JPH02216814A - Electron beam excitation ion source - Google Patents
Electron beam excitation ion sourceInfo
- Publication number
- JPH02216814A JPH02216814A JP3901789A JP3901789A JPH02216814A JP H02216814 A JPH02216814 A JP H02216814A JP 3901789 A JP3901789 A JP 3901789A JP 3901789 A JP3901789 A JP 3901789A JP H02216814 A JPH02216814 A JP H02216814A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron
- plasma
- ion
- electrons
- generation chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 title description 12
- 230000005284 excitation Effects 0.000 title description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 8
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 57
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 26
- 239000000284 extract Substances 0.000 claims 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 abstract 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 19
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的コ （産業上の利用分野） 本発明は、電子ビーム励起イオン源に関する。[Detailed description of the invention] [Purpose of the invention] (Industrial application field) The present invention relates to an electron beam excited ion source.
（従来の技術）
例えば半導体装置の製造等に利用されるイオン注入装置
ではＩＣの生産性向上のため、大電流、長寿命のイオン
源の開発が求められている。(Prior Art) For example, in ion implantation equipment used in the manufacture of semiconductor devices, there is a need to develop an ion source with a large current and long life in order to improve the productivity of ICs.
そこで、本出願人は、電子ビームによって原料ガスをイ
オン化する電子ビーム励起イオン源を特開昭６１−２９
０６２９号、特願昭６１−１２１９８７号等で提案して
いる。Therefore, the present applicant developed an electron beam excited ion source that ionizes source gas with an electron beam in Japanese Patent Laid-Open No. 61-29.
No. 0629, Japanese Patent Application No. 61-121987, etc.
すなわち、このような電子ビーム励起イオン源では、放
電用ガス例えばアルゴンガス雰囲気とされた電子生成室
内で放電により第１のプラズマを発生させる。そして、
この電子生成室に設けられた直径例えば１■の円孔から
なる電子引き出し口から、例えば電子引き出し口に対向
する如く間隔例えば３０ｔ＋ｇ程度を設けて配設された
多孔電極により第１のプラズマ中の電子を引き出し、多
孔電極に連設されたイオン生成室内に導入した所定の原
料ガス、例えばト１にこの電子を照射してイオン（第２
のプラズマ）を発生させる。そして、このイオンをイオ
ン生成室に設けたイオン引き出し用スリットから外部に
引き出し、例えばイオン注人等の所望の処理に・用いる
。That is, in such an electron beam-excited ion source, a first plasma is generated by discharge in an electron generation chamber in an atmosphere of a discharge gas, for example, argon gas. and,
From the electron extraction port, which is a circular hole with a diameter of, for example, 1 inch, provided in the electron generation chamber, a porous electrode placed facing the electron extraction port at a distance of, for example, about 30t+g is used to generate electricity in the first plasma. Electrons are extracted and irradiated with the electrons to a predetermined raw material gas, for example, T1, introduced into an ion generation chamber connected to a porous electrode, to generate ions (second
plasma) is generated. Then, these ions are extracted to the outside through an ion extraction slit provided in the ion generation chamber and used for a desired treatment by, for example, an ion implanter.
このような電子ビーム励起イオン源は、低いイオンエネ
ルギーで高いイオン電流密度を得ることができるという
特徴を有する。Such an electron beam-excited ion source is characterized by being able to obtain a high ion current density with low ion energy.
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、上記説明の電子ビーム励起イオン源にお
いても、さらにイオン電流密度を高め、処理時間の短縮
およびスルーブツトの向上を図ることが当然要求される
。(Problems to be Solved by the Invention) However, even in the electron beam-excited ion source described above, it is naturally required to further increase the ion current density, shorten the processing time, and improve the throughput.
本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもので
、従来に較べて効率的に所望のイオンを発生させること
ができ、高いイオン電流密度を得ることにより、処理時
間の短縮およびスルーブツトの向上を図ることのできる
電子ビーム励起イオン源を提供しようとするものである
。The present invention has been made in response to such conventional circumstances, and can generate desired ions more efficiently than in the past. By obtaining a high ion current density, processing time can be shortened and throughput can be increased. It is an object of the present invention to provide an electron beam excited ion source that can be improved.
