JPH02280325A - Manufacture of semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法、特に異方性エツチング
を利用した半導体装置の製造方法に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device, and particularly to a method of manufacturing a semiconductor device using anisotropic etching.
力学量を測定するために、各種のセンサが作製されてお
り、その中に、半導体加速度センサがある。半導体加速
度センサが他のセンサと構造を異にしている点は、この
センサが重りを内蔵していることにある。一般に加速度
の検出は力学の法則であるＦ＝Ｍαの弐を利用して行わ
れる。この性質に従って内蔵された重りによって加速度
を力に変換し、更にピエゾ抵抗効果によって電気信号に
変換する方式が用いられている。Various types of sensors have been manufactured to measure mechanical quantities, including semiconductor acceleration sensors. The structure of a semiconductor acceleration sensor differs from other sensors in that it has a built-in weight. Generally, acceleration is detected using the law of mechanics: F=Mα. According to this property, a method is used in which acceleration is converted into force using a built-in weight, and then converted into an electric signal using a piezoresistive effect.
従来、重りを作製する方法として、基板であるシリコン
を直接用いる方法、さらにその上に金属を付着させて重
さを増加させて用いる方法などがある。この場合、重り
は、シリコン基板をメサ状にエツチングすることによっ
て作製される。そのため、適当な大きさの面積を持つエ
ツチング用のマスクを用いてエツチングを行い、シリコ
ンの重りを残していた。Conventional methods for producing weights include a method of directly using silicon as a substrate, and a method of increasing weight by attaching metal thereon. In this case, the weight is fabricated by etching a silicon substrate into a mesa shape. For this reason, etching was performed using an etching mask with an appropriate area, leaving the silicon weight behind.
一般に重りの重さは、センサの動特性を決定するため大
きさを正確に定める必要がある。正確に構造物の大きさ
を定めたい場合には、異方性エッチングが用いられる。Generally, the weight of the weight needs to be sized accurately to determine the dynamic characteristics of the sensor. Anisotropic etching is used when it is desired to accurately define the size of the structure.
このエツチングは、水酸化カリウム、ヒドラジン、ＥＤ
Ｐなどの溶液を用いて行われ、通常８０から９０度近辺
の温度にて行われる。異方性エツチング法を用いると、
酸化膜などより成るエツチングマスクパターンを＜１１
１＞軸に平行に書く限りにおいて、正確にマスクパター
ンの外をエツチングし、内側は残すということが原理的
に可能である。This etching is performed using potassium hydroxide, hydrazine, ED
It is carried out using a solution such as P, and is usually carried out at a temperature of around 80 to 90 degrees. Using anisotropic etching method,
Etching mask pattern made of oxide film etc.
1> As long as it is written parallel to the axis, it is theoretically possible to accurately etch the outside of the mask pattern while leaving the inside.
しかし実際には、マスクパターン周囲をエツチングしメ
サ状の形状を残す場合には、上記方法では種々の好まし
くないサイドエツチングが起こる。However, in reality, when the periphery of the mask pattern is etched to leave a mesa-like shape, various undesirable side etchings occur in the above method.
正確なエツチングを行うために、従来では、作製に用い
られる基板の面方位が＜１００＞に対しては、刊行物ｒ
ＴＲＡＮｓＤＵｃＥＲｓ’ ８７予稿集」のｐ１２６に
記載されているように、補正法が考え出されている。In order to perform accurate etching, conventionally, when the plane orientation of the substrate used for fabrication is <100>,
A correction method has been devised as described on page 126 of "TRANsDUcERs' 87 Proceedings".
この補正法は、第２図に示すように、最終的に目的とす
る形状パターンと同じ形状の基本マスクパターン１１の
各頂点に三角形のエツチングマスク１２を更に付属させ
て、エツチング用の補正マスクパターンとしている。そ
のようにすると、エツチングの進行と共に補正マスク１
２の突起部分の先端および周辺からエツチングが進行し
、ある時間の経過後に目的とする最初の形状パターンに
戻るため、はぼ所望のエツチング形状を得ることができ
るという原理に基づいている。In this correction method, as shown in FIG. 2, a triangular etching mask 12 is further attached to each vertex of a basic mask pattern 11 having the same shape as the final target pattern, and a correction mask pattern for etching is created. It is said that By doing so, as the etching progresses, the correction mask 1
This is based on the principle that the etching progresses from the tip and periphery of the protruding portion 2 and returns to the intended initial shape pattern after a certain period of time, so that a desired etched shape can be obtained.
