JPH02205086A - Semiconductor laser controller - Google Patents
Semiconductor laser controllerInfo
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 214
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 48
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 134
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 13
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 13
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 13
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 abstract 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 241001125929 Trisopterus luscus Species 0.000 description 6
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はレーザプリンタ、光デイスク装置、光通信装置
等で光源として用いられる半導体レーザの光出力を制御
する半導体レーザ制御装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a semiconductor laser control device for controlling the optical output of a semiconductor laser used as a light source in a laser printer, an optical disk device, an optical communication device, etc.
半導体レーザは極めて小型であって、かつ駆動電流によ
り高速に直接変調を行うことができるので、近年光デイ
スク装置、レーザプリンタ等の光源として広く使用され
ている。Semiconductor lasers are extremely compact and can be directly modulated at high speed by a drive current, so they have recently been widely used as light sources for optical disk devices, laser printers, and the like.
しかしながら、半導体レーザの駆動電流・光出力特性は
温度により著しく変化し、これは半導体レーザの光強度
を所望の値に設定しようとする場合に問題となる。この
問題を解決して半導体レーザの利点を活かす為にさまざ
まなＡ Ｐ Ｃ（Ａ ｕｔｏｍａｔｉｅ Ｐｏｗｅｒ
Ｃｏｎｔｒｏｌ）回路が提案されている。However, the drive current and optical output characteristics of a semiconductor laser vary significantly depending on temperature, which poses a problem when trying to set the light intensity of the semiconductor laser to a desired value. In order to solve this problem and take advantage of the advantages of semiconductor lasers, various APC (Automatic Power
A control circuit has been proposed.
このＡＰＣ回路は次の３つの方式に分けられる。This APC circuit can be divided into the following three methods.
（１）半導体レーザの光出力を受光素子によりモニター
し、この受光素子に発生する受光電流（半導体レーザの
光出力に比例する）に比例する信号と。(1) The light output of the semiconductor laser is monitored by a light receiving element, and a signal is proportional to the light receiving current (proportional to the light output of the semiconductor laser) generated in the light receiving element.
発光レベル指令信号とが等しくなるように常時半導体レ
ーザの順方向電流を制御する光・電気負帰還ループを設
け、この光・電気負帰還ループにより半導体レーザの光
出力を所望の値に制御する方式。A method in which an optical/electrical negative feedback loop is provided to constantly control the forward current of the semiconductor laser so that it is equal to the emission level command signal, and this optical/electrical negative feedback loop controls the optical output of the semiconductor laser to a desired value. .
（２）パワー設定期間には半導体レーザの光出力を一４
＝
受光素子によりモニターしてこの受光素子に発生する受
光電流（半導体レーザの光出力に比例する）に比例する
信号と９発光レベル指令信号とが等しくなるように半導
体レーザの順方向電流を制御し、パワー設定期間外には
パワー設定油量で設定した半導体レーザの順方向電流の
値を保持することによって半導体レーザの光出力を所望
の値に制御する。そしてパワー設定期間外にはパワー設
定期間で設定した半導体レーザの順方向電流の値を基準
として半導体レーザの順方向電流を情報で変調すること
により半導体レーザの光出力に情報を載せる方式。(2) During the power setting period, the optical output of the semiconductor laser is
= The forward current of the semiconductor laser is controlled so that the signal proportional to the light-receiving current (proportional to the optical output of the semiconductor laser) monitored by the light-receiving element and generated in the light-receiving element is equal to the light emission level command signal. Outside the power setting period, the forward current value of the semiconductor laser set by the power setting oil amount is maintained, thereby controlling the optical output of the semiconductor laser to a desired value. Then, outside the power setting period, information is added to the optical output of the semiconductor laser by modulating the forward current of the semiconductor laser with information based on the value of the forward current of the semiconductor laser set during the power setting period.
（３）半導体レーザの温度を測定し、その測定した温度
によって半導体レーザの順方向電流を制御したり、又は
半導体レーザの温度を二定になるように制御したりして
半導体し一ザの光出力を所望の値に制御する方式。(3) Measuring the temperature of the semiconductor laser and controlling the forward current of the semiconductor laser according to the measured temperature, or controlling the temperature of the semiconductor laser to be constant, A method of controlling output to a desired value.
半導体レーザの光出力を所望の値とするためには（１）
の方式が望ましいが、受光素子の動作速度。In order to set the optical output of the semiconductor laser to the desired value (1)
The preferred method is the operating speed of the light receiving element.
光・電気負帰還ループを構成している増幅素子の動作速
度等の限界により制御速度に限界が生ずる。There is a limit to the control speed due to limits such as the operating speed of the amplification elements that constitute the optical/electrical negative feedback loop.
例えばこの制御速度の目安として光・電気負帰還ループ
の開ループでの交叉周波数を考慮した場合この交叉周波
数をｆｏとしたとき半導体レーザの光出力のステップ応
答特性は次のように近似できる。For example, when considering the cross-over frequency in the open loop of the optical/electrical negative feedback loop as a measure of this control speed, and when this cross-over frequency is set to fo, the step response characteristic of the optical output of the semiconductor laser can be approximated as follows.
Ｐｏｕｔ＝ ｐＨ（１−ｅｘｐ（−２ｎ ｆ ｏｔ ）
）Ｐｏｕｔ：半導体レーザの光出力
Ｐｏ＝半導体レーザの設定された光強度ｔ：時間
半導体レーザの多くの使用目的では半導体レーザの光出
力を変化させた直後から、設定された時間で。が経過す
るまでの全光量（光出力の積分値ｆｐ ｏｕｔ）が所定
の値となることが必要とされ、２πｆ０τ。）］）
となる。仮に、τ。＝５０ｎｓ、誤差の許容範囲を０．
４％とした場合ｆ 、 ＞８００ＭＨ２としなければな
らず、これは極めて困難である。Pout=pH(1-exp(-2n fot )
) Pout: Optical output of the semiconductor laser Po = Set optical intensity of the semiconductor laser t: Time In many purposes of use of semiconductor lasers, the optical output of the semiconductor laser is changed for a set time immediately after changing it. It is necessary that the total amount of light (integrated value fp out of optical output) until the elapse of 2πf0τ becomes a predetermined value. )]) becomes. Suppose, τ. = 50ns, error tolerance 0.
In the case of 4%, f must be set to >800MH2, which is extremely difficult.
また（２）の方式では（１）の方式の上記問題は発生せ
ず、半導体レーザを高速に変調することが可能であるの
で、多く使用されている。しかしながらこの（２）の方
式では半導体レーザの光出力を常時制御しているわけで
はないので、外乱等により容易に半導体レーザの光量変
動が生ずる。外乱としては例えば半導体レーザのドウル
ープ特性があり、半導体レーザの光量はこのドウループ
特性により容易に数％程度の誤差が生じてしまう。半導
体レーザのドウループ特性を抑制する試みとして、半導
体レーザの熱時定数に半導体レーザ駆動電流の周波数特
性を合わせ補償する方法などが提案されているが、半導
体レーザの熱時定数は各半導体レーザ毎に個別にバラツ
キがあり、また半導体レーザの周囲環境により異なる等
の問題がある。In addition, method (2) does not have the above-mentioned problems of method (1), and it is possible to modulate a semiconductor laser at high speed, so it is widely used. However, in this method (2), since the optical output of the semiconductor laser is not always controlled, the light amount of the semiconductor laser easily fluctuates due to disturbances and the like. The disturbance includes, for example, the dow loop characteristic of a semiconductor laser, and this dow loop characteristic easily causes an error of several percent in the amount of light of the semiconductor laser. In an attempt to suppress the draw loop characteristics of semiconductor lasers, methods have been proposed in which the thermal time constant of the semiconductor laser is compensated for by adjusting the frequency characteristics of the semiconductor laser drive current, but the thermal time constant of the semiconductor laser is different for each semiconductor laser. There are problems such as individual variations and differences depending on the surrounding environment of the semiconductor laser.
また光デイスク装置などにおいて問題とされる半導体レ
ーザの戻り光の影響による光量変動などの問題がある。Further, there are problems such as variations in light amount due to the influence of return light from a semiconductor laser, which is a problem in optical disk devices and the like.
本発明は上記欠点を改善し、高速、高精度、高分解能な
半導体レーザ制御装置を提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to improve the above-mentioned drawbacks and provide a semiconductor laser control device that is high speed, high accuracy, and high resolution.
