JPH02226528A - Optical disk - Google Patents

Optical disk

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JPH02226528A
JPH02226528A JP1044550A JP4455089A JPH02226528A JP H02226528 A JPH02226528 A JP H02226528A JP 1044550 A JP1044550 A JP 1044550A JP 4455089 A JP4455089 A JP 4455089A JP H02226528 A JPH02226528 A JP H02226528A
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JP
Japan
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film
oxide
substrate
transparent dielectric
dielectric film
Prior art date
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JP1044550A
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Japanese (ja)
Inventor
Keizo Kinoshita
啓藏 木下
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPH02226528A publication Critical patent/JPH02226528A/en
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Abstract

PURPOSE:To reduce noise in a regenerated signal by providing a mixed dielectric film having almost the same refractive index as that of a substrate on the substrate, and forming a prescribed irregular pattern on the film. CONSTITUTION:A mixed transparent dielectric film 2 having almost the same refractive index as that of a glass substrate 1 is formed on the substrate 1. Next, a pattern corresponding to encoded recording information is formed on the film 2. Next, a reflection film 3 is formed on the pattern, and a protection film 4 is provided on the film 3. Thereby, the double refraction of a readout laser beam generated by difference between the substrate 1 and the film 2 can be eliminated, and the noise in the regenerated signal can be reduced.

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は光ディスクに関するものである。[Detailed description of the invention] (Industrial application field) The present invention relates to an optical disc.

(従来の技術) 従来のガラス基板上に透明誘電体膜を形成し、該透明誘
電体膜上に符号化した記録情報に対応する凹凸パターン
より成るビットを形成した光ディスクとしては、例えば
特開昭59−210547号公報に開示されている構成
のものがあり、その構成は第3図に示す如きものである
。すなわち、ガラス基板1上に酸化珪素膜9を有し、前
記酸化珪素膜9上に光メモリー素子用の凹凸パターンを
有し、その上面に光メモリー用媒体8(コンパクトディ
スク等では反射膜)を有し、その上面を保護膜で覆った
構成である。
(Prior Art) As an optical disk in which a transparent dielectric film is formed on a conventional glass substrate, and bits consisting of a concavo-convex pattern corresponding to recorded information encoded on the transparent dielectric film are formed, for example, There is a structure disclosed in Japanese Patent No. 59-210547, and the structure is as shown in FIG. That is, a silicon oxide film 9 is provided on a glass substrate 1, a concavo-convex pattern for an optical memory element is provided on the silicon oxide film 9, and an optical memory medium 8 (reflective film for compact discs, etc.) is provided on the upper surface. It has a structure in which the upper surface is covered with a protective film.

次にその製法を、図面を参照して説明する。なお第4図
(a)〜(d)は、工程順に示した光ディスクの半径方
向の断面図である。
Next, the manufacturing method will be explained with reference to the drawings. Note that FIGS. 4(a) to 4(d) are radial cross-sectional views of the optical disk shown in the order of steps.

まず、第4図(a)にあるように、ガラス基板1上に酸
化珪素膜9を形成し、酸化珪素膜9上にホトレジスト膜
5を塗布し、前記ホトレジスト膜5を露光現像すること
により、光メモリ素子用の溝と同一の幅を持つ線または
断続線をパターン化する。
First, as shown in FIG. 4(a), a silicon oxide film 9 is formed on a glass substrate 1, a photoresist film 5 is applied on the silicon oxide film 9, and the photoresist film 5 is exposed and developed. Pattern lines or discontinuous lines with the same width as the grooves for the optical memory element.

次に、第4図(b)にあるように、CF 、 CHF3
等の反応性ガスプラズマ6中でエツチングを行い、酸化
珪素膜9上に凹凸状の溝を形成する。
Next, as shown in Figure 4(b), CF, CHF3
Etching is performed in a reactive gas plasma 6 such as the like to form uneven grooves on the silicon oxide film 9.

次に、第4図(e)にあるように、前記ホトレジスト膜
5をアセトンなどの溶媒あるいは、酸素ガスプラズマ7
によるスパッタリングで除去し酸化珪素膜9上に溝を残
す。
Next, as shown in FIG. 4(e), the photoresist film 5 is coated with a solvent such as acetone or oxygen gas plasma 7.
The silicon oxide film 9 is removed by sputtering to leave a groove on the silicon oxide film 9.

