JPH02264420A - X-ray exposing mask - Google Patents
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- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 43
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 43
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 39
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 29
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 abstract description 29
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 abstract description 29
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 6
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 abstract 2
- 229910003822 SiHCl3 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 abstract 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 abstract 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000001803 electron scattering Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018503 SF6 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 210000003323 beak Anatomy 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 125000000896 monocarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960000909 sulfur hexafluoride Drugs 0.000 description 1
- NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H tungsten hexafluoride Chemical compound F[W](F)(F)(F)(F)F NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
［概要］
Ｘ線露光マスクの改良に関し、
高精度なＸ線吸収体パターンを備えて、且つ、耐久性の
高いＸ線露光マスクを得ることを目的とし、
Ｘ線吸収体パターンがシリコン基板表面に選択的に形成
された凹部に埋没され、該Ｘ線吸収体パターンを含む前
記シリコン基板表面がＸ線透過膜で被覆されて、前記シ
リコン基板とＸ線透過膜からなるメンブレンを具備して
なることを特徴とする。[Detailed Description of the Invention] [Summary] Regarding the improvement of an X-ray exposure mask, the purpose is to obtain an X-ray exposure mask that is equipped with a highly accurate X-ray absorber pattern and has high durability. The body pattern is buried in a recess selectively formed on the surface of the silicon substrate, and the surface of the silicon substrate including the X-ray absorber pattern is covered with an X-ray transparent film, and the silicon substrate is made of the silicon substrate and the X-ray transparent film. It is characterized by comprising a membrane.
［産業上の利用分野コ 本発明はＸ線露光マスクの改良に関する。[Industrial application fields] The present invention relates to improvements in X-ray exposure masks.
Ｘ線露光法はサブミクロン皇の微細パターンを転写でき
るために、今後のりソグラフィ技術として汎用化のため
の開発努力がなされているが、転写パターンを設けたＸ
線露光マスクのパターン精度、耐久性に問題があって、
その改善が望まれており、本発明はそのようなＸ線露光
マスクの改善に関している。Since the X-ray exposure method can transfer submicron fine patterns, efforts are being made to develop it into a general-purpose lithography technology in the future.
There were problems with the pattern accuracy and durability of the line exposure mask.
Improvements are desired, and the present invention relates to improvements in such X-ray exposure masks.
［従来の技術］
第４図は従来のｘｉｓ光マスクの断面図を示しており、
図中の記号１はメンブレン（ｍｅｍｂｒａｎｅ ；膜）
、２はＸ線吸収体パターン、３はリング形状の支持枠で
、メンブレン１としては窒化硼素（ＢＮ）、シリコンカ
ーバイド（ＳｉＣ）、シリコン（Ｓｔ）などが用いられ
、また、Ｘ線吸収体パタン２としてはタングステン（Ｗ
）、タンタル（Ｔａ）、金（Ａｕ）等が用いられて、且
つ、支持枠３としてはセラミックス、パイレックスなど
が使用されている。[Prior Art] Figure 4 shows a cross-sectional view of a conventional xis optical mask.
Symbol 1 in the diagram is a membrane.
, 2 is an X-ray absorber pattern, 3 is a ring-shaped support frame, and the membrane 1 is made of boron nitride (BN), silicon carbide (SiC), silicon (St), etc. 2 is tungsten (W
), tantalum (Ta), gold (Au), etc. are used, and the support frame 3 is made of ceramics, Pyrex, etc.
第５図（ａ）〜（ｅ）はそのような従来のＸ線露光マス
クの形成方法の工程順断面図を示しており、本例はタン
グステンＸ線吸収体パターンを設けた例である。その概
要を説明すると、
第５図（ａ）参照；まず、シリコン基板１１の表面に化
学気相成長（ＣＶＤ）法に、よってＳｉＣ膜１２（膜厚
２μｍ）を成長して、次に、支持枠３を接着する。FIGS. 5(a) to 5(e) show step-by-step cross-sectional views of such a conventional method for forming an X-ray exposure mask, and this example is an example in which a tungsten X-ray absorber pattern is provided. To explain the outline, see FIG. 5(a); first, a SiC film 12 (film thickness 2 μm) is grown on the surface of a silicon substrate 11 by chemical vapor deposition (CVD), and then a Glue frame 3.
