JPH02276234A - Laser exposure device - Google Patents
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
-
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
この発明は狭帯域化されたレーザ光によってワークに所
定のパターンを露光するためのレーザ露光装置に関する
。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Object of the Invention] (Industrial Application Field) The present invention relates to a laser exposure apparatus for exposing a workpiece to a predetermined pattern using narrow band laser light.
(従来の技術)
たとえば半導体の製造工程においては、非常に重要な工
程の1つとしてパターンの露光工程がある。近年、IC
の大容量化にともない、そのパターンも微細化しており
、これに対応して露光光源も解像力を改溌するため短波
長化している。(Prior Art) For example, in a semiconductor manufacturing process, a pattern exposure process is one of the very important processes. In recent years, I.C.
With the increase in capacity, the patterns are also becoming finer, and in response to this, exposure light sources are also becoming shorter in wavelength to improve resolution.
しかしながら、300na以下の波長を必要とする場合
には、従来の高圧水銀ランプを光源として使用すること
は困難で、新たにKrPエキシマレーザ(波長248n
m)が用いられるようになってきた。波長248rvに
おいてはレンズの硝材として使用可能な材料は少なく、
露光レンズを色消しすることは困難である。However, if a wavelength of 300nA or less is required, it is difficult to use a conventional high-pressure mercury lamp as a light source, and a new KrP excimer laser (wavelength of 248nm) is required.
m) has come to be used. At the wavelength of 248rv, there are few materials that can be used as glass materials for lenses.
It is difficult to achromatize exposure lenses.
一方、エキシマレーザは通常の発振ではそのスペクトル
幅は0.4〜0.[insであり、これを色消しされて
いないレンズ(単色レンズ)に通した場合、色収差によ
り焦点ぼけが生じる。したがって、このような焦点ぼけ
を防ぐためにレーザ光を狭帯域化して用いることが行わ
れている。通常、露光するパターンの線幅が0.5μm
位の場合、レーザ光のスペクトル幅はQ、OQ5nm程
度のスペクトル幅に狭帯域化される。On the other hand, when an excimer laser oscillates normally, its spectral width is 0.4 to 0. [ins, and if this is passed through a non-achromatic lens (monochromatic lens), defocus will occur due to chromatic aberration. Therefore, in order to prevent such defocusing, laser light is used with a narrow band. Usually, the line width of the exposed pattern is 0.5 μm
In this case, the spectral width of the laser beam is narrowed to a spectral width of about 5 nm for Q and OQ.
ところで、レーザ光をある程度以下のスペクトル幅に狭
帯域化する場合、レーザ光のビーム拡がり角をスリット
が形成された規制部材によって規制しなければ、確実に
狭帯域化することができない。たとえば、スペクトル幅
を0.005n11とするためにはスリットによってビ
ーム幅を5u程度に押える必要がある。しかしながら、
レーザ平均出力はスリットによりビーム断面積が規制さ
れると大幅に低下し、5關幅のスリットの規制部材を用
いた場合には2ワット程度となっていた。By the way, when narrowing the band of laser light to a spectral width below a certain level, the band cannot be reliably narrowed unless the beam divergence angle of the laser light is restricted by a regulating member in which a slit is formed. For example, in order to set the spectral width to 0.005n11, it is necessary to suppress the beam width to about 5u using a slit. however,
The average laser output was significantly reduced when the beam cross-sectional area was regulated by slits, and was about 2 watts when a slit regulating member with a width of 5 slits was used.
一方、111位時間当りの露光回数(スループット)は
ほぼレーザ出力に比例するから、スリットによって十分
拡がり角が規制されたレーザ光を光源として用いて露光
を行なう場合、スループットが大幅に制限されることに
なる。したがって、種々の線幅のパターンを露光する場
合、線幅が比較的大きなパターンを露光する場合でも、
スルーブツトを上げることができず、生産性の低下を招
いていた。On the other hand, the number of exposures per hour (throughput) is approximately proportional to the laser output, so if exposure is performed using a laser beam whose divergence angle is sufficiently regulated by a slit as a light source, the throughput will be significantly limited. become. Therefore, when exposing patterns with various line widths, even when exposing patterns with relatively large line widths,
It was not possible to increase throughput, leading to a decline in productivity.
