JPH02272817A - 弾性表面波装置、その製造方法、及びそれを用いた通信装置 - Google Patents
弾性表面波装置、その製造方法、及びそれを用いた通信装置Info
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- JPH02272817A JPH02272817A JP1092824A JP9282489A JPH02272817A JP H02272817 A JPH02272817 A JP H02272817A JP 1092824 A JP1092824 A JP 1092824A JP 9282489 A JP9282489 A JP 9282489A JP H02272817 A JPH02272817 A JP H02272817A
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02881—Means for compensation or elimination of undesirable effects of diffraction of wave beam
-
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
- H03H9/6489—Compensation of undesirable effects
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は帯域外抑圧度の大きい弾性表面波装置、その製
造方法、及びそれを用いた通信装置に関する。
造方法、及びそれを用いた通信装置に関する。
従来の弾性表面波装置については、米国電気電子学会の
マイクロウェーブ セオリー アンドテクニクス、エム
ティーティー２１巻、４号（ＩＥＥＥ、Ｔｒａｎｓ、ｏ
ｎ Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｔｈｅｏｒｙ ａｎｄ Ｔｅ
ｃｈｎｉｑｕｅｓ。
マイクロウェーブ セオリー アンドテクニクス、エム
ティーティー２１巻、４号（ＩＥＥＥ、Ｔｒａｎｓ、ｏ
ｎ Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｔｈｅｏｒｙ ａｎｄ Ｔｅ
ｃｈｎｉｑｕｅｓ。
Ｖｏｌ、ＭＴＴ−２１，Ｎｏ、４）（１９７３年）の第
１６２〜第１７５頁に述べられている。この文献に報じ
られているように弾性表面波装置の帯域外抑圧度は、フ
ーリエ変換の計算上は電極の対数（上記文献ではで□。
１６２〜第１７５頁に述べられている。この文献に報じ
られているように弾性表面波装置の帯域外抑圧度は、フ
ーリエ変換の計算上は電極の対数（上記文献ではで□。
で示す）によって決定される。
しかし、実際には電極対数をある程度以上増しても帯域
外抑圧度は改善されない。これは、回折効果、直達波、
バルク波等の二次効果の影響によるものである。
外抑圧度は改善されない。これは、回折効果、直達波、
バルク波等の二次効果の影響によるものである。
本発明は、これらのうち、回折効果による帯域外特性の
劣化を改善した弾性表面波装置を提供することを目的と
する。
劣化を改善した弾性表面波装置を提供することを目的と
する。
上記目的を達成するために本発明においては、２個のす
だれ状電極の間に、すだれ状電極の電極指に対し直角な
方向へ伝搬する弾性表面波の伝搬方向は変化させず、前
、記方向に対し斜めに傾いた方向へ伝搬する波の伝搬方
向に摂動を与える導波路を設けることにした。
だれ状電極の間に、すだれ状電極の電極指に対し直角な
方向へ伝搬する弾性表面波の伝搬方向は変化させず、前
、記方向に対し斜めに傾いた方向へ伝搬する波の伝搬方
向に摂動を与える導波路を設けることにした。
後述の如く、中心周波数近傍では入力すだれ状電極から
生じた弾性表面波は、電極指に直角な方向へ伝搬するが
、帯域外では回折の影響により、電極指に直角な方向に
放射される波よりも、斜めに傾いた方向へ放射される波
の方が強くなり、この波が同様な放射特性を有する出力
