JPH02194726A - Snubber circuit for high speed switching element - Google Patents

Snubber circuit for high speed switching element

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JPH02194726A
JPH02194726A JP1450789A JP1450789A JPH02194726A JP H02194726 A JPH02194726 A JP H02194726A JP 1450789 A JP1450789 A JP 1450789A JP 1450789 A JP1450789 A JP 1450789A JP H02194726 A JPH02194726 A JP H02194726A
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JP
Japan
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diode
switching element
voltage
circuit
speed switching
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JP1450789A
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Japanese (ja)
Inventor
Yutaka Ito
豊 伊藤
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Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
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Abstract

PURPOSE:To suppress the transient overvoltage of a fly-wheel diode at the time of restoring an inverse characteristic and to allow the withstand voltage selection of a diode to be appropriate by installing the diode generating a bypass line for discharging accumulated energy in a wiring inductance on the output side of a switching element. CONSTITUTION:The diode Dn2 is provided between the fly-wheel diode Dw and a snubber capacitor Cn. When the transient voltage of the diode Dw corresponding to the ON-operation of te switching element 2 at the time of restoring the inverse characteristic is superposed on a DC power voltage Ed and inversely impressed on the diode Dw, a charge current Isn with respect to the capacitor Cn is conducted in correspondence with the difference voltage of the superimposed voltage and the normal terminal voltage of the capacitor Cn. Then, the accumulated energy of a wiring inductance 4 part is discharged. Thus, the abnormal rise of transient backward electromotive force is controlled and the enhancing the withstand voltage of the fly-wheel diode is eliminated.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明はスイッチング電源装置或いはインバータ装置
等における高速スイッチング素子用のスナバ回路に関す
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a snubber circuit for a high-speed switching element in a switching power supply device, an inverter device, or the like.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来のこの種スイッチング素子用スナバ回路としては第
5図に例示するチョッパ回路図における如きものが知ら
れている。
As a conventional snubber circuit for this type of switching element, there is known a chopper circuit shown in FIG. 5 as an example.

第5図において1は電圧E4を有する直流電源、2は逆
並列接続されたダイオードD、を有し所定の周波数で0
N−OFF制御されて前記直流電圧E、を断続するトラ
ンジスタ等のスイッチング素子、3は値l、の配線イン
ダクタンス、4は前記スイッチング素子2の内部又はそ
の近辺において値12を有する配線インダクタンス、R
,、とDlと07とはそれぞれ前記スイッチング素子2
のスナバ回路を形成する抵抗とダイオードとコンデンサ
とであり、DCLとCfとはそれぞれ前記スイッチング
素子2の断続直流出力の濾波用直流リアクトルとコンデ
ンサとであり、D、は濾波された直流出力電圧■。が供
給される誘導性負荷の蓄積エネルギ環流用のフライホイ
ールダイオードである。なお、71wは前記スイッチン
グ素子2の両端電圧、rswは前記インダクタンス4の
通過電流、1、iは前記リアクトルDCLの通過電流、
v7と■。とはそれぞれ前記フライホイールダイオード
Dwの両端電圧と通過電流とである。
In Fig. 5, 1 has a DC power supply with a voltage E4, 2 has a diode D connected in antiparallel, and has a voltage of 0 at a predetermined frequency.
a switching element such as a transistor that is N-OFF controlled to connect and disconnect the DC voltage E; 3 is a wiring inductance with a value 1; 4 is a wiring inductance R with a value 12 inside or near the switching element 2;
, , and Dl and 07 are the switching elements 2, respectively.
A resistor, a diode, and a capacitor form a snubber circuit, DCL and Cf are a DC reactor and a capacitor for filtering the intermittent DC output of the switching element 2, respectively, and D is the filtered DC output voltage. . is a flywheel diode for recycling the stored energy of an inductive load. Note that 71w is the voltage across the switching element 2, rsw is the passing current of the inductance 4, 1, i is the passing current of the reactor DCL,
v7 and ■. are the voltage across the flywheel diode Dw and the passing current, respectively.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