このＣＶＤ法によるＳｉＣ膜１２の形成方法は５ｉＨＣ
１３／ＣｘＨｓ／Ｈｚ を供給ガスとして温度１００
０°Ｃ１圧力２ Ｔｏｒｒ程度で成長させる方法を用い
る。The method for forming the SiC film 12 by this CVD method is 5iHC.
13/CxHs/Hz as the supply gas at a temperature of 100
A method of growing at 0°C and a pressure of about 2 Torr is used.
第５図（ｂ）参照；次いで、ＨＦ（弗酸）／ＨＮＯ３（
硝酸）／ＣＨ，Ｃ０ＯＨ（酢酸）の混合液を用いたウェ
ットエツチングによってシリコン基板１１をエツチング
除去してシリコン枠１１のみ残存させ、ＳｉＣメンブレ
ンを設けたマスクブランクを形成する。See Figure 5(b); then HF (hydrofluoric acid)/HNO3 (
The silicon substrate 11 is etched away by wet etching using a mixed solution of (nitric acid)/CH, COOH (acetic acid), leaving only the silicon frame 11, and a mask blank provided with a SiC membrane is formed.
第５図（Ｃ）参照；次いで、その全面に膜厚１μｍのタ
ングステン膜２１をスパッタ法によって被着する。Refer to FIG. 5(C); next, a 1 μm thick tungsten film 21 is deposited on the entire surface by sputtering.
第５図（ｄ）参照；次いで、その上にレジスト膜を塗布
し、それをパターンニングしてレジスト膜パターン４を
形成する。このパターンニングには電子ビーム（ＥＢ）
露光法を用いて微細に描画して露光し、それを現像して
微細パターンを形成する方法を用いる。Refer to FIG. 5(d); next, a resist film is applied thereon and patterned to form a resist film pattern 4. Electron beam (EB) is used for this patterning.
A method is used in which a fine pattern is drawn using an exposure method, exposed, and then developed to form a fine pattern.
第５図（ｅ）参照；次いで、ＳＦ、（六弗化硫黄）１０
□ （酸素）を反応ガスとしたりアクティブイオンエツ
チング（ＲＩＥ）によってタングステン膜２１を垂直に
エツチングしてタングステンＸ線吸収体パターン２１を
形成する。See Figure 5(e); then SF, (sulfur hexafluoride) 10
□ Tungsten X-ray absorber pattern 21 is formed by vertically etching the tungsten film 21 using (oxygen) as a reactive gas or by active ion etching (RIE).
従来から上記のようにしてタングステンＸ線吸収体パタ
ーン（タングステンからなるＸ線吸収体パターン）を設
けたＸ線露光マスクが形成されている。Conventionally, an X-ray exposure mask provided with a tungsten X-ray absorber pattern (an X-ray absorber pattern made of tungsten) has been formed as described above.
［発明が解決しようとする課題］
しかし、上記のＸ線露光マスクの形成方法において、レ
ジスト膜パターン４を作成するための電子■−ム露光法
を用いた微細パターンの描画は、電子の後方散乱を生じ
る近接効果のために高精度パターン形成が難しいという
問題がある。上記の実施例はタングステンＸ線吸収体パ
ターンを設けた例であるが、その他のタンタルや金など
のＸ線吸収体を用いる場合も同様に近接効果の問題が発
生する。[Problem to be Solved by the Invention] However, in the method for forming the X-ray exposure mask described above, drawing of the fine pattern using the electron beam exposure method for creating the resist film pattern 4 is difficult due to backscattered electrons. There is a problem in that high-precision pattern formation is difficult due to the proximity effect that occurs. Although the above embodiment is an example in which a tungsten X-ray absorber pattern is provided, the proximity effect problem also occurs when other X-ray absorbers such as tantalum or gold are used.