(発明が解決しようとする課題)
このように、露光するパターンの焦点ぼけを防ぐために
レーザ光を狭帯域化する場合、焦点ぼけが生じることな
く最小の線幅を得ることができる幅寸法のスリットが形
成された規制部材を用いてレーザ光の拡がり角を規制し
ているため、他の線幅のパターンを露光する場合にレー
ザ光の出力が低下し、スルーブツトを上げることができ
ないということがあった。(Problem to be Solved by the Invention) In this way, when narrowing the band of laser light in order to prevent defocusing of a pattern to be exposed, a slit with a width dimension that can obtain the minimum line width without causing defocusing is used. Since the spread angle of the laser beam is regulated using a regulating member formed with Ta.
この発明は上記事情にもとずきなされたもので、その目
的とするところは、線幅が小さなパターンを露光すると
きには焦点ぼけが生じることがないようレーザ光の拡が
り角を規制でき、線幅が比較的大きなパターンを露光す
る場合にはスループットを上げることができるようにし
たレーザ露光装置を提供することにある。This invention was made based on the above-mentioned circumstances, and its purpose is to control the spread angle of laser light so that defocus does not occur when exposing patterns with small line widths, and to An object of the present invention is to provide a laser exposure apparatus that can increase throughput when exposing a relatively large pattern.
[発明の構成]
(課題を解決するための手段及び作用)上記課題を解決
するためにこの発明は、ガスレーザ媒質が封入された気
密容器内に離間対向して配設された一対の放電電極およ
びこれら放電電極を間にして配設された光共振器とを有
するレーザ発振部と、このレーザ発振部から出力される
とともに上記一対の放電電極間で生じる放電方向を長手
とするほぼ矩形状のレーザ光の拡がり角を規制する規制
手段と、この規制手段によって拡がり角が規制されたレ
ーザ光を狭帯域化させるための波長選択手段と、この波
長選択手段によって狭帯域化されたレーザ光が入射して
ワークに所定のパターンを露光する露光部とを具備し、
上記規制手段は、レーザ発振部から出力されたレーザ光
の拡がり角を規制するスリットを有し、このスリットは
上記一対の放電電極間の放電方向と上記光共振器の光軸
とに直交する方向の幅寸法を、Mwi自在に構成する。[Structure of the Invention] (Means and Effects for Solving the Problems) In order to solve the above problems, the present invention provides a pair of discharge electrodes disposed facing each other and spaced apart in an airtight container in which a gas laser medium is sealed. A laser oscillation unit having an optical resonator disposed with these discharge electrodes in between, and a substantially rectangular laser whose length is the direction of the discharge that is output from the laser oscillation unit and generated between the pair of discharge electrodes. A regulating means for regulating the spread angle of light; a wavelength selection means for narrowing the band of the laser light whose spread angle is regulated by the regulating means; and an exposure section that exposes a predetermined pattern on the workpiece,
The regulating means has a slit that regulates the spread angle of the laser beam output from the laser oscillation section, and the slit is arranged in a direction perpendicular to the discharge direction between the pair of discharge electrodes and the optical axis of the optical resonator. The width dimension of Mwi is freely configured.
このような構成とすることで、線幅の小さなパターンを
露光する場合には上記規制部材のスリットの幅を小さく
してレーザ光のスペクトル幅も小さくし、それによって
焦点ぼけが生じるのを防止し、パターンの線幅が比較的
大きなときには上記スリットの幅を大きくしてレーザ光
の平均出力を増大し、それによってスルーブツトを上げ
ることができるようにした。With this configuration, when exposing a pattern with a small line width, the width of the slit in the regulating member is made smaller to reduce the spectral width of the laser beam, thereby preventing defocusing. When the line width of the pattern is relatively large, the width of the slit is increased to increase the average output of the laser beam, thereby increasing the throughput.