側で受波されて特性劣化を来す。そこで、前記のように
斜めな方向へ伝搬する波の伝搬方向に摂動を与えて出力
側に受波されないようにすることにより、人出力の相関
特性が低くなり帯域外特性を改善することができる。
生じた弾性表面波は、電極指に直角な方向へ伝搬するが
、帯域外では回折の影響により、電極指に直角な方向に
放射される波よりも、斜めに傾いた方向へ放射される波
の方が強くなり、この波が同様な放射特性を有する出力
側で受波されて特性劣化を来す。そこで、前記のように
斜めな方向へ伝搬する波の伝搬方向に摂動を与えて出力
側に受波されないようにすることにより、人出力の相関
特性が低くなり帯域外特性を改善することができる。
第１図は本発明の第１実施例の模式的平面図である。弾
性表面波基板１として１２８度回転Ｙ−ＸＬｉＮｂＯ，
を用い、その面の上に入出力すだれ状電極２．３が設け
られ、入出力すだれ状電極の両側には端面からの反射波
を抑圧するために吸音材４が塗られている。入出力すだ
れ状電極の間には金属膜５が形成され、その中に■字形
に、金属膜のない部分６が形成されている。此処の金属
膜のある部分と無い部分の界面７によって回折波を全反
射させている。
性表面波基板１として１２８度回転Ｙ−ＸＬｉＮｂＯ，
を用い、その面の上に入出力すだれ状電極２．３が設け
られ、入出力すだれ状電極の両側には端面からの反射波
を抑圧するために吸音材４が塗られている。入出力すだ
れ状電極の間には金属膜５が形成され、その中に■字形
に、金属膜のない部分６が形成されている。此処の金属
膜のある部分と無い部分の界面７によって回折波を全反
射させている。
以下、すだれ状電極の回折波の放射について更に詳細に
説明する。座標系を第２図に示すようにとる。即ち、原
点を入力すだれ状電極２の中心とし、電極指に直角な方
向を２軸、電極指方向をＸ軸とし、放射方向８と２軸が
なす角をＯとする。
説明する。座標系を第２図に示すようにとる。即ち、原
点を入力すだれ状電極２の中心とし、電極指に直角な方
向を２軸、電極指方向をＸ軸とし、放射方向８と２軸が
なす角をＯとする。
入力すだれ状電極２の開口なＷ、Ｒ極性電極間距離（中
心−中心）をλ。／２、即ちピッチをλ。とする。この
ピッチはＺ軸方向へ伝搬する中心周波数の波の波長に対
応する。以下、二つのモデルについて説明する。一つは
すだれ状電極から放射される表面波の波源をＺ軸上の点
とするモデルである。
心−中心）をλ。／２、即ちピッチをλ。とする。この
ピッチはＺ軸方向へ伝搬する中心周波数の波の波長に対
応する。以下、二つのモデルについて説明する。一つは
すだれ状電極から放射される表面波の波源をＺ軸上の点
とするモデルである。
この点波源による任意の座標への伝達関数Ｈ（ｋ、ｒ、
０）は と表わされる。ここでｋは波数、ｒは波源と観測が得ら
れる。ここで放射強度の角度依存性のみにり、＜ θ＞
＝ｌ Ｉ ｓｒｎ’ Ｂ ／ ２１Ｎ ｓ１ｎβ
１２ ・・・（７） なる値が得られる。
０）は と表わされる。ここでｋは波数、ｒは波源と観測が得ら
れる。ここで放射強度の角度依存性のみにり、＜ θ＞
＝ｌ Ｉ ｓｒｎ’ Ｂ ／ ２１Ｎ ｓ１ｎβ
１２ ・・・（７） なる値が得られる。
次に波源が開口方向に有限長の長さを有する場合を考え
る。この場合の線状波源による音場はＧ、Ｗ、Ｆａｒｒ
ｅｌ等（米国電気電子学会論文誌５Ｕ−１８，１゜２５
（１９７１））の結果を元にするとの波数である。上記
線状波源を２Ｎ個並べると分遠方を考えると４式の積分
が外れ、前記同様に規格化すると 基板面内の音速に異方性がある場合は、音速を角Ｏの関
数としてｖ（Ｏ）で表わし、βをとすれば良い。
る。この場合の線状波源による音場はＧ、Ｗ、Ｆａｒｒ
ｅｌ等（米国電気電子学会論文誌５Ｕ−１８，１゜２５
（１９７１））の結果を元にするとの波数である。上記
線状波源を２Ｎ個並べると分遠方を考えると４式の積分
が外れ、前記同様に規格化すると 基板面内の音速に異方性がある場合は、音速を角Ｏの関
数としてｖ（Ｏ）で表わし、βをとすれば良い。
第３図は中心周波数で点波源モデルにより計算した表面
波強度と放射角Ｏとの関係を示し、実線は音速が等方性