上記目的を達成するため、請求項１の発明は被駆動半導
体レーザの光出力を受光部により検知してこの受光部か
ら得られる前記半導体レーザの光出力に比例した受光信
号と発光レベル指令信号とが等しくなるように前記半導
体レーザの順方向電流を制御する光・電気負帰還ループ
と、前記受光信号と前記発光レベル指令信号とが等しく
なるように前記半導体レーザの光出力・順方向電流特性
及び前記受光部と前記半導体レーザとの結合係数。In order to achieve the above object, the invention of claim 1 detects the optical output of a driven semiconductor laser by a light receiving section, and generates a light receiving signal proportional to the optical output of the semiconductor laser and a light emission level command signal obtained from the light receiving section. an optical/electrical negative feedback loop that controls the forward current of the semiconductor laser so that they are equal to each other; a coupling coefficient between the light receiving section and the semiconductor laser;
前記受光部の光入力・受光信号特性に基づいて前記発光
レベル指令信号を前記半導体レーザの光電流に変換する
変換手段とを有し、前記光・電気負帰還ループの制御電
流と前記変換手段により生成された電流との和または差
の電流によって前記半導体レーザを制御するようにした
ものであり、請求項２の発明は請求項１記載の半導体レ
ーザ制御装置において、前記半導体レーザの光出力を受
光部により検知してこの受光部から得られる前記半導体
レーザの光出力に比例した受光電流と。conversion means for converting the light emission level command signal into a photocurrent of the semiconductor laser based on the optical input/light reception signal characteristics of the light receiving section, and the control current of the optical/electrical negative feedback loop and the conversion means The semiconductor laser is controlled by a current that is a sum or a difference between the generated current and the semiconductor laser. a light-receiving current proportional to the optical output of the semiconductor laser detected by the light-receiving part and obtained from the light-receiving part;
第１の発光レベル指令信号を電流に変換した発光レベル
指令信号とが等しくなるように前記半導体レーザの順方
向電流を制御する第１の光・電気負帰還ループと、前記
受光電流に比例する電圧と請求項１記載の発光レベル指
令信号とが等しくなるように前記第１の発光レベル指令
信号を制御する第２の光・電気負帰還ループとにより請
求項１記載の光・電気負帰還ループを構成するようにし
たものであり、
請求項３の発明は請求項１記載の半導体レーザ制御装置
において、前記変換手段が前記発光レベル指令信号をア
ナログ信号電圧として前記半導体レーザの光出力−順方
向電流特性を直線に近似して前記発光レベル指令信号に
比例した電流に変換するようにしたものであり、
請求項４の発明は請求項２記載の半導体レーザ制御装置
において、前記変換手段が前記発光レベル指令信号をア
ナログ信号電圧として前記半導体レーザの光出力−順方
向電流特性を直線に近似して前記発光レベル指令信号に
比例した電流に変換するようにしたものであり、
請求項５の発明は請求項１記載の半導体レーザ制御装置
において、前記変換手段が前記発光レベル指令信号をア
ナログ信号電圧として前記半導体レーザの光出力−順方
向電流特性を折れ線に近似して前記発光レベル指令信号
に対応した電流に変換するようにしたものであり、
請求項６の発明は請求項２記載の半導体レーザ制御装置
において、前記変換手段が前記発光レベル指令信号をア
ナログ信号電圧として前記半導体レーザの光出力−順方
向電流特性を折れ線に近似して前記発光レベル指令信号
に対応した電流に変換するようにしたものであり、
請求項７の発明は請求項１記載の半導体レーザ制御装置
において、前記発光レベル指令信号をディジタル信号と
し、前記変換手段が前記発光レベル指令信号を前記半導
体レーザの光出力−順方向電流特性を補正した信号に変
換する変換テーブルと、この変換テーブルにより変換さ
れた信号を前記半導体レーザの順方向電流に変換するデ
ィジタル／アナログ変換器とを有するようにしたもので
あり、
請求項８の発明は請求項２記載の半導体レーザ制御装置
において、前記発光レベル指令信号をディジタル信号と
し、前記変換手段が前記発光レベル指令信号を前記半導
体レーザの光出力−順方向電流特性を補正した信号に変
換する変換テーブルと、この変換テーブルにより変換さ
れた信号を前記半導体レーザの順方向電流に変換するデ
ィジタル／アナログ変換器とを有するようにしたもので
ある。a first optical/electrical negative feedback loop that controls the forward current of the semiconductor laser so that the first light emission level command signal is equal to the light emission level command signal obtained by converting the first light emission level command signal into a current; and a voltage proportional to the light receiving current. and a second optical/electrical negative feedback loop that controls the first light emission level command signal so that the light emission level command signal and the light emission level command signal according to claim 1 are equal to each other. According to a third aspect of the present invention, in the semiconductor laser control device according to the first aspect, the conversion means converts the light emission level command signal into an analog signal voltage and converts the light output of the semiconductor laser into a forward current. A fourth aspect of the present invention is the semiconductor laser control device according to claim 2, in which the characteristic is approximated to a straight line and converted into a current proportional to the light emission level command signal. The invention of claim 5 is characterized in that the optical output-forward current characteristic of the semiconductor laser is approximated to a straight line by using an analog signal voltage as the command signal, and converted into a current proportional to the light emission level command signal. In the semiconductor laser control device according to Item 1, the conversion means uses the light emission level command signal as an analog signal voltage to approximate the optical output-forward current characteristic of the semiconductor laser to a polygonal line, and converts the light emission level command signal into a current corresponding to the light emission level command signal. According to a sixth aspect of the present invention, in the semiconductor laser control device according to the second aspect, the conversion means converts the light emission level command signal into an analog signal voltage and converts the light output of the semiconductor laser into a forward direction. The current characteristic is approximated to a polygonal line and converted into a current corresponding to the light emission level command signal. a conversion table for converting the light emission level command signal into a signal corrected for the optical output-forward current characteristic of the semiconductor laser; and a digital/analog converter for converting the directional current into a directional current.The invention according to claim 8 is the semiconductor laser control device according to claim 2, wherein the light emission level command signal is a digital signal, and the conversion means a conversion table for converting the light emission level command signal into a signal corrected for the optical output-forward current characteristic of the semiconductor laser; and a digital converter for converting the signal converted by the conversion table into a forward current for the semiconductor laser. The analog converter has an analog converter.
請求項１の発明では光・電気負帰還ループが半導体レー
ザの光出力を受光部により検知してこの受光部から得ら
れる半導体レーザの光出力に比例した受光信号と発光レ
ベル指令信号とが等しくなるように半導体レーザの順方
向電流を制御し、変換手段が前記受光信号と前記発光レ
ベル指令信号とが等しくなるように半導体レーザの光出
力・順方向電流特性及び前記受光部と半導体レーザとの
結合係数、前記受光部の光入力・受光信号特性に基づい
て前記発光レベル指令信号を半導体レーザの光電流に変
換する。半導体レーザは光・電気負帰還ループの制御電
流と変換手段により生成された電流との和または差の電
流によって制御される。In the invention of claim 1, the optical/electrical negative feedback loop detects the optical output of the semiconductor laser by the light receiving section, and the light reception signal proportional to the optical output of the semiconductor laser obtained from the light receiving section becomes equal to the light emission level command signal. The converter controls the forward current of the semiconductor laser so that the light receiving signal and the light emission level command signal are equal to each other, and determines the optical output/forward current characteristics of the semiconductor laser and the coupling between the light receiving section and the semiconductor laser. The light emission level command signal is converted into a photocurrent of the semiconductor laser based on the coefficient and the light input/light reception signal characteristics of the light receiving section. The semiconductor laser is controlled by the sum or difference current between the control current of the opto-electrical negative feedback loop and the current generated by the conversion means.
請求項２の発明では第１の光・電気負帰還ループが前記
半導体レーザの光出力を受光部により検知してこの受光
部から得られる前記半導体レーザの光出力に比例した受
光電流と、第１の発光レベル指令信号を電流に変換した
発光レベル指令信号とが等しくなるように前記半導体レ
ーザの順方向電流を制御し、第２の光・電気負帰還ルー
プが前記受光電流に比例する電圧と請求項１記載の発光
レベル指令信号とが等しくなるように前記第１の発光レ
ベル指令信号を特徴する
請求項３の発明では変換手段が前記発光レベル指令信号
をアナログ信号電圧として前記半導体レーザの光出力−
順方向電流特性を直線に近似して前記発光レベル指令信
号に比例した電流に変換する。In the invention of claim 2, a first optical/electrical negative feedback loop detects the optical output of the semiconductor laser by a light receiving section, and generates a light receiving current proportional to the optical output of the semiconductor laser obtained from the light receiving section; The forward current of the semiconductor laser is controlled so that the light emission level command signal obtained by converting the light emission level command signal into a current is equal to the light emission level command signal, and a second optical/electrical negative feedback loop generates a voltage proportional to the light receiving current. In the invention according to claim 3, the first light emission level command signal is characterized in that the first light emission level command signal is equal to the light emission level command signal according to claim 1. −
The forward current characteristic is approximated to a straight line and converted into a current proportional to the light emission level command signal.
請求項４の発明では変換手段が前記発光レベル指令信号
をアナログ信号電圧として前記半導体レーザの光出力−
順方向電流特性を直線に近似して前記発光レベル指令信
号に比例した電流に変換する。In the invention according to claim 4, the conversion means converts the light emission level command signal into an analog signal voltage to convert the light output of the semiconductor laser into -
The forward current characteristic is approximated to a straight line and converted into a current proportional to the light emission level command signal.
請求項５の発明では変換手段が前記発光レベル指令信号
をアナログ信号電圧として前記半導体レーザの光出力−
順方向電流特性を折れ線に近似して前記発光レベル指令
信号に対応した電流に変換する。In the invention according to claim 5, the conversion means converts the light emission level command signal into an analog signal voltage to convert the light output of the semiconductor laser into -
The forward current characteristic is approximated to a polygonal line and converted into a current corresponding to the light emission level command signal.
請求項６の発明では変換手段が前記発光レベル指令信号
をアナログ信号電圧として前記半導体レーザの光出力−
順方向電流特性を折れ線に近似して前記発光レベル指令
信号に対応した電流に変換する。In the invention of claim 6, the conversion means converts the light emission level command signal into an analog signal voltage to convert the light output of the semiconductor laser into -
The forward current characteristic is approximated to a polygonal line and converted into a current corresponding to the light emission level command signal.