従って、タングステンＸ線吸収体パターンを設けるＸ線
露光マスクでは、シリコン上にタングステンを選択的に
成長する公知のタングステン選択成長法によってパター
ンを作成する方法が提案（例えば、特開昭５８−８２５
２３号参照）されているが、この選択成長法はタングス
テンＸ線吸収体パターンを形成した後、シリコンをウェ
ットエツチングして除去する工程が必要になって、その
際、タングステンも同時にエツチングされて損傷すると
いう問題がある。Therefore, for an X-ray exposure mask provided with a tungsten X-ray absorber pattern, a method has been proposed in which the pattern is created by a known tungsten selective growth method in which tungsten is selectively grown on silicon (for example, in Japanese Patent Laid-Open No. 58-825
(Refer to No. 23) However, this selective growth method requires a step of wet etching and removing the silicon after forming the tungsten X-ray absorber pattern, and at that time, the tungsten is also etched and damaged. There is a problem with doing so.
更に、シリコンがメンブレンとして使用できることは公
知ではあるが、シリコンのヤング率が低く、メンブレン
としての強度が不足して耐久性に欠けるという欠点があ
る。また、公知例（特開昭５８−８２５２３号）に示さ
れた製造方法では窒化シリコンをメンブレンとして使用
しているが、窒化シリコンはメンブレンとして余り良質
のものではない。Furthermore, although it is known that silicon can be used as a membrane, silicon has a low Young's modulus, and has the disadvantage of lacking strength and durability as a membrane. Furthermore, although silicon nitride is used as a membrane in the manufacturing method shown in the known example (Japanese Patent Laid-Open No. 58-82523), silicon nitride is not of very good quality as a membrane.
しかも、これら従来のＸ線露光マスクはＸ線吸収体パタ
ーンが露出した構造になっているからパターンが損傷し
易い欠点がある。Moreover, since these conventional X-ray exposure masks have a structure in which the X-ray absorber pattern is exposed, the pattern is easily damaged.
本発明はこのような問題点・欠点を解消させて、高精度
なＸ線吸収体パターンを備えて、且つ、耐久性の高いＸ
線露光マスクを得ることを目的としたＸ線露光マスクの
構造を提案するものである。The present invention solves these problems and drawbacks, and provides a highly durable X-ray absorber pattern with a highly accurate X-ray absorber pattern.
This paper proposes the structure of an X-ray exposure mask for the purpose of obtaining a radiation exposure mask.
［課題を解決するための手段〕
その課題は、Ｘ線吸収体パターンがシリコン基板表面に
選択的に形成された凹部に埋没され、該Ｘ線吸収体パタ
ーンを含む前記シリコン基板表面がＸ線透過膜で被覆さ
れて、前記シリコン基板とＸ線透過膜からなるメンブレ
ンを具備しているＸ線露光マスクによって解決される。[Means for Solving the Problem] The problem is that an X-ray absorber pattern is buried in a recess selectively formed on the surface of a silicon substrate, and the silicon substrate surface including the X-ray absorber pattern is transparent to X-rays. The problem is solved by an X-ray exposure mask comprising a membrane covered with a film and made of the silicon substrate and an X-ray transparent film.
［作用］
即ち、本発明は、Ｘ線吸収体パターンをシリコン中で凹
部状に形成し、そのシリコンの凹部パターンにタングス
テンを選択成長させる。更に、そのタングステンからな
るＸ線吸収体パターンの露出面をシリコンカーバイドで
被覆してタングステンＸ線吸収体パターンを埋没した構
造にする。[Operation] That is, in the present invention, an X-ray absorber pattern is formed in the shape of a recess in silicon, and tungsten is selectively grown in the recess pattern of the silicon. Furthermore, the exposed surface of the X-ray absorber pattern made of tungsten is coated with silicon carbide to form a structure in which the tungsten X-ray absorber pattern is buried.