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
すなわち本発明は、電子を引き出すための第１のプラズ
マを発生させる電子生成室と、この電子生成室に設けら
れた電子引き出し口に対向する如く設けられ該電子引き
出し口から前記電子を引き出すための多孔電極と、この
多孔電極に連設され所定の原料ガスに前記電子を照射し
第２のプラズマを発生させイオンを生成するイオン生成
室とを備えた電子ビーム励起イオン源において、前記第
２のプラズマの径が、前記電子引き出し口の径の１〜６
倍の範囲となるよう構成したことを特徴とする。[Structure of the Invention] (Means for Solving the Problem) That is, the present invention includes an electron generation chamber that generates a first plasma for extracting electrons, and an electron generation chamber that faces an electron extraction port provided in the electron generation chamber. a porous electrode provided as shown in FIG. In the electron beam excited ion source, the diameter of the second plasma is 1 to 6 times the diameter of the electron extraction port.
It is characterized by being configured to have a double range.
（作 用）
本発明者等が詳査したところ、一般に電子ビーム励起イ
オン源では、電子生成室の電子引き出し口から例えば多
孔電極によって引き出した電子は放射状に拡散し、この
ためこの電子の照射によって発生するプラズマの径が大
きくなり、その密度が低下するため、イオンの引き出し
が効率的に行われず、高いイオン電流密度を得ることが
できないことが判明した。(Function) According to a detailed investigation by the present inventors, in general, in an electron beam-excited ion source, the electrons extracted from the electron extraction port of the electron generation chamber by, for example, a porous electrode are diffused radially, and therefore, due to the irradiation of these electrons, It was found that because the diameter of the generated plasma increases and its density decreases, ions cannot be extracted efficiently and a high ion current density cannot be obtained.
そこで本発明の電子ビーム励起イオン源では、例えば多
孔電極を電子引き出し口に近接させ、例えば多孔電極と
電子引き出し口との間隔が１０ｍｒＩ以下例えば５〜６
■とすることにより（前述の如〈従来は例えば３０ｍｍ
程度とされている）、電子の拡散を抑制し、第２のプラ
ズマの径を、電子引き出し口の径の１〜６倍の範囲とな
るよう構成することにより、従来に較べて高いイオン電
流密度を得ることができ、処理時間の短縮およびスルー
ブツトの向上を図ることができるようにしたものである
。Therefore, in the electron beam-excited ion source of the present invention, the porous electrode is placed close to the electron extraction port, and the distance between the porous electrode and the electron extraction port is 10 mrI or less, for example, 5 to 6 mrI.
(As mentioned above, conventionally, for example, 30 mm
By suppressing electron diffusion and configuring the diameter of the second plasma to be in the range of 1 to 6 times the diameter of the electron extraction port, a higher ion current density than before can be achieved. This makes it possible to reduce processing time and improve throughput.
（実施例）
以下、本発明の電子ビーム励起イオン源の一実施例を図
面を参照して説明する。(Embodiment) An embodiment of the electron beam excited ion source of the present invention will be described below with reference to the drawings.
電子発生室１は、導電性高融点材料例えばモリブデンか
ら各辺の長さが例えば数センチ程度の矩形容器状に形成
されている。また、この電子発生室１の１側面には、開
口部が設けられており、この開口部を閉塞する如く例え
ば５ｉｌＮ４、ＢＮ等からなる板状の耐熱性絶縁性部材
２が設けられ、電子発生室１が気密に構成されている。The electron generation chamber 1 is formed of a conductive high melting point material such as molybdenum into a rectangular container shape with each side having a length of, for example, several centimeters. Further, an opening is provided on one side of the electron generation chamber 1, and a plate-shaped heat-resistant insulating member 2 made of, for example, 5ilN4, BN, etc. is provided to close this opening. Chamber 1 is configured to be airtight.