請求項７の発明では変換手段において前記発光レベル指
令信号が変換テーブルにより前記半導体レーザの光出力
−順方向電流特性を補正した信号に変換されてディジタ
ル／アナログ変換器により前記半導体レーザの順方向電
流に変換される。In the seventh aspect of the invention, the light emission level command signal is converted by a conversion table into a signal in which the optical output-forward current characteristic of the semiconductor laser is corrected in the conversion means, and the forward current of the semiconductor laser is converted by a digital/analog converter. is converted to
請求項８の発明でも変換手段において前記発光レベル指
令信号が変換テーブルにより前記半導体レーザの光出力
−順方向電流特性を補正した信号に変換されてディジタ
ル／アナログ変換器により前記半導体レーザの順方向電
流に変換される。In the invention of claim 8, the light emission level command signal is converted by the conversion table into a signal in which the optical output-forward current characteristic of the semiconductor laser is corrected by the conversion means, and the forward current of the semiconductor laser is converted by the digital/analog converter. is converted to
第１図は発明の一実施例を示す。 FIG. 1 shows an embodiment of the invention.
発光レベル指令信号は比較増幅器１及び電流変換器２に
入力され、被駆動半導体レーザ３の光出力の一部が受光
素子４によりモニターされる。比較増幅器１と半導体レ
ーザ３．受光素子４は光・電気負帰還ループを形成し、
比較増幅器１は受光素子４に誘起された光起電流（半導
体レーザ３の光出力に比例する）に比例する受光信号と
発光レベル指令信号とを比較してその結果により半導体
レーザ３の順方向電流を受光信号と発光レベル指令信号
とが等しくなるように制御する。また電流変換器２は前
記受光信号と発光レベル指令信号とが等しくなるように
発光レベル指令信号に従って予め設定された電流（半導
体レーザ３の光出力・順方向電流特性及び受光素子４と
半導体レーザ３との結合係数、受光素子３の光入力・受
光信号特性に基づいて予め設定された電流）を出力量る
。The light emission level command signal is input to the comparison amplifier 1 and the current converter 2, and a part of the optical output of the driven semiconductor laser 3 is monitored by the light receiving element 4. Comparison amplifier 1 and semiconductor laser 3. The light receiving element 4 forms an optical/electrical negative feedback loop,
A comparison amplifier 1 compares a light reception signal proportional to the photovoltaic current (proportional to the optical output of the semiconductor laser 3) induced in the light receiving element 4 and a light emission level command signal, and adjusts the forward current of the semiconductor laser 3 based on the result. is controlled so that the light reception signal and the light emission level command signal are equal. Further, the current converter 2 generates a current that is preset according to the light emission level command signal (the light output and forward current characteristics of the semiconductor laser 3 and the light receiving element 4 and the semiconductor laser 3) so that the light reception signal and the light emission level command signal are equal to each other. A current preset based on the coupling coefficient with the light receiving element 3 and the light input/light receiving signal characteristics of the light receiving element 3 is outputted.
この電流変換器２の出力電流と、比較増幅器１より出力
される制御電流との和の電流が半導体レーザ３の順方向
電流となる。The sum of the output current of the current converter 2 and the control current output from the comparator amplifier 1 becomes the forward current of the semiconductor laser 3.
ここで、前記光・電気負帰還ループの開ループでの交差
周波数をｆｏとし、ＤＣゲインを１００００とした場合
、半導体レーザ３の光出力Ｐ ｏｕｔのステップ応答特
性は次のように近似できる。Here, when the open-loop crossover frequency of the optical/electrical negative feedback loop is fo and the DC gain is 10,000, the step response characteristic of the optical output P out of the semiconductor laser 3 can be approximated as follows.
Ｐｏｕｔ＝ ＰＬ＋ （ＰＳ −ＰＬ）ｅｘｐ（−２π
ｆ 、 ｔ ）ＰＬ：ｔ＝ωにおける光出力
ＰＳ：電流変換器２により設定された光量光・電気負帰
還ループの開ループでのＤＣゲインを１００００として
いるので、設定誤差の許容範囲を０．１％以下とした場
合には、ＰＬは設定した光量に等しいと考えられる。Pout= PL+ (PS −PL)exp(−2π
f, t) PL: Optical output at t=ω PS: Light amount set by the current converter 2 Since the DC gain in the open loop of the optical/electrical negative feedback loop is set to 10,000, the allowable range of setting error is set to 0. When it is 1% or less, PL is considered to be equal to the set light amount.
したがって、仮に電流変換器２により設定された光量Ｐ
ＳがＰＬに等しければ、瞬時に半導体レーザ３の光出力
がＰＬに等しくなる。また、外乱等によりＰＳが５％変
動したとしてもｆ ０＝ ４０ＭＨ２程度であれば、１
０ｎｓ後には半導体レーザ３の光出力は設定値に対する
誤差が０．４％以下になる。Therefore, if the light amount P set by the current converter 2 is
If S is equal to PL, the optical output of the semiconductor laser 3 instantly becomes equal to PL. Furthermore, even if PS fluctuates by 5% due to disturbance etc., if f 0 = about 40MH2, then 1
After 0 ns, the optical output of the semiconductor laser 3 has an error of 0.4% or less with respect to the set value.
また半導体レーザ３の光出力を変化させた直後から設定
された時間τ。が経過するまでの全光量（光出力の積分
値ｆ Ｐｏｕｔ）の誤差が０．４％以下になるための光
・電気負帰還ループの交差周波数は、τｏ＝ ５０ｎｓ
とした場合４０ＭＨ２以上であればよく、この程度の交
叉周波数ならば容易に実現できる。Also, the time τ is set immediately after changing the optical output of the semiconductor laser 3. The crossing frequency of the optical/electrical negative feedback loop is τo = 50 ns so that the error in the total amount of light (integrated value of optical output f Pout) until the time elapses is 0.4% or less.
In this case, it is sufficient that the frequency is 40 MH2 or more, and a crossover frequency of this level can be easily realized.
さらに、この実施例では電流変換器２の出力電流を光・
電気負帰還ループの制御電流に加算する構成であるが、
半導体レーザ３と並列に電流変換器２を接続する構成と
すれば電流変換器２の出力電流と光・電気負帰還ループ
の制御電流との差の電流により半導体レーザ３を制御す
る構成が実現できる。Furthermore, in this embodiment, the output current of the current converter 2 is
The configuration is such that it is added to the control current of the electrical negative feedback loop.
By connecting the current converter 2 in parallel with the semiconductor laser 3, it is possible to realize a configuration in which the semiconductor laser 3 is controlled by the current difference between the output current of the current converter 2 and the control current of the optical/electrical negative feedback loop. .
このようにこの実施例によれば高速、高精度。In this way, this embodiment achieves high speed and high precision.
高分解能な半導体レーザ制御装置が実現できる。A high-resolution semiconductor laser control device can be realized.
第２図は発明の他の実施例を示す。FIG. 2 shows another embodiment of the invention.
発光レベル指令信号は比較増幅器５及び電流変換器２に
入力され、被駆動半導体レーザ３の光出力の一部が受光
素子４によりモニターされる。受光素子４に誘起された
光起電流（半導体レーザ３の光出力に比例する）Ｉｓの
周波数の高い成分は容量Ｃに流れてインピーダンス変換
器６に入力され、光起電流Ｉｓの周波数の低い成分は抵
抗Ｒに流れて電圧に変換される。この抵抗Ｒに発生した
電圧は比較増幅ｆＩｔ５と電圧−電流変換器７に入力さ
れ、電圧−電流変換器７が抵抗Ｒに発生した電圧を電流
に変換する。この電圧−電流変換器７の出力電流はイン
ピーダンス変換器６の出力電流と加算器８で加算され、
受光素子４に発生した光起電流工Ｓと等しい電流■。ど
なる。一方、比較増幅器５は抵抗Ｒに発生した電圧と発
光レベル指令信号とを比較してその差電圧を増幅し、こ
の比較増幅器５の出力電圧が電圧−電流変換器９により
電流に変換されて第１の発光レベル指令信号電流ＩＬと
なる。減算器ｌＯは電圧−電流変換器９からの第１の発
光レベル指令信号電流ＩＬより加算器８からの電流１．
を減算してその差分電流を出力し、この差分電流が電流
増幅器１１により増幅されて半導体レーザ３の制御電流
として出力される。したがって、受光素子４．容量Ｃ９
抵抗Ｒ，インピーダンス変換器６．電圧−電流変換器７
．加算器８．減算器１０．電流増幅器１１は半導体レー
ザ３の光出力に比例する受光素子４の光起電流Ｉｓと電
圧−電流変換器９からの第１の発光レベル指令信号電流
ＩＬとが等しくなるように半導体レーザ３の順方向電流
を制御する第１の光・電気負帰還ループを構成し、比較
増幅器５．電圧−電流変換器９は受光素子４の光起電流
Ｉｓに比例する電圧と外部からの第２の発光レベル指令
信号とが等しくなるように第１の発光レベル指令信号電
流ＩＬを制御する第２の光・電気負帰還ループを構成す
る。The light emission level command signal is input to the comparison amplifier 5 and the current converter 2, and a part of the optical output of the driven semiconductor laser 3 is monitored by the light receiving element 4. The high frequency component of the photovoltaic current Is (proportional to the optical output of the semiconductor laser 3) induced in the light receiving element 4 flows into the capacitor C and is input to the impedance converter 6, and the low frequency component of the photovoltaic current Is flows through the resistor R and is converted into a voltage. The voltage generated across the resistor R is input to the comparison amplifier fIt5 and the voltage-current converter 7, and the voltage-current converter 7 converts the voltage generated across the resistor R into a current. The output current of this voltage-current converter 7 is added to the output current of the impedance converter 6 by an adder 8,
A current ■ equal to the photovoltaic current S generated in the light receiving element 4. bawl. On the other hand, the comparison amplifier 5 compares the voltage generated across the resistor R with the light emission level command signal and amplifies the difference voltage, and the output voltage of the comparison amplifier 5 is converted into a current by the voltage-current converter 9. The light emission level command signal current IL becomes 1. A subtracter lO converts the current 1.