(実施例)
以下、この発明の一実施例を第1図乃至第4図を参照し
て説明する。第1図に示すレーザ露光装置はたとえばエ
キシマレーザなどのレーザ発振部1を備えている。この
レーザ発振部1は励起部2を有する。この励起部2は第
4図に示すようにレーザ媒質が収容された密閉容器3と
、この密閉容器3内に離間対向して配設された一対の放
電電極4とから構成されている。したがって、上記−対
の放電電極4間に高圧電圧を印加すれば、これら放電電
極4の離間方向に沿って細長い断面矩形状のレーザ光り
が放出されるようになっている。(Embodiment) An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. 1 to 4. The laser exposure apparatus shown in FIG. 1 includes a laser oscillation section 1 such as an excimer laser. This laser oscillation section 1 has an excitation section 2. As shown in FIG. 4, the excitation section 2 is composed of a closed container 3 containing a laser medium, and a pair of discharge electrodes 4 disposed in the closed container 3 at a distance from each other and facing each other. Therefore, when a high voltage is applied between the pair of discharge electrodes 4, laser light having an elongated rectangular cross section is emitted along the direction in which the discharge electrodes 4 are separated.
」1記励起部2の両端にはそれぞれ後述する構成によっ
てレーザ光りの拡がり角を規制するための規制手段5が
配設されている。一方の規制手段5には出力鏡6が離間
対向して配設され、他方の規制手段5には複数のプリズ
ム7aからなる拡大光学系7を介して上記出力鏡6とで
共振器を構成する所定の波長のレーザ光りを選択するた
めの波長選択手段としての回折格子8が配置されている
。1. At both ends of the excitation section 2, regulating means 5 for regulating the spread angle of the laser beam are disposed, respectively, with a configuration to be described later. An output mirror 6 is disposed on one of the regulating means 5 and facing away from the other regulating means 5, and a resonator is formed with the output mirror 6 on the other regulating means 5 via a magnifying optical system 7 consisting of a plurality of prisms 7a. A diffraction grating 8 is arranged as a wavelength selection means for selecting laser light of a predetermined wavelength.
上記出力鏡6から出力されたレーザ光りは露光部9に入
射する。この露光部9は、ここに入射したレーザ光りの
進行方向を変更する折返しミラー11を有する。この折
返すミラー11で進路変更されたレーザ光りはレチクル
12を透過して露光レンズ13に入射したのち、上記レ
チクル12に形成されたパターンをウェハ14に露光す
るようになっている。The laser light output from the output mirror 6 enters the exposure section 9. The exposure section 9 has a folding mirror 11 that changes the traveling direction of the laser light incident thereon. The laser beam whose course has been changed by the folding mirror 11 passes through the reticle 12 and enters the exposure lens 13, after which the pattern formed on the reticle 12 is exposed onto the wafer 14.
上記規制手段5は第2図と第3図とに示すように中空箱
状の本体15を有する。この本体15内には一端を上記
本体15の一端に枢着した駆動軸16が回転自在に設け
られている。この駆動軸16の他端にはカップリング1
7を介して駆動モータ18が連結されている。上記駆動
軸16の一端部には第1のウオームギヤ部19が形成さ
れ、他端部には上記第1のウオームギヤ部19と逆向き
の第2のウオームギヤ部21が形成されている。The regulating means 5 has a main body 15 in the shape of a hollow box, as shown in FIGS. 2 and 3. A drive shaft 16 having one end pivotally connected to one end of the main body 15 is rotatably provided within the main body 15 . A coupling 1 is attached to the other end of this drive shaft 16.
