JPH0221433A - Semiconductor laser output detector - Google Patents

Semiconductor laser output detector

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JPH0221433A
JPH0221433A JP63170159A JP17015988A JPH0221433A JP H0221433 A JPH0221433 A JP H0221433A JP 63170159 A JP63170159 A JP 63170159A JP 17015988 A JP17015988 A JP 17015988A JP H0221433 A JPH0221433 A JP H0221433A
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JP
Japan
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semiconductor laser
output
recording
level
turned
Prior art date
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Pending
Application number
JP63170159A
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Japanese (ja)
Inventor
Toshihiro Shigemori
俊宏 重森
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Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPH0221433A publication Critical patent/JPH0221433A/en
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Abstract

PURPOSE:To prevent output from being controlled at a light quantity state different from a targeted value by providing an amplifier circuit to output a reproducing level signal by connecting capacitors in parallel with a load resistor via switching devices and detecting respective potential generated on each of the capacitors. CONSTITUTION:When both two switching devices 10R and 10W are turned off, a voltage corresponding to the light output of a semiconductor laser 2 from an optical sensor 5 is generated on the load resistor. Here, when the switching device on one side is turned on at a reproducing level timing, a charge corresponding to a reproducing level is charged on a corresponding capacitor CR, and finally, it is converged to a voltage value equivalent to reproducing output. It is amplified at an amplifier circuit, and goes to the reproducing level signal. Meanwhile, when the switching device 10W on the other side is turned on at a recording level timing, the charge corresponding to a recording level is charged on a corresponding capacitor CW, and finally, it is converged to the voltage value equivalent to recording output, and is amplified, then, goes to a recording level signal. In such a way, it is possible to obtain a level signal accurately by making a device hard to receive a noise, etc.

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、光デイスク駆動装置(光ピツクアップ)等に
おける半導体レーザ出力検出装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor laser output detection device in an optical disk drive device (optical pickup) or the like.

従来の技術 近年、光デイスク駆動装置においては、光源として半導
体レーザ(LD)を用いるものが多い。
2. Description of the Related Art In recent years, many optical disk drive devices use a semiconductor laser (LD) as a light source.

この場合、半導体レーザは光ディスクに対する情報の記
録に際して、第3図に示すように書込み情報(変調信号
)に応じて半導体レーザの出力の変調を行うようにして
いる。PRが再生出力であり、I)wが記録出力であり
、変調に応じてこれらの間で2値で変化する。ここに、
半導体レーザは、駆動電流に対する光出力特性が温度変
化等により大きく変化してしまうため、一般に、光出力
の一部を検出してフィードバックさせて半導体レーザの
駆動電流を制御することにより、光出力が常に目標値と
なるようにしている。
In this case, when the semiconductor laser records information on the optical disk, the output of the semiconductor laser is modulated according to the written information (modulation signal) as shown in FIG. PR is the reproduction output, and I)w is the recording output, which changes in binary depending on the modulation. Here,
Semiconductor lasers have optical output characteristics that vary greatly due to temperature changes, etc., so generally the optical output can be increased by detecting a portion of the optical output and feeding it back to control the semiconductor laser's driving current. I always try to reach the target value.

ところで、第3図に示したような情報書込み用の半導体
レーザの光出力を得る方法として、第4図に示すように
再生出力PRに対応する再生レベル電流IRに、変調信
号に応じてOレベル又は記録出力PWに対応する記録レ
ベル電流■Wを重畳させるようにしている。ここに、再
生レベル電流IR及び記録レベル電流Iwを制御するた
めに、半導体レーザの出力の一部をフォトセンサ等で電
気的に検出することになるが、各々の電流を制御するた
めにはP Rr  P Wの各々に対応する電気信号を
得る必要がある。
By the way, as a method of obtaining the optical output of a semiconductor laser for information writing as shown in FIG. 3, as shown in FIG. Alternatively, a recording level current ■W corresponding to the recording output PW is superimposed. Here, in order to control the reproduction level current IR and the recording level current Iw, a part of the output of the semiconductor laser is electrically detected by a photo sensor, etc., but in order to control each current, P It is necessary to obtain electrical signals corresponding to each of Rr P W.

