電体ミラーと光変調材層部材とを備えて構成された光−
光変換素子に対して、撮像レンズによって被写体の光学
像を結像させる手段と、前記した光−光変換素子から単
波長光を用いて被写体の光学像と対応する光学像情報を
読出す手段と、前記の光−光変換素子から読出された光
学情報を、少なくとも光導電層部材と電荷蓄積層部材と
を備えて構成されている光−電荷変換素子に入射させる
手段とを備えた撮像装置 ２、２つの透明電極の間に少なくとも光導電層部材と誘
電体ミラーと光変調材層部材とを備えて構成された光−
光変換素子に対して、撮像レンズによって被写体の光学
像を結像させる手段と、前記した光−光変換素子から単
波長光を用いて被写体の光学像と対応する光学像情報を
読出す手段と、少なくとも光導電層部材と電荷蓄積層部
材とを備えて構成されている光−電荷変換素子と、前記
の光−電荷変換素子して前記の光−光変換素子から読出
された光学情報とともに、フォログラム形成用の参照光
をも入射させる手段とを備えた撮像装置[Claims] 1. An optical device comprising at least a photoconductive layer member, a dielectric mirror, and a light modulating material layer member between two transparent electrodes.
means for forming an optical image of a subject with an imaging lens on the light conversion element; and means for reading optical image information corresponding to the optical image of the subject from the light-to-light conversion element using single wavelength light; , means for causing optical information read from the light-to-light conversion element to enter the light-to-charge conversion element, which includes at least a photoconductive layer member and a charge storage layer member. , an optical device comprising at least a photoconductive layer member, a dielectric mirror, and a light modulating material layer member between two transparent electrodes.
means for forming an optical image of a subject with an imaging lens on the light conversion element; and means for reading optical image information corresponding to the optical image of the subject from the light-to-light conversion element using single wavelength light; , a light-to-charge conversion element comprising at least a photoconductive layer member and a charge storage layer member, and optical information read from the light-to-light conversion element as the light-to-charge conversion element; An imaging device comprising means for also inputting a reference light for forming a hologram.
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