JPH02223942A - Picture reader - Google Patents

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JPH02223942A
JPH02223942A JP1045606A JP4560689A JPH02223942A JP H02223942 A JPH02223942 A JP H02223942A JP 1045606 A JP1045606 A JP 1045606A JP 4560689 A JP4560689 A JP 4560689A JP H02223942 A JPH02223942 A JP H02223942A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
photoelectric conversion
etfel
layer
light source
Prior art date
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Pending
Application number
JP1045606A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yoshihiko Machida
町田 佳彦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
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Publication of JPH02223942A publication Critical patent/JPH02223942A/en
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Abstract

PURPOSE:To improve resolution and S/N without impairing low costs and compactness by employing a thin electroluminescence element ETFEL of an end face light emission type as a light source. CONSTITUTION:A photoelectric conversion element 111 is composed of a lower electrode 102, a photoconductive layer 103, and an upper transparent electrode 104; plural photoelectric conversion elements 111 are arranged perpendicular to the surface of a paper; an illumination window 121 is formed with material with same as a lower electrode layer. The ETFEL 121 as the light source is bonded with an optical adhesive 122 of a refraction factor almost the same degree as that of an insulating transparent substrate, on the opposite side of the element surface of the insulating transparent substrate 101. Illumination light 123 emitted from the ETFEL 121 is made incident on the original surface 141 via the optical adhesive 122, the insulating transparent substrate 101, and the illumination window 131. Since the light from the EFFEL has sharp directivity, a higher illuminance is obtained on the original surface. Thus, resolution, sensitivity, S/N in reading can be improved without impairing low costs and compactness.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明はファクシミリ、デジタル複写機、イメージスキ
ャナー等の画像読み取りを行う部分の光学系の構成に関
する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application Field] The present invention relates to the structure of an optical system in a part of a facsimile machine, digital copying machine, image scanner, etc. that performs image reading.

[従来の技術] 原稿と同じ長さの画素列長を有するいわゆる密着型イメ
ージセンサ−を用いて画像を読み取る方法には、自己集
束性ロッド1/ンズアレイを用いて結像した等倍像を読
み取るものと、原稿面に光電変換素子を近接させ原稿面
での反射光を結像させることなく直接読み取るものとあ
る。どちらも縮小型の光学系を用いるものに比べ非常に
光路長が短く原稿面からの反射光の利用率が高いため、
コンパクトに明るい光学系を構成することが可能で、フ
ァクシミリや各種の画像入力装置への応用が期待されて
いる。特に後者は結像させるための光学素子を必要とせ
ず、前者に比べ低コスト化が可能であり、−層装置をコ
ンパクトに構成することが可能であるという点で画像読
み取り装置の応用範囲を広げるものとして期待されてい
る。
[Prior Art] A method of reading an image using a so-called contact type image sensor having a pixel row length that is the same as that of a document involves reading a same-magnification image formed using a self-focusing rod 1/lens array. There are two types: one in which a photoelectric conversion element is brought close to the original surface and the reflected light from the original surface is directly read without forming an image. Both have a much shorter optical path length than those that use a reduction type optical system, and the utilization rate of reflected light from the document surface is high.
It is possible to construct a compact and bright optical system, and is expected to be applied to facsimiles and various image input devices. In particular, the latter does not require an optical element for image formation, making it possible to lower costs compared to the former, and expanding the range of applications of image reading devices in that it is possible to configure the layer device compactly. It is expected as such.

第2図にこの原稿面からの反射光を直接読み取る方式の
光学系の一例を示す。同図に於て光電変換素子211は
下部電極202、光導電層203と透明上部電極204
により構成され、紙面に垂直な方向に多数配列されてい
るものとする。該光電変換素子中には照明窓231が設
;、プられており、光源221からの照明光223は該
絶縁性透明基板及びこの照明窓を通して原稿面241に
達する。この場合充電変換素子の下部電極は遮光層の役
目を兼ねており、光源からの光が直接岑導電層に入射す
るのを防いでいる。この様な光学系を紙面の左右方向に
移動することにより、原稿面上の画像を読み取ることが
出来る。
FIG. 2 shows an example of an optical system that directly reads the reflected light from the surface of the document. In the figure, a photoelectric conversion element 211 includes a lower electrode 202, a photoconductive layer 203, and a transparent upper electrode 204.
, and a large number of them are arranged in the direction perpendicular to the plane of the paper. An illumination window 231 is provided in the photoelectric conversion element, and illumination light 223 from the light source 221 reaches the document surface 241 through the insulating transparent substrate and this illumination window. In this case, the lower electrode of the charge conversion element also serves as a light shielding layer, and prevents light from the light source from directly entering the conductive layer. By moving such an optical system in the horizontal direction of the paper surface, it is possible to read the image on the document surface.