このため、従来は第5図に示すようなピークホールド回
路を使用した検出装置がある。まず、再生電流駆動回路
1は再生電流制御信号に従い半導体レーザ2に再生レベ
ル電流IRを印加する。−方、記録電流駆動回路3は変
調信号が“O″の時には電流を0とし、変調信号がパ1
”の時には記録電流制御信号に従い記録レベル電流IW
を半導体レーザ2に重畳させる。ここに、レーザユニッ
ト4において、半導体レーザ2の光出力の一部はフォト
ディテクタ5により検出され、先出力に比例した電流を
発生する。このフォトディテクタ5により検出された電
流はOPアンプによる電流−電圧変換回路6により電圧
に変換され、2つのピークホールド回路7,8に各々出
力される。二二に、一方のピークホールド回路7は入力
電圧の絶対値の最小ピーク値、即ち再生出力PRに対応
する電気信9(再生レベル信号)を検出する。また、他
方のピークホールド回路8は入力電圧の絶対値の最大ピ
ーク値、即ち記録出力PWに対応する電気信号(記録レ
ベル信号)を検出する。
For this reason, conventionally there is a detection device using a peak hold circuit as shown in FIG. First, the reproduction current drive circuit 1 applies a reproduction level current IR to the semiconductor laser 2 according to a reproduction current control signal. - On the other hand, the recording current drive circuit 3 sets the current to 0 when the modulation signal is "O", and the recording current drive circuit 3 sets the current to 0 when the modulation signal is "O".
”, the recording level current IW follows the recording current control signal.
is superimposed on the semiconductor laser 2. Here, in the laser unit 4, a part of the optical output of the semiconductor laser 2 is detected by the photodetector 5, and a current proportional to the previous output is generated. The current detected by this photodetector 5 is converted into a voltage by a current-voltage conversion circuit 6 using an OP amplifier, and outputted to two peak hold circuits 7 and 8, respectively. Second, one peak hold circuit 7 detects the minimum peak value of the absolute value of the input voltage, that is, the electrical signal 9 (reproduction level signal) corresponding to the reproduction output PR. The other peak hold circuit 8 detects the maximum peak value of the absolute value of the input voltage, that is, the electrical signal (recording level signal) corresponding to the recording output PW.

なお、分離抽出されたこれらの再生レベル信号、記録レ
ベル信号は、各々の目標電圧と比較された後、再生電流
制御信号、記録電流制御信号として各々フィードバック
され、再生出力、記録出力が常に各々の目標値となるよ
うに制御される。
Note that these separated and extracted playback level signals and recording level signals are compared with their respective target voltages and then fed back as playback current control signals and recording current control signals, respectively, so that the playback output and recording output are always at their respective levels. It is controlled to reach the target value.

第6図もピークホールド回路7,8を用いた同様の従来
例を示すものであるが、異なる点は、フォトディテクタ
5に発生した電流を直列なる負荷抵抗Rt、により電圧
に変換し、OPアンプによる増幅回路9により増幅した
後でこれらのピークホールド回路7,8に入力させる点
である。
FIG. 6 also shows a similar conventional example using peak hold circuits 7 and 8, but the difference is that the current generated in the photodetector 5 is converted into a voltage by a series load resistor Rt, and the current generated in the photodetector 5 is converted into a voltage by an OP amplifier. The point is that the signal is input to these peak hold circuits 7 and 8 after being amplified by the amplifier circuit 9.

発明が解決しようとする問題点 このように、第5図や第6図のような従来の方式による
と、ピークホールド回路7,8の入ツノ側に○Pアンプ
使用による電流−電圧変換回路6や増幅回路9を必要と
する。光デイスク駆動装置においては変調信号が数M 
Hzの周波数を有しており、これらの回路に使用される
OPアンプが半導体レーザ出力の変化を正確に出力する
ためには極めて高帯域のものが必要であり、装置が高価
となってしまう。
Problems to be Solved by the Invention As described above, according to the conventional system as shown in FIGS. and an amplifier circuit 9 are required. In an optical disk drive device, the modulation signal is several M
It has a frequency of Hz, and in order for the OP amplifier used in these circuits to accurately output changes in the semiconductor laser output, it needs to have an extremely high band, making the device expensive.

また、回路動作が高帯域であるためにノイズ等の影響を
受けやすく、ピークホールド値に誤差を生じ、半導体レ
ーザの出力が目標値と異なる光量状態に制御されてしま
う場合がある。このような状態では正確な情報記録がで
きなくなってしまう聞届を生ずる。
Furthermore, since the circuit operates in a high frequency band, it is easily affected by noise and the like, causing an error in the peak hold value, and the output of the semiconductor laser may be controlled to a light amount state different from the target value. In such a state, errors occur that make it impossible to record accurate information.