を有する場合、破線は異方性のある１２８度回転Ｙ −
ＸＬｉＮｂ０．の場合を示す。励振源対数Ｎが８．５対
の場合を計算した。第４図は同じく線状波源モデルによ
り計算した強度と放射角の関係を示す。開口Ｗ／λ。は
２０とした。第３図に比し急峻な放射特性が得られてい
る。
波強度と放射角Ｏとの関係を示し、実線は音速が等方性
を有する場合、破線は異方性のある１２８度回転Ｙ −
ＸＬｉＮｂ０．の場合を示す。励振源対数Ｎが８．５対
の場合を計算した。第４図は同じく線状波源モデルによ
り計算した強度と放射角の関係を示す。開口Ｗ／λ。は
２０とした。第３図に比し急峻な放射特性が得られてい
る。
第５図は点波源モデルのｆ／ｆｏ＝１．１２の場合、第
６図は同じく線状波源モデルの場合である。第７図はｆ
／ｆｏ＝１．４９で点波源モデルの場合、第８図は同じ
く線状波源モデルの場合である。絶対値は異なるが、点
波源、線波源モデルを比べるとピークとなるＯはほぼ一
致している。また、第６図等を見ると、フーリエ変換で
予想される放射強度（図のθ＝０に相当）よりも強い波
が回折波として斜めに伝搬して行く事が判る。また、こ
こではとし、Ｄ２の 放射強度として示したが、出力電極側の受波強度も同様
な形となる。
６図は同じく線状波源モデルの場合である。第７図はｆ
／ｆｏ＝１．４９で点波源モデルの場合、第８図は同じ
く線状波源モデルの場合である。絶対値は異なるが、点
波源、線波源モデルを比べるとピークとなるＯはほぼ一
致している。また、第６図等を見ると、フーリエ変換で
予想される放射強度（図のθ＝０に相当）よりも強い波
が回折波として斜めに伝搬して行く事が判る。また、こ
こではとし、Ｄ２の 放射強度として示したが、出力電極側の受波強度も同様
な形となる。
上記のように線波源でも点波源でもピークの位置はほぼ
同様であるため、点波源モデルでピークの放射角度θ′
は、音速等方性の場合 となり、音速異方性を考慮した場合、θ′はの解となる
。
同様であるため、点波源モデルでピークの放射角度θ′
は、音速等方性の場合 となり、音速異方性を考慮した場合、θ′はの解となる
。
従って前述の摂動を与える最小の放射角をθｃ、中心周
波数より高周波側で回折波を抑える必要のある周波数の
うち、最も低い周波数をｆｄとすると、音速が等方性で
ある場合 音速に異方性がある場合は、θ°を式（１４）の解とし
て、 θ。≦θ° ・・・（１６）となる。
波数より高周波側で回折波を抑える必要のある周波数の
うち、最も低い周波数をｆｄとすると、音速が等方性で
ある場合 音速に異方性がある場合は、θ°を式（１４）の解とし
て、 θ。≦θ° ・・・（１６）となる。
１２８度回転Ｙ−Ｘ ＬｉＮｂＱｓの場合、ｆ／ｆ、＝
１．１２とすると、（１４）式を解く事によりθ°＝３
４度が得られる。
１．１２とすると、（１４）式を解く事によりθ°＝３
４度が得られる。
次に摂動の方法を説明する。開口Ｗは波長λ。
に対して充分大きいため表面波についてスネルの′法則
が成り立つ。第９図は表面に金属膜がある部分と無い部
分の界面における表面波の入射波８、反射波９、透過波
（屈折波）１０を示している。ここで入射角、反射角を
β、屈折角をβ、とすると、ｆ一定の場合、 となる。全ての波が全反射する時の臨界角β。はｓｉｎ
βＣ＝□ ・・・（１８）ｒ となり、電気−機械結合係数に′で示せばとなる。
が成り立つ。第９図は表面に金属膜がある部分と無い部
分の界面における表面波の入射波８、反射波９、透過波
（屈折波）１０を示している。ここで入射角、反射角を
β、屈折角をβ、とすると、ｆ一定の場合、 となる。全ての波が全反射する時の臨界角β。はｓｉｎ
βＣ＝□ ・・・（１８）ｒ となり、電気−機械結合係数に′で示せばとなる。
第１０図は界面の配置図で、界面とＺ軸がなす角をαと
すると此の図から α＝０＋９０度−β ・・・（２０）となり、
全反射で摂動を受ける最小角θ。はβＣの時であるから
（１９） 、 （２０）式よりという式が得られる。１
２８度回転Ｙ −ＸＬｉＮｂ０．の場合、ｋ” ＝５．
５％であるから（２１）式はα＝θ。＋１３．４度
・・・（２２）また、θ０は（１６）式から３４度