そうすれば、タングステンＸ線吸収体パターンはメンブ
レン内に埋没されて、パターン損傷の問題はなくなり、
且つ、メンブレンはシリコンとヤング率の高いシリコン
カーバイドとを併せた積層形になるからメンブレンの強
度が増大したＸ＊露光マスクが得られる。Then, the tungsten X-ray absorber pattern will be buried within the membrane, eliminating the problem of pattern damage.
In addition, since the membrane is a laminated layer of silicon and silicon carbide having a high Young's modulus, an X* exposure mask with increased membrane strength can be obtained.
更に、シリコン中に凹部パターンを形成するために、シ
リコン上にレジスト膜を塗布し、それを電子ビーム露光
法で描画してパターンニングするレジスト膜パターンの
形成法は、近接効果の影響が減少して高精度パターンが
形成でき、タングステンＸ線吸収体パターンのパターン
精度の向上に役立つ。Furthermore, in order to form a concave pattern in silicon, the influence of the proximity effect is reduced in the method of forming a resist film pattern in which a resist film is coated on silicon and patterned by drawing it using electron beam exposure. A high-precision pattern can be formed using this method, which helps improve the pattern precision of the tungsten X-ray absorber pattern.
従って、パターン精度が向上し、メンブレンの強度が増
大し、パターンの損傷が少ない本発明の目的に合致した
Ｘ線露光マスクが得られる。Therefore, it is possible to obtain an X-ray exposure mask with improved pattern accuracy, increased membrane strength, and less damage to the pattern, which meets the objectives of the present invention.
［実施例］ 以下、図面を参照して実施例によって詳細に説明する。[Example] Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to the drawings.
第１図は本発明にかかるＸ線露光マスクの断面図を示し
、２２はタングステンＸ線吸収体パターン、１３はシリ
コン、１７はシリコンカーバイド（ＳｉＣ）。FIG. 1 shows a cross-sectional view of an X-ray exposure mask according to the present invention, in which 22 is a tungsten X-ray absorber pattern, 13 is silicon, and 17 is silicon carbide (SiC).
則はシリコン１３とシリコンカーバイド１７とからなる
メンブレン、３は支持枠である。The main structure is a membrane made of silicon 13 and silicon carbide 17, and 3 is a support frame.
図のように、本発明にかかるＸ線露光マスクはタングス
テンＸ線吸収体パターン２２をメンブレン１０に埋め込
んであり、そのためにパターンが損傷されることがなく
、しかも、メンブレン川はシリコンカーバイド１７を含
む二層を積層した構造になっているために、その強度が
増大して、Ｘ線露光マスクの耐久性は飛躍的に増大する
。As shown in the figure, the X-ray exposure mask according to the present invention has a tungsten X-ray absorber pattern 22 embedded in the membrane 10, so that the pattern is not damaged, and the membrane river contains silicon carbide 17. Since it has a two-layered structure, its strength increases and the durability of the X-ray exposure mask increases dramatically.
第２図（ａ）〜（２）はこのような本発明にかかるＸ線
露光マスクの形成方法（１）の工程順断面図を示してい
る。その形成方法を順を追って説明すると、第２図（ａ
）参照；予め、シリコン基板１３（結晶方位（１００）
）の表面に硼素を１０１９〜１０２０個／ｄ程度ドープ
した硼素ドープシリコン層１４（深さ１〜１．５μｍ程
度）を形成し、その上に熱酸化してＳｉＯ□（酸化シリ
コン）膜１５（厚さ０．１μｍ程度）を生成する。この
Ｓｉｎｇ膜１５膜上５代わりにＳｉＮ、膜を被着しても
よい。FIGS. 2(a) to 2(2) show step-by-step sectional views of the method (1) for forming an X-ray exposure mask according to the present invention. The formation method is explained step by step as shown in Figure 2 (a
) reference; in advance, the silicon substrate 13 (crystal orientation (100)
), a boron-doped silicon layer 14 doped with about 1019 to 1020 boron/d (depth about 1 to 1.5 μm) is formed on the surface of the silicon oxide film 15 (silicon oxide) by thermal oxidation. A thickness of approximately 0.1 μm) is generated. Instead of the Sing film 15, a SiN film may be deposited.