原稿面からの反射光には、原稿面上での鏡面反射による
ものと原稿面に一旦侵入した後出射されて来るものとが
ある。前者は照明光が入射した角度に応じて出射され、
原稿面の濃淡の情報はほとんど含んでいないものである
。後者は照明光の入射角度にほとんど依存せず、原稿面
から完全散乱に近い形で出射し、原稿面の濃淡の情報を
含んだものである。以後前者を表面反射光、後者を原稿
光と呼ぶことにする。原稿面の画像を読み取るためには
この原稿光のみを光電変換素子に・入射させる必要があ
る。
There are two types of reflected light from the document surface: one is caused by specular reflection on the document surface, and the other is light that is emitted after once entering the document surface. The former is emitted according to the angle of incidence of the illumination light,
It contains almost no information about the shading of the original surface. The latter is almost independent of the incident angle of the illumination light, is emitted from the document surface in a form that is nearly completely scattered, and contains information on the shading of the document surface. Hereinafter, the former will be referred to as surface reflected light and the latter as original light. In order to read the image on the document surface, it is necessary to make only this document light enter the photoelectric conversion element.

ここに示す例では原稿面にほぼ垂直に照明光が入射する
ため、表面反射光は原稿面にほぼ垂直に出射され、照明
窓を通して光源方向に戻る。このため光電変換素子に表
面反射光が入射することはない。原稿光も最も強く出射
されるのは原稿面に垂直な方向であるが、角度を持った
成分も多く含んでいるためその一部が光電変換素子に入
射する。
In the example shown here, since the illumination light is incident approximately perpendicularly to the document surface, the surface reflected light is emitted approximately perpendicularly to the document surface and returns toward the light source through the illumination window. Therefore, surface reflected light does not enter the photoelectric conversion element. Although the original light is most intensely emitted in the direction perpendicular to the original surface, it also contains many angular components, so a portion of it is incident on the photoelectric conversion element.

この様なかたちで原稿面の画像の読み取りを行うことが
出来る。
In this manner, the image on the document surface can be read.

[発明が解決しようとする課題] この様な画像読み取り系の光源としては、蛍光管もしく
は多数のLEDを一次元状に配列したLEDアレイを利
用することが出来る。
[Problems to be Solved by the Invention] As a light source for such an image reading system, a fluorescent tube or an LED array in which a large number of LEDs are arranged in one dimension can be used.

LEDアレイは各LEDがほぼ点光源で、照明光が照明
窓に入射する角度を制御することが容易なため、先に示
したような形で効果的に表面反射光が光電変換素子に入
射するの防ぐことが出来る。
In the LED array, each LED is almost a point light source, and it is easy to control the angle at which the illumination light enters the illumination window, so the surface reflected light effectively enters the photoelectric conversion element in the manner shown above. can be prevented.

このため前者に比べてS/Nの高い読み取りを行うこと
が可能である。またLEDは固体光源のため寿命が長く
、メンテナンスがいらない等の点でも有利である。この
ため光源としては一般にLEDが用いられている。
Therefore, it is possible to perform reading with a higher S/N than the former. Furthermore, since LED is a solid-state light source, it has a long lifespan and is advantageous in that it requires no maintenance. For this reason, LEDs are generally used as light sources.

しかしLEDからの光は指向性が小さく照明窓のみに光
を集めることが難しいため、光の利用効率が非常に低く
なってしまう。このため画像読み取りを行うのに十分な
明るさを得るには、充電変換素子の照明窓をかなり大き
く取ることが必要となる。これを補うため光学系を用い
て集光することも可能であるが、本来の利点である低コ
スト性やコンパクト性を損なうこととなってしまう。
However, since the light from the LED has small directivity and it is difficult to concentrate the light only on the illumination window, the efficiency of light utilization becomes extremely low. Therefore, in order to obtain sufficient brightness for image reading, it is necessary to make the illumination window of the charging conversion element considerably large. Although it is possible to use an optical system to collect light to compensate for this, the original advantages of low cost and compactness are lost.