以下となるから０５４７．４度 ・・・（２
３）となる。第１実施例では、この値αを４５度にした
。
すると此の図から α＝０＋９０度−β ・・・（２０）となり、
全反射で摂動を受ける最小角θ。はβＣの時であるから
（１９） 、 （２０）式よりという式が得られる。１
２８度回転Ｙ −ＸＬｉＮｂ０．の場合、ｋ” ＝５．
５％であるから（２１）式はα＝θ。＋１３．４度
・・・（２２）また、θ０は（１６）式から３４度
以下となるから０５４７．４度 ・・・（２
３）となる。第１実施例では、この値αを４５度にした
。
第１実施例では、入力すだれ状電極２は８．５対（励振
源）の正規型電極、出力すだれ状電極３は３７対（励振
源）の重み相電極とした。
源）の正規型電極、出力すだれ状電極３は３７対（励振
源）の重み相電極とした。
第１１図は、第１実施例のフィルタ周波数特性（破線）
と従来の導波路の無いもののフィルタ周波数特性（実ｆ
ｌｌｉＩ）を示している。西独向けＴＶ・ＩＦフィルタ
を対象としている。従来に比べて約１０ｄＢ帯域外抑圧
度が改善されている。
と従来の導波路の無いもののフィルタ周波数特性（実ｆ
ｌｌｉＩ）を示している。西独向けＴＶ・ＩＦフィルタ
を対象としている。従来に比べて約１０ｄＢ帯域外抑圧
度が改善されている。
第１２図は本発明第２実施例を模式的に示す図である。
入出力すだれ状電極の間に、金属膜１１が形成され、中
央部に金属膜の無い波形の部分１２を設けである。回折
波は電極のある部分と無い部分の界面１３で摂動を受け
る。此の実施例では第１実施例に比べＺ軸方向（基板横
方向）の長さが小さくなり小形化に有利である。
央部に金属膜の無い波形の部分１２を設けである。回折
波は電極のある部分と無い部分の界面１３で摂動を受け
る。此の実施例では第１実施例に比べＺ軸方向（基板横
方向）の長さが小さくなり小形化に有利である。
第１３図は第３実施例の説明図である。音速の異なる部
分を形成するため、基板１にイオンインプランテーショ
ンのビーム１４を当てている。ビーム１４があたった部
分では弾性定数が変化し音速が変化する。例えば５Ｔ−
Ｘ水晶に１００ｋｅＶ、 １０”１ｏｎｓ／ａｎｔの’
Ｈｅを打ち込んだ場合、Δｖ／ｖを＋０．６％（１００
ＭＨｚで）変化させることができる（米国電気電子学会
、１９７４年、超音波シンポジウム資料）。
分を形成するため、基板１にイオンインプランテーショ
ンのビーム１４を当てている。ビーム１４があたった部
分では弾性定数が変化し音速が変化する。例えば５Ｔ−
Ｘ水晶に１００ｋｅＶ、 １０”１ｏｎｓ／ａｎｔの’
Ｈｅを打ち込んだ場合、Δｖ／ｖを＋０．６％（１００
ＭＨｚで）変化させることができる（米国電気電子学会
、１９７４年、超音波シンポジウム資料）。
第１、第２実施例では金属膜の有る部分と無い部分の音
速の差は結合係数に′によってのみ定まるため、例えば
５Ｔ−Ｘ水晶などのようにに′の小さい材料では、臨界
角βＣを大きくとり回折波の抑圧帯域を拡げようとして
も出来ない。しかし、第３実施例によれば更にβ。を大
きくとり、回折波の抑圧帯域を拡げることが可能である
。
速の差は結合係数に′によってのみ定まるため、例えば
５Ｔ−Ｘ水晶などのようにに′の小さい材料では、臨界
角βＣを大きくとり回折波の抑圧帯域を拡げようとして
も出来ない。しかし、第３実施例によれば更にβ。を大
きくとり、回折波の抑圧帯域を拡げることが可能である
。
第１４図は第４実施例の説明図である。弾性表面波基板
にイオンミリング等の方法により凹部を形成させ、次に
バイアススパッタリング等の方法により、基板とは異な
る材料１５（例えば金属）を凹部に埋め込む。第３実施
例では第１、第２実施例に比べれば界面での音速差を大
きくする事が可能であったが、同一基板材料であるため
、その差を大きく取ることには限界がある。第４実施例
では凹部に埋め込まれた材料金ｇｋ１５は基板とは全く
異なるものとする事ができるため、音速の差を自由に設
定することが出来る。例えばＹ −Ｚ ＬｉＮｂ０．上
にＡｕ薄膜を０．１波長厚埋め込んだ場合、Δｖ／ｖを
一７％とする事ができる（昭和５３年３月、日本電子工