A drive motor 18 is connected via 7. A first worm gear section 19 is formed at one end of the drive shaft 16, and a second worm gear section 21 facing opposite to the first worm gear section 19 is formed at the other end.
第1のウオームギヤ部19には第1のガイドロッド22
の一端部が係合し、第2のウオームギヤ部21には第2
のガイドロッド23の一端部が係合している。各ガイド
ロッド22.23の他端部は上記本体15の一側面の長
平方向に沿って細長く穿設された透孔24にスライド自
在に挿通されいる。各ガイドロッド22.23の上記透
孔24から突出した他端にはそ゛れぞれ第1のスリット
板25と第2のスリット板26との一端が連結されてい
る。各スリット板25.26の一端部は上記本体15の
一側面に平行に離間して設けられたそれぞれ一対のガイ
ド体27によってスライド自在に保持されている。した
がって、上記駆動モータ18によって駆動軸16が回転
駆動されれば、−対のスリット板25.26は矢印で示
す接離する方向に駆動されるようになっている。それに
よって、一対のスリット板25.26の離間対向する一
端面25a、26aがなすスリット28の幅寸法Wを任
意に設定することができるようになっている。The first worm gear section 19 has a first guide rod 22.
One end portion is engaged with the second worm gear portion 21, and the second worm gear portion 21 is engaged with the second worm gear portion 21.
One end of the guide rod 23 is engaged with the guide rod 23 . The other end of each guide rod 22, 23 is slidably inserted into a through hole 24 that is elongated along the longitudinal direction of one side of the main body 15. One end of a first slit plate 25 and a second slit plate 26 are connected to the other end of each guide rod 22, 23 protruding from the through hole 24, respectively. One end of each slit plate 25, 26 is slidably held by a pair of guide bodies 27 provided parallel to one side of the main body 15 and spaced apart from each other. Therefore, when the drive shaft 16 is rotationally driven by the drive motor 18, the -pair of slit plates 25 and 26 are driven in the directions of approaching and separating as shown by the arrows. Thereby, the width dimension W of the slit 28 formed by the opposing one end surfaces 25a and 26a of the pair of slit plates 25 and 26 can be arbitrarily set.
なお、上記スリット28の一端は上記第1のスリット板
25の他端から延出されたアーム28aによって閉塞さ
れ、他端は上記本体15の上面に設けられたガイド体2
7によって閉塞され、スリット28が幅寸法を変化させ
ても細長い矩形状が維t!jされるようになっている。Note that one end of the slit 28 is closed by an arm 28a extending from the other end of the first slit plate 25, and the other end is closed by a guide body 2 provided on the upper surface of the main body 15.
7, the slit 28 maintains its elongated rectangular shape even if its width changes! j.
そして、このように構成された規制手段5は、スリット
28の長平方向を励起部2に配置された一対の放電電極
4の離間方向に沿わせて配置され、それによって励起部
2から放出されるレーザ光り九かり斧を規制するように
なっている。The regulating means 5 configured in this manner is arranged such that the elongated direction of the slit 28 is aligned with the direction of separation between the pair of discharge electrodes 4 disposed in the excitation section 2, so that discharge from the excitation section 2 is caused. Laser beam axes are now regulated.
なお、第1図において29は上記規制手段5の駆動モー
タ18を制御するための第1の制御部で、31は露光部
9を制御するための第2の制御部である。In FIG. 1, 29 is a first control section for controlling the drive motor 18 of the regulating means 5, and 31 is a second control section for controlling the exposure section 9.
このように構成されたレーザ露光装置において、レーザ
発振部1を作動させると、このレーザ発振部1から出力
されたレーザ光りは、規制手段5の一対のスリット板2
5.26がなすスリット28によって拡がり角が規制さ
れるとともに、回折格子8の傾き角度に応じた中心波長
のレーザ光りが出力鏡6から発振されて露光部9に入射
する。それによって、レーザ光りは露光部9に設けられ
たウェハ14にレチクル12に形成されたパターンを露
光することになる。In the laser exposure apparatus configured in this way, when the laser oscillation section 1 is operated, the laser light output from the laser oscillation section 1 is transmitted to the pair of slit plates 2 of the regulating means 5.