上記のように、＜１００＞基板を用いた場合には＜２１
２＞方向からオーバーエツチングが進行するため、＜２
１０＞面に平行なうインを利用してエツチングの補正を
行っている。As mentioned above, when using a <100> substrate, <21>
Since overetching progresses from the <2> direction,
10> The etching is corrected using the in-line parallel to the plane.
しかし、シリコンの基板として＜２０＞面を主面に持つ
基板を用いてデバイスを作製した例は非常に少なく、そ
れに対応するエツチング形状最適化のための補正マスク
パターンは存在していなかった。However, there are very few examples of devices being fabricated using a silicon substrate having a <20> plane as its main surface, and there has been no corresponding correction mask pattern for optimizing the etching shape.
（発明が解決しようとする課題）
溶液を用いた異方性エツチングにおいて、〈１１１〉面
は異方性エツチング液の性質のためにエツチングされず
に残る性質を持つので、島状のエツチング形状を残した
い場合には、島の辺がく１１１〉面上に在るように設計
しておけば、＜１１１〉面に属する辺はエツチングされ
ないでメサ状の構造物が残るはずである。しかし、＜１
１１＞面と＜１１１＞面の接する点の原子は、どの面方
位にも属しているため、＜１１１＞面に特有な不動態化
が起こらず、マスクパターンの頂点からエツチングが始
まってしまい、徐々にオーバーエツチングが進行する。(Problems to be Solved by the Invention) In anisotropic etching using a solution, the <111> plane has the property of remaining unetched due to the properties of the anisotropic etching solution. If you want to leave it, if you design it so that the edges of the island lie on the <111> plane, the edges belonging to the <111> plane will not be etched and a mesa-like structure will remain. However, <1
Since the atoms at the point where the 11> plane and the <111> plane touch belong to any plane orientation, the passivation peculiar to the <111> plane does not occur, and etching starts from the apex of the mask pattern. Over-etching progresses gradually.
結果的にマスクの形状とは全（異なったエツチング形状
となり、所望の形状が得られないという問題が存在した
。As a result, the etched shape was completely different from the shape of the mask, and there was a problem that the desired shape could not be obtained.
また、種々の形状に対してオーバーエツチングを見越し
て、適当な形状を持ったマスクパターンを求めることは
、非常に困難を伴う。Furthermore, it is extremely difficult to obtain mask patterns with appropriate shapes in anticipation of overetching for various shapes.
また、単純に比例拡大したマスクを用いると、エツチン
グ形状が斜めに傾き非常に汚くなるといった欠点があっ
た。Furthermore, if a mask that is simply scaled up proportionally is used, there is a drawback that the etched shape becomes oblique and becomes very dirty.
本発明の目的は、＜１１０＞面を主面に持つ単結晶シリ
コン基板に異方性エツチングによって所望のメサ形状を
得る、半導体装置の製造方法を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a semiconductor device in which a desired mesa shape is obtained by anisotropic etching on a single crystal silicon substrate having a <110> plane as a main surface.
本発明は、＜１１０＞面を主面に持つ単結晶シリコンか
ら成る半導体装置の製造方法において、目的とするエツ
チング形状を定める基本マスクパターンと、この基本マ
スクパターンの少なくとも１つの頂点に接続され、前記
単結晶シリコンの＜１１１＞軸方向に平行な辺を有する
補正マスクパターンとから成るマスクパターンを、単結
晶シリコン基板上に形成した後、異方性エツチングを施
し、前記目的とするエツチング形状を得ることを特徴と
する。The present invention provides a method for manufacturing a semiconductor device made of single crystal silicon having a <110> plane as its main surface, including: a basic mask pattern defining a desired etching shape; A correction mask pattern having sides parallel to the <111> axis direction of the single crystal silicon is formed on the single crystal silicon substrate, and then anisotropic etching is performed to obtain the desired etched shape. It is characterized by obtaining.