業振興協会、表面弾性波素子材料データブック）。従っ
て第４実施例によれば回折波の抑圧帯域を更に拡げるこ
とが可能となる。
にイオンミリング等の方法により凹部を形成させ、次に
バイアススパッタリング等の方法により、基板とは異な
る材料１５（例えば金属）を凹部に埋め込む。第３実施
例では第１、第２実施例に比べれば界面での音速差を大
きくする事が可能であったが、同一基板材料であるため
、その差を大きく取ることには限界がある。第４実施例
では凹部に埋め込まれた材料金ｇｋ１５は基板とは全く
異なるものとする事ができるため、音速の差を自由に設
定することが出来る。例えばＹ −Ｚ ＬｉＮｂ０．上
にＡｕ薄膜を０．１波長厚埋め込んだ場合、Δｖ／ｖを
一７％とする事ができる（昭和５３年３月、日本電子工
業振興協会、表面弾性波素子材料データブック）。従っ
て第４実施例によれば回折波の抑圧帯域を更に拡げるこ
とが可能となる。
第１５図は第５実施例を模式的に示した図で、入出力す
だれ状電極２，３０間に図示の如く、三角形状に金属膜
１６を配置した。これは異種材料界面の全反射を利用し
たものでは無く、屈折を利用したものである。本実施例
を用いると全反射によらずに回折波を抑圧することが可
能になり、−層広帯域で回折波を抑圧することが出来る
。
だれ状電極２，３０間に図示の如く、三角形状に金属膜
１６を配置した。これは異種材料界面の全反射を利用し
たものでは無く、屈折を利用したものである。本実施例
を用いると全反射によらずに回折波を抑圧することが可
能になり、−層広帯域で回折波を抑圧することが出来る
。
第１６図は第６実施例を模式的に示した図で、第１実施
例と同様な導波路を設け、更に吸音材１７を入出力すだ
れ状電極２，３の両側以外の基板の端部にも塗布し、摂
動を受けた回折波が基板端面から反射するのを防いでい
る。本実施例を用いれば、−層の帯域外抑圧度向上と、
性能の安定化（バラツキ低減）に効果がある。
例と同様な導波路を設け、更に吸音材１７を入出力すだ
れ状電極２，３の両側以外の基板の端部にも塗布し、摂
動を受けた回折波が基板端面から反射するのを防いでい
る。本実施例を用いれば、−層の帯域外抑圧度向上と、
性能の安定化（バラツキ低減）に効果がある。
第１７図は本発明装置をテレビジョン受信機の中間周波
フィルタとして用いた第７実施例のシステムブロック図
である。本発明弾性表面波装置１９はチューナブロック
１８から送られてくる中間周波信号から１チャンネル分
の信号の抜取り（フィルタリング）を行い、抜き取った
信号は次段の検波ブロック２０に送られ、検波後、映像
信号出力２１と音声信号出力２２に出力される。
フィルタとして用いた第７実施例のシステムブロック図
である。本発明弾性表面波装置１９はチューナブロック
１８から送られてくる中間周波信号から１チャンネル分
の信号の抜取り（フィルタリング）を行い、抜き取った
信号は次段の検波ブロック２０に送られ、検波後、映像
信号出力２１と音声信号出力２２に出力される。
以上説明したように本発明によれば、回折波を従来より
も効果的に抑圧できるため、フィルタ帯域外抑圧度が向
上し、フィルタの妨害排除性能等に効果がある。
も効果的に抑圧できるため、フィルタ帯域外抑圧度が向
上し、フィルタの妨害排除性能等に効果がある。
第１図は本発明第１実施例の模式図、第２図は回折波解
析の座標系説明図、第３図はｆ／ｆｏ＝１．０５．１１
．１６・・・金属膜、１５・・・埋込金属、６，１２・
・・金属膜の無い部分、７，１３・・・界面、４・・・
吸音材。 ルでの放射角と強度の関係を示す図、第５図はｆ／ｆｏ
・１．１２の場合の点波源モデルでの放射角と強度の関
係を示す図、第６図はｆ／ｆ、＝１１２の場合の線状波
源モデルでの放射角と強度の関係を示す図、第７図はｆ
／ｆｏ＝１．４９の場合の点波源モデルでの放射角と強
度の関係を示す図、第８図はｆ／ｆｏ＝１．４９の場合
の線状波源モデルでの放射角と強度の関係を示す図、第
９図は表面波のスネルの法則を説明する図、第１０図は
界面の配置の説明図、第１１図はフィルタの周波数特性
図、第１２図は第２実施例の模式図、第１３図は第３実