また照明窓を小さくできないため、光電変換素子を縮小
することが難しく、撮像装置を高解像度化する上で大き
な障害となっている。
Furthermore, since the illumination window cannot be made smaller, it is difficult to reduce the size of the photoelectric conversion element, which is a major obstacle in increasing the resolution of an imaging device.

更にLEDアレイそのものは点光源の集まりであり、光
学素子を介することなく照明を行うため長手方向に対す
る明るさのばらつきも大きくなり易い。このため読み取
り後に大幅な感度の補正が必要とされ、画像読み取り装
置としてのS/Nが低下してしまうと言う課題がある。
Furthermore, since the LED array itself is a collection of point light sources and provides illumination without using any optical elements, variations in brightness in the longitudinal direction tend to become large. For this reason, significant sensitivity correction is required after reading, and there is a problem in that the S/N ratio of the image reading device decreases.

そこで本発明はこの様な課題を解決するためのもので、
指向性が高く長さ方向に対する均一性の高い光源を用い
ることでこの種の画像読み取り装置の低コスト性やコン
パクト性を損なうことなく高解像度化、S/Nの向上を
図ることを目的とす[課題を解決するための手段] 本発明の画像読み取り装置は光源として端面発光型の薄
型エレクトロルミネッセンス素子を用いたことを特徴と
する。
Therefore, the present invention is intended to solve such problems.
By using a light source with high directivity and high uniformity in the length direction, the aim is to increase resolution and improve S/N without sacrificing the low cost and compactness of this type of image reading device. [Means for Solving the Problems] The image reading device of the present invention is characterized in that an edge-emitting thin electroluminescent element is used as a light source.

[実施例] ここでまず本発明の重要な構成要素である端面発光型の
薄膜エレクトロルミネッセンス素子(以後E T F 
E Lと呼ぶことにする。)について説明しておく。E
TFELはProceedingof  the  S
ID、  vol、28.81(1987)等に見られ
るように薄膜エレクトロルミネッセンス素子の活性層を
素子面上での導波路と成るような条件で作製したもので
、その断面図の一例を第3図に示す。
[Example] First, an edge-emitting thin film electroluminescent device (hereinafter referred to as E T F
I'll call it EL. ) will be explained. E
TFEL is Proceeding of the S
ID, vol. 28.81 (1987), etc., the active layer of a thin film electroluminescent device is prepared under conditions such that it becomes a waveguide on the device surface. As shown in the figure.

同図に於て301は絶縁性の基板、302は下部1!極
層、303及び305は誘電体層、304はエレクトロ
ルミネッセンスの活性層である。下部電極層はスパツタ
法により形成したパラジウム膜で膜厚は1000人、誘
電体層は電子ビーム蒸着法により形成した酸化イツトリ
ウム(Y 20 a )膜で膜厚はそれぞれ2500人
、活性層はスパッタ法にうより形成したマンガンを添加
した硫化亜鉛膜(ZnS: λ4 n 、)で膜厚は1
.3μ屯、上部電極層はスパッタ法により形成したアル
ミニウム膜で、膜厚は4000人である。
In the figure, 301 is an insulating substrate, and 302 is a lower part 1! The pole layers 303 and 305 are dielectric layers, and 304 is an electroluminescent active layer. The lower electrode layer is a palladium film formed by sputtering with a thickness of 1000 mm, the dielectric layer is a yttrium oxide (Y 20 a ) film formed by electron beam evaporation with a thickness of 2500 mm, and the active layer is formed by sputtering. A manganese-added zinc sulfide film (ZnS: λ4 n ,) was formed using a method with a film thickness of 1
.. The upper electrode layer is an aluminum film formed by sputtering and has a thickness of 4,000 μm.

基本的な構造は表示や照明に用いられる通常の薄膜エレ
クトロルミネッセンス素子と変わりがなく、この上下電
極間に数百Hz=数百kHzの交流電圧を加えることに
より活性層内で発光が起こる。構造が簡単なため、大面
積に素子を形成することも比較的容易であり、長尺の発
光面を持つものを作ることが可能である。
The basic structure is the same as a normal thin film electroluminescent element used for display and lighting, and light emission occurs within the active layer by applying an alternating current voltage of several hundred Hz = several hundred kHz between the upper and lower electrodes. Since the structure is simple, it is relatively easy to form an element over a large area, and it is possible to manufacture an element with a long light emitting surface.