The spread angle is regulated by the slits 28 formed by the diffraction gratings 8, and laser light having a center wavelength corresponding to the inclination angle of the diffraction grating 8 is oscillated from the output mirror 6 and enters the exposure section 9. Thereby, the laser beam exposes the pattern formed on the reticle 12 onto the wafer 14 provided in the exposure section 9.
上記一対のスリット板25.26がなすスリット28の
幅寸法Wは上記ウェハ14に露光するパターンの線幅に
応じて設定される。たとえば、上記ウェハ14に露光す
るパターンの最小線幅が11以上であるならば、規制手
段5の駆動モータ18によって一対のスリット板25.
26がなすスリット28の幅寸法Wはlh+*に設定さ
れ、また最小線幅が1〜0.7−であれば、スリット2
8の幅寸法Wが7龍に設定され、さらに最小線幅が0.
5〜0.7μlであれば、5關に設定される。The width dimension W of the slit 28 formed by the pair of slit plates 25 and 26 is set according to the line width of the pattern to be exposed on the wafer 14. For example, if the minimum line width of the pattern to be exposed on the wafer 14 is 11 or more, the pair of slit plates 25.
The width dimension W of the slit 28 formed by the slit 26 is set to lh+*, and if the minimum line width is 1 to 0.7-, the slit 2
The width dimension W of 8 is set to 7 dragons, and the minimum line width is set to 0.
If the amount is 5 to 0.7 μl, it is set to 5 stages.
このような設定条件において、以下のことが実験により
確認された。すなわち、スリット28の幅寸法Wが5
u+に設定されると、lh+sの場合に比べてレーザ光
りの拡がり角が大きく規制されるため、スペクトル幅も
0.005n量と小さくなるから、線幅が0.5〜G、
7趨のパターンを焦点ぼけが生じることなく露光できる
。しかしながら、レーザ光りは出力も2ワット程度まで
低下するので、スルーブツトを多くすることができない
。Under such setting conditions, the following was confirmed through experiments. That is, the width dimension W of the slit 28 is 5
When set to u+, the spread angle of the laser beam is greatly regulated compared to the case of lh+s, and the spectral width is also reduced to 0.005n, so the linewidth is 0.5 to G,
A seven-line pattern can be exposed without defocusing. However, since the output of laser light is reduced to about 2 watts, the throughput cannot be increased.
スリット28の幅寸法を7■■に設定すると、レーザ光
りのスペクトル幅は0.008n量となり、スリット2
8の幅寸法が5關の場合に比べて大きくなるが、最小線
幅が0.7〜1.Otrmのパターンを露光するには若
干の焦点ぼけが生じるものの、その影響は無視できる。When the width dimension of the slit 28 is set to 7■■, the spectral width of the laser beam becomes 0.008n, and the slit 28
Although the width dimension of 8 is larger than that of 5, the minimum line width is 0.7 to 1. Although some defocus occurs when exposing an Otrm pattern, the effect is negligible.
それに対してレーザ光りの出力は4ワツトに増大するか
ら、スルーブツトは5關の場合に比べて2倍にすること
ができる。On the other hand, since the output of the laser light increases to 4 watts, the throughput can be doubled compared to the case of 5 stages.