シリコンの単結晶にはアルカリ系のエツチング溶液でエ
ツチングを行った際に、＜ｔ ｘ ｔ＞面と他の結晶面
ではエツチング速度が非常に異なり、＜１１１＞面はエ
ツチングを殆ど受けることなく残るという性質がある。When a silicon single crystal is etched with an alkaline etching solution, the etching rate is very different between the <t x t> plane and other crystal planes, and the <111> plane remains almost unetched. There is a property that
その理由については諸説入り乱れているが、Ｓｉの＜１
１１＞結晶面は原子密度の最高に高い面であり、非常に
化学活性が高いため、その表面に容易に不動態層が形成
されるためであると、ここでは考えてお（。There are various theories as to why, but Si<1
11> We believe that this is because the crystal plane is the plane with the highest atomic density and has extremely high chemical activity, so a passive layer is easily formed on its surface (.
＜１１０＞配向の半導体基板を用いた場合には、エツチ
ング用のマスクの辺が＜１１１＞面と平行になるように
設置すると、他の部分がエツチングによって削り取られ
て行くにも拘わらず、その＜１１１＞軸で囲まれた領域
は変化せず、その辺の外側に垂直なエツチング面が形成
されるという性質がある。よって、その方向に平行で僅
かに間隙を設けた構造のエツチングマスクを設けてエツ
チングを施せば、非常に高い精度で深い溝を形成するこ
とが可能である。また、必要とされるエツチングの形状
が、周辺をエツチングしてメサの様な台状の構造物を残
す場合には、台を成している平行四辺形の頂点の原子は
全ての面方位に属していると考えられ、＜１１１＞面と
は異なった面方位よりエツチングが進行し、結果的に＜
１１１＞面と平行な辺もエツチングされてしまう現象が
起こる。しかし、基礎的な実験より、＜１１１＞面に平
行な辺の部分は、その辺に属する頂点部分がエツチング
されない限り、残り続けることを見出した。When using a <110> oriented semiconductor substrate, if the sides of the etching mask are set parallel to the <111> plane, even though other parts are etched away, The region surrounded by the <111> axis does not change, and a perpendicular etched surface is formed on the outside of that side. Therefore, if etching is performed using an etching mask with a structure parallel to that direction with a slight gap, it is possible to form deep grooves with very high precision. Furthermore, if the required etching shape is to leave a mesa-like platform-like structure by etching the periphery, the atoms at the vertices of the parallelogram forming the platform will be aligned in all plane directions. Etching progresses from a plane orientation different from the <111> plane, resulting in <
A phenomenon occurs in which sides parallel to the 111> plane are also etched. However, through basic experiments, it was discovered that the edge portion parallel to the <111> plane continues to remain unless the vertex portion belonging to that edge is etched.
補正マスクパターンが、一定の幅を持つ同じ構造の延長
物であれば、エツチングの開始からの時間に拘わらず補
正マスクパターンが一定距離削り取られるのに必要とさ
れる時間が一定である。よって、メサ形状を得るために
必要とされる時間に補正マスクパターンがエツチングさ
れる速度を掛けた値に等しい長さを補正マスクパターン
に持たせることによって、特定の時間が過ぎた後に所望
のエツチング形状を残すことが可能となる。また、この
方法で得られたエツチング形状は、補正を行って余分な
形が初期状態にあるにも拘わらず、目的形状と全く同じ
物を作製することが可能であり、得られる面は非常に垂
直である。If the correction mask pattern is an extension of the same structure with a constant width, the time required for the correction mask pattern to be removed a certain distance is constant regardless of the time from the start of etching. Thus, by making the correction mask pattern have a length equal to the time required to obtain the mesa shape multiplied by the rate at which the correction mask pattern is etched, the desired etching can be achieved after a certain amount of time. It is possible to leave the shape. In addition, even though the etched shape obtained by this method has an extra shape in the initial state due to correction, it is possible to produce an object that is exactly the same as the target shape, and the obtained surface is extremely Vertical.
第１図は、本発明の第１の実施例において用いられるマ
スクパターンの形状を表している。FIG. 1 shows the shape of a mask pattern used in the first embodiment of the present invention.