しかしながら上記の如き従来方式によるスナバ回路にお
いては、前記のスイッチング素子をトランジスタとしそ
の形式を例えばバイポーラ形から電界効果形に変更する
こと等によりその動作時間の高速化を図る場合、そのタ
ーンオン時間の減少と共にそのスイッチオン時の通電電
流の時間変化率は大となり、前記の如き配線インダクタ
ンス12により発生する過渡電圧も大となり、従って該
過渡電圧と前記直流電源電圧との和を前記スイッチオン
時におけるその逆印加電圧とする前記フライホイールダ
イオードが電圧破損に至る危険性があった。
However, in the conventional snubber circuit as described above, when the switching element is a transistor and its type is changed from a bipolar type to a field effect type, for example, to speed up its operation time, the turn-on time is reduced. At the same time, the time rate of change of the current flowing when the switch is turned on becomes large, and the transient voltage generated by the wiring inductance 12 as described above also becomes large. Therefore, the sum of the transient voltage and the DC power supply voltage is calculated as There was a risk that the flywheel diode, which was subjected to a reversely applied voltage, would suffer voltage damage.

第6図は上記の関係を示す第5図回路各部諸元の動作波
形図である。なお図中、図(イ)を除き、実線と一点鎖
線とはそれぞれ電界効果トランジスタとバイポーラトラ
ンジスタとの場合に対応する。
FIG. 6 is an operational waveform diagram of the specifications of each part of the circuit shown in FIG. 5, showing the above relationship. Note that in the figures, except for figure (A), the solid line and the dashed-dotted line correspond to the case of a field effect transistor and a bipolar transistor, respectively.

第6図(イ)はスイッチング素子2のON(閉路)及び
OFF (開路)状態を示す。第6図(ニ)はフライホ
イールダイオードD、の通電電流1fwの変動模様を示
し、該電流■1の図示の如き通電方向反転現象は前記ス
イッチング素子のON動作による逆方向電圧印加時に前
記フライホイールダイオードD。の小数キャリアの蓄積
電荷放電によるものであり該ダイオードの逆回復特性を
示すものである。第6図(ハ)は前記スイッチング素子
2の通過電流I□を示し、該素子のターンオン時間特性
と前記電流Lwの通電経路の総合時定数と前記ダイオー
ドDwの逆回復特性とに関連して決定される。第6図(
ロ)は前記両電流1 gwとIfwとの合成電流■1を
示すものである。第6図(ホ)は前記フライホイールダ
イオードD。の印加電圧■2wを示すものであり、前記
電流1swの減少時該減少を妨げる方向に前記インダク
タンス4において発生する過渡逆起電力Δ■、、が前記
直流電源電圧Eaに重畳されたものとなる。
FIG. 6(a) shows the ON (closed circuit) and OFF (open circuit) states of the switching element 2. FIG. 6(d) shows a variation pattern of the current 1fw flowing through the flywheel diode D, and the phenomenon of reversal of the current flowing direction as shown in the figure of the current (1) occurs when the flywheel diode D is applied with a voltage in the reverse direction due to the ON operation of the switching element. Diode D. This is due to the discharge of accumulated charge of minority carriers, and indicates the reverse recovery characteristics of the diode. FIG. 6(C) shows the passing current I□ of the switching element 2, which is determined in relation to the turn-on time characteristic of the element, the overall time constant of the current flow path of the current Lw, and the reverse recovery characteristic of the diode Dw. be done. Figure 6 (
B) shows the composite current (1) of the two currents 1gw and Ifw. FIG. 6(E) shows the flywheel diode D. When the current 1 sw decreases, the transient back electromotive force Δ■ generated in the inductance 4 in a direction that prevents the decrease is superimposed on the DC power supply voltage Ea. .