スリット28の幅寸法をlh醜にすると、スペクトル幅
は0.015nmと大きくなるが、出力も8ワツトと大
きくなる。スペクトル幅が大きくなることによって露光
部9の露光レンズ13に色収差が生じ、若干の焦点ぼけ
が発生するが、線幅が1.0μmの場合にはその影響を
無視することができる。それに対してレーザ光りの出力
は8ワツトとスリット28が5−一の場合に比べて4倍
に増大するので、スルーブツトを4倍にすることができ
る。When the width of the slit 28 is set to lh, the spectral width increases to 0.015 nm, but the output also increases to 8 watts. As the spectral width increases, chromatic aberration occurs in the exposure lens 13 of the exposure section 9, causing some defocusing, but this effect can be ignored if the line width is 1.0 μm. On the other hand, the output of the laser beam is 8 watts, which is four times greater than when the number of slits 28 is 5-1, so the throughput can be quadrupled.
このように、露光するパターンの線幅に応じてスリット
28の幅寸法を変えるようにすれば、線幅が大きくなっ
たときには、それに応じた露光精度を維持しつつスルー
ブツトを上げることができる。In this way, by changing the width of the slit 28 according to the line width of the pattern to be exposed, when the line width increases, the throughput can be increased while maintaining the exposure accuracy corresponding to the line width.
第5図はこの発明の他の実施例を示し、この実施例はレ
ーザ発振部1から出力されたレーザ光りの波長を選択す
る手段が上記一実施例と異なる。FIG. 5 shows another embodiment of the present invention, and this embodiment differs from the above embodiment in the means for selecting the wavelength of the laser beam output from the laser oscillation section 1.
すなわち、レーザ発振部1の一端側には拡大光学系7と
回折格子8とに代わり、一対のエタロン35と、高反射
ミラー36とを順次配設するようにしたもので、このよ
うな構成であっても、上記エタロン35によって所定の
中心波長のレーザ光りを選択することができる。That is, instead of the enlarging optical system 7 and the diffraction grating 8, a pair of etalons 35 and a high reflection mirror 36 are sequentially arranged on one end side of the laser oscillation section 1. Even if there is a laser beam, the etalon 35 can select a laser beam having a predetermined center wavelength.
また、上記各実施例では規制手段5をレーザ発振部1の
両端に設けたが、いずれか一方だけに設けても、レーザ
光の拡がり角を規制することができる。さらに、エキシ
マレーザに代わり、アレキサンドライトスラブレーザを
用いてもよく、レーザの種類はなんら限定されない。Further, in each of the above embodiments, the regulating means 5 is provided at both ends of the laser oscillation section 1, but even if it is provided only at either end, the spread angle of the laser beam can be limited. Furthermore, an alexandrite slab laser may be used instead of the excimer laser, and the type of laser is not limited at all.
[発明の効、果]
以上述べたようにこの発明は、露光するパターンの線幅
に応じてレーザ光の拡がり角を規制するスリットの幅寸
法を変えるようにした。したがって、線幅の大きなパタ
ーンを露光する場合には、スリットの幅寸法を大きくす
れば、レーザ光の出力も大きくすることができるから、
それによってスループットを上げ、生産性の向上を計る
ことができる。[Effects and Effects of the Invention] As described above, in the present invention, the width dimension of the slit that regulates the spread angle of the laser beam is changed depending on the line width of the pattern to be exposed. Therefore, when exposing a pattern with a large line width, the output of the laser beam can be increased by increasing the width of the slit.
This increases throughput and improves productivity.