問題点を解決するための手段 まず、半導体レーザの光出力にほぼ比例した電流を発生
する光センサに対して直列に負荷抵抗を接続する。そし
て、この負荷抵抗と光センサとの接続中点に対し、半導
体レーザの光出力が再生レベルにある期間中の一部又は
全期間でオンされる再生レベル用のスイッチ素子と、半
導体レーザの光出力が記録レベルにある期間中の一部又
は全期間でオンされる記録レベル用のスイッチ素子とを
各々接続する。そして、これらのスイッチ素子を介して
負荷抵抗に並列にコンデンサを各々接続し、かつ、これ
らのコンデンサに生ずる各々の電位を検出して再生レベ
ル信号を出力する増幅回路と記録レベル信号を出力する
増幅回路とを設ける。
Means for Solving the Problem First, a load resistor is connected in series with an optical sensor that generates a current approximately proportional to the optical output of the semiconductor laser. At the midpoint of the connection between the load resistor and the optical sensor, there is provided a regeneration level switch element that is turned on during part or all of the period when the optical output of the semiconductor laser is at the regeneration level, and A recording level switch element that is turned on during part or all of the period during which the output is at the recording level is connected to each of the recording level switch elements. Then, capacitors are connected in parallel to the load resistors via these switch elements, and an amplifier circuit that detects each potential generated in these capacitors and outputs a playback level signal, and an amplifier that outputs a recording level signal. A circuit is provided.

作用 2つのスイッチ素子がともにオフであれば、負荷抵抗に
は光センサから半導体レーザの光出力対応の電圧が発生
する。そこで、再生レベルタイミングで一方のスイッチ
素子がオンすれば、再生レベルに対応した電荷が対応す
るコンデンサに充電され、遂には、再生出力相当の電圧
値に収束する。
If both switching elements are off, a voltage corresponding to the optical output of the semiconductor laser from the optical sensor is generated in the load resistor. Therefore, when one switch element is turned on at the reproduction level timing, the corresponding capacitor is charged with a charge corresponding to the reproduction level, and the voltage value finally converges to a voltage value corresponding to the reproduction output.

これが増幅回路で増幅されて再生レベル信号となる。一
方、記録レベルタイミングで他方のスイッチ素子がオン
すれば、記録レベルに対応した電荷が対応するコンデン
サに充電され、遂には、記録出力相当の電圧値に収束す
る。これが増幅回路で増幅されて記録レベル信号となる
。ここに、各々のコンデンサに得られる電圧はきわめて
なめらかに変化するものであり、これを増幅する増幅回
路は安価なOPアンプによるもので済む。同時に、これ
らの電圧がCR時定数に従いなめらかに変化するため、
ノイズ等の影響を受けにくいものでもある。
This is amplified by an amplifier circuit and becomes a reproduction level signal. On the other hand, if the other switch element is turned on at the recording level timing, the corresponding capacitor is charged with a charge corresponding to the recording level, and the voltage value finally converges to the voltage value corresponding to the recording output. This is amplified by an amplifier circuit and becomes a recording level signal. Here, the voltage obtained at each capacitor changes extremely smoothly, and the amplifier circuit for amplifying this can be an inexpensive OP amplifier. At the same time, since these voltages change smoothly according to the CR time constant,
It is also less susceptible to the effects of noise and the like.

実施例 本発明の一実施例を第1図及び第2図に基づいて説明す
る。第3図ないし第6図で示した部分と同一部分は同一
符号を用いて示す。本実施例では、まず、第6図のもの
と同様に光センサとしてのフォトディテクタ5に直列に
負荷抵抗RLを接続する。ここに、半導体レーザ2の光
出力の一部を検出するフォトディテクタ5はこの光出力
にほぼ比例した電流を発生するものである。また、フォ
トディテクタ5とこの負荷抵抗RLとの接続中点には並
列なる2つのスイッチ素子としてのアナログスイッチI
OR,IOWが接続されている。また、これらのアナロ
グスイッチIOR,Lowの他端側にはコンデンサCR
,CWが各々接続されている。
Embodiment An embodiment of the present invention will be explained based on FIGS. 1 and 2. Components that are the same as those shown in FIGS. 3 to 6 are indicated using the same reference numerals. In this embodiment, first, a load resistor RL is connected in series to the photodetector 5 as an optical sensor, similar to the one in FIG. Here, the photodetector 5 which detects a part of the optical output of the semiconductor laser 2 generates a current approximately proportional to this optical output. Further, at the midpoint of connection between the photodetector 5 and this load resistor RL, an analog switch I is provided as two switching elements in parallel.
OR and IOW are connected. In addition, a capacitor CR is connected to the other end of these analog switches IOR and Low.
, CW are connected to each other.