第6図(ロ)〜第6図(ホ)に示す如く、前記電流1 
swと■1及び電圧v1.とに関し、図中実線で示す電
界効果トランジスタの場合の方が一点鎖線で示されるよ
り長いターンオン時間を有するバイポーラトランジスタ
の場合に比し、それぞれの最大値においてI□□〉I□
1.■□II〉If、*t+ΔV□、〉ΔV□2の如く
全て大となる。従って上記の如くスイッチング素子の高
速化を図ることは同時に前記の如きフライホイールダイ
オードの耐圧強化を要することであった。
As shown in FIGS. 6(B) to 6(E), the current 1
sw and ■1 and voltage v1. Regarding, in the case of the field effect transistor shown by the solid line in the figure, compared to the case of the bipolar transistor which has a longer turn-on time shown by the dashed-dotted line, I□□〉I□ at each maximum value.
1. ■□II〉If, *t+ΔV□, >ΔV□2, all of which become large. Therefore, in order to increase the speed of the switching element as described above, it is also necessary to strengthen the withstand voltage of the flywheel diode as described above.

以上に鑑み本発明は、前記過渡逆起電力ΔV0の異常上
昇を抑制し前記フライホイールダイオードの耐圧強化を
不要とする高速スイッチング素子のスナバ回路の提供を
目的とするものである。
In view of the above, an object of the present invention is to provide a snubber circuit for a high-speed switching element that suppresses the abnormal increase in the transient back electromotive force ΔV0 and eliminates the need to strengthen the breakdown voltage of the flywheel diode.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

上記目的を達成するために、本発明の高速スイッチング
素子のスナバ回路は、逆並列接続されたダイオードを有
する高速スイッチング素子とその誘導性負荷に逆並列に
接続されたダイオードとを直列に接続して成る直流断続
回路の前記高速スイッチング素子に対するスナバ回路で
あって、直流電源電圧に対して順方向となされたダイオ
ードと抵抗との並列接続に直列に接続されたコンデンサ
とから成る直並列回路を形成し前記直流断続回路に対し
並列に接続された前記高速スイッチング素子のスナバ回
路において、該スナバ回路のダイオードとコンデンサと
の接続点と前記高速スイッチング素子の出力側又は入力
側端子との間に、前記の負荷並列ダイオードの逆回復時
に前記高速スイッチング素子の通電電流急減に伴ない該
高速スイッチング素子の内部或いはその近辺の配線イン
ダクタンスに基づいて発生する過渡電圧による前記コン
デンサへの充電電流を通電させる極性にて挿入されたダ
イオードを設けたものである。
In order to achieve the above object, the snubber circuit for a high-speed switching element of the present invention connects in series a high-speed switching element having a diode connected in anti-parallel and a diode connected in anti-parallel to its inductive load. A snubber circuit for the high-speed switching element of a DC intermittent circuit consisting of a series-parallel circuit consisting of a capacitor connected in series with a parallel connection of a diode and a resistor in the forward direction with respect to the DC power supply voltage. In the snubber circuit of the high-speed switching element connected in parallel to the DC intermittent circuit, the above-mentioned At the time of reverse recovery of the load parallel diode, the current passing through the high-speed switching element suddenly decreases, and the polarity causes a charging current to flow to the capacitor due to a transient voltage generated based on wiring inductance inside or near the high-speed switching element. It is equipped with an inserted diode.

〔作用〕[Effect]

第5図に示す如き接続におけるスイッチング素子2のO
N動作時の通電電流1 twは、該ON動作によるフラ
イホイールダイオードDwの逆特性回復過程における該
ダイオードの小数キャリア電荷放電により直流電源1に
対する短絡的電流となって過渡的に増大し、前記電荷放
電の終了と共に定常値に至る。この時前記電流1.□の
時間的変化率は該電流通電経路における総合インダクタ
ンスである配線インダクタンスの3(値1.)と4(値
12)との和と前記スイッチング素子2の閉路動作時間
(ターンオン時間)Tonとを主要因子として決定され
、該時間T。Hの短縮すなわち前記スイッチング素子の
高速化と共に増大する。
O of the switching element 2 in the connection as shown in FIG.
The conduction current 1 tw during the N operation becomes a short-circuit current to the DC power supply 1 due to the discharge of the minority carrier charge of the flywheel diode Dw in the reverse characteristic recovery process of the flywheel diode Dw due to the ON operation, and increases transiently. It reaches a steady value when the discharge ends. At this time, the current 1. The time rate of change of □ is the sum of wiring inductances 3 (value 1.) and 4 (value 12), which is the total inductance in the current carrying path, and the closing operation time (turn-on time) Ton of the switching element 2. The time T is determined as the main factor. It increases as H becomes shorter, that is, the speed of the switching element increases.