第1図はこの発明の一実施例を示すレーザ露光装置の構
成図、第2図は同じく規制手段の断面図、第3図は同じ
く規制手段の斜視図、第4図は同じく第1図のIV−I
V線に沿うレーザ放電部の断面図、第5図はこの発明の
他の実施例を示すレーザ露光装置の構成図である。
1・・・レーザ発振部、3・・・密閉容器、4・・・放
電電極、5・・・規制手段、8・・・回折格子(波長選
択手段) 9・・・露光部、14・・・ウェハ(ワーク
)28・・・スリット。
出願人代理人 弁理士 鈴江武彦
第
第
図
図
第4図FIG. 1 is a configuration diagram of a laser exposure apparatus showing an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view of the regulating means, FIG. 3 is a perspective view of the regulating means, and FIG. 4 is the same as that shown in FIG. 1. IV-I
FIG. 5, which is a sectional view of the laser discharge section taken along the V line, is a configuration diagram of a laser exposure apparatus showing another embodiment of the present invention. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Laser oscillation part, 3... Sealed container, 4... Discharge electrode, 5... Regulation means, 8... Diffraction grating (wavelength selection means) 9... Exposure part, 14...・Wafer (work) 28...Slit. Applicant's agent Patent attorney Takehiko Suzue Figure 4 Figure 4
Claims (1)
配設された一対の放電電極およびこれら放電電極を間に
して配設された光共振器とを有するレーザ発振部と、こ
のレーザ発振部から出力されるとともに上記一対の放電
電極間で生じる放電方向を長手とするほぼ矩形状のレー
ザ光の拡がり角を規制する規制手段と、この規制手段に
よって拡がり角が規制されたレーザ光を狭帯域化させる
ための波長選択手段と、この波長選択手段によって狭帯
域化されたレーザ光が入射してワークに所定のパターン
を露光する露光部とを具備し、上記規制手段は、レーザ
発振部から出力されたレーザ光の拡がり角を規制するス
リットを有し、このスリットは上記一対の放電電極間の
放電方向と上記光共振器の光軸とに直交する方向の幅寸
法が調節自在に構成されていることを特徴とするレーザ
露光装置。A laser oscillation unit including a pair of discharge electrodes arranged to be spaced apart from each other in an airtight container in which a gas laser medium is sealed, and an optical resonator arranged between these discharge electrodes, and from this laser oscillation unit. A regulating means for regulating the divergence angle of a substantially rectangular laser beam whose length is the discharge direction that is output and generated between the pair of discharge electrodes, and a narrow band of the laser light whose divergence angle is regulated by the regulating means. and an exposure unit that exposes a predetermined pattern on the workpiece by the laser beam narrowed by the wavelength selection unit, and the regulating unit includes a wavelength selection unit for controlling the output from the laser oscillation unit. The slit has a slit that regulates the spread angle of the laser beam, and the slit is configured to have a width adjustable in a direction perpendicular to the discharge direction between the pair of discharge electrodes and the optical axis of the optical resonator. A laser exposure device characterized by:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1096415A JPH02276234A (en) | 1989-04-18 | 1989-04-18 | Laser exposure device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1096415A JPH02276234A (en) | 1989-04-18 | 1989-04-18 | Laser exposure device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02276234A true JPH02276234A (en) | 1990-11-13 |
Family
ID=14164344
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1096415A Pending JPH02276234A (en) | 1989-04-18 | 1989-04-18 | Laser exposure device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02276234A (en) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04327393A (en) * | 1991-04-26 | 1992-11-16 | Nec Yamaguchi Ltd | Laser device |
JPH06152005A (en) * | 1992-11-13 | 1994-05-31 | Komatsu Ltd | Laser system |
US5916460A (en) * | 1995-07-07 | 1999-06-29 | Hitachi Cable, Ltd. | Method and apparatus for dicing a substrate |
JP2006179937A (en) * | 2004-12-23 | 2006-07-06 | Asml Netherlands Bv | Lithographic equipment, excimer laser, and device manufacturing method |
-
1989
- 1989-04-18 JP JP1096415A patent/JPH02276234A/en active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04327393A (en) * | 1991-04-26 | 1992-11-16 | Nec Yamaguchi Ltd | Laser device |
JPH06152005A (en) * | 1992-11-13 | 1994-05-31 | Komatsu Ltd | Laser system |
US5916460A (en) * | 1995-07-07 | 1999-06-29 | Hitachi Cable, Ltd. | Method and apparatus for dicing a substrate |
JP2006179937A (en) * | 2004-12-23 | 2006-07-06 | Asml Netherlands Bv | Lithographic equipment, excimer laser, and device manufacturing method |
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