次に、第4図(d)にあるように、前記溝を形成した酸
化珪素膜9上に光メモリー用媒体8を形成し、その上面
を保護膜4で覆い光ディスクとする方法である。光メモ
リー用媒体8の代わりにコンパクトディスク等では、反
射膜を形成する場合もある。
Next, as shown in FIG. 4(d), an optical memory medium 8 is formed on the silicon oxide film 9 in which the grooves have been formed, and its upper surface is covered with a protective film 4 to form an optical disk. Instead of the optical memory medium 8, a reflective film may be formed on a compact disk or the like.

(発明が解決しようとする課題) 上述した従来の光ディスクでは、ガラス基板状に酸化珪
素膜を形成している。この構造は、ガラス中のアルカリ
金属が、反射膜あるいは光メモリー用媒体へ拡散するこ
とを防ぎそれによって生じる腐食を抑えるため、光ディ
スクの長期信頼性を上げるには効果的な構造である。し
かし、本発明者の研究によれば実際に光ディスクからの
情報を読み出す場合、読み出しレーザ光の複屈折による
、再生信号中のノイズが非常に多くなるという問題点が
あることが明かとなった。これは前記公知例(特開昭5
9−210547号公報)で述べられている他の誘電体
膜(例えばSi3N4、AIN、 MgFの膜)を用い
た場合も同様であった。
(Problems to be Solved by the Invention) In the conventional optical disc described above, a silicon oxide film is formed on a glass substrate. This structure prevents the alkali metal in the glass from diffusing into the reflective film or optical memory medium and suppresses the resulting corrosion, so it is an effective structure for increasing the long-term reliability of the optical disk. However, research by the present inventors has revealed that when actually reading information from an optical disk, there is a problem in that noise in the reproduced signal becomes extremely large due to birefringence of the read laser beam. This is the above-mentioned known example (Japanese Unexamined Patent Publication No. 5
The same results were obtained when other dielectric films (for example, Si3N4, AIN, and MgF films) described in Japanese Patent No. 9-210547 were used.

本発明の目的は、透明基板と透明誘電体膜の屈折率の差
によって発生する。読みだしレーザ光の複屈折を除去し
、再生信号中のノイズを低減することのできる光ディス
クを提供することにある。
The object of the present invention is caused by the difference in refractive index between a transparent substrate and a transparent dielectric film. An object of the present invention is to provide an optical disc that can eliminate birefringence of a read laser beam and reduce noise in a reproduced signal.

(課題を解決するための手段) 本発明の光ディスクは、基板上に、基板とほぼ同じ屈折
率を有する混合透明誘電体膜を有し、前記混合透明体膜
上に、符号化した記録情報に対応するパターン、または
情報記録のためのパターンを形成した構造を有し、前記
パターン上に反射膜または光メモリー用媒体を有し、前
記反射膜または光メモリー用媒体上に保護膜を有してい
る。ここで、透明誘電体膜として、酸化チタンあるいは
、酸化アルミニウムあるいは、窒化チタンあるいは、窒
化珪素あるいは、酸化マグネシウムあるいは、酸化錫あ
るいは、酸化ランタンあるいは、酸化インジウムあるい
は、酸化ジルコニウムあるいは、酸化ビスマスあるいは
、酸化セリウムあるいは、酸化アンチモンのうちの少な
くとも一つと酸化珪素と混合してなる混合透明誘電体膜
を用いることもできる。
(Means for Solving the Problems) The optical disc of the present invention has a mixed transparent dielectric film on a substrate having approximately the same refractive index as the substrate, and encoded recording information is provided on the mixed transparent film. It has a structure in which a corresponding pattern or a pattern for recording information is formed, a reflective film or an optical memory medium is provided on the pattern, and a protective film is provided on the reflective film or the optical memory medium. There is. Here, as the transparent dielectric film, titanium oxide, aluminum oxide, titanium nitride, silicon nitride, magnesium oxide, tin oxide, lanthanum oxide, indium oxide, zirconium oxide, bismuth oxide, or A mixed transparent dielectric film formed by mixing silicon oxide with at least one of cerium or antimony oxide can also be used.

(作用) 本発明の構造を有する光ディスクでは、基板材料とその
上面に形成した混合透明誘電体膜との間に屈折率の差が
ないため、屈折率の差による読みだしレーザ光の複屈折
が起こりにくく、再生信号中のノイズが従来の製品と比
較して低減されている。
(Function) In the optical disk having the structure of the present invention, since there is no difference in refractive index between the substrate material and the mixed transparent dielectric film formed on the upper surface thereof, birefringence of the read laser beam due to the difference in refractive index is reduced. This is less likely to occur, and the noise in the reproduced signal is reduced compared to conventional products.