施例の説明図、第１４図は第４実施例の説明図、第１５
図は第５実施例の模式図、第１６図は第６実施例の模式
図、第１７図は第７実施例のブロック図である。 ２・・人力すだれ状電極、３・・出力すだれ状電極、Ｓ
狸人光剖キ 晃 図 菓 乙 図 ３ｒＡ６１ｉ１ オ射角（、＆つ 篤 図 篤 ＋ 図 篤 図 篤 図 ３α ６ｒＡ 方射内（度） ｅ 第 ９ 図 第 置 篤 図 周 琥 秩 （ｎＩ−ＩＸ） 晃 １牛 図 第 図
析の座標系説明図、第３図はｆ／ｆｏ＝１．０５．１１
．１６・・・金属膜、１５・・・埋込金属、６，１２・
・・金属膜の無い部分、７，１３・・・界面、４・・・
吸音材。 ルでの放射角と強度の関係を示す図、第５図はｆ／ｆｏ
・１．１２の場合の点波源モデルでの放射角と強度の関
係を示す図、第６図はｆ／ｆ、＝１１２の場合の線状波
源モデルでの放射角と強度の関係を示す図、第７図はｆ
／ｆｏ＝１．４９の場合の点波源モデルでの放射角と強
度の関係を示す図、第８図はｆ／ｆｏ＝１．４９の場合
の線状波源モデルでの放射角と強度の関係を示す図、第
９図は表面波のスネルの法則を説明する図、第１０図は
界面の配置の説明図、第１１図はフィルタの周波数特性
図、第１２図は第２実施例の模式図、第１３図は第３実
施例の説明図、第１４図は第４実施例の説明図、第１５
図は第５実施例の模式図、第１６図は第６実施例の模式
図、第１７図は第７実施例のブロック図である。 ２・・人力すだれ状電極、３・・出力すだれ状電極、Ｓ
狸人光剖キ 晃 図 菓 乙 図 ３ｒＡ６１ｉ１ オ射角（、＆つ 篤 図 篤 ＋ 図 篤 図 篤 図 ３α ６ｒＡ 方射内（度） ｅ 第 ９ 図 第 置 篤 図 周 琥 秩 （ｎＩ−ＩＸ） 晃 １牛 図 第 図
Claims (15)
- １．弾性表面波基板上に入出力用のすだれ状電極を複数
個配設し、２個のすだれ状電極の間に、すだれ状電極の
電極指に対し直角な方向へ伝搬する弾性表面波の伝搬方
向は変化させず、前記方向に対し斜めに傾いた方向へ伝
搬する波の伝搬方向に摂動を与える導波路を設けたこと
を特徴とする弾性表面波装置。 - ２．弾性表面波伝搬面内で伝搬速度が等方性を有する基
板を用いた請求項１記載の弾性表面波装置において、抑
圧を必要とする高周波側の周波数帯域のうち、中心周波
数ｆ＿ｏに最も近い周波数をＦ＿ｄとし、前記斜めな方
向へ伝搬し伝搬方向に摂動を受ける波の伝搬方向と、す
だれ状電極の電極指に対し直角な方向とのなす角のうち
、最も小さいものをθｃとしたとき、 θｃ≦ｃｏｓ＾−＾１（ｆ＿ｏ／ｆ＿ｄ） なる関係が成り立つことを特徴とする弾性表面波装置。 - ３．弾性表面波伝搬面内での伝搬速度が、すだれ状電極
の電極指に対し直角な方向と波の伝搬方向とのなす角θ
の関数ｖ（θ）で表わされる基板を用いた請求項１記載
の弾性表面波装置において、前記ｆ＿ｏ、Ｆ＿ｄ、ｖ（
θ）を含む方程式ｃｏｓθ’＝ｖ（θ’）／ｖ（０）・
ｆ＿ｏ／Ｆ＿ｄの解として定まるθ’に対し、前記角θ
ｃがθｃ≦θ’なる関係にあることを特徴とする弾性表
面波装置。 - ４．前記斜めな方向へ伝搬する波に摂動を与える手段と
して伝搬速度の異なる部分の界面での全反射を利用した
ことを特徴とする請求項１記載の弾性表面波装置。 - ５．前記伝搬速度が異なる部分として、弾性表面波基板
上に金属膜を形成させた部分と形成させてない部分とを
利用したことを特徴とする請求項４記載の弾性表面波装
置。 - ６．前記摂動を与える手段の界面の方向が電極指に対し
直角な方向となす角をα、基板の電気−機械結合係数を
ｋ＾２、前記摂動を受ける最小角度をθｃとしたとき、 α＝θｃ＋９０度−Ｓｉｎ＾−＾１（１−ｋ＾２／２）
なる関係にあることを特徴とする請求項４記載の弾性表
面波装置。 - ７．前記全反射を生する界面が、電極指に直角な方面に
対し線対称な山形をなすことを特徴とする請求項４記載
の弾性表面波装置。 - ８．前記全反射を生する界面が、小さな前記山形が電極
指方向に連続した波形をなすことを特徴とする請求項４
記載の弾性表面波装置。 - ９．前記伝搬速度の異なる部分をイオン打ち込み法によ
って形成したことを特徴とする請求項４記載の弾性表面