通常の薄膜エレクトロルミネッセンス素子では電極のう
ちの一方を透明電極とし、素子面に垂直な方向に光を取
り出し表示やバックライトに用いている。その様な利用
法の場合には駆動電圧の低減が望まれるため活性層もで
きるだけ薄く作られ、通常5000〜8000人程度の
値が用いられる。
In a typical thin-film electroluminescent device, one of the electrodes is a transparent electrode, and light is extracted in a direction perpendicular to the device surface and used for display or backlighting. In such applications, since it is desired to reduce the driving voltage, the active layer is also made as thin as possible, and a value of about 5,000 to 8,000 is usually used.

これに対してETFELとして用いようとする場合には
活性層内で310に示すような素子面に平行な方向に光
が伝搬する心安がある。一般に活性層は誘電体層と比べ
て屈折率が大きいため、この屈折率の差を利用してステ
ップインデックス型の導波路を構成することが出来る。
On the other hand, when it is intended to be used as an ETFEL, it is safe that light propagates in the active layer in a direction parallel to the element surface as shown at 310. Generally, the active layer has a higher refractive index than the dielectric layer, so a step-index waveguide can be constructed by utilizing this difference in refractive index.

通常の表示やバックライトに用いられるものの場合活性
層の厚さが薄いため、導波路として十分な伝搬特性が得
られない。この活性層の厚さを厚くすることでこの導波
路の伝搬特性を向上させ、E T F E Lとして利
用することが出来る。この活性層が厚いほど導波路内を
伝搬するモードの数が増え伝搬特性が向上するが、駆動
電圧の増加及び端間から出射する光の指向性が低下し、
この様な目的に用いいる場合には都合が悪くなる。この
ため発光色にもげくるが、活性層の厚みとしては800
0人〜2μ■程度の値を採るのが良い。
In the case of devices used for normal displays and backlights, the active layer is thin, so sufficient propagation characteristics cannot be obtained as a waveguide. By increasing the thickness of this active layer, the propagation characteristics of this waveguide can be improved and it can be used as an E T F E L. The thicker the active layer, the more modes propagate within the waveguide and the better the propagation characteristics, but this also increases the driving voltage and reduces the directivity of light emitted from the ends.
It is inconvenient when used for such purposes. For this reason, the luminescent color is high, but the thickness of the active layer is 800 mm.
It is best to take a value of about 0 to 2μ■.

ここではETFELを構成する材料として特定のものを
記載したが、導波路を構成することが出来るものであれ
ば通常の薄膜エレクトロルミネッセンス素子を構成する
+:t Flのほとんどを利用することが可能である。
Although specific materials for constructing ETFEL have been described here, it is possible to use most of the +:t Fl that composes ordinary thin film electroluminescent elements as long as they can construct a waveguide. be.

例えば誘電体層の材料として酸化タンタル(T a 2
0 :、)、アルミナ(A1zO3)、酸化珪素、窒化
珪素、チタン酸バリウム(BaTiO3)、酸化窒化珪
’E(SiO,N、)等を利用することも可能であるし
、活性層の材料として硫化亜鉛の他にも硫化カドミウム
(CdS)、硫化ストロンチウム(SrS)やこれらの
材料を有機材料中に分散させたもの等を利用することも
可能である。また活性層中に添加する活性剤についても
銅、鉛、テルビニウム、塩素、弗素等を用いることが可
能である。
For example, tantalum oxide (T a 2
It is also possible to use alumina (A1zO3), silicon oxide, silicon nitride, barium titanate (BaTiO3), silicon oxynitride'E (SiO,N,), etc. as the material of the active layer. In addition to zinc sulfide, it is also possible to use cadmium sulfide (CdS), strontium sulfide (SrS), and materials in which these materials are dispersed in organic materials. Further, as for the activator added to the active layer, copper, lead, terbinium, chlorine, fluorine, etc. can be used.

以下実施例により本発明を説明するが、ここで光源とし
て用いられているETFELは、以上述べたような方法
で作製されたものである。
The present invention will be explained below with reference to Examples, and the ETFEL used as a light source here was manufactured by the method described above.

第1図は本発明による画像読み取り装置の一例を示す断
面図である。
FIG. 1 is a sectional view showing an example of an image reading device according to the present invention.