この実施例では、エツチングで作製される形状は、菱形
を例にとっている。マスクパターンは、この菱形のエツ
チング形状と同一形状の基本マスクパターン１と、補正
マスクパターン２とから成っている。このような形状を
有し、酸化シリコンより成るマスクパターンを、＜１１
０＞面を主面に持つ単結晶シリコン基板上に形成する。In this embodiment, the shape formed by etching is a rhombus. The mask pattern consists of a basic mask pattern 1 having the same shape as this diamond-shaped etching shape, and a correction mask pattern 2. A mask pattern having such a shape and made of silicon oxide is
It is formed on a single crystal silicon substrate having a 0> plane as its main surface.
このとき、基本マスクパターンｌの各辺２は、＜１１１
＞面と平行になるように設置される。At this time, each side 2 of the basic mask pattern l is <111
> Installed parallel to the surface.
一方、補正マスクパターン５は、基本マスクパターン１
の４つの頂点に接続された、それぞれ２つの細長平行四
辺形の補正マスク３から構成されている。この補正マス
ク３の各辺は、単結晶シリコン基板の＜１１１＞面に平
行であり、補正マスクはそれぞれ同じ幅、同じ長さを有
している。On the other hand, the correction mask pattern 5 is the basic mask pattern 1.
It is composed of two elongated parallelogram correction masks 3 connected to the four vertices of each. Each side of this correction mask 3 is parallel to the <111> plane of the single crystal silicon substrate, and each correction mask has the same width and length.
次に、水酸化カリウム、ヒドラジン、ＥＤＰなとの溶液
を用いて異方性エツチングを施す。この異方性エツチン
グでは、基本マスクパターン１に細長平行四辺形状の補
正マスク３が余分に取り付けられているので、任意のエ
ツチング時間が過ぎた後に得られるエンチング形状を、
最初に作製を意図した四辺形すなわち菱形にすることが
可能である。Next, anisotropic etching is performed using a solution of potassium hydroxide, hydrazine, EDP, etc. In this anisotropic etching, since an extra correction mask 3 in the shape of an elongated parallelogram is attached to the basic mask pattern 1, the etching shape obtained after a given etching time can be
It is possible to have a quadrilateral or rhombus shape which is initially intended to be made.
実際に異方性エツチングを実行する場合には適当に予備
実験を行って、最適な補正マスク３の長さと幅を決定す
る。通常、エツチング速度は温度条件が一定に管理され
ていれば、一定の値に保たれるため、最終的形状を得る
ために必要とされる時間に一致した長さの補正マスクを
設ければ、良い結果が得られる。補正マスク３の幅が非
常に細い場合には、幅の広゛さにほぼ比例してエツチン
グ速度が変化する性質がある。その性質を用いることも
可能であり、エツチング時間の長い場合には太く長くし
、短い場合にはその逆に細く短くする。When anisotropic etching is actually performed, preliminary experiments are conducted to determine the optimal length and width of the correction mask 3. Normally, the etching rate will remain constant if the temperature conditions are controlled, so if you provide a correction mask with a length that matches the time required to obtain the final shape, Good results can be obtained. When the width of the correction mask 3 is very narrow, the etching rate tends to change almost in proportion to the width. It is also possible to use this property; if the etching time is long, it is made thicker and longer, and vice versa, if the etching time is shorter, it is made thinner and shorter.
次に、本発明の第２の実施例を説明する。第３図は、本
実施例において用いられるマスクパターンの形状を表し
ている。Next, a second embodiment of the present invention will be described. FIG. 3 shows the shape of the mask pattern used in this example.
この実施例では、エツチングの補正マスクパターンが、
できるだけ外側に広がらないように、狭い場所を用いて
、できるだけエツチング時間が長くできることを意図し
て設計されている。すなわち菱形の基本マスクパターン
１の各頂点に接続して形成された菱形枠状の補正マスク
６と、補正マスフ６の頂点を結び付ける細長平行四辺形
の補正マスク７とから形成されている。これら補正マス
ク６．７の各辺は、単結晶シリコン基板の＜１１１〉軸
に平行になるように設置されている。In this example, the etching correction mask pattern is
It is designed with the intention of maximizing the etching time by using a narrow space to prevent it from spreading outward as much as possible. That is, it is formed of a rhombic frame-shaped correction mask 6 connected to each vertex of the rhombic basic mask pattern 1, and an elongated parallelogram-shaped correction mask 7 connecting the vertices of the correction mask pattern 1. Each side of these correction masks 6.7 is placed parallel to the <111> axis of the single crystal silicon substrate.