第２図Φ）参照；次いで、上面にレジスト膜を塗布し、
これを電子ビーム露光法によってパターンニングしてレ
ジスト膜パターン４０を形成し、これをマスクにしてＳ
ｉＯ□膜１５を窓あけして５ｉ０２パターンを形成する
。この５ｉＯｔパターンはＸ線吸収体パターンの逆パタ
ーンである。なお、この時、ｔ 子ビーム露光法による
レジスト膜の描画パターン精度グは近接効果の影響がタ
ングステン上のレジスト膜パターンに描画する場合より
も１／２に減少して高精度パターンが形成できる。それ
はタングステン面では電子の散乱が６０％程度発生する
のに対して、シリコン面では電子の散乱が３０％程度に
減少するからである。See Figure 2 Φ); Next, apply a resist film on the top surface,
This is patterned using an electron beam exposure method to form a resist film pattern 40, and this is used as a mask for S
The iO□ film 15 is opened to form a 5i02 pattern. This 5iOt pattern is a reverse pattern of the X-ray absorber pattern. At this time, the accuracy of the drawing pattern of the resist film by the t-son beam exposure method is reduced to 1/2 due to the influence of the proximity effect, compared to when drawing a resist film pattern on tungsten, and a highly accurate pattern can be formed. This is because on a tungsten surface, electron scattering occurs by about 60%, whereas on a silicon surface, electron scattering decreases to about 30%.
第２図（Ｃ）参照；次いで、レジスト膜パターン４０゜
Ｓｉｎｇ膜１５膜上５クにして、Ｃｌ２（塩素）／ＣＣ
Ｉ（四塩化炭素）の混合ガスによって硼素ドープシリコ
ン層１４をエツチングして凹部１６（深′さ１μｍ程度
）を形成した後、レジスト膜パターン４０を除去して、
次に、全体を３５０°Ｃに加熱し、公知のタングステン
選択成長法によってＷＦ、（六弗化タングステン）／Ｈ
２（水素）の混合ガスを供給して凹部１６内にタングス
テン吸収体パターン２２を選択成長し、凹部１６を埋没
させる。Refer to FIG. 2(C); Next, apply Cl2 (chlorine)/CC to 5 layers on the resist film pattern 40°Sing film 15.
After etching the boron-doped silicon layer 14 with a mixed gas of I (carbon tetrachloride) to form a recess 16 (about 1 μm in depth), the resist film pattern 40 is removed.
Next, the whole was heated to 350°C, and WF, (tungsten hexafluoride)/H
The tungsten absorber pattern 22 is selectively grown in the recess 16 by supplying a mixed gas of 2 (hydrogen) to bury the recess 16.
第２図（ｄ）参照；次いで、希釈したＨＦ（弗酸）によ
るウェットエツチング、または、ＣＦ４ （フレオン
）／ＣＩＩＦ＋ （トリフロロメタン）の混合ガスに
よるドライエツチングによってＳｉＯ２膜１５を除去す
る。Refer to FIG. 2(d); Next, the SiO2 film 15 is removed by wet etching using diluted HF (hydrofluoric acid) or dry etching using a mixed gas of CF4 (freon)/CIIF+ (trifluoromethane).
第２図（ｅ）参照；次いで、約１０００″Ｃに加熱して
、減圧ＣＶＤ法によって５ＩＨＣ１３（）リクロルシラ
ン）、／Ｃ３Ｈａ （プロパン）／Ｈ２（水素）の反
応ガスを供給し、上面にＳｉＣ膜１７（膜厚１μｍ程度
）を成長してタングステン吸収体パターン２２を被覆す
る。減圧ＣＶＤ法の減圧度は２ Ｔｏｒｒ程度にする。See FIG. 2(e); Next, it is heated to about 1000"C and reactant gases of 5IHC13 (lichlorosilane), /C3Ha (propane) / H2 (hydrogen) are supplied by low pressure CVD method, and a SiC film is formed on the top surface. 17 (film thickness of about 1 μm) is grown to cover the tungsten absorber pattern 22. The degree of vacuum in the low pressure CVD method is set to about 2 Torr.
