JPH0224286Y2 - - Google Patents
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- JPH0224286Y2 JPH0224286Y2 JP7074282U JP7074282U JPH0224286Y2 JP H0224286 Y2 JPH0224286 Y2 JP H0224286Y2 JP 7074282 U JP7074282 U JP 7074282U JP 7074282 U JP7074282 U JP 7074282U JP H0224286 Y2 JPH0224286 Y2 JP H0224286Y2
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- Switches That Are Operated By Magnetic Or Electric Fields (AREA)
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Description
【考案の詳細な説明】
本考案は近接スイツチにおける検波回路に関す
る。[Detailed Description of the Invention] The present invention relates to a detection circuit in a proximity switch.
物体の移動量を検出するセンサーの一種として
ロータリーエンコーダの如き近接スイツチが存在
する。すなわち、この種の近接スイツチの基本構
成及び動作原理は、第1図イに示すように周辺に
多数のスリツトを有する金属円板1を回転せし
め、この金属円板の両側に夫々高周波発振コイル
2、検出コイル3と互に対向配置せしめて構成
し、かつ高周波発振コイル2にて高周波磁界を発
生させると検出コイル3には金属円板1のスリツ
ト位置により振巾変調された誘起電圧が発生す
る。この誘起電圧を、適当なスレツシユホールド
電圧で包絡線検波し、さらにこれを増巾すると、
矩形波がえられる。第1図ロはこれらのブロツク
図を示す。そして、この矩形波をカウントすれば
物体の移動量を検知できるようになつている。と
ころで、この矩形波の立上りエツジ及び立下りエ
ツジの位相はスリツトを有する金属円板1の近傍
位置、換言すればスリツトの位置に対応する。こ
の場合、回路に与えられる電源電圧が何等かの原
因により変動すると、立上りエツジ及び立下りエ
ツジの位相がずれてしまう問題がある。 A proximity switch such as a rotary encoder exists as a type of sensor that detects the amount of movement of an object. That is, the basic structure and operating principle of this type of proximity switch is as shown in FIG. , are arranged opposite to each other with the detection coil 3, and when a high frequency magnetic field is generated by the high frequency oscillation coil 2, an induced voltage whose amplitude is modulated by the slit position of the metal disk 1 is generated in the detection coil 3. . If this induced voltage is envelope-detected using an appropriate threshold voltage and further amplified, we get
You can get a square wave. FIG. 1B shows a block diagram of these. By counting these square waves, the amount of movement of the object can be detected. Incidentally, the phases of the rising edge and falling edge of this rectangular wave correspond to the position near the metal disk 1 having the slit, in other words, the position of the slit. In this case, if the power supply voltage applied to the circuit fluctuates for some reason, there is a problem in that the phases of the rising edge and the falling edge are shifted.
すなわち、第2図は上記近接スイツチに用いら
れる従来の発振回路4及び検出回路5の一例を示
すもので、この回路では電源電圧(すなわち+V
電圧)が変動した場合、特に回路中に電源電圧の
変動対策がないので、出力端子6,6′に現われ
る矩形波の立上り及び立下りエツジの位相が変化
してしまう欠点がある。このことは、換言すれば
物体の移動量を正確に検出することができないお
それを生じ、かつ使用範囲が限定される欠点を伴
つている。 That is, FIG. 2 shows an example of the conventional oscillation circuit 4 and detection circuit 5 used in the above-mentioned proximity switch.
There is a disadvantage that when the voltage (voltage) fluctuates, the phases of the rising and falling edges of the rectangular waves appearing at the output terminals 6, 6' change, especially since there is no countermeasure against fluctuations in the power supply voltage in the circuit. In other words, this has the disadvantage that it may not be possible to accurately detect the amount of movement of the object, and the range of use is limited.
本考案は上記の欠点を改善し、たとえ電源電圧
が変動しても、少ない回路素子数で矩形波の立上
り及び立下りエツジの位相の変化をわずかにした
近接スイツチにおける検波回路を提供することを
目的とするものである。 The present invention improves the above-mentioned drawbacks and provides a detection circuit for a proximity switch that minimizes the change in the phase of the rising and falling edges of a rectangular wave with a small number of circuit elements even if the power supply voltage fluctuates. This is the purpose.