このようなマスクパターンを用いた異方性エツチングに
より、最初に作製を意図した菱形のエツチング形状が得
られる。By anisotropic etching using such a mask pattern, a diamond-shaped etched shape initially intended for fabrication can be obtained.
本実施例のように基本マスクパターン１の各頂点に設け
た補正マスクを菱形枠状にせず、第４図に示したように
菱形状の補正マスク８にした場合には、エツチングは補
正マスクの中心から最も遠いところから進行せず、途中
からエツチングが起こってしまい、所望の時間が得られ
ない。また、エツチング終了後の目的形状物の壁面が垂
直では無くなり好ましくない結果を与える。If the correction mask provided at each vertex of the basic mask pattern 1 is not shaped like a diamond frame as in this embodiment, but is made into a rhombus-shaped correction mask 8 as shown in FIG. 4, etching is performed on the correction mask. Etching does not proceed from the farthest point from the center, and etching occurs in the middle, making it impossible to obtain the desired time. Furthermore, the wall surface of the object after etching is no longer perpendicular, giving undesirable results.
次に、本発明の第３の実施例を説明する。第５図は、本
実施例において用いられるマスクパターンの形状を表し
ている。Next, a third embodiment of the present invention will be described. FIG. 5 shows the shape of the mask pattern used in this example.
この実施例は、第３図に示した第２の実施例において、
基本マスクパターン１の各頂点に形成された菱形枠状補
正マスクの内側も全てエツチングマスクとしたものであ
る。図では、この補正マスクを９で示している。このよ
うにすると非常に長いエツチング時間に対応することが
可能となる。This embodiment differs from the second embodiment shown in FIG.
The entire inside of the rhombic frame-shaped correction mask formed at each vertex of the basic mask pattern 1 is also an etching mask. In the figure, this correction mask is indicated by 9. In this way, it becomes possible to cope with a very long etching time.
この場合に補正マスク９の各頂点を結び付ける補正マス
ク７を取り除いても構わないが、最後に残されるエツチ
ング形状が汚いものとなり、好ましい結果は得られにく
い。In this case, the correction mask 7 that connects the vertices of the correction mask 9 may be removed, but the etched shape that remains at the end will be dirty, making it difficult to obtain a desirable result.
このようなマスクパターンを用いた異方性エツチングに
より、最初に作製を意図した菱形のエツチング形状が得
られる。By anisotropic etching using such a mask pattern, a diamond-shaped etched shape initially intended for fabrication can be obtained.
以上本発明の各種実施例を、基本マスクパターンが四辺
形の場合についてのみ示したが、原理的にはどのような
画数の基本マスクパターンであっても本発明により補正
可能である。Although the various embodiments of the present invention have been described above only when the basic mask pattern is a quadrilateral, the present invention can in principle correct any basic mask pattern with any number of strokes.
また上記実施例においては、エツチングマスクのパター
ンの形成は酸化シリコンを用いているが、異方性エツチ
ング液に耐蝕性を持つような物であれば、窒化膜、金属
膜、レジスト膜など何でも利用可能である。Furthermore, in the above embodiment, silicon oxide is used to form the etching mask pattern, but any material such as nitride film, metal film, resist film, etc. can be used as long as it is resistant to corrosion by the anisotropic etching solution. It is possible.
更に本発明では、エツチングに用いる手段が水酸化カリ
ウム、ヒドラジン、ＥＤＰなどの液状の場合のみならず
、気相のエツチングにおいても用いることが可能である
。Furthermore, in the present invention, it is possible to use not only liquid etching means such as potassium hydroxide, hydrazine, EDP, etc., but also gas phase etching.
（発明の効果〕
本発明によれば、従来あまり実用的に用いられることの
少なかった＜１１０＞配向の単結晶シリコン基板を用い
た場合に、異方性エツチングによって所望のメサ形状を
得るための、適切な補正方法が得られる。そのため従来
では不可能であったエンチングマスクの補正が、任意の
エツチング時間に対して行えるようになった。(Effects of the Invention) According to the present invention, it is possible to obtain a desired mesa shape by anisotropic etching when using a single crystal silicon substrate with a <110> orientation, which has rarely been practically used in the past. , an appropriate correction method can be obtained.Therefore, correction of the etching mask, which was previously impossible, can now be performed for any etching time.