前記ダイオードD8の電荷放電終了期に対応する逆特性
回復直前における前記電流1swの減少期においては、
前記配線インダクタンス4部において前記電流1 sw
の減少を妨げる方向にて発生する過渡逆起電力ΔV m
uが前記ダイオードDwに対する定常逆電圧である前記
直流電源1の電圧E4に重畳され、その合成値が前記過
渡電圧ΔVS、の値如何によっては前記ダイオードの規
定の逆耐圧値を超過する場合も生じ得る。
In the decreasing period of the current 1sw immediately before the reverse characteristic recovery corresponding to the end of charge discharge of the diode D8,
The current 1 sw in the wiring inductance 4 parts
Transient back electromotive force ΔV m generated in a direction that prevents the decrease of
u is superimposed on the voltage E4 of the DC power supply 1, which is a steady reverse voltage to the diode Dw, and the combined value may exceed the specified reverse breakdown voltage value of the diode depending on the value of the transient voltage ΔVS. obtain.

従って本発明は、前記過渡電圧Δv、、として現はれる
前記配線インダクタンス4における蓄積エネルギの放出
をスナバコンデンサC,lにバイパスする放電経路形成
用ダイオードを設は前記過渡電圧Δv0の抑制を図るも
のである。因に前記の如きバイパス経路形成により前記
過渡電圧Δ■、、は下記の式(1)及び式(2)に示す
如くなる。
Therefore, the present invention aims to suppress the transient voltage Δv0 by providing a discharge path forming diode that bypasses the release of the stored energy in the wiring inductance 4, which appears as the transient voltage Δv, to the snubber capacitors C and l. It is. By forming the bypass path as described above, the transient voltage Δ■ becomes as shown in the following equations (1) and (2).

−・・・・−一−−−・・・−・・−・・ (1)但し
Lwpは前記電流Iswのピーク値、VDは前記バイパ
ス経路用ダイオードのえん層重圧、C,、は前記スナバ
コンデンサの静電容量である。
−・・−−1−−−・・・・−・・ (1) However, Lwp is the peak value of the current Isw, VD is the engraved layer pressure of the bypass path diode, and C, is the snubber It is the capacitance of a capacitor.

〔実施例〕〔Example〕

以下この発明の実施例を図面により説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第1図はこの発明の実施例を示す回路図、第2図は第1
回答部諸元の動作波形図、第3図と第4図とはそれぞれ
本発明によるスナバ回路を用いたPAM方式インバータ
装置回路図とPWM方式インバータ装置回路図である。
Fig. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention, and Fig. 2 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention.
The operating waveform diagrams of the answer section specifications, FIG. 3 and FIG. 4 are respectively a circuit diagram of a PAM type inverter device and a PWM type inverter device using the snubber circuit according to the present invention.

なお第1図においては第5図に示す従来技術の実施例の
場合と同一機能の構成要素に対しては同一の表示符合を
附している。
In FIG. 1, components having the same functions as in the prior art embodiment shown in FIG. 5 are given the same reference numerals.