(実施例) 次に本発明の実施例について図面を参照して説明する。(Example) Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

第1図は本発明による光ディスクの実施例の、半径方向
の断面図である。本発明による光ディスクは、厚さ1.
2mmのガラス基板1の上面に幅0.5pm、長さ0.
9〜3.3pm、深さ0.11pmの所定の符号化記録
情報のパターンを有する、酸化珪素と酸化チタンからな
る厚さ0.3μmの混合透明誘電体膜2を有し、その上
面に厚さ0.15pmの反射膜3を有し、その上面を厚
さ2pmの保護膜4で覆った構造を有している。
FIG. 1 is a radial cross-sectional view of an embodiment of an optical disc according to the invention. The optical disc according to the present invention has a thickness of 1.
A width of 0.5 pm and a length of 0.5 pm are formed on the top surface of a 2 mm glass substrate 1.
It has a mixed transparent dielectric film 2 with a thickness of 0.3 μm made of silicon oxide and titanium oxide and has a pattern of predetermined encoded recording information of 9 to 3.3 pm and a depth of 0.11 pm. It has a structure in which it has a reflective film 3 with a thickness of 0.15 pm, and its upper surface is covered with a protective film 4 with a thickness of 2 pm.

以下、前述の本発明による光ディスクについて、第2図
(a)〜(Dを用いて更に詳細に説明する。第2図(a
)〜(0は本発明の詳細な説明するための、工程順に示
した光ディスクの半径方向の断面図である。
Hereinafter, the above-described optical disc according to the present invention will be explained in more detail using FIGS. 2(a) to (D).
) to (0 are radial cross-sectional views of an optical disk shown in the order of steps for detailed explanation of the present invention.

まず、第2図(a)に示すように、ガラス基板1の上に
酸化珪素と酸化チタンからなる混合透明誘電体膜2を、
膜厚0.3pm形成する。その際、混合透明誘電体膜2
中の酸化珪素と酸化チタンの混合比を変化させて、形成
した混合透明誘電体膜2の屈折率がガラス基板の屈折率
とほぼ同じになるように調整した。本実施例におけるガ
ラス基板の屈折率は波長0.5911mで1.6、酸化
珪素、酸化チタンの屈折率は、日本学術振興会薄膜第1
31委員会編、“薄膜ハンドブック″、オーム社、19
83年、824ページに開示されるように、波長0.5
5pmでそれぞれ1.45と2.0〜2.7である。前
記混合透明誘電体膜2の形成には、2本の電子ビームを
それぞれ酸化珪素及び酸化チタンに同時に照射すること
のできる電子ビーム蒸着装置を用いて、共蒸着法を行う
。蒸着条件は到達真空度3X10  Pa、酸化珪素に
対するエミッション電!80mA、酸化チタンに対する
エミッション電流30mA、蒸着時の基板温度70°C
である。膜形成の結果、酸化珪素と酸化チタンに換算し
て重量比が、約7=3であり、その時の膜の屈折率は1
.59である。
First, as shown in FIG. 2(a), a mixed transparent dielectric film 2 made of silicon oxide and titanium oxide is placed on a glass substrate 1.
A film with a thickness of 0.3 pm is formed. At that time, mixed transparent dielectric film 2
By changing the mixing ratio of silicon oxide and titanium oxide therein, the refractive index of the formed mixed transparent dielectric film 2 was adjusted to be approximately the same as the refractive index of the glass substrate. The refractive index of the glass substrate in this example is 1.6 at a wavelength of 0.5911 m, and the refractive index of silicon oxide and titanium oxide is
31 Committee, “Thin Film Handbook”, Ohmsha, 19
As disclosed in 1983, page 824, wavelength 0.5
At 5 pm, they are 1.45 and 2.0-2.7, respectively. To form the mixed transparent dielectric film 2, a co-evaporation method is performed using an electron beam evaporation apparatus capable of simultaneously irradiating silicon oxide and titanium oxide with two electron beams. The deposition conditions were an ultimate vacuum of 3 x 10 Pa, and an emission charge for silicon oxide! 80mA, emission current for titanium oxide 30mA, substrate temperature during deposition 70°C
It is. As a result of film formation, the weight ratio of silicon oxide and titanium oxide is approximately 7=3, and the refractive index of the film is 1.
.. It is 59.