同図に於て充電変換素子111は下部電極102、先導
1を層103と透明上部電極104により構成され、紙
面に垂直な方向に多数配列されている1ものとする。
In the figure, a charge conversion element 111 is composed of a lower electrode 102, a leading layer 103, and a transparent upper electrode 104, and is arranged in large numbers in a direction perpendicular to the plane of the paper.

下部電極はスパッタ法により形成したクロム膜で膜厚は
2000人、光導電層はプラズマCVD法により形成し
た非晶質シリコン膜で膜厚は8000人、透明上部電極
層はスパッタ法により形成したITO膜て膜厚は200
0人である。また下部電極層と同じ材料により照明窓1
31を形成しである。
The lower electrode is a chromium film formed by sputtering and has a thickness of 2000 mm, the photoconductive layer is an amorphous silicon film formed by plasma CVD and has a thickness of 8000 mm, and the transparent upper electrode layer is ITO formed by sputtering. The film thickness is 200
There are 0 people. In addition, the lighting window 1 is made of the same material as the lower electrode layer.
31 is formed.

該光電変換素子上には信頼性向上及び原稿面から素子を
保護するため1.3層のパッシベーション層が設けられ
ている。107及109は酸化珪素等の無穢材料による
パッシベーション層で、耐湿性及び耐摩耗性を向上させ
る動きをしている。108はポリイミド等の有機材料に
よるパッシベーション層で素子面上を平坦化する動きを
するものである。
A 1.3-layer passivation layer is provided on the photoelectric conversion element to improve reliability and protect the element from the surface of the original. Reference numerals 107 and 109 are passivation layers made of a non-polluting material such as silicon oxide, which are intended to improve moisture resistance and abrasion resistance. Reference numeral 108 is a passivation layer made of an organic material such as polyimide, which acts to flatten the surface of the element.

光源としてのE T F E L 121は該絶縁性透
明基板の素子面と反対の側に絶縁性透明基板と同程度の
屈折率を持った光学接着剤121により結合されている
。この様にすることで非常に効率よく絶縁性透明基板中
に照明光を入射させることが可能で、これもLEDを光
源として用いる場合よるり有利な点である。通常ETF
ELの光が出射する端面には屈折率の違いを緩和して出
射の効率を高めるために、ガラス等によるコーティング
が施される。
E T F E L 121 as a light source is bonded to the insulating transparent substrate on the side opposite to the element surface by an optical adhesive 121 having a refractive index comparable to that of the insulating transparent substrate. By doing so, it is possible to make illumination light enter the insulating transparent substrate very efficiently, which is also more advantageous than using an LED as a light source. Normal ETF
The end face from which the EL light is emitted is coated with glass or the like in order to alleviate the difference in refractive index and increase the efficiency of emission.

しかしこの様にすることで出射面での屈折率の差が小さ
くでき、コーティング層を設ける必要も無くなる。
However, by doing this, the difference in refractive index at the exit surface can be reduced, and there is no need to provide a coating layer.

ETFELの駆動は光量の変動が光電変換素子の読み取
り走査に影響を与えないような周波数で行う必要がある
0通常この様な目的に用いられる蓄積モードの読み取り
の場合には、走査時間が数msでこの場合には数kHz
〜数十kHzの範囲が効率等の点でも適当である。電流
モードで読み出しを行う場合には方式にも依るがより高
い周波数が要求される。
The ETFEL must be driven at a frequency such that fluctuations in light intensity do not affect the reading scan of the photoelectric conversion element. In the case of reading in the accumulation mode, which is normally used for this purpose, the scanning time is several ms. In this case, several kHz
.about.several tens of kHz is appropriate in terms of efficiency and the like. When reading in current mode, a higher frequency is required, although it depends on the method.

該ETFELから出射した照明光131は光学接着剤1
21、絶縁性透明基板101、照明窓131を介して原
稿面141に入射する。ETFELからの光は鋭い指向
性を持っているため、1mm程度の基板を介した場合で
もその光の広がりは余り大きなものではない。
The illumination light 131 emitted from the ETFEL is the optical adhesive 1
21, the light enters the document surface 141 through the insulating transparent substrate 101 and the illumination window 131. Since the light from the ETFEL has sharp directivity, the spread of the light is not very large even when it passes through a substrate of about 1 mm.

絶対的な光量ではLEDに劣るものの、原稿面上の照度
としてはより高いものを得ることが出来る。
Although it is inferior to LEDs in absolute light quantity, it is possible to obtain higher illuminance on the document surface.