第1図は第5図において、フライホイールダイオードD
。とスナバコンデンサC7との間に図示極性にてダイオ
ードD1を設けたものである。従ってスイッチング素子
2のON動作に対応する前記ダイオードD、の逆特性回
復時の前記過渡電圧Δv0が直流電源電圧E4に重畳し
て前記ダイオードD、に逆印加された場合、該重畳電圧
と前記コンデンサC7の定常的端子電圧との差電圧に応
じて該コンデンサに対する充電電流■□が通電し配線イ
ンダクタンス4部の蓄積エネルギの放電を行ない前記過
渡電圧Δvfi、の抑制を行なうものである。
Figure 1 shows the flywheel diode D in Figure 5.
. A diode D1 is provided between the snubber capacitor C7 and the snubber capacitor C7 with the polarity shown. Therefore, when the transient voltage Δv0 at the time of recovery of the reverse characteristic of the diode D corresponding to the ON operation of the switching element 2 is superimposed on the DC power supply voltage E4 and reversely applied to the diode D, the superimposed voltage and the capacitor A charging current ■□ is applied to the capacitor in accordance with the voltage difference from the steady terminal voltage of C7, thereby discharging the energy stored in the wiring inductance 4 and suppressing the transient voltage Δvfi.

第2図は上記各動作状態を示すものであり、従来技術に
おける場合の動作波形図第6図に対応する。第6図(ホ
)に示す過渡電圧Δv splば高速スイッチング素子
を使用する場合においても第2図(ホ)のΔvoに示す
如く抑制される。なお第2図(へ)に示す如く前記コン
デンサ充電電流Is’nはパルス状となりピーク値1.
7.を有する。
FIG. 2 shows each of the above-mentioned operating states, and corresponds to the operating waveform diagram of FIG. 6 in the case of the prior art. The transient voltage Δv spl shown in FIG. 6(e) is suppressed as shown by Δvo in FIG. 2(e) even when a high-speed switching element is used. As shown in FIG. 2(f), the capacitor charging current Is'n becomes pulsed and has a peak value of 1.
7. has.

第3図は本発明に従うダイオードD1を有するPAM方
式インバータ装置の回路図であり、2aは高速スイッチ
ング素子としての電界効果トランジスタ、5は整流器、
6はインバータ、7は交流モータ、Cf、は濾波コンデ
ンサである。
FIG. 3 is a circuit diagram of a PAM type inverter device having a diode D1 according to the present invention, 2a is a field effect transistor as a high-speed switching element, 5 is a rectifier,
6 is an inverter, 7 is an AC motor, and Cf is a filtering capacitor.

第4図は第3図と同様に本発明に従うダイオードDfi
zとDn4とを有する三相のPWM方式インバータ装置
の回路図であり、三相U、  V、 W各相毎のインバ
ータ部6u+6v+6w+をそれぞれ有する場合を示す
。なおダイオードDsIとI)@tとはそれぞれ電界効
果トランジスタ2゜と2゜1とに対応してフライホイー
ルダイオードとして機能する。
FIG. 4 shows, similarly to FIG. 3, a diode Dfi according to the invention.
FIG. 2 is a circuit diagram of a three-phase PWM inverter device having inverter units 6u+6v+6w+ for each of the three phases U, V, and W. Note that the diodes DsI and I)@t function as flywheel diodes corresponding to the field effect transistors 2° and 2°1, respectively.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明によれば、フライホイールダイオードを逆並列し
た誘導性負荷の直流供給電圧可変用の高速スイッチング
素子と、抵抗とダイオードとコンデンサとの直並列回路
より成るスナバ回路とから構成される直流電圧断続回路
において、前記のフライホイールダイオードとスナバ回
路コンデンサとの間に前記スイッチング素子出力側の配
線インダクタンスにおける蓄積エネルギ放電用バイパス
経路を形成するダイオードを設けることにより、前記フ
ライホイールダイオードの逆特性回復時の過渡過電圧の
抑制が可能となり該ダイオードの耐圧選択の適正化を図
ることができる。
According to the present invention, a DC voltage intermittent circuit is constructed of a high-speed switching element for varying the DC supply voltage of an inductive load with flywheel diodes in antiparallel, and a snubber circuit consisting of a series-parallel circuit of a resistor, a diode, and a capacitor. In the circuit, a diode is provided between the flywheel diode and the snubber circuit capacitor to form a bypass path for discharging the stored energy in the wiring inductance on the output side of the switching element. Transient overvoltage can be suppressed, and the withstand voltage of the diode can be appropriately selected.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図はこの発明の実施例によるスナバ回路を用いたチ
ョッパ回路図、第2図は第1図回路各部諸元の動作波形
図、第3図と第4図とはそれぞれ前記スナバ回路を用い
たPAM方式インバータ装置回路図とPWM方式インバ
ータ装置回路図、第5図は従来技術によるスナバ回路を
用いたチョッパ回路図、第6図は第5図回路各部諸元の
動作波形図である。 1・・・直流電源、2.2−.2u+、2uz・・・ス
イッチング素子、3,4・・・配線インダクタンス、5
・・・整流器、6.6..6v、6.・・・インバータ
、7・・・交流モータ、Cfl+  Cf2.CB +
  C+r++  Cn□・・・コデンサ、D 111
−D114+  Da l  Dst+  Dst、D
w・・・ダイオード、DCL・・・直流リアクトル、R
111Rイい RRt・・・抵抗。 第1図 第2図 第 図 第 図 SW拝 第 図
FIG. 1 is a chopper circuit diagram using a snubber circuit according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is an operating waveform diagram of the specifications of each part of the circuit shown in FIG. 5 is a chopper circuit diagram using a snubber circuit according to the prior art, and FIG. 6 is an operating waveform diagram of specifications of each part of the circuit shown in FIG. 5. 1... DC power supply, 2.2-. 2u+, 2uz... Switching element, 3, 4... Wiring inductance, 5
... Rectifier, 6.6. .. 6v, 6. ...Inverter, 7...AC motor, Cfl+Cf2. CB+
C+r++ Cn□・・・Codenser, D 111
-D114+ Dal Dst+ Dst, D
w...Diode, DCL...DC reactor, R
111R RRt...Resistance. Figure 1 Figure 2 Figure 2 Figure SW Hai Figure