波装置の製造方法。 - １０．弾性表面波基板に凹部を形成させ、その凹部に異
種物質を埋め込むことにより伝搬速度の異なる部分を形
成させたことを特徴とする請求項４記載の弾性表面波装
置の製造方法。 - １１．前記凹部をイオンミリング法により形成させ、異
種物質をバイアススパッタ法により埋め込ませることを
特徴とする請求項１０記載の弾性表面波装置の製造方法
。 - １２．前記斜めな方向へ伝搬する波に摂動を与える手段
として伝搬速度の異なる部分の界面での屈折を利用した
ことを特徴とする請求項１記載の弾性表面波装置。 - １３．弾性表面波伝搬路を挾んで其の両側にも吸音材を
配設したことを特徴とする請求項１記載の弾性表面波装
置。 - １４．請求項１記載の弾性表面波装置を用いたことを特
徴とする通信装置。 - １５．請求項１記載の弾性表面波装置をテレビジョン受
信機の中間周波フィルタとして用いたことを特徴とする
請求項１４記載の通信装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1092824A JPH02272817A (ja) | 1989-04-14 | 1989-04-14 | 弾性表面波装置、その製造方法、及びそれを用いた通信装置 |
| DE19904011978 DE4011978A1 (de) | 1989-04-14 | 1990-04-12 | Saw-vorrichtung mit einer ablenkstruktur fuer unerwuenschte signalkomponenten |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1092824A JPH02272817A (ja) | 1989-04-14 | 1989-04-14 | 弾性表面波装置、その製造方法、及びそれを用いた通信装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02272817A true JPH02272817A (ja) | 1990-11-07 |
Family
ID=14065183
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1092824A Pending JPH02272817A (ja) | 1989-04-14 | 1989-04-14 | 弾性表面波装置、その製造方法、及びそれを用いた通信装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02272817A (ja) |
| DE (1) | DE4011978A1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5796205A (en) * | 1993-11-25 | 1998-08-18 | Fujitsu Limited | Surface acoustic wave device and method of producing the same |
| US7535151B2 (en) * | 2003-10-08 | 2009-05-19 | Hartmann Clinton S | Single phase unidirectional surface acoustic wave transducer and improved reflectors |
| CN113810017A (zh) * | 2015-12-24 | 2021-12-17 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4407872B2 (ja) | 2001-07-16 | 2010-02-03 | 富士通株式会社 | タッチパネル装置 |