第２図（ｆ）参照；次いで、支持枠３を接着する。See FIG. 2(f); then, the support frame 3 is glued.
第２図（６）参照；次いで、シリコン基板１３を除去し
て完成する。このシリコン基板のエツチングにはエチレ
ン・ジアミン・ピロカテコール水溶液を用いる。そうす
ると、ｐ＋型の硼素ドープシリコン１Ｊ１４はエツチン
グされずに、シリコン基板１３のみエツチングされて自
動的にエツチングが停止する。See FIG. 2(6); next, the silicon substrate 13 is removed to complete the process. Ethylene diamine pyrocatechol aqueous solution is used for etching this silicon substrate. Then, the p+ type boron-doped silicon 1J14 is not etched, but only the silicon substrate 13 is etched, and the etching is automatically stopped.
この時、シリコン基板はシリコン枠１３として残るのみ
になる。At this time, the silicon substrate remains only as a silicon frame 13.
上記が本発明にかかるＸ線露光マスクの形成方法である
が、また、他の形成方法も考えられて、第３図（ａ）、
（ｂ）に他のＸ線露光マスクの形成方法（ＩＩ）の工
程断面図を示している。即ち、この形成方法（Ｉ［）で
は上記した形成方法（Ｉ）における第２図（ｅ）工程ま
で終了した後、第３図（ａ）に示すように、形成方法（
１）とは逆にＳｉＣ膜１７の成長面と支持枠３とを接着
する。Although the above is the method for forming the X-ray exposure mask according to the present invention, other forming methods are also possible, and as shown in FIG. 3(a),
(b) shows a process cross-sectional view of another method (II) for forming an X-ray exposure mask. That is, in this forming method (I[), after completing the process up to the step (e) in FIG. 2 in the above-described forming method (I), as shown in FIG. 3(a), the forming method (
In contrast to 1), the growth surface of the SiC film 17 and the support frame 3 are bonded.
次いで、第３図Φ）に示すように、上面のシリコン基板
１３を除去して完成させる。このシリコン基板１３のエ
ツチング法は形成方法（Ｉ）で説明した方法と同様であ
る。Next, as shown in FIG. 3 Φ), the upper silicon substrate 13 is removed to complete the process. The etching method for this silicon substrate 13 is the same as the method explained in the formation method (I).
本発明にかかるＸ線露光マスクは上記のいずれの形成方
法によっても作成することができ、このようなＸ線露光
マスクは高精度なタングステンＸ線吸収体パターンがメ
ンブレン内に埋没されて、損傷され難い構造になり、且
つ、メンブレンはシリコンとシリコンカーバイドからな
る積層形であって、その強度は増大し、かくして、精度
の良いパターンをもった耐久性あるＸ線露光マスクが得
られるものである。The X-ray exposure mask according to the present invention can be created by any of the above-mentioned formation methods, and such an X-ray exposure mask has a highly accurate tungsten X-ray absorber pattern embedded in the membrane so that it cannot be damaged. In addition, the membrane is a laminated structure made of silicon and silicon carbide, increasing its strength, and thus providing a durable X-ray exposure mask with a highly accurate pattern.
［発明の効果］
以上の説明から明らかなように、本発明によれば高精度
なタングステンＸ線吸収体パターンを内蔵した耐久力あ
るＸ線露光マスクが得られて、半導体装置および電子部
品の製造プロセスにおけるＸ線露光法の汎用化に著しく
貢献するものである。[Effects of the Invention] As is clear from the above description, according to the present invention, a durable X-ray exposure mask with a built-in highly accurate tungsten X-ray absorber pattern can be obtained, and it can be used for manufacturing semiconductor devices and electronic components. This will significantly contribute to the generalization of X-ray exposure methods in processes.