また、上記絶縁性部材２には、例えばＵ字状に形成され
た高融点材質例えばタングステンからなるフィラメント
３が電子発生室１内に突出する如く設けられている。さ
らに、電子発生室１の上部には、プラズマを生起させ電
子を発生させるためのガス、例えばアルゴン（Ａｒ）ガ
ス等の放電用ガスを導入するための放電用ガス導入孔４
が設けられており、電子発生室１の下部には、電子発生
室１内で発生させたプラズマ中から電子を引き出すため
の直径例えば１ｍｓの円孔５ａが設けられている。Further, the insulating member 2 is provided with a U-shaped filament 3 made of a high melting point material such as tungsten and protruding into the electron generating chamber 1. Further, in the upper part of the electron generation chamber 1, a discharge gas introduction hole 4 is provided for introducing a discharge gas such as argon (Ar) gas to generate plasma and generate electrons.
A circular hole 5a having a diameter of, for example, 1 ms is provided in the lower part of the electron generating chamber 1 for extracting electrons from the plasma generated within the electron generating chamber 1.
また、上記電子発生室１の下部には、円孔５ａに連続し
て隘路５ｂを形成する如く、絶縁性部材７が設けられて
おり、円孔５ａと隘路５ｂとによって電子引き出し口５
が構成されている。さらに、絶縁性部材７には、高融点
材質例えばタングステンからなり、多数の透孔を′有す
る多孔電極８が、電子引き出し口５に対向する如く接続
されており、第２図に示すように、多孔電極８と電子引
き出し口５との間隔りは、１０ｍｍ以下例えば５〜６■
とされている。Further, an insulating member 7 is provided at the lower part of the electron generation chamber 1 so as to form a bottleneck 5b continuous with the circular hole 5a.
is configured. Further, a porous electrode 8 made of a high melting point material such as tungsten and having a large number of through holes is connected to the insulating member 7 so as to face the electron extraction port 5, as shown in FIG. The distance between the porous electrode 8 and the electron extraction port 5 is 10 mm or less, for example, 5 to 6 mm.
It is said that
なお、放電用ガス導入孔４および電子引き出し。In addition, the discharge gas introduction hole 4 and the electron extraction hole.
口５は、電子発生室１の中心から後述するイオン引き出
し用スリット１４側に偏心して配設され、イオンを効率
良く引き出せるよう構成されている。The opening 5 is disposed eccentrically from the center of the electron generation chamber 1 toward the ion extraction slit 14, which will be described later, and is configured to efficiently extract ions.
また、フィラメント３は、放電用ガス導入孔４および電
子引き出し口５を結ぶ線上に位置しないよう配設されて
おり、電子引き出し口５から逆流したイオンがフィラメ
ント３に到達しにくくすることにより、この逆流したイ
オンによりフィラメント３がスパッタリングされ、消耗
することを防止するよう構成されている。Further, the filament 3 is arranged so as not to be located on the line connecting the discharge gas introduction hole 4 and the electron extraction port 5, and by making it difficult for ions flowing back from the electron extraction port 5 to reach the filament 3, It is configured to prevent the filament 3 from being sputtered and consumed by the backflowing ions.
さらに、上記多孔電極８の下部には、絶縁性部材９を介
してイオン生成室１０が接続されている。Further, an ion generation chamber 10 is connected to the lower part of the porous electrode 8 via an insulating member 9.
このイオン生成室１０は、導電性高融点材料、例えばモ
リブデンから容器状に形成されており、その内部は、直
径および高さが共に数センチ程度の円筒形状とされてい
る。The ion generation chamber 10 is formed into a container shape from a conductive high melting point material such as molybdenum, and the inside thereof has a cylindrical shape with both a diameter and a height of about several centimeters.