次に本考案の実施例を図面について説明する。 Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
第3図は本考案の実施例にかかる回路を示すも
ので、図中4は発振回路、L1は発振コイル、C1
〜C3はコンデンサ、R1,R2は抵抗であり、これ
らの素子により周知のハートレー型の発振回路が
構成されている。また、5は検波回路であり、こ
の検波回路5を構成するL2は検出コイルでコン
デンサC5と共に共振回路を形成している。Q2は
検波用トランジスタで、このトランジスタQ2の
ベースには前記検出コイルL2、コンデンサC5よ
りなる共振回路の一端が接続され、かつこの共振
回路の他端はダイオードD1、抵抗R8を介して電
源電圧+Vが加えられていると共に、該他端は一
端が接地された抵抗R11の他端が接続されてい
る。またトランジスタQ2のエミツタには抵抗R4,
R5により分割された電圧が加えられ、更にコレ
クタと接地間には抵抗F6とコンデンサC4の並列
回路が接続されている。一方検出コイルL2及び
ダイオードD1の接続点と、エミツタとの間には
コンデンサC6が挿入されており、かつダイオー
ドD1はトランジスタQ2ベースに対し、順方向バ
イアスに接続されている。また、トランジスタ
Q3は出力トランジスタで、ベースは抵抗R9を介
してトランジスタQ2のコレクタに接続され、コ
レクタは抵抗R10,R8を介して電源側に接続さ
れ、エミツタは接地されている。 FIG. 3 shows a circuit according to an embodiment of the present invention, in which 4 is an oscillation circuit, L 1 is an oscillation coil, and C 1
C3 is a capacitor, R1 and R2 are resistors, and these elements constitute a well-known Hartley type oscillation circuit. Further, 5 is a detection circuit, and L 2 constituting this detection circuit 5 is a detection coil that forms a resonant circuit together with a capacitor C 5 . Q 2 is a detection transistor, and one end of a resonant circuit consisting of the detection coil L 2 and capacitor C 5 is connected to the base of this transistor Q 2 , and the other end of this resonant circuit is connected to a diode D 1 and a resistor R 8 . A power supply voltage +V is applied through the resistor R11, and the other end is connected to the other end of a resistor R11 whose one end is grounded. Also, the emitter of transistor Q 2 has a resistor R 4 ,
A voltage divided by R 5 is applied, and a parallel circuit of a resistor F 6 and a capacitor C 4 is connected between the collector and ground. On the other hand, a capacitor C6 is inserted between the connection point of the detection coil L2 and the diode D1 and the emitter, and the diode D1 is forward-biased to the base of the transistor Q2 . Also, transistor
Q3 is an output transistor whose base is connected to the collector of transistor Q2 via resistor R9 , whose collector is connected to the power supply side via resistors R10 and R8 , and whose emitter is grounded.
第4図は各部の電圧波形を示す。イは発振コイ
ルL1による発振電圧VL1、ロは検出コイルL2に誘
起される電圧VL2,ハは検波後の包絡線電圧VR6、
ニは出力パルスを示す。 FIG. 4 shows voltage waveforms at various parts. A is the oscillation voltage V L1 caused by the oscillation coil L 1 , B is the voltage V L2 induced in the detection coil L 2 , C is the envelope voltage V R6 after detection,
D indicates the output pulse.
次に動作について説明する。 Next, the operation will be explained.