よって、負荷抵抗RLとコンデンサCRとはアナログス
イッチIORを介して並列であり、同様に、負荷抵抗R
LとコンデンサCwとはアナログスイッチ10wを介し
て並列である。そして、これらのコンデンサCR+ c
wにはOPアンプ構成の増幅回路11R,l1wが各々
接続されている。
Therefore, the load resistance RL and the capacitor CR are connected in parallel via the analog switch IOR, and similarly, the load resistance R
L and capacitor Cw are connected in parallel via an analog switch 10w. And these capacitors CR+ c
Amplifying circuits 11R and l1w each having an OP amplifier configuration are connected to w.

ここに、前記アナログスイッチIORは制御信号SRに
より、半導体レーザ2の光出力が再生レベルにある期間
の一部(又は全期間)でオンされるものである。また、
アナログスイッチ1owは制御信号Swにより、半導体
レーザ2の光出力が記録レベルにある期間の一部(又は
全期間)でオンされるものである。
Here, the analog switch IOR is turned on by the control signal SR during a part (or the entire period) of the period when the optical output of the semiconductor laser 2 is at the reproduction level. Also,
The analog switch 1ow is turned on by the control signal Sw during a part (or the entire period) of the period when the optical output of the semiconductor laser 2 is at the recording level.

このような構成において、第2図のタイミングチャート
を参照して検出動作を説明する。まず、フォトディテク
タ5に発生する半導体レーザ2の光出力に比例した電流
は、負荷抵抗RLに流れる。
In such a configuration, the detection operation will be explained with reference to the timing chart of FIG. First, a current proportional to the optical output of the semiconductor laser 2 generated in the photodetector 5 flows through the load resistor RL.

この時、2つのアナログスイッチIOR,LOWがとも
にオフ状態であれば、負荷抵抗RLには光出力に比例し
た電圧vLが検出される。一方、アナログスイッチIO
R,Lowは各々第2図(C)(b)に示すような制御
信号SR+  Swによりオンする。
At this time, if the two analog switches IOR and LOW are both off, a voltage vL proportional to the optical output is detected at the load resistor RL. On the other hand, analog switch IO
R and Low are turned on by control signals SR+Sw as shown in FIGS. 2(C) and (b), respectively.

例えば、アナログスイッチIORがオンした場合には再
生レベルに対応した電荷が第2図(f)に示すようにコ
ンデンサCRに徐々に充電され、最終的にはその充電電
圧vRは、半導体レーザ2が再生出力PRにあるときの
電圧値に収束する。アナログスイッチ10.・がオンし
た場合も同様であり、記録レベルに対応した電荷が第2
図(e)に示すようにコンデンサCwに徐々に充電され
、最終的にはその充電電圧Vwは、半導体レーザ2が記
録出力PWにあるときの電圧値に収束する。
For example, when the analog switch IOR is turned on, a charge corresponding to the playback level is gradually charged to the capacitor CR as shown in FIG. The voltage converges to the voltage value at the reproduction output PR. Analog switch 10. The same is true when ・ is turned on, and the charge corresponding to the recording level is the second
As shown in Figure (e), the capacitor Cw is gradually charged, and the charging voltage Vw eventually converges to the voltage value when the semiconductor laser 2 is at the recording output PW.

第2図から判るように、これらの電圧VR+ vwは半
導体レーザ2の光出力に比例した電圧V、)に比べ、極
めてなめらかに変化するため、これらの電圧■R2■w
を増幅するための増幅回路llR111wに使用される
○Pアンプは、従来のように高帯域のものである必要は
なく、安価なもので十分である。また、これらの電圧V
R+ vwは、各々RLとCR,RLとCwの時定数に
従いなめらかに変化するため、ノイズ等の影響を受けに
くく、正確に再生レベル信号、記録レベル信号を得るこ
とができる。
As can be seen from Fig. 2, these voltages VR+vw change extremely smoothly compared to the voltage V, which is proportional to the optical output of the semiconductor laser 2, so these voltages
The OP amplifier used in the amplifier circuit llR111w for amplifying the signal does not need to be a high-bandwidth one as in the past, and an inexpensive one will suffice. Also, these voltages V
Since R+vw changes smoothly according to the time constants of RL and CR, and RL and Cw, it is less susceptible to the effects of noise and the like, and it is possible to accurately obtain a reproduction level signal and a recording level signal.