このため照明窓を小さくすることが可能で、画素の面積
を縮小して解像度を向上することが出来た。
This made it possible to make the illumination window smaller, thereby reducing the area of the pixel and improving resolution.

またETFELは線状の光源のため、長手方向の明るさ
の均一性が高く、光源のばらつきを補正することも不要
でコストの低減を図ることも可能である。
Further, since ETFEL is a linear light source, the brightness in the longitudinal direction is highly uniform, and there is no need to correct variations in the light source, making it possible to reduce costs.

更に薄層トランジスタ等により走査回路等を光電変換素
子と同一基板上に形成すれば、より読み取りの高解像度
化、低コスト化、装置の小型化を図る場合に有利である
Furthermore, if a scanning circuit or the like is formed using a thin layer transistor or the like on the same substrate as the photoelectric conversion element, it is advantageous for achieving higher reading resolution, lower cost, and miniaturization of the device.

第1図に示した実施例の様に画素の中央に照明窓を設け
た構造には、より高解像度化を図る場合に作製が難しく
なると言う問題がある。照明窓を光電変換素子内に設け
た場合、充電変換素子を構成する各層のパターン形成を
行う隙に高い精度の位置合わせが要求される。高解像度
化を図るためにパターンを微細化した場合にこの位置合
わせの精度も厳しくなるためである。
The structure in which the illumination window is provided at the center of the pixel as in the embodiment shown in FIG. 1 has a problem in that it becomes difficult to manufacture when higher resolution is desired. When an illumination window is provided within a photoelectric conversion element, highly accurate positioning is required during pattern formation of each layer constituting the charge conversion element. This is because when the pattern is made finer in order to achieve higher resolution, the accuracy of this positioning also becomes more difficult.

第4図はこの点に留意した実施例を示すものである。FIG. 4 shows an embodiment that takes this point into consideration.

同図に於て照明窓431は光電変換素子の下部電極層を
利用して光電変換素子411の外側に設けられている。
In the figure, an illumination window 431 is provided outside the photoelectric conversion element 411 using the lower electrode layer of the photoelectric conversion element.

照明窓を構成する層は一層のみであるから、各層間の位
置合わせに要求される精度は大幅に低減される。
Since only one layer constitutes the illumination window, the accuracy required for alignment between each layer is significantly reduced.

光電変換素子上には信頼性の向上を図るために酸化珪素
等の無機材料によるパッシベーション層406を設け、
その上に原稿面との摩擦による静電気の影響を防ぐため
の導電層407を形成しである。この導電層の材料とし
てITO等の透明な材料を用いればこの例のようにパタ
ーン形成を行う必要は無い。素子面上には光学接着剤層
408により原稿面から素子を保護するためのカバーガ
ラス409を接着しである。カバーガラスとしては市販
されている50μ園程度の厚さのものが利用でき、読み
取り面の信頼性を大幅に向上させることが出来る。光学
接着剤層とカバーガラスとの境界面に於ける反射光は、
迷光となって画像読み取りのS/Nの低下を招く可能性
が高いため、光学接着剤層のとしてはカバーガラスの屈
折率と同等かやや小さい屈折率を持つものを選んでいる
。またこの様な読み取り面の構造は第1図に示した実施
例でも利用することが出来る。
A passivation layer 406 made of an inorganic material such as silicon oxide is provided on the photoelectric conversion element in order to improve reliability.
A conductive layer 407 is formed thereon to prevent the influence of static electricity due to friction with the surface of the document. If a transparent material such as ITO is used as the material for this conductive layer, there is no need to perform pattern formation as in this example. A cover glass 409 for protecting the element from the document surface is adhered to the element surface using an optical adhesive layer 408. A commercially available cover glass with a thickness of about 50 μm can be used, and the reliability of the reading surface can be greatly improved. The reflected light at the interface between the optical adhesive layer and the cover glass is
Since there is a high possibility that stray light will cause a decrease in S/N in image reading, the optical adhesive layer is selected to have a refractive index that is equal to or slightly smaller than the refractive index of the cover glass. Further, such a reading surface structure can also be used in the embodiment shown in FIG.