また、この方法では、エツチングに用いられるマスクの
パターンを、得たい形状のパターンと比較して、僅かに
変形させるだけであるため、何等の作業の複雑さも増加
させない。また、エツチングの補正に用いるための補正
マスクパターンの大きさは簡単な計算によって、容易に
求められる。In addition, this method does not increase the complexity of the process because the pattern of the mask used for etching is only slightly deformed compared to the pattern of the desired shape. Further, the size of the correction mask pattern used for etching correction can be easily determined by simple calculation.
また、更に補正マスクのパターン形状を工夫することに
よって、更に長い時間におけるエツチングの補正にも用
いることが可能である。Furthermore, by further devising the pattern shape of the correction mask, it is possible to use it for correction of etching over a longer period of time.
エツチングの補正マスクパターンは、少なくとも最終的
に得ようとしているパターンに対しては、＜１１１＞軸
に平行になるように接続されている必要があるが、その
他の部分は、必ずしも〈１１１〉軸に平行でなくても、
同様な効果を出すことが可能である。The etching correction mask pattern must be connected parallel to the <111> axis, at least for the pattern that is to be finally obtained, but other parts are not necessarily connected to the <111> axis. Even if it is not parallel to
It is possible to produce similar effects.
更に重・要な効果として、エツチング終了後のメサの壁
面の形状を垂直にできるということである。Another important effect is that the shape of the mesa wall after etching can be made vertical.
これは本発明以外のエツチングの補正方法を用いると実
現できない。This cannot be achieved using an etching correction method other than the present invention.
以上のように本発明では、シリコンのメサ形状が容易に
作製できるため、加速度センサに用いるための重りを非
常に正確に作製する場合にも利用できる。As described above, in the present invention, since a silicon mesa shape can be easily produced, the present invention can also be used for producing very accurately a weight for use in an acceleration sensor.
第１図は、本発明の第１の実施例におけるマスクパター
ンを示す図、
第２図は、従来の製造方法におけるマスクパターンを示
す図、
第３図および第４図は、本発明の第２の実施例を説明す
るためのマスクパターンを示す図、第５図は、本発明の
第３の実施例におけるマスクパターンを示す図である。
１・・・・・基本マスクパターン
２・・・・・基本マスクパターンの辺
３．６，７．９・・・補正マスク
５・・・・・補正マスクパターンFIG. 1 is a diagram showing a mask pattern in a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a diagram showing a mask pattern in a conventional manufacturing method, and FIGS. 3 and 4 are diagrams showing a mask pattern in a conventional manufacturing method. FIG. 5 is a diagram showing a mask pattern in a third embodiment of the present invention. 1...Basic mask pattern 2...Sides 3.6, 7.9 of basic mask pattern...Correction mask 5...Correction mask pattern
Claims (1)
る半導体装置の製造方法において、 目的とするエッチング形状を定める基本マスクパターン
と、この基本マスクパターンの少なくとも１つの頂点に
接続され、前記単結晶シリコンの＜１１１＞軸方向に平
行な辺を有する補正マスクパターンとから成るマスクパ
ターンを、単結晶シリコン基板上に形成した後、異方性
エッチングを施し、前記目的とするエッチング形状を得
ることを特徴とする半導体装置の製造方法。(1) In a method of manufacturing a semiconductor device made of single crystal silicon having a <110> plane as its main surface, a basic mask pattern defining a desired etching shape, and a mask connected to at least one vertex of the basic mask pattern, A mask pattern consisting of a correction mask pattern having sides parallel to the <111> axis direction of single crystal silicon is formed on a single crystal silicon substrate, and then anisotropic etching is performed to obtain the desired etched shape. A method for manufacturing a semiconductor device, characterized in that:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1100111A JP2666465B2 (en) | 1989-04-21 | 1989-04-21 | Method for manufacturing semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP1100111A JP2666465B2 (en) | 1989-04-21 | 1989-04-21 | Method for manufacturing semiconductor device |
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|---|---|
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| JP2666465B2 JP2666465B2 (en) | 1997-10-22 |
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ID=14265260
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP1100111A Expired - Lifetime JP2666465B2 (en) | 1989-04-21 | 1989-04-21 | Method for manufacturing semiconductor device |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2666465B2 (en) |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2666465B2 (en) | 1997-10-22 |
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