is subtracted and the difference current is output, and this difference current is amplified by the current amplifier 11 and output as the control current of the semiconductor laser 3. Therefore, the light receiving element 4. Capacity C9
Resistor R, impedance converter6. Voltage-current converter 7
．． Adder 8. Subtractor 10. The current amplifier 11 adjusts the order of the semiconductor lasers 3 so that the photovoltaic current Is of the light receiving element 4, which is proportional to the optical output of the semiconductor laser 3, and the first light emission level command signal current IL from the voltage-current converter 9 are equal. Comparing amplifier 5. constitutes a first optical/electrical negative feedback loop for controlling directional current. The voltage-current converter 9 controls the first light emission level command signal current IL so that the voltage proportional to the photovoltaic current Is of the light receiving element 4 and the second light emission level command signal from the outside are equal. This constitutes an optical/electrical negative feedback loop.
また電流変換器２は第２の発光レベル指令信号の周波数
の高い成分に関しては加算器８からの電流工。と第１の
発光レベル指令信号電流ＩＬとが等しくなるように第２
の発光レベル指令信号に従いあらかじめ設定された電流
（半導体レーザ３の光出力・順方向電流特性及び受光素
子４と半導体レーザ３との結合係数、受光素子３の光入
力・受光信号特性に基づいて予め設定された電流）を出
力し、第２の発光レベル指令信号の周波数の低い成分に
関しては抵抗Ｒの両端間電圧と第１の発光レベル指令信
号とが等しくなるように第２の発光レベル指令信号に従
いあらかじめ設定された電流（半導体レーザ３の光出力
・順方向電流特性及び受光素子４と半導体レーザ３との
結合係数、受光素子３の光入力・受光信号特性に基づい
て予め設定された電流）を出力する。この電流変換器２
の出力電流と電流増幅器１１の出力電流との和の・電流
が半導体レーザ３の順方向電流となる。Further, the current converter 2 converts the current from the adder 8 with respect to the high frequency component of the second light emission level command signal. and the first light emission level command signal current IL are equal to each other.
A current is set in advance according to the light emission level command signal of For the low frequency component of the second light emission level command signal, the second light emission level command signal is output such that the voltage across the resistor R is equal to the first light emission level command signal. (a current preset based on the optical output and forward current characteristics of the semiconductor laser 3, the coupling coefficient between the light receiving element 4 and the semiconductor laser 3, and the optical input and light receiving signal characteristics of the light receiving element 3) Output. This current converter 2
The sum of the output current of the current amplifier 11 and the output current of the current amplifier 11 becomes the forward current of the semiconductor laser 3.
ここで、前記第１の光・電気負帰還ループの開ループで
の交差周波数をｆｏとし、ＤＣゲインを３０とするとと
もに、前記第２の光・電気負帰還ループのＤＣゲインを
１００００とした場合、半導体レーザ３の光出力Ｐ ｏ
ｕｔのステップ応答特性は次のように近似できる。Here, when the open loop crossing frequency of the first optical/electrical negative feedback loop is fo, the DC gain is 30, and the DC gain of the second optical/electrical negative feedback loop is 10000. , the optical output P o of the semiconductor laser 3
The step response characteristic of ut can be approximated as follows.
Ｐｏｕｔ＝ ＰＬ＋ （ＰＳ −ＰＬ）ｅｘｐ（−２ｔ
ｃ ｆ ａｔ ）ｐｔ、：、ｔ＝ψにおける光出力
ＰＳ：電流変換器２により設定された光量節２の光・電
気負帰還ループのＤＣゲインを１００００としているの
で、設定誤差の許容範囲を０．１％以下とした場合には
、ＰＬは設定した光量に等しいと考えられる。また、第
１の光・電気負帰還ループのＤＣゲインを３０としてい
るので、第１の光・電気負帰還ループでの定常誤差は（
ＰＳ−ＰＬ）７３０程度になる。したがって、仮に電流
変換器２により設定された光量ＰＳがＰＬに等しければ
、半導体レーザ３の光出力が瞬時にＰＬに等しくなり、
また、外乱等によりＰＳが５％変動したとしても第１の
光・電気負帰還ループの定常誤差が０．２％程度となる
ので、 ｆ、 ＝４０ＭＨ２程度でかつ第１の光・電気
負帰還ループのＤＣゲインが３０程度であれば、Ｉｏｎ
ｓ後には半導体レーザ３の光出力は設定値に対する誤差
が０．４％以下になる。Pout= PL+ (PS -PL)exp(-2t
c f at ) pt, :, Optical output PS at t=ψ: Since the DC gain of the optical/electrical negative feedback loop of light node 2 set by current converter 2 is set to 10000, the allowable range of setting error is set to 0. When it is set to .1% or less, PL is considered to be equal to the set light amount. Also, since the DC gain of the first optical/electrical negative feedback loop is set to 30, the steady-state error in the first optical/electrical negative feedback loop is (
PS-PL) It will be about 730. Therefore, if the light intensity PS set by the current converter 2 is equal to PL, the optical output of the semiconductor laser 3 instantly becomes equal to PL,
Furthermore, even if PS fluctuates by 5% due to disturbance etc., the steady-state error of the first optical/electrical negative feedback loop will be about 0.2%, so f, = about 40MH2 and the first optical/electrical negative feedback loop. If the DC gain of the loop is about 30, Ion
After s, the optical output of the semiconductor laser 3 has an error of 0.4% or less with respect to the set value.
また半導体レーザ３の光出力を変化させた直後から設定
された時間で。が経過するまでの全光量（光出力の積分
値ｆ Ｐｏｕｔ）の誤差が０．４％以下になるための光
・電気負帰還ループの交差周波数は、τ。＝ ５０ｎｓ
とした場合４０ＭＨ２以上であればよく、またＤＣゲイ
ンは３０倍程度あればよく、この程度の交叉周波数及び
ＤＣゲインならば容易に実現できる。Also, at a set time immediately after changing the optical output of the semiconductor laser 3. The crossing frequency of the optical/electrical negative feedback loop is τ so that the error in the total amount of light (integrated value f Pout of optical output) until lapses is 0.4% or less. = 50ns
In this case, it is sufficient that it is 40 MH2 or more, and the DC gain is only about 30 times, and this level of crossover frequency and DC gain can be easily realized.
さらに、この実施例では電流変換器１２の出力電流を光
・電気負帰還ループの制御電流に加算する構成であるが
、半導体レーザ３と並列に電流変換器１２を接続する構
成とすれば電流変換器１２の出力電流と光・電気負帰還
ループの制御電流との差の電流により半導体レーザ３を
制御する構成が実現できる。Furthermore, in this embodiment, the output current of the current converter 12 is added to the control current of the optical/electrical negative feedback loop, but if the current converter 12 is connected in parallel with the semiconductor laser 3, the current can be converted. A configuration can be realized in which the semiconductor laser 3 is controlled by a current that is the difference between the output current of the device 12 and the control current of the optical/electrical negative feedback loop.
第３図は本発明の他の実施例を示す。FIG. 3 shows another embodiment of the invention.
この実施例は上記第２図の実施例において、第２の発光
レベル指令信号の代りに比較増幅器５の出力電圧を電流
変換器１３に入力するようにしたものであり、電流変換
器１３は第２の発光レベル指令信号の周波数の高い成分
に関しては加算器８からの電流工。と第１の発光レベル
指令信号電流ＩＬとが等しくなるように比較増幅器５の
出力電圧に従いあらかじめ設定された電流（半導体レー
ザ３の光出力・順方向電流特性及び受光素子４と半導体
レーザ３との結合係数、受光素子３の光入力・受光信号
特性に基づいて予め設定された電流）を出力し、第２の
発光レベル指令信号の周波数の低い成分に関しては抵抗
Ｒの両端間電圧と第１の発光レベル指令信号とが等しく
なるように比較増幅器５の出力電圧に従いあらかじめ設
定された電流（半導体レーザ３の光出力・順方向電流特
性及び受光素子４と半導体レーザ３との結合係数、受光
素子３の光入力・受光信号特性に基づいて予め設定され
た電流）を出力する。In this embodiment, the output voltage of the comparison amplifier 5 is input to the current converter 13 instead of the second light emission level command signal in the embodiment shown in FIG. As for the high frequency component of the light emission level command signal No. 2, the current is inputted from the adder 8. A current is set in advance according to the output voltage of the comparator amplifier 5 (the optical output/forward current characteristics of the semiconductor laser 3 and the relationship between the light receiving element 4 and the semiconductor laser 3) so that A current preset based on the coupling coefficient and the light input and light reception signal characteristics of the light receiving element 3) is output, and for the low frequency component of the second light emission level command signal, the voltage across the resistor R and the first A current is set in advance according to the output voltage of the comparator amplifier 5 so that the light emission level command signal is equal to outputs a preset current (based on the optical input/reception signal characteristics).
第６図は本発明の他の実施例を示す。FIG. 6 shows another embodiment of the invention.