そして、多孔電極８と対向するイオン生成室１０の底部
には、絶縁性部材１１を介し、このイオン生成室１０の
側壁部とは電気的に隔離された状態（フローティング状
態）で例えば高融点材料の底板１２が固定されており、
電子の照射によりこの底板１２が帯電し、電子を反射す
るよう構成されている。なお、例えば底板１２を絶縁性
部材から構成して電子反射面を形成することもできる。The bottom of the ion generation chamber 10 facing the porous electrode 8 is made of a high melting point material, for example, in a state (floating state) electrically isolated from the side wall of the ion generation chamber 10 via an insulating member 11. The bottom plate 12 of is fixed,
The bottom plate 12 is charged by electron irradiation and is configured to reflect the electrons. Note that, for example, the bottom plate 12 may be made of an insulating member to form an electron reflecting surface.
また、上記イオン生成室１０の側面には、所望のイオン
を生成するための原料ガス例えばＢＦ。Further, on the side surface of the ion generation chamber 10, a raw material gas such as BF is provided for generating desired ions.
等をこのイオン生成室１０内に導入するための原料ガス
導入口１３が設けられており、この原料ガス導入口１３
に対向する如く、イオン引き出し用スリット１４が設け
られている。A raw material gas inlet 13 is provided for introducing the like into the ion generation chamber 10.
An ion extraction slit 14 is provided so as to face the ion extraction slit 14 .
上記構成のこの実施例の電子ビーム励起イオン源では、
図示しない磁場生成手段により、図示矢印Ｂの如く垂直
方向に電子をガイドするための磁場を印加した状態で、
次のようにして所望のイオンを発生させる。In the electron beam excited ion source of this embodiment with the above configuration,
With a magnetic field generating means (not shown) applying a magnetic field for guiding electrons in the vertical direction as indicated by arrow B in the drawing,
Desired ions are generated as follows.
すなわち、フィラメント３にフィラメント電圧ｖｒを印
加し通電加熱するとともに、このフィラメント３に対し
て、抵抗Ｒを介して電子発生室１に放電電圧Ｖｄを印加
し、多孔電極８に放電電圧Ｖｄを印加し、多孔電極８と
イオン生成室１０との間に加速電圧Ｖａ印加する。That is, while applying a filament voltage vr to the filament 3 and heating it with electricity, a discharge voltage Vd is applied to the electron generation chamber 1 through a resistor R, and a discharge voltage Vd is applied to the porous electrode 8. , an accelerating voltage Va is applied between the porous electrode 8 and the ion generation chamber 10.
そして、放電用ガス導入孔４から電子発生室１内に、放
電用ガス例えばアルゴンガスを導入し、放電電圧Ｖｄに
より放電を生じさせ、プラズマを発生させる。すると、
このプラズマ中の電子は、加速電圧Ｖａにより、電子引
き出し口５、多孔電極８の透孔を通過してイオン生成室
１０内に引き出される。Then, a discharge gas, such as argon gas, is introduced into the electron generation chamber 1 through the discharge gas introduction hole 4, and a discharge is caused by a discharge voltage Vd to generate plasma. Then,
Electrons in this plasma are extracted into the ion generation chamber 10 through the electron extraction port 5 and the through hole of the porous electrode 8 by the accelerating voltage Va.
一方、イオン生成室１０内には、原料ガス導入口１３か
ら予め所定の原料ガス例えばＢＦ３を導入しておき、こ
のイオン生成室１０内を所定圧力例えば０．００１〜０
．０２ Ｔｏｒｒの原料ガス雰囲気としておく。On the other hand, a predetermined raw material gas such as BF3 is introduced in advance into the ion generation chamber 10 from the raw material gas inlet 13, and the interior of the ion generation chamber 10 is maintained at a predetermined pressure, for example 0.001 to 0.
．． The raw material gas atmosphere is set at 0.02 Torr.
したがって、イオン生成室１０内に流入した電子は、加
速電界により加速され、ＢＦ、と衝突し、濃いプラズマ
を発生させる。Therefore, the electrons flowing into the ion generation chamber 10 are accelerated by the accelerating electric field, collide with the BF, and generate dense plasma.