また共スパッタリング法を行う場合は、アルゴン圧力0
.4Paで、酸化珪素ターゲット上に、酸化チタンを置
く。その際、酸化珪素露出部と酸化チタン設置部分の面
積比が7=3になるようにする。生成する混合透明誘電
体膜は、共蒸着法の場合とほぼ同じ屈折率を有し、組成
比もほぼ同じである。
In addition, when performing the co-sputtering method, the argon pressure is 0.
.. Titanium oxide is placed on the silicon oxide target at 4 Pa. At this time, the area ratio of the silicon oxide exposed part and the titanium oxide installed part is set to 7=3. The mixed transparent dielectric film produced has approximately the same refractive index and composition ratio as that obtained by co-evaporation.

次に、第2図(b)に示すように、混合透明誘電体膜2
の上に、ノボラック樹脂を主成分とするホトレジスト(
例えば、ヘキスト社製、AZ1350をシンナーで希釈
したホトレジスト)膜を0.1〜0.2μmの厚さに塗
布し、これを露光現像して、記録すべき符号化情報に対
応したパターンを有するホトレジスト膜5を形成する。
Next, as shown in FIG. 2(b), the mixed transparent dielectric film 2
On top of this, a photoresist (based on novolak resin) is applied.
For example, a photoresist film made by diluting AZ1350 (manufactured by Hoechst Co., Ltd.) with thinner is coated to a thickness of 0.1 to 0.2 μm, and this is exposed and developed to produce a photoresist film having a pattern corresponding to the encoded information to be recorded. A film 5 is formed.

次に、第2図(C)に示すように、反応性ガスによるプ
ラズマ6を用いて反応性イオンエツチングを行い、混合
透明誘電体膜2を所定の深さだけエツチングする。エツ
チング条件は反応性ガスとしてCFを用いた場合、CF
4ガス圧4.5Pa、投入電力100Wである。
Next, as shown in FIG. 2C, reactive ion etching is performed using plasma 6 of reactive gas to etch the mixed transparent dielectric film 2 to a predetermined depth. When using CF as the reactive gas, the etching conditions are as follows: CF
4 gas pressure was 4.5 Pa, and input power was 100 W.

次に、第2図(d)に示すように、酸素ガスプラズマ7
を用いてホトレジスト膜5を灰化、剥離を行う。
Next, as shown in FIG. 2(d), oxygen gas plasma 7
The photoresist film 5 is incinerated and peeled off using the following method.

灰化条件は、酸素ガス圧力4.0Pa、投入電力100
Wである。
Ashing conditions are oxygen gas pressure 4.0 Pa, input power 100
It is W.

次に、第2図(e)に示すように、アルミニウムからな
る反射膜3を0.1511mの厚さに形成する。アルミ
ニウム膜の形成には、電子ビーム蒸着法を用い、蒸着条
件は到達真空度3X10  Pa、エミッション電流8
5mA、蒸着時の基板温度70°Cである。
Next, as shown in FIG. 2(e), a reflective film 3 made of aluminum is formed to a thickness of 0.1511 m. Electron beam evaporation was used to form the aluminum film, and the evaporation conditions were an ultimate vacuum of 3 x 10 Pa and an emission current of 8.
5 mA, and the substrate temperature during vapor deposition was 70°C.

次に、第2図(Oに示すように、反射膜3の形成された
ガラス基板1及び混合透明誘電体膜2からなる面に、酸
化珪素からなる保護膜4を、2pmの厚さに形成し光デ
ィスクを構成する。前記保護膜4の形成にはスパッタリ
ング法を用い、その条件はアルゴン圧力0.5Pa、投
入電力400Wである。
Next, as shown in FIG. A sputtering method was used to form the protective film 4, and the conditions were an argon pressure of 0.5 Pa and an input power of 400 W.

本発明者の研究によると、上述の本発明の手順で製作さ
れた光ディスクは、従来の技術を用いて製作された光デ
ィスクと比較して、ノイズが約5dB減少し、本発明の
有効性を示した。
According to research conducted by the present inventor, the noise of optical discs manufactured using the above-mentioned procedure of the present invention is reduced by approximately 5 dB compared to optical discs manufactured using conventional techniques, demonstrating the effectiveness of the present invention. Ta.