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1)逆並列接続されたダイオードを有する高速スイッチ
ング素子とその誘導性負荷に逆並列に接続されたダイオ
ードとを直列に接続して成る直流断続回路の前記高速ス
イッチング素子に対するスナバ回路であって、直流電源
電圧に対して順方向となされたダイオードと抵抗との並
列接続に直列に接続されたコンデンサとから成る直並列
回路を形成し前記直流断続回路に対し並列に接続された
前記高速スイッチング素子のスナバ回路において、該ス
ナバ回路のダイオードとコンデンサとの接続点と前記高
速スイッチング素子の出力側又は入力側端子との間に、
前記の負荷並列ダイオードの逆回復時に前記高速スイッ
チング素子の通電電流急減に伴ない該高速スイッチング
素子の内部或いはその近辺の配線インダクタンスに基づ
いて発生する過渡過電圧による前記コンデンサへの充電
電流を通電させる極性にて挿入されたダイオードを設け
たことを特徴とする高速スイッチング素子のスナバ回路
1) A snubber circuit for the high-speed switching element of a DC intermittent circuit formed by connecting in series a high-speed switching element having a diode connected in anti-parallel and a diode connected in anti-parallel to its inductive load, the snubber circuit for the high-speed switching element; A snubber of the high-speed switching element is connected in parallel to the DC intermittent circuit, forming a series-parallel circuit consisting of a capacitor connected in series with a parallel connection of a diode and a resistor in the forward direction with respect to the power supply voltage. In the circuit, between the connection point between the diode and the capacitor of the snubber circuit and the output side or input side terminal of the high-speed switching element,
polarity that causes a charging current to flow through the capacitor due to a transient overvoltage generated based on wiring inductance inside or near the high-speed switching element as the current flowing through the high-speed switching element suddenly decreases during reverse recovery of the load parallel diode; A snubber circuit for a high-speed switching element characterized by having a diode inserted in the circuit.
JP1450789A 1989-01-24 1989-01-24 Snubber circuit for high speed switching element Pending JPH02194726A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5260607A (en) * 1991-03-27 1993-11-09 Mitsubishi Denki K.K. Snubber circuit for power converter

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US5260607A (en) * 1991-03-27 1993-11-09 Mitsubishi Denki K.K. Snubber circuit for power converter

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