第１図は本発明にかかるＸｇ露光マスクの断面図、第２
図（ａ）〜（８）は本発明にかかるＸ線露光マスクの形
成方法（Ｉ）の工程順断面図、
第３図（ａ）、 （ｂ）は本発明にかかるＸ線露光マス
クの形成方法（ＩＩ）の工程断面図、
第４図は従来のＸ線露光マスクの断面図、第５図（ａ）
〜（ｅ）は従来のＸｖＡ露光マスクの形成方法の工程順
断面図である。
図において、
１、利はメンブレン、
２はＸ線吸収体パターン、
３は支持枠、
４．４０はレジスト膜パターン、
１１、１３はシリコン１ シリコン基板、またはシリコ
ン枠、
１５は５ｉｎ２膜、
１６は凹部、
１７はＳｉＣ，またはＳｉＣ膜、
２１、２２はタングステン膜、またはタングステンＸ線
吸収体パターン
を示している。
４発明にη・）５メＪＰ泉雪乏マス７／Ｉ緯狛図第１図
第
図
Δ嘴ぞθ月＋’−ｔか３ＸＲｆｔ−χマス７→刀５へ′
γ□ラヨモ（πンのｒ孝！ 新ｆＤの第３図Figure 1 is a sectional view of the Xg exposure mask according to the present invention, Figure 2 is a sectional view of the Xg exposure mask according to the present invention;
Figures (a) to (8) are step-by-step sectional views of the method (I) for forming an X-ray exposure mask according to the present invention, and Figures 3 (a) and (b) are for forming an X-ray exposure mask according to the present invention. Process cross-sectional view of method (II), Figure 4 is a cross-sectional view of a conventional X-ray exposure mask, Figure 5 (a)
-(e) are step-by-step cross-sectional views of a conventional method for forming an XvA exposure mask. In the figure, 1 is a membrane, 2 is an X-ray absorber pattern, 3 is a support frame, 4 is a resist film pattern, 11 and 13 are silicon substrates or silicon frames, 15 is a 5in2 film, 16 is a 17 is SiC or a SiC film; 21 and 22 are tungsten films or a tungsten X-ray absorber pattern. 4 invention η・) 5 me JP Izumi Yukisho square 7/I latitude map Figure 1 Figure Δ beak θ month +'-t or 3XRft-χ square 7 → sword 5'
γ□Rayomo (πn's r filial piety! Figure 3 of the new fD
Claims (1)
された凹部に埋没され、該Ｘ線吸収体パターンを含む前
記シリコン基板表面がＸ線透過膜で被覆されて、前記シ
リコン基板とＸ線透過膜からなるメンブレンを具備して
なることを特徴とするＸ線露光マスク。An X-ray absorber pattern is buried in a recess selectively formed on the surface of the silicon substrate, and the surface of the silicon substrate including the X-ray absorber pattern is covered with an X-ray transparent film, so that the silicon substrate and the X-ray transparent An X-ray exposure mask characterized by comprising a membrane made of a film.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1086452A JPH02264420A (en) | 1989-04-04 | 1989-04-04 | X-ray exposing mask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1086452A JPH02264420A (en) | 1989-04-04 | 1989-04-04 | X-ray exposing mask |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02264420A true JPH02264420A (en) | 1990-10-29 |
Family
ID=13887329
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1086452A Pending JPH02264420A (en) | 1989-04-04 | 1989-04-04 | X-ray exposing mask |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02264420A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010098723A (en) * | 2000-04-20 | 2001-11-08 | 가네꼬 히사시 | High contrast ratio membrane mask |
-
1989
- 1989-04-04 JP JP1086452A patent/JPH02264420A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010098723A (en) * | 2000-04-20 | 2001-11-08 | 가네꼬 히사시 | High contrast ratio membrane mask |
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