発光レベル指令信号は比較増幅器１及び電流変換器１４
に入力され、被駆動半導体レーザ３の光出力の一部が受
光素子４によりモニターされる。比較増幅器１と半導体
レーザ３．受光素子４は光・電気負帰還ループを形成し
、比較増幅器１は受光素子４に誘起された光起電流（半
導体レーザ３の光出力に比例する）に比例する受光信号
と発光レベル指令信号とを比較してその結果により半導
体レーザ３の順方向電流を受光信号と発光レベル指令信
号とが等しくなるように制御する。The light emission level command signal is sent to the comparison amplifier 1 and the current converter 14.
A part of the optical output of the driven semiconductor laser 3 is monitored by the light receiving element 4. Comparison amplifier 1 and semiconductor laser 3. The light-receiving element 4 forms an optical/electrical negative feedback loop, and the comparison amplifier 1 outputs a light-receiving signal proportional to the photovoltaic current (proportional to the optical output of the semiconductor laser 3) induced in the light-receiving element 4 and a light emission level command signal. are compared, and based on the result, the forward current of the semiconductor laser 3 is controlled so that the light reception signal and the light emission level command signal are equal.
また電流変換器１４は差動増幅器１５．トランジスタ１
６及び抵抗Ｒ０により構成され、前記受光信号と発光レ
ベル指令信号とが等しくなるように発光レベル指令信号
に従って予め設定された電流（半導体レーザ３の光出力
・順方向電流特性及び受光素子４と半導体レーザ３との
結合係数、受光素子３の光入力・受光信号特性に基づい
て予め設定された電流）を出力する。すなわち発光レベ
ル指令信号Ｖｓが差動増幅器１５に入力され、トランジ
スタ１６及び抵抗Ｒ０によりＶｓ／Ｒｏの電流に変換さ
れる。このＶｓ／Ｒ，の電流と比較増幅器１の出力電流
ＡΔＶとの和の電流Ｖ ｓ ／ Ｒａ ＋ＡΔＶが半導
体レーザ３の順方向電流となり、半導体レーザ３は順方
向電流Ｖｓ／Ｒｏ＋ＡΔＶにより決まる光出力Ｐ。を出
力する。Further, the current converter 14 is a differential amplifier 15. transistor 1
6 and a resistor R0, and the current is preset according to the light emission level command signal so that the light reception signal and the light emission level command signal are equal (the light output and forward current characteristics of the semiconductor laser 3 and the light receiving element 4 and the semiconductor A current preset based on the coupling coefficient with the laser 3 and the light input/light reception signal characteristics of the light receiving element 3 is output. That is, the light emission level command signal Vs is input to the differential amplifier 15, and is converted into a current of Vs/Ro by the transistor 16 and resistor R0. The current Vs/Ra +AΔV, which is the sum of the current Vs/R and the output current AΔV of the comparison amplifier 1, becomes the forward current of the semiconductor laser 3, and the semiconductor laser 3 has an optical output P determined by the forward current Vs/Ro+AΔV. . Output.
一般的に半導体レーザはしきい値電流Ｉｔｈ以上の順方
向電流に対しては微分量子効率ηの直線で光出力−順方
向電流の関係を近似できる。この場合光出力Ｐ。は次の
ように表わすことができる。Generally, in a semiconductor laser, for a forward current higher than a threshold current Ith, the relationship between optical output and forward current can be approximated by a straight line of differential quantum efficiency η. In this case, the optical output P. can be expressed as follows.
１＋α５７７Ａ
α：受光素子３と半導体レーザ４との結合係数Ｓ：受光
素子３の放射感度
Ａ：比較増幅器１の増幅率
ΔＶ ＝ Ｖ ｓ ／ Ｒ１−αＳ Ｐ ｎＶｓがＶ、
（Ｖ、に対応する半導体レーザ３の光出力は半導体レー
ザの電流がしきい値電流以上の時の光強度）からＶｉへ
変化したときの応答特性は第２図の実施例の場合と同様
に
ｅｘｐ（−２πｆ、ｔ）
と近似できる。1+α577A α: Coupling coefficient between photodetector 3 and semiconductor laser 4 S: Radiation sensitivity of photodetector 3 A: Amplification factor of comparison amplifier 1 ΔV = V s / R1-αS P nVs is V,
(The optical output of the semiconductor laser 3 corresponding to V is the optical intensity when the current of the semiconductor laser is equal to or higher than the threshold current) When the response characteristic changes from Vi to Vi, the response characteristics are the same as in the embodiment shown in FIG. It can be approximated as exp(-2πf, t).
したがってＲ＝αＳηＲ０となるように設定すれば、簡
単な構成により第２図の実施例と同等な効果が得られる
。Therefore, by setting R=αSηR0, the same effect as the embodiment shown in FIG. 2 can be obtained with a simple configuration.
この実施例における電流変換器１４は第７図乃至第１０
図に示すような構成のものを用いてもよい。The current converter 14 in this embodiment is shown in FIGS.
A configuration as shown in the figure may also be used.
第７図に示す電流変換器はトランジスタ１７〜２０、電
流源２１、電圧源２２、抵抗２３〜２７により構成され
、第８図に示す電流変換器は電界効果トランジスタ２８
及び抵抗２９により構成されている。第９図に示す電流
変換器はトランジスタ３０及び抵抗３１により構成され
、第１０図に示す電流変換器はトランジスタ３２〜３５
、電流源３６、電圧源３７、抵抗３８〜４ｚにより構成
されている。これらの電流変換器は上記電流変換器１４
と同様に前記受光信号と発光レベル指令信号とが等しく
なるように発光レベル指令信号に従って予め設定された
電流（半導体レーザ３の光出力・順方向電流特性及び受
光素子４と半導体レーザ３との結合係数、受光素子３の
光入力・受光信号特性に基づいて予め設定された電流）
を出力し、すなわち発光レベル指令信号を半導体レーザ
３の光出力−順方向電流特性を直線に近似して発光レベ
ル指令信号に比例する電流に変換する。The current converter shown in FIG. 7 is composed of transistors 17 to 20, a current source 21, a voltage source 22, and resistors 23 to 27, and the current converter shown in FIG.
and a resistor 29. The current converter shown in FIG. 9 is composed of a transistor 30 and a resistor 31, and the current converter shown in FIG. 10 is composed of transistors 32 to 35.
, a current source 36, a voltage source 37, and resistors 38 to 4z. These current converters are the current converter 14
Similarly, a current is preset according to the light emission level command signal so that the light reception signal and the light emission level command signal are equal (the optical output and forward current characteristics of the semiconductor laser 3 and the coupling between the light receiving element 4 and the semiconductor laser 3). coefficient, current preset based on the light input and light reception signal characteristics of the light receiving element 3)
That is, the light emission level command signal is converted into a current proportional to the light emission level command signal by approximating the optical output-forward current characteristic of the semiconductor laser 3 to a straight line.
第４図は本発明の他の実施例を示す。FIG. 4 shows another embodiment of the invention.
発光レベル指令信号は比較増幅器５及び電流変換器１４
に入力され、被駆動半導体レーザ３の光出力の一部が受
光素子４によりモニターされる。受光素子４に誘起され
た光起電流（半導体レーザ３の光出力に比例する）Ｉｓ
の周波数の高い成分は容量Ｃに流れてインピーダンス変
換器６に入力され、光起電流Ｉｓの周波数の低い成分は
抵抗Ｒに流れて電圧に変換される。この抵抗Ｒに発生し
た電圧は比較増幅器５と電圧−電流変換器７に入力され
、電圧−電流変換器７が抵抗Ｒに発生した電圧を電流に
変換する。この電圧−電流変換器７の出力電流はインピ
ーダンス変換器６の出力電流と加算器８で加算され、受
光素子４に発生した光起電流工Ｓと等しい電流工。とな
る。一方、比較増幅器５は抵抗Ｒに発生した電圧と発光
レベル指令信号とを比較してその差電圧を増幅し、この
比較増幅器５の出力電圧が電圧−電流変換器９により電
流に変換されて第１の発光レベル指令信号電流ＩＬとな
る。減算器ｌＯは電圧−電流変換器９からの第１の発光
レベル指令信号電流ＩＬより加算器８からの電流工。を
減算してその差分電流を出力し、この差分電流が電流増
幅器１１により増幅されて半導体レーザ３の制御電流と
して出力される。したがって、受光素子４．容量Ｃ１抵
抗Ｒ，インピーダンス変換器６．電圧−電流変換器７．
加算器８．減算器１０．電流増幅器１１は半導体レーザ
３の光出力に比例する受光素子４の光起電流Ｉｓと電圧
−電流変換器９からの第１の発光レベル指令信号電流Ｉ
Ｌとが等しくなるように半導体レーザ３の順方向電流を
制御する第１の光・電気負帰還ループを構成し、比較増
幅器５．電圧−電流変換器９は受光素子４の光起電流Ｉ
ｓに比例する電圧と外部からの第２の発光レベル指令信
号とが等しくなるように第１の発光レベル指令信号電流
ＩＬを制御する第２の光・電気負帰還ループを構成する
。The light emission level command signal is sent to the comparison amplifier 5 and the current converter 14.