発明の効果 本発明は、上述したように光センサに直列に負荷抵抗を
接続するとともに、再生レベル時にオンされるスイッチ
素子を介して再生レベル信号用のコンデンサと増幅回路
を接続し、記録レベル時にオンされるスイッチ素子を介
して記録レベル信号用のコンデンサと増幅回路を接続し
たので、半導体レーザの再生出力、記録出力を各々分離
して検出する際に各々のコンデンサに得られる電圧がな
めらかに変化するものであり、増幅回路を安価なOPア
ンプで構成でき、かつ、ノイズ等の影響も受けにくく、
正確な再生レベル信号、記録レベル信号の検出が可能で
、半導体レーザの出力制御を適正に行うことができる。
Effects of the Invention The present invention connects a load resistor in series to the optical sensor as described above, and also connects a capacitor and an amplifier circuit for the reproduction level signal via a switch element that is turned on at the reproduction level. Since the capacitor for the recording level signal and the amplifier circuit are connected through a switch element that is turned on, the voltage obtained at each capacitor changes smoothly when the reproduction output and recording output of the semiconductor laser are detected separately. The amplifier circuit can be configured with inexpensive OP amplifiers, and is less susceptible to noise and other influences.
Accurate detection of reproduction level signals and recording level signals is possible, and output control of semiconductor lasers can be performed appropriately.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例を示す回路図、第2図はその
動作を示すタイミングチャート、第3図は一般的な半導
体レーザ出力の変調波形図、第4図は重畳方式を示す特
性図、第5図は従来例を示す回路図、 第6図は異なる従来例を示す回路図で ある。 W ・・半導体レーザ、 ・・スイッチ素子、 ・・光センサ、10R2 1R,l1w・・・増幅回路、 RL ・負荷抵抗、CR+ Cw・・・コンデンサ
Fig. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention, Fig. 2 is a timing chart showing its operation, Fig. 3 is a modulation waveform diagram of a general semiconductor laser output, and Fig. 4 is a characteristic showing the superimposition method. 5 is a circuit diagram showing a conventional example, and FIG. 6 is a circuit diagram showing a different conventional example. W: Semiconductor laser, Switch element, Optical sensor, 10R2 1R, l1w: Amplifier circuit, RL: Load resistance, CR+ Cw: Capacitor

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims]  再生レベル電流と変調信号に対応した記録レベル電流
とを重畳して半導体レーザを駆動し、この半導体レーザ
の光出力の一部を光センサにより検出し前記半導体レー
ザの光出力が再生レベル及び記録レベルにある時の光出
力に各々比例した再生レベル信号及び記録レベル信号を
分離抽出し、これらの再生レベル信号と記録レベル信号
とが各々の目標値と一致するように前記再生レベル電流
と前記記録レベル電流とを制御する半導体レーザ出力検
出装置において、前記半導体レーザの光出力にほぼ比例
した電流を発生する光センサに直列に負荷抵抗を接続し
、この負荷抵抗と前記光センサとの接続中点に、前記半
導体レーザの光出力が再生レベルにある期間中の一部又
は全期間でオンされる再生レベル用のスイッチ素子と、
前記半導体レーザの光出力が記録レベルにある期間中の
一部又は全期間でオンされる記録レベル用のスイッチ素
子とを各々接続し、これらのスイッチ素子を介して前記
負荷抵抗に並列にコンデンサを各々接続し、これらのコ
ンデンサに生ずる各々の電位を検出して再生レベル信号
を出力する増幅回路と記録レベル信号を出力する増幅回
路とを設けたことを特徴とする半導体レーザ出力検出装
置。
A semiconductor laser is driven by superimposing a reproduction level current and a recording level current corresponding to a modulation signal, a part of the optical output of this semiconductor laser is detected by an optical sensor, and the optical output of the semiconductor laser is determined to be at the reproduction level and the recording level. A reproduction level signal and a recording level signal each proportional to the optical output at the time of In a semiconductor laser output detection device that controls current, a load resistor is connected in series to an optical sensor that generates a current approximately proportional to the optical output of the semiconductor laser, and a load resistor is connected in series to the optical sensor at a midpoint between the load resistor and the optical sensor. , a reproduction level switch element that is turned on during part or all of the period when the optical output of the semiconductor laser is at the reproduction level;
A recording level switch element that is turned on during a part or all of the period during which the optical output of the semiconductor laser is at the recording level is connected to each, and a capacitor is connected in parallel to the load resistor through these switch elements. 1. A semiconductor laser output detection device comprising: an amplifier circuit connected to each other, an amplifier circuit for detecting each potential generated in these capacitors and outputting a reproduction level signal, and an amplifier circuit for outputting a recording level signal.
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