なお、本実施例では基板としてガラス基板を用いた例を
述べたが、その際ガラスの組成は任意であり、透明なガ
ラス基板であれば何を用いてもよい。酸化珪素基板を用
いることも可能である。さらに基板として透明樹脂基板
を用いることも可能である。その際は、予め透明樹脂基
板全面を前記混合透明誘電体膜2と同じ組成の混合透明
誘電体膜で被膜した後、本発明を実施することが望まし
い。ただし、いずれの基板を用いる場合も、混合透明誘
電体膜2の組成を、その使用基板の屈折率にほぼ等しく
なるように決める必要がある。各種の透明基板を用い、
酸化珪素と酸化チタンを混合透明誘電体膜2の原料とし
た場合の混合重量比を表にして示す。
In this embodiment, an example was described in which a glass substrate was used as the substrate, but in that case, the composition of the glass is arbitrary, and any transparent glass substrate may be used. It is also possible to use a silicon oxide substrate. Furthermore, it is also possible to use a transparent resin substrate as the substrate. In that case, it is desirable to apply the present invention after coating the entire surface of the transparent resin substrate with a mixed transparent dielectric film having the same composition as the mixed transparent dielectric film 2. However, no matter which substrate is used, the composition of the mixed transparent dielectric film 2 must be determined to be approximately equal to the refractive index of the substrate used. Using various transparent substrates,
The mixing weight ratio when silicon oxide and titanium oxide are used as raw materials for the mixed transparent dielectric film 2 is shown in a table.

・強化ガラス基板 ・樹脂基板 また、本実施例ではガラス基板1と屈折率のほぼ等しい
混合透明誘電体膜2の構成として、酸化珪素と酸化チタ
ンを用いた例を述べたが、これら以外の誘電体(例えば
アルミニウム、酸化タンタル、窒化珪素、窒化アルミニ
ウム、酸化マグネシウム、酸化錫、酸化ランタン、酸化
インジウム、酸化ジルコニウム、酸化ビスマス、酸化セ
リウム、酸化アンチモンのうち少なくとも1つ)と酸化
珪素を組み合せて構成してもよい。混合する誘電体とし
て窒化珪素(屈折率が1.85のもの)を用いたときの
混合重量比を表にして示す。
・Reinforced glass substrate ・Resin substrate Also, in this example, an example was described in which silicon oxide and titanium oxide were used as the composition of the mixed transparent dielectric film 2 having almost the same refractive index as the glass substrate 1, but other dielectrics other than these were described. (for example, at least one of aluminum, tantalum oxide, silicon nitride, aluminum nitride, magnesium oxide, tin oxide, lanthanum oxide, indium oxide, zirconium oxide, bismuth oxide, cerium oxide, and antimony oxide) and silicon oxide. You may. The mixing weight ratio when silicon nitride (having a refractive index of 1.85) is used as the dielectric material to be mixed is shown in a table.

また、本実施例における酸化珪素と酸化チタンの重量比
は、成膜条件、成膜法により屈折率が変化する場合もあ
るので、この値に限定されるものではない。酸化珪素と
窒化珪素を用いた場合も同様である。上記実施例では、
酸化珪素と1種類の誘電体を混合しているが、2種類以
上と混合しても有効である。また本実施例における反応
性ガスによるプラズマ6の反応性ガスとしてはCFを用
いたが、CHF3、SF6、CI□、CCl4、CO,
co2等を用いてもよい。さらに、本実施例においては
、反射膜3としてアルミニウムを用いた場合の例を述べ
たが、これは他の反射率の高い材料(例えば鋼、ステン
レス、ニッケル、窒化チタン等)でもよい。また、混合
透明誘電体膜2上に、磁気光学効果を利用して情報の記
録再生を行ったりあるいは、材料の相変化を利用して情
報の記録再生を行う光メモリー用媒体を形成する場合も
、ノイズの低減される本発明の光ディスクの構造は有効
である。
Further, the weight ratio of silicon oxide and titanium oxide in this example is not limited to this value since the refractive index may change depending on the film forming conditions and film forming method. The same applies when silicon oxide and silicon nitride are used. In the above example,
Although silicon oxide and one type of dielectric are mixed, it is also effective to mix two or more types. Furthermore, although CF was used as the reactive gas of the reactive gas plasma 6 in this example, CHF3, SF6, CI□, CCl4, CO,
CO2 or the like may also be used. Further, in this embodiment, an example was described in which aluminum was used as the reflective film 3, but other materials with high reflectance (for example, steel, stainless steel, nickel, titanium nitride, etc.) may be used. Furthermore, an optical memory medium may be formed on the mixed transparent dielectric film 2 to record and reproduce information using the magneto-optic effect, or to record and reproduce information by utilizing the phase change of the material. The structure of the optical disc of the present invention, which reduces noise, is effective.