スリツト付の金属円板で振巾変調された誘起電
圧VL2はスレツシユホールド電圧VTH(電源電圧の
分割電圧VR4+トランジスタQ2のベースエミツタ
間電圧)にて検波増巾されて、トランジスタQ2
のコレクタ側に現われる。この電圧はコンデンサ
C4により平滑され、包絡線波形電圧VR6を得る。
この電圧VR6で、出力トランジスタQ3をドライブ
せしめ、そのコレクタ側にパルス電圧を出力す
る。ところで電源電圧が変動(増加したとする)
すれば、包絡線波形電圧VR6も変化し、電源電圧
が変動した場合は、第4図においてロに示す誘起
電圧VLの振幅はそれに伴つて大きくなつてしま
う。この状態においてスレツシユホールド電圧
VTHが実線ないし破線で示すように依然として一
定であれば、出力パルス波形の立下りは破線
A′で示すようになり、矩形波のパルスの立下り
位相が変化するものである。 The induced voltage V L2 amplitude-modulated by a metal disk with a slit is detected and amplified by the threshold voltage V TH (divided voltage V R4 of the power supply voltage + base-emitter voltage of transistor Q 2 ), and then the voltage is amplified by the threshold voltage V TH (divided voltage V R4 of power supply voltage + base-emitter voltage of transistor Q 2). 2
Appears on the collector side of This voltage is applied to the capacitor
It is smoothed by C4 to obtain an envelope waveform voltage V R6 .
This voltage V R6 drives the output transistor Q 3 and outputs a pulse voltage to its collector side. By the way, if the power supply voltage fluctuates (assuming it increases)
Then, the envelope waveform voltage V R6 also changes, and when the power supply voltage fluctuates, the amplitude of the induced voltage V L shown in B in FIG. 4 increases accordingly. In this state, the threshold voltage
If V TH remains constant as shown by the solid or dashed line, the falling edge of the output pulse waveform will follow the dashed line.
As shown by A', the falling phase of the square wave pulse changes.
しかるに本考案においては、トランジスタQ2
に抵抗R4,R5を介して分割電圧が加えられてい
るので、電源電圧が変化した場合、その変化分は
電圧VR4にも現われ、この電圧はトランジスタQ2
のエミツタに加わるので、スレツシユホールド電
圧も第4図ロにおいて実線Bで示すように、電源
電圧に応じて変化するため、出力パルスのエツジ
もそれに追従してB′のようになり、出力パルス
の位相変化を小さくすることができるものであ
る。なお、出力は抵抗R10を通して正帰還されて
おり、回路のスイツチング動作に若干のヒステリ
シスがつけられている。また、第3図において、
コンデンサC6は差動動作構成素子による信号レ
ベル低下を避けるための高周波バイパス用のもの
である。更に、コンデンサC7は残留高周波が出
力に現われないようにするためのものである。ま
た、ダイオードD1はトランジスタQ2のベース・
エミツタ間の温度補償を行い、かつ電源変動時の
トランジスタQ2のベース電位を定電圧に保ち、
変動分がトランジスタQ2のベース・エミツタ間
にバイアスされるように働くものである。 However, in the present invention, the transistor Q 2
Since a divided voltage is applied to the voltage via the resistors R 4 and R 5 , when the power supply voltage changes, the change also appears in the voltage V R4 , and this voltage is applied to the transistor Q 2
Since the threshold voltage also changes according to the power supply voltage, as shown by the solid line B in Figure 4B, the edge of the output pulse follows it and becomes B', and the output pulse It is possible to reduce the phase change. Note that the output is positively fed back through the resistor R10 , and a slight hysteresis is added to the switching operation of the circuit. Also, in Figure 3,
Capacitor C6 is for high frequency bypass to avoid signal level reduction due to differential operation components. Furthermore, capacitor C7 is to prevent residual high frequencies from appearing at the output. Also, diode D1 is connected to the base of transistor Q2 .
It performs temperature compensation between emitters and maintains the base potential of transistor Q2 at a constant voltage during power supply fluctuations.
This serves to bias the variation between the base and emitter of transistor Q2 .
なお、上記において共振回路としては第5図に
示すものを用いることも可能である。 In addition, in the above, it is also possible to use the one shown in FIG. 5 as the resonant circuit.
以上の通り安価で、かつ比較的少ない回路素子
を用いて構成された本考案によれば、電源電圧が
変動した場合、発振電圧VL1は変化し、かつそれ
に伴つて検出電圧VL2も変化するが、この場合、
それに追従してスレツシユホールド電圧を変化せ
しめるようにしたから、パルス位相の変化を補償
できるという優れた効果を有するものである。 As described above, according to the present invention, which is inexpensive and configured using a relatively small number of circuit elements, when the power supply voltage fluctuates, the oscillation voltage V L1 changes, and the detection voltage V L2 changes accordingly. But in this case,
Since the threshold voltage is changed accordingly, it has an excellent effect of being able to compensate for changes in the pulse phase.