A part of the optical output of the driven semiconductor laser 3 is monitored by the light receiving element 4. Photovoltaic current induced in the light receiving element 4 (proportional to the optical output of the semiconductor laser 3) Is
The high frequency component of the photovoltaic current Is flows through the capacitor C and is input to the impedance converter 6, and the low frequency component of the photovoltaic current Is flows through the resistor R and is converted into a voltage. The voltage generated across the resistor R is input to the comparison amplifier 5 and the voltage-current converter 7, and the voltage-current converter 7 converts the voltage generated across the resistor R into a current. The output current of this voltage-current converter 7 is added to the output current of the impedance converter 6 by an adder 8, and the result is a current equal to the photovoltaic current S generated in the light receiving element 4. becomes. On the other hand, the comparison amplifier 5 compares the voltage generated across the resistor R with the light emission level command signal and amplifies the difference voltage, and the output voltage of the comparison amplifier 5 is converted into a current by the voltage-current converter 9. The light emission level command signal current IL becomes 1. A subtracter IO subtracts the current from the adder 8 from the first light emission level command signal current IL from the voltage-current converter 9. is subtracted and the difference current is output, and this difference current is amplified by the current amplifier 11 and output as the control current of the semiconductor laser 3. Therefore, the light receiving element 4. Capacitance C1 resistance R, impedance converter6. Voltage-current converter7.
Adder 8. Subtractor 10. The current amplifier 11 receives the photovoltaic current Is of the light receiving element 4 which is proportional to the optical output of the semiconductor laser 3 and the first light emission level command signal current I from the voltage-current converter 9.
A first optical/electrical negative feedback loop is configured to control the forward current of the semiconductor laser 3 so that L is equal to the comparator amplifier 5. A voltage-current converter 9 converts the photovoltaic current I of the light receiving element 4
A second optical/electrical negative feedback loop is configured to control the first light emission level command signal current IL so that the voltage proportional to s and the second light emission level command signal from the outside are equal.
また電流変換器１４は差動増幅器１５．トランジスタ１
６及び抵抗Ｒ８により構成され、前記受光信号と発光レ
ベル指令信号とが等しくなるように発光レベル指令信号
に従って予め設定された電流（半導体レーザ３の光出力
・順方向電流特性及び受光素子４と半導体レーザ３との
結合係数、受光素子３の光入力・受光信号特性に基づい
て予め設定された電流）を出力する。すなわち発光レベ
ル指令信号Ｖｓが差動増幅器１５に入力され、トランジ
スタ１６及び抵抗Ｒ０によりＶｓ／Ｒ０の電流に変換さ
れる。このＶ ｓ ／ Ｒｏの電流と比較増幅器１の出
力電流ＡΔＶとの和の電流Ｖ ｓ ／ Ｒｏ ＋ ＡΔ
■が半導体レーザ３の順方向電流となり、半導体レーザ
３は順方向電流Ｖｓ／Ｒｏ＋ＡΔＶにより決まる光出力
Ｐ０を出力する。Further, the current converter 14 is a differential amplifier 15. transistor 1
6 and a resistor R8, the current is preset according to the light emission level command signal so that the light reception signal and the light emission level command signal are equal (the light output and forward current characteristics of the semiconductor laser 3 and the light receiving element 4 and the semiconductor A current preset based on the coupling coefficient with the laser 3 and the light input/light reception signal characteristics of the light receiving element 3 is output. That is, the light emission level command signal Vs is input to the differential amplifier 15, and is converted into a current of Vs/R0 by the transistor 16 and resistor R0. The current of the sum of this V s / Ro current and the output current AΔV of comparison amplifier 1 is V s / Ro + AΔ
(2) is the forward current of the semiconductor laser 3, and the semiconductor laser 3 outputs an optical output P0 determined by the forward current Vs/Ro+AΔV.
一般的に半導体レーザはしきい値電流Ｉｔｈ以上の順方
向電流に対しては微分量子効率ηの直線で光出力−順方
向電流の関係を近似できる。この場合光出力Ｐ。は次の
ように表わすことができる。Generally, in a semiconductor laser, for a forward current higher than a threshold current Ith, the relationship between optical output and forward current can be approximated by a straight line of differential quantum efficiency η. In this case, the optical output P. can be expressed as follows.
１＋αＳ ηＡ
α：受光素子３と半導体レーザ４との結合係数Ｓ：受光
素子３の放射感度
Ｒ１：電圧−電流変換器９の変換係数
Ａ：比較増幅器１の増幅率
ＩＬ＝αＳＰ。1+αS ηA α: Coupling coefficient S between the light receiving element 3 and semiconductor laser 4: Radiation sensitivity R1 of the light receiving element 3: Conversion coefficient A of the voltage-current converter 9: Amplification factor IL of the comparison amplifier 1 = αSP.
ＶｓがＶ。（Ｖ、に対応する半導体レーザ３の光出力は
半導体レーザの電流がしきい値電流以上の時の光強度）
からＶｉへ変化したときの応答特性は第２図の実施例の
場合と同様に
ｅｘｐ（−２πｆ、ｔ）
と近似できる。Vs is V. (The optical output of the semiconductor laser 3 corresponding to V is the optical intensity when the current of the semiconductor laser is higher than the threshold current)
The response characteristic when changing from Vi to Vi can be approximated as exp(-2πf, t) as in the embodiment shown in FIG.
したがってＲ＝αＳηＲ０となるように設定すれば、簡
単な構成により第２図の実施例と同等な効果が得られる
。Therefore, by setting R=αSηR0, the same effect as the embodiment shown in FIG. 2 can be obtained with a simple configuration.
第５図は本発明の他の実施例を示す。FIG. 5 shows another embodiment of the invention.
この実施例は上記第４図の実施例において、第２の発光
レベル指令信号の代りに比較増幅器５の出力電圧を電流
変換器１４に入力するようにしだものであり、電流変換
器１４は差動増幅器１５．トランジスタ１６及び抵抗Ｒ
０により構成され、前記受光信号と発光レベル指令信号
とが等しくなるように比較増幅器５の出力電圧に従って
予め設定された電流（半導体レーザ３の光出力・順方向
電流特性及び受光素子４と半導体レーザ３との結合係数
。In this embodiment, the output voltage of the comparison amplifier 5 is input to the current converter 14 instead of the second light emission level command signal in the embodiment shown in FIG. Dynamic amplifier 15. Transistor 16 and resistor R
0, and the current is preset according to the output voltage of the comparator amplifier 5 so that the light receiving signal and the light emission level command signal are equal (the optical output and forward current characteristics of the semiconductor laser 3 and the light receiving element 4 and the semiconductor laser Coupling coefficient with 3.
受光素子３の光入力・受光信号特性に基づいて予め設定
された電流）を出力する。すなわち比較増幅器５の出力
電圧が差動増幅器１５に入力され、トランジスタ１６及
び抵抗Ｒ０によりＶ ｓ ／ Ｒｏの電流に変換される
。A preset current is output based on the light input and light reception signal characteristics of the light receiving element 3. That is, the output voltage of the comparison amplifier 5 is input to the differential amplifier 15, and is converted into a current of V s /Ro by the transistor 16 and the resistor R0.
以上説明した実施例では電流変換器を一般的なものと、
直線に近似したものを用いたが、折れ線に近似するもの
を用いることもできる。第１１図乃至第１３図は上記実
施例において電流変換器として用いることができる折れ
線近似による電流変換器の各側を示す。In the embodiments described above, the current converter is a general one,
Although a line approximating a straight line is used, a line approximating a polygonal line may also be used. FIGS. 11 to 13 show each side of a current converter according to a polygonal line approximation that can be used as a current converter in the above embodiment.
第１１図に示す電流変換器は差動増幅器４３、トランジ
スタ４４、ダイオード４５、電圧源４６、抵抗４７〜４
９により構成され、折れ点が電圧源４６の電圧により決
まる。第１２図に示す電流変換器はトランジスタ５０〜
５３、電流源５４、ダイオード５５，５６、電圧源５７
〜５９、抵抗６０〜６７により構成され、折れ点が電圧
源５７．５８の電圧により決まる。第１３図に示す電流
変換器はトランジスタ６８〜７３、電流源７４〜７７、
電圧源７８，７９、抵抗８０〜８３により構成され、折
れ点が電圧源７８．７９の電圧により決まる。The current converter shown in FIG. 11 includes a differential amplifier 43, a transistor 44, a diode 45, a voltage source 46, and resistors 47 to 4.
9, and the bending point is determined by the voltage of the voltage source 46. The current converter shown in FIG.
53, current source 54, diodes 55, 56, voltage source 57
59 and resistors 60 to 67, and the bending point is determined by the voltage of the voltage source 57.58. The current converter shown in FIG. 13 includes transistors 68 to 73, current sources 74 to 77,
It is composed of voltage sources 78 and 79 and resistors 80 to 83, and the bending point is determined by the voltage of the voltage sources 78 and 79.
また上記電流変換器を最適化するには、発光レベル指令
信号をディジタル信号として変換テーブルにより半導体
レーザの光出力−順方向電流特性を補正するようにする
ことが有効であり、この場合の実施例の一部を第１４図
に示す。In addition, in order to optimize the above-mentioned current converter, it is effective to use the light emission level command signal as a digital signal and correct the optical output-forward current characteristic of the semiconductor laser using a conversion table. A part of it is shown in Fig. 14.