(発明の効果) 以上述べてきたように、本発明の光デイスク構成によれ
ば、基板とほぼ等しい屈折率を有する混合透明誘電体膜
上に所定の凹凸パターンを形成するため、従来の製造方
法アルカリ金属の拡散を防ぐという利点を損なう事なく
、再生信号中のノイズを、大きく低減した光ディスクが
実現される。
(Effects of the Invention) As described above, according to the optical disk configuration of the present invention, a predetermined uneven pattern is formed on a mixed transparent dielectric film having a refractive index almost equal to that of the substrate, so that it is possible to form a predetermined uneven pattern using a conventional manufacturing method. An optical disc can be realized in which the noise in the reproduced signal is greatly reduced without sacrificing the advantage of preventing the diffusion of alkali metals.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、本発明の光ディスクの構造を説明するための
、光ディスクの半径方向の断面図である。 第2図(a)〜(0は、本発明の詳細な説明するための
、工程順に示した光ディスクの半径方向の断面図である
。第3図は、従来の技術による光ディスクの構造を説明
するための、光ディスクの半径方向の断面図である。第
4図(a)〜(d)は従来の光ディスクの製造方法を説
明するための、工程順に示した光ディスクの半径方向の
新面図である。 図中、1・・・ガラス基板、2・・・混合透明誘電体膜
、3・・・反射膜、4・・・保護膜、5・・・ホトレジ
スト膜、6・・・反応性ガスプラズマ、7・・・酸素ガ
スプラズマ、8・・・光メモリー用媒体、9・・・酸化
珪素膜である。
FIG. 1 is a radial cross-sectional view of an optical disc for explaining the structure of the optical disc of the present invention. FIGS. 2(a) to (0) are radial cross-sectional views of an optical disc shown in the order of steps to explain the present invention in detail. FIG. 3 is a diagram illustrating the structure of an optical disc according to a conventional technique. Fig. 4(a) to (d) are new views of the optical disc in the radial direction shown in the order of steps for explaining the conventional optical disc manufacturing method. In the figure, 1... Glass substrate, 2... Mixed transparent dielectric film, 3... Reflective film, 4... Protective film, 5... Photoresist film, 6... Reactive gas plasma. , 7... Oxygen gas plasma, 8... Optical memory medium, 9... Silicon oxide film.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)基板上に基板とほぼ同じ屈折率を有する混合透明
誘電体膜を有し、前記混合透明誘電体膜上に、符号化し
た記録情報に対応するパターン、または情報記録のため
のパターンを形成した構造を有し、前記パターン上に反
射膜または光メモリー用媒体を有し、前記反射膜または
、光メモリー用媒体上に保護膜を有することを特徴とす
る光ディスク。
(1) A mixed transparent dielectric film having approximately the same refractive index as the substrate is provided on the substrate, and a pattern corresponding to encoded recording information or a pattern for information recording is formed on the mixed transparent dielectric film. What is claimed is: 1. An optical disc comprising: a reflective film or an optical memory medium on the pattern; and a protective film on the reflective film or the optical memory medium.
(2)特許請求範囲第(1)項記載の、混合透明誘電体
膜として、酸化チタンあるいは、酸化アルミニウムある
いは、窒化チタンあるいは、窒化珪素あるいは、酸化マ
グネシウムあるいは、酸化錫あるいは、酸化ランタンあ
るいは、酸化インジウムあるいは、酸化ジルコニウムあ
るいは、酸化ビスマスあるいは、酸化セリウムあるいは
、酸化アンチモンのうちの少なくとも一つを酸化珪素と
混合してなる混合透明誘電体膜を用いる光ディスク。
(2) The mixed transparent dielectric film described in claim (1) may be made of titanium oxide, aluminum oxide, titanium nitride, silicon nitride, magnesium oxide, tin oxide, lanthanum oxide, or An optical disk using a mixed transparent dielectric film formed by mixing at least one of indium, zirconium oxide, bismuth oxide, cerium oxide, or antimony oxide with silicon oxide.
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