第1図に示した実施例と同様、ETFELは絶縁性透明
基板の素子面と反対の側に光学接着剤422により結合
されている。この光学接着剤を用いた結合方法は、この
例のように原稿面への照明光の入射角度を大きく取ろう
とする場合、に、効率よく絶縁性透明基板内に照明光を
入射させることが出来ると言う特徴がある。この入射角
度が小さすぎる場合には、殆ど垂直に近い場合を除いて
、原稿面及びカバーガラスの表面での表面反射光が光電
変換素子に入射してしまい、S/Nが低下してしまう。
Similar to the embodiment shown in FIG. 1, the ETFEL is bonded to the insulating transparent substrate on the side opposite to the element surface using an optical adhesive 422. This bonding method using optical adhesive can efficiently make the illumination light enter the insulating transparent substrate when trying to increase the angle of incidence of the illumination light on the document surface as in this example. There is a characteristic called. If this angle of incidence is too small, surface-reflected light from the surface of the document and the surface of the cover glass will enter the photoelectric conversion element, resulting in a decrease in S/N, unless the incident angle is almost vertical.

大きすぎる場合にはカバーガラスの表面から照明光が出
射出来なくなり画像の読み取りが行えない。このため読
み取りを行うことの出来る範囲は、殆ど垂直な場合か1
0度〜50度位の間である。
If it is too large, illumination light cannot be emitted from the surface of the cover glass, making it impossible to read the image. For this reason, the range that can be read is mostly vertical or 1
It is between 0 degrees and about 50 degrees.

照明窓と光電変換素子との距離にもよるがる30度〜4
0度の範囲で特に良好な読み取りを行うことが出来る。
30 degrees to 4 degrees depending on the distance between the lighting window and the photoelectric conversion element
Particularly good readings can be made in the 0 degree range.

以上特に有用であると言うことで、光電変換素子を原稿
面に近接させて読み取りを行う画像読み取り系への応用
を述べてきたが、他の方式の画像読み取り装置の光源と
しても有用である。
Although the application to an image reading system in which reading is performed by placing a photoelectric conversion element close to the surface of an original has been described above as being particularly useful, it is also useful as a light source for image reading devices of other types.

[発明の効果] 以上述べたように本発明を用いることにより、充電変換
素子を原稿面に近接させて読み取りを行う方式の画像読
み取り装置に於いて、低コストやコンパクト性を損なう
ことなく読み取りの高解像度化、高感度化、S / N
の向上を図ることが出来た。
[Effects of the Invention] As described above, by using the present invention, it is possible to perform reading without sacrificing low cost or compactness in an image reading device that performs reading by placing a charging conversion element close to the document surface. Higher resolution, higher sensitivity, S/N
We were able to improve this.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の画f象読み取り装置の一実施例を示す
断面図である。 第2図は従来の画fm読み取り装置の一例を示す断面図
である。 第3図は本発明の画像読み取り装置の光源として用いら
れているE T F E Lの断面図の一例であ第4図
は本発明の画fT読み取り装置の他の実施例を示す断面
図である。 101.201.401・・・・・・・・・絶縁性透明
基板102.202.402・・・・・・・・・下部電
極層103.203.403・・・・・・・・・光導電
層104.204.404・・・・・・・・・透明上部
電極層105.106.107.206.406・・・
・・・・・・パッシベーション層111.211.41
1・・・・・・・・・光電変換素子121.141・・
・・・・・・・端面発光型fi[GIエレクトロルミネ
ッセンス素子122.422・・・・・・・・・光学接
着剤123.223.423・・・・・・・・・照明光
131.231.431・・・・・・・・・照明窓14
1.241.441・・・・・・・・・原稿面221・
・・・・・・・・光源
FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of the image reading device of the present invention. FIG. 2 is a sectional view showing an example of a conventional image fm reading device. FIG. 3 is an example of a cross-sectional view of ETFEL used as a light source in the image reading device of the present invention, and FIG. 4 is a cross-sectional view showing another embodiment of the image reading device of the present invention. be. 101.201.401...Insulating transparent substrate 102.202.402...Lower electrode layer 103.203.403...Light Conductive layer 104.204.404...Transparent upper electrode layer 105.106.107.206.406...
...passivation layer 111.211.41
1...Photoelectric conversion element 121.141...
...... Edge-emitting type fi [GI electroluminescent element 122.422 ...... Optical adhesive 123.223.423 ...... Illumination light 131.231 .431......Lighting window 14
1.241.441......Manuscript surface 221.
········light source

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 光源として端面発光型の薄膜エレクトロルミネッセンス
発光素子を用いたことを特徴とする画像読み取り装置。
An image reading device characterized in that an edge-emitting thin film electroluminescent light emitting element is used as a light source.
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