第1図イ,ロは近接スイツチの一般構成を示す
説明図、第2図は従来の検波回路例、第3図は本
考案の検波回路、第4図は同上の動作説明図であ
り、イは発振電圧VL1、ロは検出電圧VL2、ハは
包絡線検波電圧VR6、ニは出力パルス、第5図は
共振回路の他の実施例を示す。
5……検波回路、Q1〜Q3……トランジスタ、
L1……発振コイル、L2……検出コイル、D1……
ダイオード、R1〜R11……抵抗、C1〜C7……コン
デンサ。
1A and 1B are explanatory diagrams showing the general configuration of a proximity switch, FIG. 2 is an example of a conventional detection circuit, FIG. 3 is a detection circuit of the present invention, and FIG. 4 is an explanatory diagram of the same operation. is the oscillation voltage V L1 , B is the detection voltage V L2 , C is the envelope detection voltage V R6 , D is the output pulse, and FIG. 5 shows another embodiment of the resonant circuit. 5...Detection circuit, Q1 to Q3 ...Transistor,
L 1 ...Oscillation coil, L 2 ...Detection coil, D 1 ...
Diode, R 1 to R 11 ... Resistor, C 1 to C 7 ... Capacitor.
Claims (1)
辺に多数のスリツトを有する回転円板を介して、
前記磁界を検波回路を構成する検出コイルL2に
依つて誘起電圧を検出する近接スイツチにおい
て、検波回路側の共振回路を形成する検出コイル
L2の一端をトランジスタQ2のベースに接続し、
かつ該検出コイルの他端を、ベースに対して順方
向となるように配置したダイオードD1を介して
電源側に接続し、電源側と接地側との間に抵抗
R4,R5を直列接続し、両抵抗の接続点を、トラ
ンジスタQ2のエミツタに接続し、コレクタと接
地点に抵抗R6を接続すると共に、前記共振回路
とダイオードD1との接続点とトランジスタQ2の
エミツタ間にコンデンサC6を接続し、かつトラ
ンジスタQ2のコレクタを出力トランジスタQ3の
ベースに接続し、該出力トランジスタQ3の出力
側にて矩形波パルスを取り出すように構成した近
接スイツチにおける検波回路。 A high-frequency magnetic field is generated by the oscillation coil L1 , and is transmitted through a rotating disk with many slits around the periphery.
In the proximity switch that detects the induced voltage using the detection coil L2 that constitutes the detection circuit for the magnetic field, the detection coil that forms the resonant circuit on the detection circuit side.
Connect one end of L 2 to the base of transistor Q 2 ,
The other end of the detection coil is connected to the power supply side through a diode D1 placed in the forward direction with respect to the base, and a resistor is connected between the power supply side and the ground side.
R 4 and R 5 are connected in series, the connection point between both resistors is connected to the emitter of transistor Q 2 , the collector and ground point are connected to resistor R 6 , and the connection point between the resonant circuit and diode D 1 is connected to the emitter of transistor Q 2 . A capacitor C6 is connected between the emitter of the transistor Q2 and the collector of the transistor Q2 is connected to the base of the output transistor Q3 , and a square wave pulse is extracted at the output side of the output transistor Q3 . Detection circuit in a proximity switch.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7074282U JPS58172237U (en) | 1982-05-12 | 1982-05-12 | Detection circuit in proximity switch |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7074282U JPS58172237U (en) | 1982-05-12 | 1982-05-12 | Detection circuit in proximity switch |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58172237U JPS58172237U (en) | 1983-11-17 |
JPH0224286Y2 true JPH0224286Y2 (en) | 1990-07-03 |
Family
ID=30080393
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7074282U Granted JPS58172237U (en) | 1982-05-12 | 1982-05-12 | Detection circuit in proximity switch |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58172237U (en) |
-
1982
- 1982-05-12 JP JP7074282U patent/JPS58172237U/en active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS58172237U (en) | 1983-11-17 |
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