この時、第２図に示すように、多孔電極８と電子引き出
し口５との間隔がｌｏｓｍ以下、例えば５〜ｆｌａｍと
なるよう多孔電極８が電子引き出し口５に近接して配設
されているので、図示矢印で示すように電子がほとんど
拡散しない状態で原料ガスに照射され、発生するプラズ
マ（第２のプラズマ）の径Ａが電子引き出し口５の径に
対して１〜Ｂ倍、例えば２倍程度の高密度のプラズマが
形成される。At this time, as shown in FIG. 2, the porous electrode 8 is arranged close to the electron extraction port 5 so that the distance between the porous electrode 8 and the electron extraction port 5 is less than losm, for example, 5 to flam. Therefore, as shown by the arrow in the figure, the source gas is irradiated with electrons with almost no diffusion, and the diameter A of the generated plasma (second plasma) is 1 to B times the diameter of the electron extraction port 5, for example 2. Plasma with about twice the density is formed.
したがって、この高密度のプラズマからイオン引き出し
用スリット１４により効率良くイオンを引き出すことが
でき、従来に較べて高いイオン電流密度を得ることがで
き、例えばイオン注入装置によるイオン注入操作等にお
いて、処理時間の短縮およびスルーブツトの向上を図る
ことができる。Therefore, ions can be efficiently extracted from this high-density plasma by the ion extraction slit 14, and a higher ion current density can be obtained than in the past. It is possible to shorten the time and improve throughput.
［発明の効果］
上述のように、本発明の電子ビーム励起イオン源によれ
ば、従来に較べて効率的に所望のイオンを発生させるこ
とができ、高いイオン電流密度を得ることにより、処理
時間の短縮およびスルーブツトの向上を図ることができ
る。[Effects of the Invention] As described above, according to the electron beam excitation ion source of the present invention, desired ions can be generated more efficiently than in the past, and processing time can be reduced by obtaining a high ion current density. It is possible to shorten the time and improve throughput.
第１図は本発明の電子ビーム励起イオン源の一実施例の
構成を示す切り欠き斜視図、第２図は電子の流れおよび
プラズマの状態を説明するための電子ビーム励起イオン
源の縦断面図である。
１・・・・・・電子発生室、２・・・・・・絶縁性部材
、３・・・・・・フィラメント、４・・・・・・放電用
ガス導入孔、５・・・・・・電子引き出し口、７・・・
・・・絶縁性部材、８・・・・・・多孔電極、９・・・
・・・絶縁性部材、１０・・・・・・イオン生成室、１
１・・・・・・絶縁性部材、１２・・・・・・底板。
出願人 東京エレクトロン株式会社代理人
弁理士 須 山 佐 −
（ばか１名）
手続令甫正書（自発）
事件の表示
平成１年特許願第３９０１、
発明の名称
電子ビーム励起イオン源
、名称を変更した者
事件との関係FIG. 1 is a cutaway perspective view showing the configuration of an embodiment of the electron beam excited ion source of the present invention, and FIG. 2 is a longitudinal sectional view of the electron beam excited ion source for explaining the flow of electrons and the state of plasma. It is. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Electron generation chamber, 2... Insulating member, 3... Filament, 4... Gas introduction hole for discharge, 5...・Electronic drawer, 7...
... Insulating member, 8 ... Porous electrode, 9 ...
...Insulating member, 10...Ion generation chamber, 1
1... Insulating member, 12... Bottom plate. Applicant Tokyo Electron Co., Ltd. Agent
Patent attorney Suyama Sa - (1 idiot) Procedural order (spontaneous) Display of the case 1999 Patent Application No. 3901, Name of the invention Electron beam excited ion source, Relationship with the case of the person who changed the name
Claims (1)
る電子生成室と、この電子生成室に設けられた電子引き
出し口に対向する如く設けられ該電子引き出し口から前
記電子を引き出すための多孔電極と、この多孔電極に連
設され所定の原料ガスに前記電子を照射し第２のプラズ
マを発生させイオンを生成するイオン生成室とを備えた
電子ビーム励起イオン源において、 前記第２のプラズマの径が、前記電子引き出し口の径の
１〜６倍の範囲となるよう構成したことを特徴とする電
子ビーム励起イオン源。(1) An electron generation chamber that generates a first plasma for extracting electrons, and a porous electrode that is provided to face an electron extraction port provided in the electron generation chamber and that extracts the electrons from the electron extraction port. and an ion generation chamber that is connected to the porous electrode and irradiates a predetermined raw material gas with the electrons to generate a second plasma and generate ions. An electron beam-excited ion source characterized in that the diameter is in a range of 1 to 6 times the diameter of the electron extraction port.