この実施例では上記実施例において、ディジタル信号か
らなる発光レベル指令信号が変換テーブル８４により半
導体レーザの光出力−順方向電流特性を補正するように
データ変換されてディジタル／アナログ（Ｄ／Ａ）変換
器８５によりＤ／Ａ変換され、トランジスタ８６〜８９
、電流源９０、電圧源９１、抵抗９２〜９６からなる電
流変換部で電流に変換されて半導体レーザ３へ供給され
る。また発光レベル指令信号がデータ遅延回路９７によ
り所定の時間遅延され、Ｄ／Ａ変換器９８によりＤ／Ａ
変換されて上記比較増幅器５に入力される。In this embodiment, in the above embodiment, the light emission level command signal consisting of a digital signal is converted into data by the conversion table 84 so as to correct the optical output-forward current characteristic of the semiconductor laser, and is converted into digital/analog (D/A) conversion. D/A conversion is performed by a device 85, and transistors 86 to 89
, a current source 90, a voltage source 91, and resistors 92 to 96, which convert the current into a current and supply it to the semiconductor laser 3. In addition, the light emission level command signal is delayed by a data delay circuit 97 for a predetermined time, and is D/A converted by a D/A converter 98.
It is converted and input to the comparison amplifier 5.
以上のように請求項１の発明によれば被駆動半導体レー
ザの光出力を受光部により検知してこの受光部から得ら
れる前記半導体レーザの光出力に比例した受光信号と発
光レベル指令信号とが等しくなるように前記半導体レー
ザの順方向電流を制御する光・電気負帰還ループと、前
記受光信号と前記発光レベル指令信号とが等しくなるよ
うに前記半導体レーザの光出力・順方向電流特性及び前
記受光部と前記半導体レーザとの結合係数、前記受光部
の光入力・受光信号特性に基づいて前記発光レベル指令
信号を前記半導体レーザの光電流に変換する変換手段と
を有し、前記光・電気負帰還ループの制御電流と前記変
換手段により生成された電流との和または差の電流によ
って前記半導体レーザを制御するので、高速、高精度、
高分解能でかつ外乱等の影響に強い半導体レーザ制御装
置を実現することができる。As described above, according to the invention of claim 1, the light output of the driven semiconductor laser is detected by the light receiving section, and the light receiving signal proportional to the light output of the semiconductor laser obtained from the light receiving section and the light emission level command signal are generated. an optical/electrical negative feedback loop that controls the forward current of the semiconductor laser so that they are equal; and an optical/electrical negative feedback loop that controls the forward current of the semiconductor laser so that the light reception signal and the light emission level command signal are equal; a conversion means for converting the light emission level command signal into a photocurrent of the semiconductor laser based on a coupling coefficient between a light receiving section and the semiconductor laser and a light input/light receiving signal characteristic of the light receiving section; Since the semiconductor laser is controlled by the current that is the sum or difference between the control current of the negative feedback loop and the current generated by the conversion means, high speed, high precision,
It is possible to realize a semiconductor laser control device that has high resolution and is resistant to the effects of disturbances and the like.
また請求項２の発明によれば請求項１記載の半導体レー
ザ制御装置において、前記半導体レーザの光出力を受光
部により検知してこの受光部から得られる前記半導体レ
ーザの光出力に比例した受光電流と、第１の発光レベル
指令信号を電流に変換した発光レベル指令信号とが等し
くなるように前記半導体レーザの順方向電流を制御する
第１の光・電気負帰還ループと、前記受光電流に比例す
る電圧と請求項１記載の発光レベル指令信号とが等しく
なるように前記第１の発光レベル指令信号を制御する第
２の光・電気負帰還ループとにより請求項１記載の光・
電気負帰還ループを構成したので、高域の光・電気負帰
還ループの開ループゲインを非常に大きくとらなくても
請求項１記載の半導体レーザ制御装置と同等な効果が得
られる。According to a second aspect of the present invention, in the semiconductor laser control device according to the first aspect, the light output of the semiconductor laser is detected by a light receiving section, and a light receiving current proportional to the light output of the semiconductor laser is obtained from the light receiving section. and a first optical/electrical negative feedback loop that controls the forward current of the semiconductor laser so that the first optical emission level command signal converted into a current becomes equal to the optical emission level command signal; and a second optical/electrical negative feedback loop that controls the first light emission level command signal so that the voltage equal to the light emission level command signal according to claim 1.
Since the electric negative feedback loop is configured, the same effect as the semiconductor laser control device according to the first aspect can be obtained without having to set the open loop gain of the high-frequency optical/electrical negative feedback loop to be very large.
請求項３の発明によれば請求項１記載の半導体レーザ制
御装置において、前記変換手段が前記発光レベル指令信
号をアナログ信号電圧として前記半導体レーザの光出力
−順方向電流特性を直線に近似して前記発光レベル指令
信号に比例した電流に変換するので、簡単な回路構成で
請求項１記載の半導体レーザ制御装置と同等な効果が得
られる。According to a third aspect of the present invention, in the semiconductor laser control device according to the first aspect, the conversion means approximates the optical output-forward current characteristic of the semiconductor laser to a straight line by using the light emission level command signal as an analog signal voltage. Since the current is converted into a current proportional to the light emission level command signal, the same effect as the semiconductor laser control device according to the first aspect can be obtained with a simple circuit configuration.
請求項４の発明によれば請求項２記載の半導体レーザ制
御装置において、前記変換手段が前記発光レベル指令信
号をアナログ信号電圧として前記半導体レーザの光出力
−順方向電流特性を直線に近似して前記発光レベル指令
信号に対応した電流に変換するので、簡単な回路構成で
請求項２記載の半導体レーザ制御装置と同等な効果が得
られる。According to a fourth aspect of the present invention, in the semiconductor laser control device according to the second aspect, the conversion means approximates the optical output-forward current characteristic of the semiconductor laser to a straight line by using the light emission level command signal as an analog signal voltage. Since the current is converted into a current corresponding to the light emission level command signal, the same effect as the semiconductor laser control device according to the second aspect can be obtained with a simple circuit configuration.
請求項５の発明によれば請求項１記載の半導体レーザ制
御装置において、前記変換手段が前記発光レベル指令信
号をアナログ信号電圧として前記半導体レーザの光出力
−順方向電流特性を折れ線に近似して前記発光レベル指
令信号に対応した電流に変換するので、簡単な回路構成
で直線近似の場合より精度がよく請求項１記載の半導体
レーザ制御装置と同等な効果が得られる。According to a fifth aspect of the present invention, in the semiconductor laser control device according to the first aspect, the conversion means approximates the optical output-forward current characteristic of the semiconductor laser to a polygonal line by using the light emission level command signal as an analog signal voltage. Since the light emission level command signal is converted into a current corresponding to the light emission level command signal, it is possible to obtain the same effect as the semiconductor laser control device according to claim 1, which has better accuracy than the case of linear approximation with a simple circuit configuration.
請求項６の発明によれば請求項２記載の半導体レーザ制
御装置において、前記変換手段が前記発光レベル指令信
号をアナログ信号電圧として前記半導体レーザの光出力
−順方向電流特性を折れ線に近似して前記発光レベル指
令信号に対応した電流に変換するので、簡単な回路構成
で直線近似の場合より精度がよく請求項２記載の半導体
レーザ制御装置と同等な効果が得られる。According to a sixth aspect of the present invention, in the semiconductor laser control device according to the second aspect, the conversion means approximates the optical output-forward current characteristic of the semiconductor laser to a polygonal line by using the light emission level command signal as an analog signal voltage. Since the light emission level command signal is converted into a current corresponding to the light emission level command signal, the accuracy is higher than that of linear approximation with a simple circuit configuration, and the same effect as the semiconductor laser control device according to the second aspect can be obtained.
請求項７の発明によれば請求項１記載の半導体レーザ制
御装置において、前記発光レベル指令信号をディジタル
信号とし、前記変換手段が前記発光レベル指令信号を前
記半導体レーザの光出力−順方向電流特性を補正した信
号に変換する変換テーブルと、この変換テーブルにより
変換された信号を前記半導体レーザの順方向電流に変換
するディジタル／アナログ変換器とを有するので、請求
項１記載の電流変換手段を変換デープルにより非直線性
を保証して行うために精度がよく請求項１記載の半導体
レーザ制御装置と同等な効果が得られる。According to a seventh aspect of the present invention, in the semiconductor laser control device according to the first aspect, the light emission level command signal is a digital signal, and the conversion means converts the light emission level command signal into an optical output-forward current characteristic of the semiconductor laser. The current converting means according to claim 1 has a conversion table that converts the signal into a corrected signal, and a digital/analog converter that converts the signal converted by the conversion table into a forward current of the semiconductor laser. Since the non-linearity is guaranteed by the dople, the accuracy is high and the same effect as the semiconductor laser control device according to the first aspect can be obtained.
請求項８の発明によれば請求項２記載の半導体レーザ制
御装置において、前記発光レベル指令信号をディジタル
信号とし、前記変換手段が前記発光レベル指令信号を前
記半導体レーザの光出力−順方向電流特性を補正した信
号に変換する変換テーブルと、この変換テーブルにより
変換された信号を前記半導体レーザの順方向電流に変換
するディジタル／アナログ変換器とを有するので、請求
項２記載の電流変換手段を変換デープルにより非直線性
を保証して行うために精度がよく請求項２記載の半導体
レーザ制御装置と同等な効果が得られる。According to an eighth aspect of the present invention, in the semiconductor laser control device according to the second aspect, the light emission level command signal is a digital signal, and the conversion means converts the light emission level command signal into an optical output-forward current characteristic of the semiconductor laser. The current converting means according to claim 2 has a conversion table that converts the signal into a corrected signal, and a digital/analog converter that converts the signal converted by the conversion table into a forward current of the semiconductor laser. Since the non-linearity is guaranteed by the dople, the accuracy is high and the same effect as the semiconductor laser control device according to the second aspect can be obtained.