| JP3764731B2 (ja) * | 2002-10-18 | 2006-04-12 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 多重モード弾性表面波フィルタ及び分波器 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62140787A (ja) * | 1985-12-12 | 1987-06-24 | 豊田工機株式会社 | ロボツトハンド |
| JPS62287995A (ja) * | 1986-06-04 | 1987-12-14 | 新明和工業株式会社 | 産業用ロボツト |
| JPS6456985U (ja) * | 1987-10-05 | 1989-04-10 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3818379A (en) * | 1972-12-04 | 1974-06-18 | Hughes Aircraft Co | Acoustic surface wave device |
| GB2000409A (en) * | 1977-04-07 | 1979-01-04 | Philips Electronic Associated | Resonators employing surface skimming bulk waves |
| US4499440A (en) * | 1983-08-22 | 1985-02-12 | United Technologies Corporation | Low reflectivity electrodes in semiconductive SAW devices |
| US4894576A (en) * | 1987-04-10 | 1990-01-16 | Clarion Co., Ltd. | Surface-acoustic-wave convolver |
-
1989
- 1989-04-14 JP JP1092824A patent/JPH02272817A/ja active Pending
-
1990
- 1990-04-12 DE DE19904011978 patent/DE4011978A1/de not_active Withdrawn
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62140787A (ja) * | 1985-12-12 | 1987-06-24 | 豊田工機株式会社 | ロボツトハンド |
| JPS62287995A (ja) * | 1986-06-04 | 1987-12-14 | 新明和工業株式会社 | 産業用ロボツト |
| JPS6456985U (ja) * | 1987-10-05 | 1989-04-10 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5796205A (en) * | 1993-11-25 | 1998-08-18 | Fujitsu Limited | Surface acoustic wave device and method of producing the same |
| US6131257A (en) * | 1993-11-25 | 2000-10-17 | Fujitsu Limited | Method of making a surface acoustic wave device |
| US7535151B2 (en) * | 2003-10-08 | 2009-05-19 | Hartmann Clinton S | Single phase unidirectional surface acoustic wave transducer and improved reflectors |
| CN113810017A (zh) * | 2015-12-24 | 2021-12-17 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE4011978A1 (de) | 1990-10-18 |
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