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3901789A JP2869557B2 (en) | 1989-02-16 | 1989-02-16 | Electron beam excited ion source |
| GB9003454A GB2230644B (en) | 1989-02-16 | 1990-02-15 | Electron beam excitation ion source |
| US07/480,765 US5089747A (en) | 1989-02-16 | 1990-02-16 | Electron beam excitation ion source |
| KR1019900001933A KR0158875B1 (en) | 1989-02-16 | 1990-02-16 | Electron beam excitation ion source |
| US07/486,256 US5028791A (en) | 1989-02-16 | 1990-02-28 | Electron beam excitation ion source |
| US07/786,009 US5252892A (en) | 1989-02-16 | 1991-10-31 | Plasma processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3901789A JP2869557B2 (en) | 1989-02-16 | 1989-02-16 | Electron beam excited ion source |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02216814A true JPH02216814A (en) | 1990-08-29 |
| JP2869557B2 JP2869557B2 (en) | 1999-03-10 |
Family
ID=12541339
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3901789A Expired - Lifetime JP2869557B2 (en) | 1989-02-16 | 1989-02-16 | Electron beam excited ion source |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2869557B2 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006173105A (en) * | 2004-12-16 | 2006-06-29 | General Electric Co <Ge> | Ion source apparatus and method |
| JP2010267623A (en) * | 2000-11-30 | 2010-11-25 | Semequip Inc | Ion implantation system and control method |
-
1989
- 1989-02-16 JP JP3901789A patent/JP2869557B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010267623A (en) * | 2000-11-30 | 2010-11-25 | Semequip Inc | Ion implantation system and control method |
| JP2006173105A (en) * | 2004-12-16 | 2006-06-29 | General Electric Co <Ge> | Ion source apparatus and method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2869557B2 (en) | 1999-03-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR900003310B1 (en) | Ion producing apparatus | |
| JP2819420B2 (en) | Ion source | |
| US4713585A (en) | Ion source | |
| EP0282467B1 (en) | Hollow cathode ion sources | |
| US5252892A (en) | Plasma processing apparatus | |
| US5028791A (en) | Electron beam excitation ion source | |
| KR0158875B1 (en) | Electron beam excitation ion source | |
| JPH04264346A (en) | Plasma source apparatus for injecting ions | |
| JP2873693B2 (en) | Ion source | |
| US6204508B1 (en) | Toroidal filament for plasma generation | |
| US5821677A (en) | Ion source block filament with laybrinth conductive path | |
| JPH02216814A (en) | Electron beam excitation ion source | |
| JPS62278736A (en) | Electron beam excited ion source | |
| JP2000012293A (en) | Neutral beam generating device | |
| US5853521A (en) | Multi-cathode electron beam plasma etcher | |
| JP2889925B2 (en) | Electron beam excited ion source and ion extraction method | |
| JPH0374034A (en) | Plasma device | |
| JP2822249B2 (en) | Ion source | |
| JP2791911B2 (en) | Ion source | |
| JP2794602B2 (en) | Electron beam excited ion source | |
| JPS6127053A (en) | Electron beam source | |
| JPS63190299A (en) | Plasma apparatus | |
| JPH02168541A (en) | Electron beam excitation ion source | |
| JPS63190229A (en) | Electron beam-excited ion source | |
| JPH01176632A (en) | Electron beam-exciting ion source |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100108 Year of fee payment: 11 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100108 Year of fee payment: 11 |