【図面の簡単な説明】
第１図乃至第６図は本発明の各実施例を示す回路図、第
７図乃至第１３図は本発明の他の実施例における電流変
換器を示す回路図、第１４図は本発明の他の実施例の一
部を示す回路図である。
１．５・・・比較増幅器、２．１２，１３，１４・・・
電流変換器、３・・・半導体レーザ、４・・・受光素子
、６・・・インピーダンス変換器、７，９・・・電圧−
電流変換器、８・・・加算器、１０・・・減算器、１１
・・・電流増幅器、Ｃ・・・容量、Ｒ・・・抵抗、８４
・・・変換テープル、８５・・・Ｄ／Ａ変換器。
も[Brief Description of the Drawings] Figs. 1 to 6 are circuit diagrams showing each embodiment of the present invention, Figs. 7 to 13 are circuit diagrams showing current converters in other embodiments of the present invention, FIG. 14 is a circuit diagram showing a part of another embodiment of the present invention. 1.5... Comparison amplifier, 2.12, 13, 14...
Current converter, 3... Semiconductor laser, 4... Light receiving element, 6... Impedance converter, 7, 9... Voltage -
Current converter, 8... Adder, 10... Subtractor, 11
...Current amplifier, C...Capacitance, R...Resistance, 84
...conversion table, 85...D/A converter. too
Claims (1)
てこの受光部から得られる前記半導体レーザの光出力に
比例した受光信号と発光レベル指令信号とが等しくなる
ように前記半導体レーザの順方向電流を制御する光・電
気負帰還ループと、前記受光信号と前記発光レベル指令
信号とが等しくなるように前記半導体レーザの光出力・
順方向電流特性及び前記受光部と前記半導体レーザとの
結合係数、前記受光部の光入力・受光信号特性に基づい
て前記発光レベル指令信号を前記半導体レーザの光電流
に変換する変換手段とを有し、前記光・電気負帰還ルー
プの制御電流と前記変換手段により生成された電流との
和または差の電流によって前記半導体レーザを制御する
ことを特徴とする半導体レーザ制御装置。 ２、請求項１記載の半導体レーザ制御装置において、前
記半導体レーザの光出力を受光部により検知してこの受
光部から得られる前記半導体レーザの光出力に比例した
受光電流と、第１の発光レベル指令信号を電流に変換し
た発光レベル指令信号とが等しくなるように前記半導体
レーザの順方向電流を制御する第１の光・電気負帰還ル
ープと、前記受光電流に比例する電圧と請求項１記載の
発光レベル指令信号とが等しくなるように前記第１の発
光レベル指令信号を制御する第２の光・電気負帰還ルー
プとにより請求項１記載の光・電気負帰還ループを構成
したことを特徴とする半導体レーザ制御装置。 ３、請求項１記載の半導体レーザ制御装置において、前
記変換手段が前記発光レベル指令信号をアナログ信号電
圧として前記半導体レーザの光出力−順方向電流特性を
直線に近似して前記発光レベル指令信号に比例した電流
に変換することを特徴とする半導体レーザ制御装置。 ４、請求項２記載の半導体レーザ制御装置において、前
記変換手段が前記発光レベル指令信号をアナログ信号電
圧として前記半導体レーザの光出力−順方向電流特性を
直線に近似して前記発光レベル指令信号に比例した電流
に変換することを特徴とする半導体レーザ制御装置。 ５、請求項１記載の半導体レーザ制御装置において、前
記変換手段が前記発光レベル指令信号をアナログ信号電
圧として前記半導体レーザの光出力−順方向電流特性を
折れ線に近似して前記発光レベル指令信号に対応した電
流に変換することを特徴とする半導体レーザ制御装置。 ６、請求項２記載の半導体レーザ制御装置において、前
記変換手段が前記発光レベル指令信号をアナログ信号電
圧として前記半導体レーザの光出力−順方向電流特性を
折れ線に近似して前記発光レベル指令信号に対応した電
流に変換することを特徴とする半導体レーザ制御装置。 ７、請求項１記載の半導体レーザ制御装置において、前
記発光レベル指令信号をディジタル信号とし、前記変換
手段が前記発光レベル指令信号を前記半導体レーザの光
出力−順方向電流特性を補正した信号に変換する変換テ
ーブルと、この変換テーブルにより変換された信号を前
記半導体レーザの順方向電流に変換するディジタル／ア
ナログ変換器とを有することを特徴とする半導体レーザ
制御装置。 ８、請求項２記載の半導体レーザ制御装置において、前
記発光レベル指令信号をディジタル信号とし、前記変換
手段が前記発光レベル指令信号を前記半導体レーザの光
出力−順方向電流特性を補正した信号に変換する変換テ
ーブルと、この変換テーブルにより変換された信号を前
記半導体レーザの順方向電流に変換するディジタル／ア
ナログ変換器とを有することを特徴とする半導体レーザ
制御装置。[Claims] 1. The light output of the driven semiconductor laser is detected by a light receiving section so that the light receiving signal proportional to the light output of the semiconductor laser obtained from the light receiving section is equal to the light emission level command signal. An optical/electrical negative feedback loop that controls the forward current of the semiconductor laser, and an optical/electrical negative feedback loop that controls the optical output of the semiconductor laser so that the light reception signal and the emission level command signal are equal to each other.
a conversion means for converting the light emission level command signal into a photocurrent of the semiconductor laser based on a forward current characteristic, a coupling coefficient between the light receiving section and the semiconductor laser, and a light input/light receiving signal characteristic of the light receiving section. A semiconductor laser control device characterized in that the semiconductor laser is controlled by a current that is the sum or difference between the control current of the optical/electrical negative feedback loop and the current generated by the conversion means. 2. The semiconductor laser control device according to claim 1, wherein the light output of the semiconductor laser is detected by a light receiver, and a light receiving current proportional to the light output of the semiconductor laser obtained from the light receiver, and a first light emission level. 2. A first optical/electrical negative feedback loop for controlling a forward current of said semiconductor laser so that a light emission level command signal obtained by converting a command signal into a current is equal to the light emission level command signal; and a voltage proportional to said light receiving current; The optical/electrical negative feedback loop according to claim 1 is configured by a second optical/electrical negative feedback loop that controls the first optical/electrical negative feedback loop so that the first optical/electrical negative feedback loop is equal to the optical/electrical negative feedback loop. Semiconductor laser control device. 3. The semiconductor laser control device according to claim 1, wherein the converter converts the light emission level command signal into an analog signal voltage by approximating the optical output-forward current characteristic of the semiconductor laser to a straight line. A semiconductor laser control device characterized by converting into a proportional current. 4. The semiconductor laser control device according to claim 2, wherein the converter converts the light emission level command signal into an analog signal voltage by approximating the optical output-forward current characteristic of the semiconductor laser to a straight line and converts the light emission level command signal into the light emission level command signal. A semiconductor laser control device characterized by converting into a proportional current. 5. The semiconductor laser control device according to claim 1, wherein the conversion means uses the light emission level command signal as an analog signal voltage, approximates the optical output-forward current characteristic of the semiconductor laser to a polygonal line, and converts the light emission level command signal into the light emission level command signal. A semiconductor laser control device characterized by converting the current into a corresponding current. 6. The semiconductor laser control device according to claim 2, wherein the conversion means uses the light emission level command signal as an analog signal voltage, approximates the optical output-forward current characteristic of the semiconductor laser to a polygonal line, and converts the light emission level command signal into the light emission level command signal. A semiconductor laser control device characterized by converting the current into a corresponding current. 7. The semiconductor laser control device according to claim 1, wherein the light emission level command signal is a digital signal, and the conversion means converts the light emission level command signal into a signal obtained by correcting the optical output-forward current characteristic of the semiconductor laser. 1. A semiconductor laser control device comprising: a conversion table that converts a signal converted by the conversion table; and a digital/analog converter that converts a signal converted by the conversion table into a forward current of the semiconductor laser. 8. The semiconductor laser control device according to claim 2, wherein the light emission level command signal is a digital signal, and the conversion means converts the light emission level command signal into a signal obtained by correcting the optical output-forward current characteristic of the semiconductor laser. 1. A semiconductor laser control device comprising: a conversion table that converts a signal converted by the conversion table; and a digital/analog converter that converts a signal converted by the conversion table into a forward current of the semiconductor laser.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1024925A JP2744043B2 (en) | 1989-02-03 | 1989-02-03 | Semiconductor laser controller |
| US07/446,583 US5036519A (en) | 1988-12-05 | 1989-12-05 | Semiconductor laser controller |
| DE3940205A DE3940205B4 (en) | 1988-12-05 | 1989-12-05 | Semiconductor laser controller |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP1024925A JP2744043B2 (en) | 1989-02-03 | 1989-02-03 | Semiconductor laser controller |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02205086A true JPH02205086A (en) | 1990-08-14 |
| JP2744043B2 JP2744043B2 (en) | 1998-04-28 |
Family
ID=12151703
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1024925A Expired - Lifetime JP2744043B2 (en) | 1988-12-05 | 1989-02-03 | Semiconductor laser controller |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JP2744043B2 (en) |
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-
1989
- 1989-02-03 JP JP1024925A patent/JP2744043B2/en not_active Expired - Lifetime
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|---|---|
| JP2744043B2 (en) | 1998-04-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080206 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090206 Year of fee payment: 11 |
|
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